本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 FUJITSU SEMICONDUCTOR DS04–21215–4 DATA SHEET ASSP SIMPLL CMOS 小型パッケージ 搭載 IF 用 PLL 周波数シンセサイザ MB15C101 ■ 概要 MB15C101 は , PHS 用に開発された IF 帯の周波数シンセサイザを構成するために最適な , 固定分周のパルススワロー方 式 PLL 周波数シンセサイザ LSI です。 MB15C101 は , 基準分周段や比較分周段の分周比を固定にしており , 外部からの設定が不要です。また , 小型パッケージ (SSOP-8) に搭載しており , 機器の小型化や設計を容易にします。 電源電圧は標準 3 V, 消費電流は CMOS プロセスの採用により標準 1.0 mA であり , 機器の低消費電力化が実現できます。 SIMPLL :Small-package and IF-band Mask ROM PLL PHS :Personal Handyphone System PLL :Phase Locked Loop IF :Intermediate Frequency ■ 特長 ・ パルススワロー方式 PLL ・ 設定周波数 設定周波数 基準周波数 DIV = L DIV = H 259.20 MHz 233.15 MHz ・ ロック検出回路内蔵 PLL のロック時に “H” レベル出力となるデジタル方式のロック検出回路内蔵 ・ 低電圧動作 :2.4 V ∼ 3.6 V ・ 低消費電流 :標準 1.0 mA (VCC = 3 V, 270 MHz) ・ 電源投入時からの高速同期が可能 当社独自の高速同期用チャージポンプを搭載 (IOH/IOL = 6.0 mA) ・ 動作温度 :− 40 °C ∼+ 85 °C Copyright©1999-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 2012.11 19.2 MHz MB15C101 ■ 端子配列図 (TOP VIEW) VCC 1 8 OSC IN DO 2 7 LD GND 3 6 fout fin 4 5 DIV (FPT-8P-M03) ■ 端子機能説明 端子番号 端子記号 I/O 1 VCC ⎯ 電源端子です (VCC = 2.4 V ∼ 3.6 V) 。 2 DO O チャージポンプの出力端子です。 3 GND ⎯ GND 端子です。 4 fin I プリスケーラの入力端子です。AC 結合にて入力してください。 5 DIV I 分周比切換え端子です。DIV:“H” レベル /“L” レベルで 2 種類の分周比を選択します。 6 fout O 試験用端子 ( オープンドレイン出力 ) です。開放状態でご使用ください。 7 LD O ロック検出出力端子です。ロック時 LD = “H”, アンロック時 LD = “L” です。 8 OSCIN I リファレンスカウンタの入力端子です。AC 結合にて入力してください。 SSOP-8 2 機能説明 DS04–21215–4 MB15C101 ■ ブロックダイヤグラム VCC 基準分周段 水晶入力 バッファ OSCIN リファレンス カウンタ (R) スワロー カウンタ (A) プリス ケーラ 16/17 (P) fin 位相比較器 チャージ ポンプ Do ディジタル ロック 検出回路 LD fp 比較分周段 データ 設定回路 DIV fr fout 出力選択回路 メイン カウンタ (N) コントロール 回路 GND ■ 固定分周比のパルススワロー機能 fVCO =〔 (P × N) + A〕× fOSC ÷ R 記号 内容 fVCO VCO の出力周波数 fOSC 基準発振周波数 N メインカウンタ設定値 A スワローカウンタ設定値 P プリスケーラの分周比 R リファレンスカウンタ設定値 DS04–21215–4 DIV = H DIV = L 233.15 MHz 259.20 MHz 19.2 MHz 19.2 MHz 291 33 7 12 16, 17 分周 16, 17 分周 384 (fr = 50 kHz) 40 (fr = 480 kHz) 3 MB15C101 ■ 絶対最大定格 定格値 項目 記号 単位 最小 最大 電源電圧 VCC − 0.5 + 4.0 V 出力電圧 VO − 0.5 VCC + 0.5 V 入力電圧 VI − 0.5 VCC + 0.5 V 出力電流 IO 0 +5 mA 保存温度 Tstg − 55 + 125 °C <注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 ■ 推奨動作条件 規格値 項目 記号 単位 最小 標準 最大 電源電圧 VCC 2.4 3.0 3.6 V 入力電圧 VIN GND ⎯ VCC V 動作温度 Ta − 40 ⎯ + 85 °C <注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条 件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼 性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。 4 DS04–21215–4 MB15C101 ■ 電気的特性 ( 推奨動作条件において ) 規格値 項目 記号 入力感度 入力電圧 入力電流 標準 最大 PLL ロック時 (270 MHz) Ta =+ 25 °C, VCC = 3.0 V 0.1 1.0 2.0 mA fin fin 1000 pF で AC 結合時 50 ⎯ 270 MHz OSCIN fOSC 1000 pF で AC 結合時 3 ⎯ 26 MHz fin Pfin 1000 pF で AC 結合時 − 10 ⎯ 2 dBm OSCIN VOSC 1000 pF で AC 結合時 0.5 ⎯ ⎯ VP-P VIH ⎯ 0.7 × VCC ⎯ ⎯ V VIL ⎯ ⎯ ⎯ 0.3 × VCC V IIH ⎯ ⎯ ⎯ 1.0 μA IIL ⎯ − 1.0 ⎯ ⎯ μA IOSC ⎯ − 100 ⎯ + 100 μA DIV DIV 入力電流 OSCIN 出力電圧 Do 出力電流 Do ハイインピーダンス カットオフ電流 Do DS04–21215–4 単位 最小 ICC 電源電流 動作周波数 条件 VOH VCC = 3.0 V, IOH =− 0.3 mA 2.6 ⎯ ⎯ V VOL VCC = 3.0 V, IOL = 0.3 mA ⎯ ⎯ 0.4 V IOH VCC = 3.0 V,VOH = 2 V, Ta =+ 25 °C ⎯ − 6.0 ⎯ mA IOL VCC = 3.0 V, VOL = 1 V, Ta =+ 25 °C ⎯ 6.0 ⎯ mA IOFF 0 V ≦ VDO ≦ VCC ⎯ ⎯ 3.0 nA 5 MB15C101 ■ 位相比較器の出力波形 fr fp tWU tWL LD DO ハイインピーダンス (注意事項)・ 位相差の検出は− 2π ∼ + 2π です。 ・ LD 出力は位相差 tWU 以上になると “L” レベルを出力し , 位相差 tWL の状態が 3 周期以上連続したとき , “H” レベルを出力します。 ・ ロック時の DO パルス ( ひげ ) は不感地帯をなくすために出力しています。 ・ tWU, tWL は OSCIN 入力周波数で決定され下記の通りとなります。 tWU ≧ 8 × fOSC[s] tWL ≦ 16 × fOSC[s] 6 例 ) fOSC = 12.8 MHz :tWU ≧ 625.0 ns :tWL ≦ 1250.0 ns DS04–21215–4 MB15C101 ■ 標準特性曲線 1. fin 入力感度特性 入力感度−入力周波数特性 (dBm) Ta = +25 °C 10 5 0 SPEC 入力感度 Pfin -5 -10 -15 -20 -25 -30 VCC = 2.4 V VCC = 3.0 V VCC = 3.6 V -35 -40 -45 -50 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 (MHz) 入力周波数 fin 2. OSCIN 入力感度特性 入力感度−入力周波数特性 (dBm) Ta = +25°C 10 5 VCC = 2.4 V VCC = 3.0 V VCC = 3.6 V SPEC 0 入力感度 Vosc -5 -10 -15 -20 -25 -30 -35 -40 -45 -50 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 (MHz) 入力周波数 fosc DS04–21215–4 7 MB15C101 ・測定回路例 (fin, OSCIN 入力感度測定 ) < SSOP-8 ピン> VCC S.G 1000 pF 1 8 2 7 0.1 uF 50 Ω VCC 2 KΩ 3 6 4 5 オシロ スコープ S.G DIV : H or L 1000 pF 50 Ω 3. fin 入力インピーダンス特性 4 : 11.867 Ω −131.54 Ω 4.0331 pF 300.000 000 MHz 1 : 58.875 Ω −850.16 kΩ 50 MHz 2 : 16.891 Ω −416.2 Ω 100 MHz 3 : 12.047 Ω −202.87 Ω 200 MHz 1 2 4 START .500 000 MHz 8 3 STOP 1 000.000 000 MHz DS04–21215–4 MB15C101 4. OSCIN 入力インピーダンス特性 4 : 068.25 Ω −1.4236 Ω 4.3 pF 26.000 000 MHz 1 : 5.1345 Ω −10.288 kΩ 3 MHz 2 : 529.87 Ω −3.6659 kΩ 10 MHz 3 : 114.44 Ω −1.8514 kΩ 4 20 MHz 1 23 START .500 000 MHz DS04–21215–4 STOP 100.000 000 MHz 9 MB15C101 5. DO 出力電流特性 VOH − IOH 特性 VCC = 3.0 V, Ta =+ 25 °C 3.0 2.5 VOH (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 IOH (mA) VOL − IOL 特性 VCC = 3.0 V, Ta = +25 °C 3.0 2.5 VOL (V) 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 0 2 4 6 8 10 12 IOL (mA) 【測定回路例】 VCC fin OSCIN S.G. 50 1000 pF IOH VCC Parameter Analyzer Do GND VCC fin S.G. 10 50 1000 pF OSCIN IOL VCC Do Parameter Analyzer GND DS04–21215–4 MB15C101 ■ 応用特性例 1. アプリケーション特性例 ・測定結果 ( 参考 ) Results ロック時間± 1 kHz Un look → Lock Power on → Lock 2.3 ms 3.4 ms リファレンス・リーク (Δf = 58 kHz) 位相ノイズ − 88.5 dBc − 88.0 dBc/Hz − 111.0 dBc/Hz − 118.0 dBc/Hz − 134.0 dBc/Hz (Δf = 1 kHz) (Δf = 10 kHz) (Δf = 100 kHz) (Δf = 1 MHz) VCC (V) 3.0 V Discrete VCO (KV = 3.5 MHz/V) Lock Frequency = 274.0 MHz (fr = 58 kHz) VCO ・測定回路図 ( 参考 ) 18 Ω VCC = 3.0 V 1000 pF 18 Ω 18 Ω Spectrum Analyzer Loop Filter fin R1 MB15C101 VCO S.G 1000 pF 50 Ω DS04–21215–4 OSCIN C1 R2 C2 C3 C1 = 6800 pF C2 = 0.068 μF C3 = 4800 pF R1 = 3.0 kΩ R2 = 3.9 KΩ 11 MB15C101 2. VCO スペクトラム波形 Δ f = 1 kHz SPAN 2.0 kHz ATTEN 10dB RL −1.5 dBm 10 dB/ CENTER 273.999827 MHz RBW 30 Hz VBW 3.0 Hz Δ f = 100 kHz SPAN 200 kHz ATTEN 10dB RL −1.5 dBm 10 dB/ CENTER 274.0002 MHz RBW 1.0 kHz VBW 30 Hz 12 ΔMKR −73.83 dB 1.000 kHz SPAN 2.000 kHz SWP 3.00 sec ΔMKR −88.50 dB 58.0 kHz SPAN 200.0 kHz SWP 30.0 sec Δ f = 10 kHz SPAN 20 kHz ATTEN 10dB RL −1.5 dBm 10 dB/ CENTER 273.999827 MHz RBW 100 Hz VBW 30 Hz Δ f = 1 MHz SPAN 2 MHz ATTEN 10dB RL −30.0 dBm 10 dB/ START 274.000 MHz RBW 1.0 Hz VBW 100 Hz ΔMKR −91.83 dB 10.00 kHz SPAN 20.00 kHz SWP 30. 0 sec ΔMKR −105.5 dB 275.000 MHz STOP 276.000 MHz SWP 100 sec DS04–21215–4 MB15C101 3. ロック時間:アンロック→ロック VCC “OFF” to VCC “ON” Un-Lock to Lock:DIV = “L” → “H” Δ Mkr : 2.30 ms Δ Mkr : 3.40 ms 30.00300 MHz 30.00300 MHz 1.00 kHz/div 1.000 kHz/div 29.99800 MHz 29.99800 MHz 0s 20.0000000 ms 0s 10.0000000 ms ■ 取扱い上の注意 静電気破壊に対しては , 静電防止素子を付加し , また回路上で向上を図っておりますが , 取扱いについては下記の事項 を守ってください。 ・ 保管の移動の際には , 導電性ケースに入れてください。 ・ 取り扱う前に , 作業者および治具 , 工具類が帯電のない状態 ( アース ) であることを確認し , 作業台にはアースされた 導電性シートをご用意ください。 ・ LSI をソケットに挿入 , またはソケットから取り外す際には , 電源をオフにしてください。 ・ LSI を実装したボードを取り扱う ( 運搬など ) 際には , リードを導電性のシートで保護してください。 DS04–21215–4 13 MB15C101 ■ オーダ型格 14 型格 パッケージ MB15C101PFV プラスチック・SSOP, 8 ピン (FPT-8P-M03) 備考 DS04–21215–4 MB15C101 ■ パッケージ・外形寸法図 プラスチック・SSOP, 8 ピン (FPT-8P-M03) プラスチック・SSOP, 8 ピン (FPT-8P-M03) リードピッチ 0.80mm パッケージ幅× パッケージ長さ 4.2 × 3.5mm リード形状 ガルウィング 封止方法 プラスチックモールド 取付け高さ 1.45mm MAX 質量 0.04g コード(参考) P-SSOP8-4.2×3.5-0.80 注 1)*1 印寸法のレジン残りは片側 +0.15(.006)MAX 注 2)*2 印寸法はレジン残りを含まず。 注 3)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。 注 4)端子幅はタイバ切断残りを含まず。 +0.03 *1 3.50±0.10(.138±.004) 0.17 –0.04 +.001 8 .007 –.002 5 *2 4.20±0.10 6.20±0.20 (.165±.004) (.244±.008) INDEX Details of "A" part +0.20 1.25 –0.10 +.008 .049 –.004 (Mounting height) 0.25(.010) 1 0.80(.031) "A" 4 0.37±0.08 (.015±.003) 0.10(.004) 0~8° M 0.50±0.20 (.020±.008) 0.60±0.15 (.024±.006) 0.10±0.10 (.004±.004) (Stand off) 0.10(.004) C 2002-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED F08005S-c-3-6 DS04–21215–4 単位:mm(inches) 注意:括弧内の値は参考値です。 15 MB15C101 ■ 本版での主な変更内容 変更箇所は , 本文中のページ左側の|によって示しています。 ページ 1 2 16 場所 ■ 概要 変更内容 BCC パッケージ (LCC-16P-M06) の記述を削除 ■ 端子配列図 ■ 端子機能説明 8 ■ 標準特性曲線 ・測定回路例 (fin, OSCIN 入力感度測定 ) 14 ■ オーダ型格 15 ■ パッケージ・外形寸法図 DS04–21215–4 MB15C101 MEMO DS04–21215–4 17 MB15C101 MEMO 18 DS04–21215–4 MB15C101 MEMO DS04–21215–4 19 MB15C101 富士通セミコンダクター株式会社 〒 222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル http://jp.fujitsu.com/fsl/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせ先 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 プロモーション推進部