本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–27708–1a DATA SHEET ASSP 電源用 (2 次電池用 ) 3/4 cell Li イオン電池 & NiMH 電池並列充電用 DC/DC コンバータ IC MB3879 ■ 概 要 MB3879 は , 出力電圧・出力電流を独立して制御できるパルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の 3/4 cell Li イオン電池 & NiMH 電池並列充電用 DC/DC コンバータ IC です。 AC アダプタの電圧垂下を検出し , その電力を一定にするため 2 次電池の充電電流を動的に制御 ( 動的制御充電： Dynamically-controlled charging) 可能にしています。 この動作により , ノートパソコン動作時に AC アダプタに応じて急速充 電が可能となります。 また , システム電流と制御 IC 入力電流のトータル電流を検出し , 2 次電池の制御 ( 差動充電：Differential-charging) も可 能にしています。この動作により , ノートパソコンの動作状態に応じて充電電流を可変できるため効率の良い充電が可能 となります。 さらに , 2 個の電池を同時に充電できる並列充電が可能なため , 充電時間が大幅に短縮できます。 出力電圧設定抵抗を内 蔵し , 高精度な出力電圧を設定でき , 出力電力切替え機能により , 黒鉛系とコークス系両方の Li イオン電池はもとより NiMH 電池にも対応しており , ノートパソコンなどの内蔵充電器に最適です。 ■ 特 長 ・ AC アダプタの電圧垂下を検出し充電電流を動的に制御可能 (Dynamically-controlled charging) ・ システム電流と制御 IC 入力電流のトータル電流を検出可能 (Differential-charging) ・ 4 ビットのデコーダにより出力電圧の選択が可能 12.3 V (3 cell：4.1 V) , 12.6 V (3 cell：4.2 V) , 16.4 V (4 cell：4.1 V) , 16.8 V (4 cell：4.2 V) ・ 高効率 ：94 ％ ( 逆流防止ダイオード入り ) ・ 電源電圧範囲が広い ：8 V ～ 25 Ｖ ・ 出力電圧設定精度 ( 出力電圧設定抵抗内蔵 ) ：± 0.8 ％ (Ta ＝＋ 25 °C) ・ 充電電流設定精度 ：± 5 ％ ・ 周波数設定抵抗を内蔵し外付け容量のみで周波数設定可能 ・ 発振周波数範囲 ：100 kHz ～ 500 kHz （続く） ■ パッケージ プラスチック・LQFP, 48 ピン (FPT-48P-M05) Copyright©2001-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2001.10 MB3879 （続き） ・ 同相入力電圧範囲の広い電流検知 Amp 内蔵 ・ スタンバイ電流 ・ 負荷依存のないソフトスタート回路内臓 ・ 充電モード検出機能内蔵 ・ Pch MOS FET 対応トーテムポール形式出力段内蔵 2 ：0 V ～ Vcc ：0 µA MB3879 ■ 端子配列図 +INC1 -INC1 FB1 OUTC1 -INE1 +INE1 FB2 -INE2 +INE2 DTC GND CT 48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37 (TOP VIEW) CTL 7 30 FB5 VDD 8 29 -INE5 VB 9 28 TEST OUT-EV 10 27 GNDO OUT-EC 11 26 VH OUT-EA2 12 25 VCCO 24 +INE4 OUT 31 23 6 CS1 VSS 22 -INE4 CS2 32 21 5 -INE6 D3 20 OUTC3 FB6 33 19 4 +INE3 D2 18 FB4 -INE3 34 17 3 OUTC2 D1 16 +INC3 FB3 35 15 2 +INC2 D0 14 IN2 IN1 36 13 1 OUT-EA1 VCC (FPT-48P-M05) 3 MB3879 ■ 端子機能説明 端子番号 端子記号 I/O 機 能 説 明 1 VCC 2 D0 I VDD ロジック入力端子です。 3 D1 I VDD ロジック入力端子です。 4 D2 I VDD ロジック入力端子です。 5 D3 I VDD ロジック入力端子です。 6 VSS VDD ロジック接地端子です。 7 CTL I 8 VDD VDD ロジック電源端子です。 9 VB O 基準電圧出力端子です。 10 OUT-EV O 定電圧充電状態判別信号出力端子です。 H レベル：動的制御充電または差動充電または定電流充電モード L レベル：BATT1 または BATT2 定電圧充電モード 11 OUT-EC O 定電流充電状態判別信号出力端子です。 H レベル：動的制御充電または差動充電または定電圧充電モード L レベル：BATT1 または BATT2 定電流充電モード 12 OUT-EA2 O 差動充電 (Differential-charging) 判別信号出力端子です。 H レベル：動的制御充電または定電圧充電または定電流充電モード L レベル：差動充電モード 13 OUT-EA1 O 動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) 判別信号出力端子です。 H レベル：差動充電または定電圧充電または定電流充電モード L レベル：動的制御充電モード 14 IN1 I <BATT1> 電流検知増幅器 (Current Amp2) 入力端子です。 出力電圧 帰還入力端子です。 15 ＋ INC2 I <BATT1> 電流検知増幅器 (Current Amp2) 入力端子です。 16 FB3 O <BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp3) 出力端子です。 17 OUTC2 O <BATT1> 電流検知増幅器 (Current Amp2) 出力端子です。 18 － INE3 I <BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp3) 反転入力端子です。 19 ＋ INE3 I <BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp3) 非反転入力端子です。 20 FB6 O <BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp6) 出力端子です。 21 － INE6 I <BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp6) 反転入力端子です。 22 CS2 ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。 23 CS1 ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。 24 OUT O 外付け FET ゲート駆動端子です。 25 VCCO ドライバ部電源端子です。 26 VH O FET 駆動回路用電源端子です。(VH ＝ VCC － 6 V) 27 GND0 接地端子です。 28 TEST O 充電電圧設定用内部基準電圧。 29 － INE5 I <BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp5) 反転入力端子です。 30 FB5 O <BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp5) 出力端子です。 31 ＋ INE4 I <BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp4) 非反転入力端子です。 32 － INE4 I <BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp4) 反転入力端子です。 33 OUTC3 O <BATT2> 電流検知増幅器 (Current Amp3) 出力端子です。 電源端子です。 電源コントロール端子です。CTL 端子を “L” レベルにすることにより IC はスタンバイ状態になります。 （続く） 4 MB3879 （続き） 端子番号 端子記号 I/O 機 能 説 明 34 FB4 O <BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp4) 出力端子です。 35 ＋ INC3 I <BATT2> 電流検知増幅器 (Current Amp3) 入力端子です。 36 IN2 I <BATT2> 電流検知増幅器 (Current Amp3) 入力端子です。 出力電圧 帰還入力端子です。 37 CT 三角波発振周波数設定用容量接続端子です。 38 GND 接地端子です。 39 DTC I 外部デューティコントロール入力端子です。 40 ＋ INE2 I 誤差増幅器 (Error Amp2) 非反転入力端子です。 41 － INE2 I 誤差増幅器 (Error Amp2) 反転入力端子です。 42 FB2 O 誤差増幅器 (Error Amp2) 出力端子です。 43 ＋ INE1 I 誤差増幅器 (Error Amp1) 非反転入力端子です。 44 － INE1 I 誤差増幅器 (Error Amp1) 反転入力端子です。 45 OUTC1 O 電流検知増幅器 (Current Amp2) 出力端子です。 46 FB1 O 誤差増幅器 (Error Amp1) 出力端子です。 47 － INC1 I 電流検知増幅器 (Current Amp1) 入力端子です。 48 ＋ INC1 I 電流検知増幅器 (Current Amp1) 入力端子です。 5 MB3879 ■ ブロックダイヤグラム VCC 1 −INE OUTC1 +INC1 48 −INC1 47 +INE1 43 FB1 FB2 46 −INE2 41 − +INE2 40 + DTC −INE3 OUTC2 +INC2 39 IN1 14 +INE3 FB3 −INE4 OUTC3 +INC3 19 IN2 36 +INE4 FB4 31 44 <Current + Amp1> ×25 − + <Error Amp1> <VDD> − − + 13 OUT-EA1 12 OUT-EA2 11 OUT-EC 10 OUT-EV 25 VCCO 24 OUT <MODE Comp.2> + − FB Voltage Selector 42 <Error Amp2> <MODE Comp.3> + − <<Dynamically-Contorl>> 18 <MODE Comp.4> <<Current-Contorl>> 17 <Current + Amp2> ×25 − 15 + <Error Amp3> − − + + 16 32 <Current + Amp3> ×25 − 35 34 <Error Amp4> − + + <PWM Comp> FB Voltage Selector 33 26 VH bias (VCC − 6 V) Voltage <VH> 27 GNDO R1 22.4 kΩ R1 <<Voltage-Contorl>> 22.4 kΩ <Error Amp5> 29 FB5 30 Drive VCC <SOFT1> VB 23 −INE5 <OUT> + + + − − + + R2 <UVLO> FB Voltage Selector CS1 <MODE Comp.1> <<Differencial-Control>> 45 VCC UVLO VB UVLO R2 <Error Amp6> −INE6 21 3V R3 8.4 kΩ R3 8.4 kΩ FB6 − + + 2.8 kΩ 2.8 kΩ 2V 20 <SOFT2> VB CS2 22 VDD 8 D0 D1 D2 D3 2 (4.2 V) 5 6 VSS 6 <Decoder> 4 <Larch> 3 <REF> (4.1 V) <OSC> <VB> bias (5 V) 37 28 CT TEST <VR> 9 38 VB GND <CTL> 7 CTL MB3879 ■ 絶対最大定格 項 目 記 号 VCC 電源電圧 条 件 VCC, VCCO 端子 VDD 定 格 値 単 位 最 小 最 大 28 V 17 V 出力電流 IO OUT 端子 60 mA ピーク出力電流 IOP OUT 端子 Duty ≦ 5 ％ (t ＝ 1 / fOSC × Duty) 700 mA 許容損失 PD Ta ≦＋ 25 °C 860 ＊ mW 保存温度 Tstg － 55 ＋ 125 °C ＊：10 cm 角の両面エポキシ基板に実装時 ＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ ります。 したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。 ■ 推奨動作条件 項 目 電源電圧 記 号 条 件 VCC VCC, VCCO 端子 VDD 規 格 値 単位 最 小 標 準 最 大 8 19 25 V 2.7 5 7 V 基準電圧出力電流 IB VB 端子 －1 0 mA VH 端子出力電流 IH VH 端子 0 30 mA VINE － INE1 ～－ INE6, ＋ INE1 ～＋ INE4 端子 0 VCC － 1.8 V VINC ＋ INC1 ～＋ INC3, － INC1 端子 0 VCC V VINC IN1, IN2 端子 0 VCC V VDTC DTC 端子 0 VCC － 0.9 V 出力電流 IO OUT 端子 － 45 ＋ 45 mA ピーク出力電流 IOP Duty ≦ 5 ％ (t ＝ 1 / fosc × Duty) OUT 端子 － 600 ＋ 600 mA 入力電圧 CTL 端子入力電圧 VCTL CTL 端子 0 25 V デコーダ部入力電圧 VDEC D0 ～ D3 端子 0 VDD V 発振周波数 fOSC 100 300 500 kHz タイミング容量 CT 47 100 330 pF ソフトスタート容量 CS 0.022 1.0 µF VH 端子容量 CH 0.1 1.0 µF CREF 0.1 1.0 µF Ta － 30 ＋ 25 ＋ 85 °C 基準電圧出力容量 動作周囲温度 ＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。 電気的特性の規格値は , すべてこの条 件の範囲内で保証されます。 常に推奨動作条件下で使用してください。 この条件を超えて使用すると , 信頼 性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。 記載され ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。 7 MB3879 ■ 電気的特性 (VCC ＝ VCCO ＝ 19 V, VDD ＝ 5 V, 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝＋ 25 °C) 項 目 1. 基準 電圧部 ［REF］ VTEST1 28 VTEST2 条 件 規 格 値 単位 標 準 最 大 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝＋ 25 °C 4.167 4.200 4.233 V 28 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝－ 30 °C ～＋ 85 °C 4.158 4.200 4.242 V VTEST3 28 充電モード＝ Li4C41, Ta ＝＋ 25 °C 4.063 4.100 4.137 V VTEST4 28 充電モード＝ Li4C41, Ta ＝－ 30 °C ～＋ 85 °C 4.050 4.100 4.150 V VB1 9 Ta ＝＋ 25 °C 4.95 5.00 5.05 V VB2 9 Ta ＝－ 30 °C ～＋ 85 °C 4.94 5.00 5.06 V Line 9 VCC ＝ VCCO ＝ 8 V ～ 25 V 3 10 mV Load 9 VB ＝ 0 mA ～－ 1 mA 1 10 mV 短絡時出力電流 los 9 VB ＝ 1 V － 25 － 15 －5 mA スレッショルド 電圧 VTLH 1 VCC ＝ VCCO ＝ 6.0 6.2 6.4 V VTHL 1 VCC ＝ VCCO ＝ 5.0 5.2 5.4 V 1 1* V 出力電圧 2. 制御回路 バイアス 入力安定度 電圧部 ［VB］ 負荷安定度 3. 低 VCC 時 誤動作防止 ヒステリシス幅 回路部 スレッショルド ［UVLO］ 電圧 ヒステリシス幅 4. ソフト スタート部 充電電流 ［SOFT1, SOFT2］ 発振周波数 周波数温度変動率 入力オフセット 電圧 6. 誤差 増幅器部 ［Error Amp1 ～ Error Amp6］ 測定 端子 最 小 出力電圧 5. 三角波 発振器部 ［OSC］ 記号 VH 1 VTLH 9 VB ＝ 2.5 2.7 2.9 V VTHL 9 VB ＝ 2.3 2.5 2.7 V V VH 9 ICS 22, 23 － 14 － 10 －6 µA fOSC 24 CT ＝ 100 pF 240 300 360 kHz Δf/fdt Ta ＝－ 10 °C ～＋ 85 °C 5 *1 ％ 24 Ta ＝－ 30 °C ～＋ 85 °C 10 *1 ％ 1 5 mV － 100 － 30 nA 16, 34, Error Amp1, Error Amp2 42, 46 0 VCC － 1.8 V VIO 入力バイアス電流 IB 同相入力電圧範囲 VCM 18, 19, 31, 32, Error Amp1 ～ Error Amp4 40, 41, FB1 ～ FB4 ＝ 2.5 V 43, 44 18, 19, 31, 32, 40, 41, 43, 44 － INE1 ＝＋ INE1 ＝ － INE2 ＝＋ INE2 ＝ － INE3 ＝＋ INE3 ＝ － INE4 ＝＋ INE4 ＝ 0 V 0.2 ＊1 電圧利得 AV 16, 34, DC 42, 46 100 *1 dB 周波数帯域幅 BW 16, 34, AV ＝ 0 dB 42, 46 2 *1 MHz ＊ 1：標準設計値 （続く） 8 MB3879 (VCC ＝ VCCO ＝ 19 V, VDD ＝ 5 V, 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝＋ 25 °C) 項 目 記号 条 件 規 格 値 最 小 標 準 最 大 単位 VOH 16, 20, 30, 34, FB1 ～ FB6 ＝－ 1 mA 42, 46 4.5 4.7 V VOL 16, 20, 30, 34, FB1 ～ FB6 ＝ 1 mA 42, 46 1.0 1.2 V 出力ソース電流 16, 20, ISOURCE 30, 34, FB1 ～ FB6 ＝ 2.5 V 42, 46 －9 － 4.5 mA 出力シンク電流 ISINK 16, 20, 30, 34, FB1 ～ FB6 ＝ 2.5 V 42, 46 4.5 9.0 ｍA VTH1 FB5 ＝ FB6 ＝ 2.5 V, Ta ＝＋ 25 °C 20, 30 充電モード＝ Li4C42, Li3C42 VTH*2 × 0.992 VTH × 1.000 VTH × 1.008 V VTH2 FB5 ＝ FB6 ＝ 2.5 V, Ta ＝－ 30 °C ～＋ 85 °C 20, 30 充電モード＝ Li4C42, Li3C42 VTH*2 × 0.990 VTH × 1.000 VTH × 1.010 V VTH3 FB5 ＝ FB6 ＝ 2.5 V, Ta ＝＋ 25 °C 20, 30 充電モード＝ Li4C41, Li3C41 VTH*3 × 0.991 VTH × 1.000 VTH × 1.009 V VTH4 FB5 ＝ FB6 ＝ 2.5 V, Ta ＝－ 30 °C ～＋ 85 °C 20, 30 充電モード＝ Li4C41, Li3C41 VTH*3 × 0.989 VTH × 1.000 VTH × 1.011 V IINEH1 14, 36 IN1 ＝ IN2 ＝ 16.8 V 充電モード＝ Li4C42 500 750 µA IINEH2 14, 36 IN1 ＝ IN2 ＝ 16.4 V 充電モード＝ Li4C41 488 730 µA IINL 14, 36 VCC ＝ VCCO ＝ 0 V, IN1 ＝ IN2 ＝ 16.9 V 0 1 µA Ra R1 ＋ R2 14, 36 IN1 ＝ IN2 ＝ 16.8 V 充電モード＝ Li4C42 17.6 25.2 32.8 kΩ Rb R3 21, 29 IN1 ＝ IN2 ＝ 16.8 V 充電モード＝ Li4C42 5.9 8.4 10.9 kΩ Rc R1 14, 36 IN1 ＝ IN2 ＝ 12.6 V 充電モード＝ Li3C42 15.7 22.4 29.1 kΩ Rd R2 ＋ R3 21, 29 IN1 ＝ IN2 ＝ 12.6 V 充電モード＝ Li3C42 7.8 11.2 14.6 kΩ 出力電圧 6. 誤差 増幅器部 ［Error Amp1 ～ Error Amp6］ 測定 端子 スレッショルド 電圧 入力電流 入力抵抗 ＊ 2：16.8 V (Li4C42) , 12.6 V (Li3C42) ＊ 3：16.4 V (Li4C41) , 12.3 V (Li3C41) （続く） 9 MB3879 (VCC ＝ VCCO ＝ 19 V, VDD ＝ 5 V, 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝＋ 25 °C) 項 目 記号 I ＋ INCH I － INCH 入力電流 I ＋ INCL I － INCL 7. 電流 検出増幅器 部 ［Current Amp1 ～ Current Amp3］ 47 ＋ INC1 ＝ 3 V ～ VCC, ∆Vin ＝－ 100 mV 15, 35, ＋ INC1 ～＋ INC3 ＝ 0 V, 48 ∆Vin ＝－ 100 mV 47 ＋ INC1 ＝ 0 V ∆Vin ＝－ 100 mV 単位 最 小 標 準 最 大 20 30 µA 0.1 0.2 µA － 180 － 120 µA － 195 － 130 µA 2.375 2.500 2.625 V VOUTC2 17, 33, ＋ INC1 ～＋ INC3 ＝ 3 V ～ VCC, 45 ∆Vin ＝－ 20 mV 0.410 0.530 0.650 V VOUTC3 17, 33, ＋ INC1 ～＋ INC2 ＝ 0 V ～ 3 V, 45 ∆Vin ＝－ 100 mV 2.25 2.50 2.75 V VOUTC4 ＋ INC1 ～＋ INC2 17, 33, ＝ 0 V ～ 3 V, 45 ∆Vin ＝－ 20 mV 0.33 0.53 0.73 V 0 Vcc V 23.75 25.00 26.25 V/V 2.0 *1 MHz VCM 17, 33, 45 電圧利得 AV 17, 33, ＋ INC1 ～＋ INC3 ＝ 3 V ～ VCC, 45 ∆Vin ＝－ 100 mV 周波数帯域幅 BW 17, 33, AV ＝ 0 dB 45 VOUTCH 17, 33, 45 4.8 4.9 V VOUTCL 17, 33, 45 20 200 mV 出力ソース電流 ISOURCE 17, 33, OUTC1 ～ OUTC3 ＝2V 45 －2 －1 mA 出力シンク電流 ISINK 17, 33, OUTC1 ～ OUTC3 ＝2V 45 100 200 µA スレッショルド 電圧 入力端子電流 9. DTC 検出部 ［DTC］ 15, 35, ＋ INC1 ～＋ INC3 ＝ 3 V ～ VCC, 48 ∆Vin ＝－ 100 mV 規 格 値 ＋ INC1 ～＋ INC3 17, 33, ＝ 3 V ～ VCC, 45 ∆Vin ＝－ 100 mV 出力電圧 8. PWM 比較器部 ［PWM Comp.］ 条 件 VOUTC1 電流検知電圧 同相入力電圧範囲 測定 端子 スレッショルド 電圧 VTL 24 デューティサイクル ＝0％ 1.9 2.0 V VTH 24 デューティサイクル ＝ 100 ％ 3.0 3.1 V IDTC 39 DTC ＝ 2.5 V － 400 － 200 nA VTL 24 デューティサイクル ＝0％ 1.9 2.0 V VTH 24 デューティサイクル ＝ 100 ％ 3.0 3.1 V ＊ 1：標準設計値 （続く） 10 MB3879 （続き） (VCC ＝ VCCO ＝ 19 V, VDD ＝ 5 V, 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝＋ 25 °C) 記号 測定 端子 条 件 出力ソース電流 ISOURCE 24 出力シンク電流 ISINK 項 目 規 格 値 単位 最 小 標 準 最 大 OUT ＝ 14 V, Duty ≦ 5 ％ (t ＝ 1 / fOSC × Duty) － 400 *1 mA 24 OUT ＝ 19 V, Duty ≦ 5 ％ (t ＝ 1 / fOSC × Duty) 400 *1 mA ROH 24 OUT ＝－ 45 mA 6.5 9.8 Ω ROL 24 OUT ＝ 45 mA 5.0 7.5 Ω 立上り時間 tr1 24 OUT ＝ 3300 pF (Si4435 相当 ) 50 *1 ns 立下り時間 tf1 24 OUT ＝ 3300 pF (Si4435 相当 ) 50 *1 ns VH 26 VCC ＝ VCCO ＝ 8 V ～ 25 V, VH ＝ 0 mA ～ 30 mA VCC － 6.5 VCC － 6.0 VCC － 5.5 V VTH 7 動作状態 2.0 25.0 V VTL 7 スタンバイ状態 0 0.8 V ICTLH 7 CTL ＝ 5 V 100 150 µA ICTLL 7 CTL ＝ 0 V 0 1 µA tD0 24 CTL ＝ “H” レベル→充電 開始 1 ms tRCTL 7 CTL ＝ “H” レベル→ “L” レベル→ “H” レベル 2 ms VIL 2, 3, 4, 5 0 VDD × 0.2 V VIH 2, 3, 4, 5 VDD × 0.7 VDD V IH 2, 3, 4, 5 D3 ～ D0 ＝ 5 V 50 75 µA IL 2, 3, 4, 5 D3 ～ D0 ＝ 0 V 10 µA tDS 2, 3, 4, 5 D3 ～ D0 → CTL 1 ms 10. 出力部 出力オン抵抗 ［OUT］ 11. バイア ス電圧部 出力電圧 ［VH］ CTL 入力電圧 12. コント 入力電流 ロール部 ［CTL］ データ出力 遅延時間 CTL 信号 再投入時間 入力電圧 13. デコー ダ部 ［DEC］ 入力電流 データセット アップ時間 スレッショルド 電圧 14. モード ヒステリシス幅 検出部 ［MODE Comp.］ VTLH 10, 11, FB1 ～ FB6 ＝ 12, 13 3.2 3.3 3.4 V VTHL 10, 11, FB1 ～ FB6 ＝ 12, 13 2.9 3.0 3.1 V VH 10, 11, 12, 13 0.3 ＊ 1 V VOL OUT-EA1 ＝ OUT-EA2 10, 11, ＝ OUT-EV ＝ OUT-EC 12, 13 ＝ 2 mA 0.4 V VOH 10, 11, OUT-EA1 ＝ OUT-EA2 ＝ OUT-EV ＝ OUT-EC 12, 13 ＝－ 0.4 mA VDD － 0.4 V 出力電圧 ＊ 1：標準設計値 11 MB3879 （続き） (VCC ＝ VCCO ＝ 19 V, VDD ＝ 5 V, 充電モード＝ Li4C42, Ta ＝＋ 25 °C) 15. VDD 電源 項 目 記号 測定 端子 スタンバイ電流 IDDS 8 電源電流 IDD 8 ICCS ICC 16. 全デバ スタンバイ電流 イス 電源電流 12 条 件 規 格 値 単位 最 小 標 準 最 大 CTL ＝ 0 V 0 10 µA CTL ＝ 5 V, OUT-EV ＝ “L” レベル 200 300 µA 1, 25 CTL ＝ 0 V 0 10 µA 1, 25 CTL ＝ 5 V 8 12 mA MB3879 ■ 標準特性曲線 電源電流－電源電圧特性 電源電流－ VDD ロジック部電源電圧特性 Ta = +25 °C CTL = 5 V 10 電源電流 IDD (µA) 電源電流 ICC (mA) 12 8 6 4 2 0 0 5 10 15 20 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 25 Ta = +25 °C VCC = 19 V CTL = 5 V 0 電源電圧 VCC (V) 2 5 5 4 4 3 2 TEST ＝ 4.2 V 設定 Ta ＝＋ 25 °C CTL ＝ 5 V TEST ＝ 0 mA 0 5 10 15 TEST ＝ 4.1 V 設定 Ta ＝＋ 25 °C CTL ＝ 5 V TEST ＝ 0 mA 1 20 25 0 5 10 15 20 25 電源電圧 VCC (V) 基準電圧－周囲温度特性 基準電圧－周囲温度特性 4.15 4.25 TEST ＝ 4.2 V 設定 VCC ＝ 19 V CTL ＝ 5 V TEST ＝ 0 mA 4.23 4.22 TEST ＝ 4.1 V 設定 VCC ＝ 19 V CTL ＝ 5 V TEST ＝ 0 mA 4.14 基準電圧 VTEST2 (V) 4.24 基準電圧 VTEST1 (V) 10 2 電源電圧 VCC (V) 4.21 4.2 4.19 4.18 4.17 4.13 4.12 4.11 4.1 4.09 4.08 4.07 4.06 4.16 4.15 −40 8 3 0 0 6 基準電圧－電源電圧特性 基準電圧 VTEST (V) 基準電圧 VTEST (V) 基準電圧－電源電圧特性 1 4 VDD ロジック部電源電圧 VDD (V) −20 0 20 40 60 周囲温度 Ta ( °C) 80 100 4.05 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) （続く） 13 MB3879 基準電圧－負荷電流特性 6 6 5 5 基準電圧 VB (V) 4 3 2 Ta = +25 °C CTL = 5 V VB = 0 mA 1 0 0 5 10 15 20 Ta = +25 °C VCC = 19 V CTL = 5 V 4 3 2 1 0 25 0 5 5.10 25 30 10 Ta = +25 °C VCC = 19 V 450 CTL 端子電流 ICTL (µA) 基準電圧 VB (V) 20 500 VCC = 19 V CTL = 5 V VB = 0 mA 5.06 15 CTL 端子電流 , 基準電圧－ CTL 端子電圧特性 基準電圧－周囲温度特性 5.08 10 負荷電流 IB (mA) 電源電圧 VCC (V) 5.04 5.02 5.00 4.98 400 9 8 350 7 ICTL 300 6 VB 250 5 200 4 150 3 100 2 4.92 50 1 4.90 0 4.96 4.94 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) 0 5 10 15 20 基準電圧 VB (V) 基準電圧 VB (V) 基準電圧－電源電圧特性 0 25 CTL 端子電圧 VCTL (V) 三角波発振周波数－タイミング容量特性 三角波発振周波数 fOSC (Hz) 1M Ta = +25 °C VCC = 19 V CTL = 5 V 100 k 10 k 10 100 1000 タイミング容量 CT (pF) （続く） 14 MB3879 三角波発振周波数－電源電圧特性 三角波発振周波数－周囲温度特性 340 306 三角波発振周波数 fOSC (kHz) Ta = +25 °C CTL = 5 V CT = 100 pF 308 304 302 300 298 296 294 292 290 5 10 15 20 25 Ta = +25 °C VCC = 19 V CTL = 5 V CT = 100 pF 330 320 310 300 290 280 270 260 250 240 30 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) 電源電圧 VCC (V) 誤差増幅器スレッショルド電圧－周囲温度特性 (Error Amp6) 誤差増幅器スレッショルド電圧 VTH (V) 0 17.0 VCC = 19 V CTL = 5 V 16.9 16.8 16.7 16.6 16.5 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) 誤差増幅器スレッショルド電圧－周囲温度特性 (Error Amp5) 誤差増幅器スレッショルド電圧 VTH (V) 三角波発振周波数 fOSC (kHz) 310 17.0 VCC = 19 V CTL = 5 V 16.9 16.8 16.7 16.6 16.5 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) （続く） 15 MB3879 誤差増幅器利得 , 位相－周波数特性 (Error Amp2) Ta = +25 °C 利得 AV (dB) 240 kΩ φ 20 0 −20 −90 −40 −180 10 k 10 kΩ 1 µF + 90 0 1k VCC = 19 V 180 AV 100 k 1M 位相 φ (deg) 40 41 2.4 kΩ IN 40 10 kΩ − 42 + 2.1 V OUT Error Amp2 10 M 周波数 f (Hz) 誤差増幅器利得 , 位相－周波数特性 (Error Amp3) Ta = +25 °C 40 AV 180 VCC = 19 V 4.2 V 240 kΩ φ 90 0 0 −20 −90 −40 −180 1k 10 k 100 k 1M 位相 φ (deg) 利得 AV (dB) 20 10 kΩ 1 µF+ IN 10 kΩ 2.4 kΩ 18 − 23 + 19 + 2.5 V 10 kΩ 16 OUT Error Amp3 10 kΩ 10 M 周波数 f (Hz) （続く） 16 MB3879 （続き） 電流検出増幅器 , 位相－周波数特性 Ta = +25 °C 40 VCC = 19 V 10 kΩ 1 µF + 180 AV (35) 15 IN 17 14 − (33) OUT (36) 12.6 V Current Amp2 (Current Amp3) 10 kΩ φ 0 0 −20 −90 −40 −180 1k 10 k 100 k 1M 10 M 周波数 f (Hz) 許容損失－周囲温度特性 1000 許容損失 PD (ｍＷ) 利得 AV (dB) 位相 φ (deg) 90 20 + 900 860 800 700 600 500 400 300 200 100 0 −40 −20 0 20 40 60 80 100 周囲温度 Ta ( °C) 17 MB3879 ■ 機能説明 1. DC/DC コンバータ機能 (1) 基準電圧部 (REF) 基準電圧回路 (REF) は , VCC 端子 (1 ピン ) より供給される電圧により温度補償された基準電圧 (4.2 V 標準 ) を発生し , Error Amp の基準電圧として使用されます。 (2) 制御バイアス電圧部 (VB) 制御バイアス電圧部 (VB) は , 内部基準電圧により温度補償されたバイアス電圧 (5.0 V 標準 ) を VB 端子から発生し , IC 内部回路の基準電圧として使用されます。 また , VB 端子から負荷電流を最大 1 mA まで外部に取り出せます。 (3) 三角波発振器部 (OSC) 三角波発振周波数設定用抵抗を内蔵しており , CT 端子 (37 ピン ) に三角波発振周波数設定容量を接続することにより , 振幅 1.6 V ～ 2.6 V の三角波発振波形を発生します。 発振波形は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。 (4) 誤差増幅器部 (Error Amp1) 誤差増幅器 (Error Amp1) は , システム電流と制御 IC 入力電流とのトータル電流を検出して PWM 制御信号を出力する 増幅器で , 充電電流の制御を行います。 また , 同相入力電圧範囲が “0 ～ VCC － 1.8 V” と広く , FB1 端子から－ INE1 端子への帰還抵抗および容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。 さらに , モード検出部への信号も出力します。 (5) 誤差増幅器部 (Error Amp2) 誤差増幅器 (Error Amp2) は , ＋ INE2 端子 (40 ピン ) に外付け抵抗を接続することにより , AC アダプタの電圧垂下を検 出して PWM 制御信号を出力する増幅器です。 また , 同相入力電圧範囲が “0 ～ VCC － 1.8 V” と広く , FB2 端子 (42 ピン ) から－ INE2 端子 (41 ピン ) への帰還抵抗およ び容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。 さらに , モード検出部への信号も出力します。 (6) 誤差増幅器部 (Error Amp3, Error Amp4) 誤差増幅器 (Error Amp3, Error Amp4) は , 電流検出増幅器 (Current Amp2, Current Amp3) の出力信号を検出し , ＋ INE3 端 子 (19 ピン ) , ＋ INE4 端子 (31 ピン ) と比較し , PWM 制御信号を出力する増幅器で , 充電電流の制御を行います。 また , FB3 端子 (16 ピン ) から－ INE3 端子 (18 ピン ) へ , FB4 端子 (34 ピン ) から－ INE4 端子 (32 ピン ) への帰還抵抗 および容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。 さらに , モード検出部への信号も出力します。 CS1 端子 (23 ピン ) にソフトスタート用容量を接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。 ソフトスター ト検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作しま す。 (7) 誤差増幅器部 (Error Amp5, Error Amp6) 誤差増幅器 (Error Amp5, Error Amp6) は , DC/DC コンバータの出力電圧を検出し , PWM 制御信号を出力する増幅器です。 誤差増幅器反転入力端子には , 出力電圧設定抵抗が IC 内部で接続されており , 出力電圧設定用外付け抵抗を必要としませ ん。出力電圧設定値は , 4 ビットのデコーダにより 12.6 V (3 セル ) , 12.3 V (3 セル ) , 16.8 V (4 セル ) , 16.4 V (4 セル ) の選 択ができ , Li イオン電池はもとより , NiMH 電池にも対応しています。 また , FB5 端子 (30 ピン ) から－ INE5 端子 (29 ピン ) , FB6 端子 (20 ピン ) から－ INE6 端子 (21 ピン ) への帰還抵抗お よび容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。 さらに , モード検出部への信号も出力します。 CS2 端子 (22 ピン ) にソフトスタート用容量を接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。 ソフトスター ト検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作しま す。 18 MB3879 (8) 電流検出増幅器部 (Current Amp1) 電流検出増幅器 (Current Amp1) は , システム電流と制御 IC 入力電流とのトータル電流による出力センス抵抗 (RS1) の両 端に発生する電圧降下を＋ INC1 端子 (48 ピン ) と－ INC1 端子 (47 ピン ) 間で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差 増幅器 (Error Amp1) へ出力します。 (9) 電流検出増幅器部 (Current Amp2, Current Amp3) 電流検出増幅器 (Current Amp2, Current Amp3) は , 充電電流による出力センス抵抗 (RS2) の両端に発生する電圧降下を＋ INC2 端子 (15 ピン ) と IN1 端子 (14 ピン ) 間で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp3) へ出力しま す。また , 電流検出増幅器 (Current Amp3) は , 出力センス抵抗 (RS3) の両端に発生する電圧降下を＋ INC3 端子 (35 ピン ) と IN2 端子 (36 ピン ) 端子間で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp3) へ出力します。 (10) PWM コンパレータ部 (PWM Comp.) PWM コンパレータは誤差増幅器の出力電圧に応じて出力デューティをコントロールする電圧－パルス幅変換器です。 三角波発振器で発生した三角波と誤差増幅器の出力電圧および DTC 端子 (39 ピン ) 電圧と比較し , 三角波電圧が誤差増 幅器出力電圧および DTC 端子電圧より低い期間には外付け Pch MOS FET をオンさせます。 (11) 出力部 (OUT) 出力部は , トーテムポール形式で構成しており , 外付け Pch MOS FET を駆動することができます。出力段 “L” レベルは , バイアス電圧部で発生した電圧を使用することで , 出力振幅を 6 V ( 標準 ) にします。 それにより , 変換効率 UP 及び入力電圧範囲が広くても使用する外付け Ph MOS FET の 耐圧を低く抑えることにつなが ります。 (12) バイアス電圧部 (VH) 出力回路の最低電位として VCC － 6 V ( 標準 ) を出力します。 スタンバイ時は VCC と同電位を出力します。 2. VDD ロジック部 (1) コントロール部 (CTL) CTL 端子 (7 ピン ) を “L” レベルとすることによりスタンバイ状態となります ( スタンバイ時の電源電流 10 µA 最大 ) 。 CTL 端子を “H” レベルにすることにより内部基準電圧を発生させ出力動作状態にします。 CTL 端子を “L” レベルにした後 , 再び “H” レベルにするには CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要となりま す。 (2) デコーダ部 (DEC) デコーダ部 (DEC) は , 4 ビットのデコーダの D0 端子 (2 ピン ) ～ D3 端子 (5 ピン ) に信号を入力することで , 12.6 V (3 セル ) , 12.3 V (3 セル ) , 16.8 V (4 セル ) , 16.4 V (4 セル ) の選択ができ , Li イオン電池を使用するほか , 出力電圧制御を無 しにすることが可能なため NiMH 電池を使用することもできます ( 詳細は 「■デコーダ部出力設定コード」参照 ) 。 (3) モード検出部 (MODE Comp.) モード検出部 (MODE Comp.) は , どの充電モードにあるかを OUT-EA1 端子 (13 ピン ) , OUT-EA2 端子 (12 ピン ) , OUTEC 端子 (11 ピン ) , OUT-EV 端子 (10 ピン ) に出力します。動的制御充電モードの場合は , OUT-EA1 端子を “L” レベルに し , OUT-EA2 端子 , OUT-EC 端子 , OUT-EV 端子を “H” レベルにします。 差動充電モードの場合は , OUT-EA2 端子を “L” レ ベルにし , OUT-EA1 端子 , OUT-EC 端子 , OUT-EV 端子を “H” レベルにします。 定電流充電モードの場合は , OUT-EC 端子 を “L” レベルにし , OUT-EA1 端子 , OUT-EA2 端子 , OUT-EV 端子を “H” レベルにします。 定電圧充電モードの場合は , OUTEV 端子を “L” レベルにし , OUT-EA1 端子 , OUT-EA2 端子 , OUT-EC 端子で “H” レベルにします。 また , DTC 端子 (39 ピン ) を使用して外部からのデューティの設定が可能です。 この場合は , すべての誤差増幅器の FB 端子電圧が DTC 端子電圧よりも高い時に , OUT-EA1 端子 , OUT-EA2 端子 , OUT-EC 端子 , OUT-EV 端子すべてを “H” レベ ルにします。 19 MB3879 3. コントロール機能 CTL 端子 (7 ピン ) の設定条件により出力のオン , オフを設定します。 出力のオン / オフ設定条件 CTL 端子の電圧レベル 出力のオン , オフ状態 L OFF ( スタンバイ状態 ) H ON ( 動作状態 ) 4. 保護機能 (1) 低 VCC 時誤動作防止回路 (UVLO) 電源 (VCC) 投入時の過渡状態や電源電圧 (VCC) , あるいは内部基準電圧 (VB) の瞬時低下は , 本 IC の誤動作を誘起し , システムの破壊もしくは劣化を生じさせます。前記のような誤動作を防止するために , 低 VCC 時誤動作防止回路は電源電 圧あるいは内部基準電圧の電圧低下を検出し , 出力端子の OUT 端子 (24 ピン ) を “H” レベルに固定します。 電源電圧およ び内部基準電圧が，低 VCC 時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。 (2) 保護回路 (UVLO) 動作時機能 VCCUVLO, VBUVLO 動作時 (VCC または VB 電圧が UVLO スレッショルド電圧以下 ) の機能表を以下に示します。 CS1 CS2 OUT OUT-EA1 OUT-EA2 OUT-EV OUT-EC L L H L L L L 5. ソフトスタート機能 (1) ソフトスタート部 (SOFT1, SOFT2) CS1 端子 (23 ピン ) , CS2 端子 (22 ピン ) に容量を接続することにより , 電源起動時の突入電流を防止できます。 ソフトス タート検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は DC/DC コンバータの出力負荷に依存しない一定のソフト スタート時間で動作します ( 詳細は 「■ソフトスタート時間設定方法」参照 ) 。 ■ 充電電流設定方法 ＋ INE3 端子 (19 ピン ) , ＋ INE4 端子 (31 ピン ) の電圧値により , 充電電流値 ( 出力制限電流値 ) が設定できます。 設定さ れた電流値を上回る電流が流れようとした場合 , その設定電流値で充電電圧を垂下させます。 ＋ INE3, ＋ INE4 電圧設定 ＋ INE3 (V) ＝ 25 × I2 (A) × RS2 (Ω) ＋ INE4 (V) ＝ 25 × I3 (A) × RS3 (Ω) ＋ INE3：電池 1 の充電電流設定用電圧 ＋ INE4：電池 2 の充電電流設定用電圧 ■ AC アダプタ最大電流設定方法 ＋ INE1 端子 (43 ピン ) 電圧値により , システム電流と制御 IC 入力電流とのトータル電流が AC アダプタ最大電流を超 えないように充電電流値 ( 出力制限電流値 ) を設定できます。 設定された電流値を上回る電流が流れようとした場合 , 差動 充電 (Differential-charging) モードとなりその設定電流値で充電電流を減少させます。 ＋ INE1 電圧設定 ＋ INE1 (V) ＝ 25 × I1 (A) × RS1 (Ω) ＋ INE1：AC アダプタの最大電流設定用電圧 20 MB3879 ■ AC アダプタ電圧検出電圧設定方法 ＋ INE2 端子 (40 ピン ) に外付け抵抗を接続することにより , AC アダプタ入力電圧 (VCC) の分岐点 A が－ INE2 端子電 圧より低下すると，動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) モードとなり AC アダプタの電力を一定に保つように充 電電流を減少させます。 AC アダプタ検出電圧設定：Vth Vth ＝ (R1 ＋ R2) / R2 ×－ INE2 <Error Amp2> −INE2 +INE2 VCC R1 41 − 40 + A R2 ■ 三角波発振周波数設定方法 三角波発振周波数は CT 端子 (37 ピン ) にタイミング容量 (CT) を接続することにより設定できます。 三角波発振周波数：fOSC fOSC (kHz) ≒ 30000 / CT (pF) 21 MB3879 ■ デコーダ部出力電圧設定コード デコーダ部出力電圧設定コードは以下のようになります。 D1 D2 D3 DC/DC 出力電圧 (V) ＜ IN1, IN2 ＞ BATT type Cell 数 充電電圧 (V) 充電モード 記号 0 0 0 0 12.3 Li-ion 3 4.1 Li3C41 0 0 0 1 12.6 Li-ion 3 4.2 Li3C42 0 0 1 0 12.3 none none none 0 0 1 1 12.3 none none none 0 1 0 0 12.3 none none none 0 1 0 1 12.3 none none none 0 1 1 0 16.4 Li-ion 4 4.1 Li4C41 0 1 1 1 16.8 Li-ion 4 4.2 Li4C42 1 0 0 0 12.3 none none none 1 0 0 1 12.3 none none none 1 0 1 0 12.3 none none none 1 0 1 1 12.3 none none none 1 1 0 0 12.3 none none none 1 1 0 1 制御無し NiMH 10 ～ 12 NiMH 1 1 1 0 12.3 none none none 1 1 1 1 12.3 none none none ＜各ビットの役割＞ D0：BATT (Li イオン /NiMH) 選択ビット D1, D2：Cell 数 (3 Cell/4 Cell) 選択ビット D3：充電電圧 (4.1 V/4.2 V) 選択ビット 22 アプリケーション D0 MB3879 ■ ソフトスタート時間設定方法 1. 定電流モードソフトスタート時間の設定 IC 起動時の突入電流防止のため , CS1 端子 (23 ピン ) にソフトスタート容量 (CS1) を接続することで , ソフトスタートを 行えます。 CTL 端子 (7 ピン ) が “H” レベルになり IC が起動 (VCC ≧ UVLO のスレッショルド電圧 ) すると，Q2 がオフとなり CS1 端 子に外付けされたソフトスタート容量 (CS1) に 10 µA で充電します。 Error Amp 出力 (FB3 端子 (16 ピン ) (FB4 端子 (34 ピン ) ) ) は 2 つの非反転入力端子 ( ＋ INE3 端子 (19 ピン ) 電圧 ( ＋ INE4 端子 (31 ピン ) 電圧 ) ) , CS1 端子電圧 ) のうちいずれか低い電位と反転入力端子電圧 ( － INE3 端子 (18 ピン ) 電圧 ( － INE4 端子 (32 ピン ) 電圧 ) ) との比較により決定されますので , ソフトスタート期間中 (CS1 端子電圧＜＋ INE3 ( ＋ INE4) ) の FB3 (FB4) は－ INE3 ( － INE4) 端子電圧と CS1 端子電圧の比較により決定され , DC/DC コンバータ出力電圧は CS1 端子に外付けされたソフトスタート容量への充電による CS1 端子電圧の上昇に比例します。 なお , ソフトスタート時 間は次式で求められます。 ソフトスタート時間：ts ( 出力 100％になるまでの時間 ) ts (s) ≒＋ INE3 ( ＋ INE4) / 10 (µA) × CS1 (µF) CS1 端子電圧 = 5.5 V Error Amp 部 － INE3 ( － INE4) 電圧との比較電圧 = +INE3 V (+INE4) =0V ソフトスタート時間 ts VB 10 µA 10 µA FB3 16 FB4 34 −INE3 18 −INE4 32 CS1 +INE3 CS1 +INE4 − + + Error Amp 23 19 31 Q2 UVLO ＜ソフトスタート回路＞ 23 MB3879 2. 定電圧モードソフトスタート時間の設定 IC 起動時の突入電流防止のため , CS2 端子 (22 ピン ) にソフトスタート容量 (CS2) を接続することで , ソフトスタートを 行えます。 CTL 端子 (7 ピン ) が “H” レベルになり IC が起動 (VCC ≧ UVLO のスレッショルド電圧 ) すると，Q2 がオフとなり CS2 端 子に外付けされたソフトスタート容量 (CS2) に 10 µA で充電します。 Error Amp 出力 (FB5 端子 (30 ピン ) (FB6 端子 (20 ピン ) ) は 2 つの非反転入力端子 (TEST 端子 (28 ピン ) , CS2 端子電 圧 ) のうちいずれか低い電位と反転入力端子電圧 ( － INE5 端子 (29 ピン ) 電圧 ( － INE6 端子 (21 ピン ) ) ) との比較によ り決定されますので , ソフトスタート期間中 (CS2 端子電圧＜ TEST) の FB5 (FB6) は－ INE5 ( － INE6) 端子電圧と CS2 端 子電圧の比較により決定され , DC/DC コンバータ出力電圧は CS2 端子に外付けされたソフトスタート容量への充電によ る CS2 端子電圧の上昇に比例します。 なお , ソフトスタート時間は次式で求められます。 ソフトスタート時間：ts ( 出力 100％になるまでの時間 ) ts (s) ≒ TEST / 10 (µA) × CS2 (µF) CS2 端子電圧 = 5.5 V Error Amp 部 － INE5 ( － INE6) 電圧との比較電圧 = TEST =0V ソフトスタート時間 ts VB 10 µA 10 µA FB5 30 FB6 20 −INE5 29 −INE6 21 CS2 TEST CS2 − + + 22 28 Q2 ＜ソフトスタート回路＞ 24 Error Amp UVLO MB3879 ■ CS1 端子と CS2 端子を短絡して使用する場合 CS1 端子 (23 ピン ) と CS2 端子 (22 ピン ) を短絡することで , 定電流モード , 定電圧モード同時立上げが可能となります。 また , 接続するコンデンサは充電電流を 20 µA として選定してください。 ■ CS 端子を使用しない場合の処理方法 ソフトスタート機能を使用しない場合は , CS1 端子 (23 ピン ) , CS2 端子 (22 ピン ) を開放してください。 “ 開放 ” 22 CS2 “ 開放 ” 23 CS1 ＜ソフトスタート時間を設定しない場合＞ 25 MB3879 ■ 動作シーケンス 1. 通常電源投入および充電開始終了シーケンス ＜ Battery1 挿入状態で AC アダプタを接続＞ *1 *2 *3 *4 *6 *7 *8 *5 *9 *10 *11 *12 VIN VCC VDD Battery1 ( 挿入 ) ( 除去 ) Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tRCTL tD0 マイコンリセット tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:Battery1 挿入 ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 10:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 11:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 12:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 26 MB3879 2. BATT1 定電流充電時に入力電流にて制限 ( 差動 ) が働いたシーケンス ＜ AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電流オーバ＞ *1 *2 *3 *4 *6 *7 *8 *5 *9 *10 *11 *12 *13 VIN VCC VDD ( 挿入 ) Battery1 ( 除去 ) Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) tD0 CTL tRCTL マイコンリセット BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:Battery1 挿入 ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9: 定電流充電制御から入力電流オーバーによる差動充電制御へ移行 , OUT-EA1 ＝ “L” レベル , OUT-EC ＝ “H” レベル ＊ 10: 入力電流制限内にもどり , 定電流充電制御へ移行 , OUT-EA1 ＝ “H” レベル , OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 11:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 12:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 13:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 27 MB3879 3. BATT1 定電圧充電時に入力電流にて制限 ( 差動 ) が働いたシーケンス ＜ AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電流オーバ＞ *1 *2 *3 *4 *5 *6 *7 *8 *9 *10 *11 *12 *13 *14 VIN VCC VDD ( 挿入 ) Battery1 ( 除去 ) Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL tRCTL tD0 マイコンリセット BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:Battery1 挿入 ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 10: 入力電流オーバによる差動充電制御へ移行 , OUT-EA1 ＝ “L” レベル , OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 11: 入力電流制限内にもどり , 定電流充電制御へ移行 , OUT-EA1 ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 12:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 13:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 14:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 28 MB3879 4. BATT1 定電流充電時に入力電圧低下にて制限 ( 動的 ) が働いたシーケンス ＜ AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電圧低下＞ *1 *2 *3 *4 *5 *6 *7 *8 *9 *10 *11 *12 *13 VIN VCC VDD ( 挿入 ) Battery1 ( 除去 ) Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL tRCTL tD0 マイコンリセット BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ＊ 1:Battery1 挿入 ：不定 ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9: 定電流充電制御から入力電圧低下による動的充電制御へ移行 , OUT-EA2 ＝ “L” レベル , OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 10: 入力電圧制限内にもどり , 定電流充電制御へ移行 , OUT-EA2 ＝ “H” レベル , OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 11:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 12:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 13:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 29 MB3879 5. BATT1 定電圧充電時に入力電圧低下にて制限 ( 動的 ) が働いたシーケンス ＜ AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電圧低下＞ *1 *2 *3 *4 *5 *6 *7 *8 *9 *10 *11 *12 *13 *14 VIN VCC VDD Battery1 Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tRCTL tD0 マイコンリセット tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:Battery1 挿入 ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 10: 入力電圧低下により動的充電制御へ移行 , OUT-EA2 ＝ “L” レベル , OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 11: 入力電圧復帰により定電圧充電制御へもどる , OUT-EA2 ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 12:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 13:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 14:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 30 MB3879 6. 通常電源投入および充電開始終了シーケンス ＜ AC アダプタ挿入状態で Battery1 を挿入または Battery 電圧 0 V の状態で AC アダプタ挿入後 Battery1 を挿入＞ *1 *2 *3 *4 *5 *6 *7 *8 *9 *10 *11 *12 VIN VCC VDD Battery1 Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL tRCTL tD0 マイコンリセット BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:Battery1 挿入 ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 10:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 11:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 12:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 31 MB3879 7. BATT1 定電圧充電時に BATT2 ( ほぼ空 ) を挿入し定電流充電に移行シーケンス ＜ AC アダプタと Battery1 挿入状態で Battery2 ( ほぼ空 ) を挿入＞ *1 *2 *3 *4 *5 *6 *7 *8 *9 *10 *11 *12 *13 VIN VCC VDD ( 挿入 ) Battery1 Battery2 ( 除去 ) ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 tRCTL tD0 マイコンリセット tDS Data Data Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:Battery1 挿入 ＊ 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL ＝ “HiZ”) ＊ 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り ＊ 5: マイコンによる充電電圧データセット ＊ 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON ＊ 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット ＊ 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV ＝ “H” レベル ＊ 9:BATT1 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC ＝ “H” レベル , OUT-EV ＝ “L” レベル ＊ 10:Battery2 ( ほぼ空 ) を挿入 , FB4 (BATT2 定電流充電 ) にて制御 , OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 11:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 12:CTL 信号 OFF 後データセット ＊ 13:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL ＝ 2 ms (Min.) ) 以上必要 32 MB3879 8. 通常電源切断および充電終了シーケンス ＜ Battery1 除去後 , AC アダプタを除去＞ *1 *2 *3 *4 VIN VCC VDD Battery1 ( 挿入 ) ( 除去 ) ( 挿入 ) Battery2 ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ＊ 1:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 2:Battery1 除去による BATT1, 2 電圧の立下り ＊ 3:AC アダプタ除去による VIN, VCC 電源立下り ＊ 4:VDD 立下り CTL, OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ HiZ ：不定 33 MB3879 9. 通常電源切断および充電終了シーケンス ＜ AC アダプタを除去後 , Battery1 除去＞ *1 *2 *3 *4 VIN VCC VDD Battery1 ( 挿入 ) ( 除去 ) ( 挿入 ) Battery2 ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 2:AC アダプタ除去による VIN, VCC 電源立下り ＊ 3:Battery1 除去による BATT1, 2 電圧の立下り ＊ 4:VDD 立下り CTL, OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ HiZ 34 MB3879 10.通常電源切断および充電終了シーケンス ＜充電中 , Battery1, 2 除去＞ *1 *2 *3 VIN VCC VDD Battery1 Battery2 ( 挿入 ) ( 除去 ) ( 挿入 ) ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 Data Set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:Battery1 除去による充電停止 ＊ 2:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 3:VDD 立下り CTL, OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ HiZ 35 MB3879 11.通常電源切断および充電終了シーケンス ＜充電中 , AC アダプタ除去＞ *1 *2 VIN VCC VDD Battery1 ( 挿入 ) ( 除去 ) ( 挿入 ) Battery2 ( 除去 ) CTL BATT1 電圧 BATT2 電圧 D0-D3 Decoder 出力 Data set FB1 ( 差動 ) CT FB2 ( 動的 ) CT FB6 (BATT1 定電圧 ) CT FB3 (BATT1 定電流 ) CT FB5 (BATT2 定電圧 ) CT FB4 (BATT2 定電流 ) CT OUT-EA2 OUT-EA1 OUT-EV OUT-EC ：不定 ＊ 1:AC アダプタ除去による VIN, VCC 電圧の立下り , OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC ＝ “L” レベル ＊ 2:CTL 信号 “L” レベル 36 MB3879 ■ CTL, D0 ～ D3, OUT-EA1, EA2, EV, EC 端子 等価回路図 ・CTL 端子 CTL 50 kΩ Q1 D1 50 kΩ ・D0 ～ D3 端子 VDD D1 Q1 D0 ∼ D3 D2 100 kΩ Q2 VSS ・OUT-EA1 ～ OUT-EC 端子 VDD Q1 D1 OUT-EA1 OUT-EA2 Q2 D2 OUT-EV OUT-EC VSS 37 MB3879 ■ デコーダ部等価回路 VDD D D0 Q DD0 CK XQ R D D1 Q DD1 CK XQ R D D2 Decode 出力 Decoder Q DD2 CK XQ R D D3 Q DD3 CK XQ R VDD VDD a点 充電開始 信号 CTL Power tDS D0-D3 tD0 tRCTL Data2 Data1 CTL DD0-DD3 a点 充電開始信号 Power 38 Data2 Set Data1 Set Data1 Load Data2 Load MB3879 ■ 外付け逆流防止ダイオードの注意について ・ 定電圧制御で充電電流 (I1, I2) がアンバランスな場合 , 電池電圧の低い方で電圧制御するため , 一方の電池電圧は逆流 防止ダイオード (D1, D2) およびセンス抵抗 (RS2, RS3) に発生する電圧差だけ高くなります。 ・ 電池の過充電停止電圧より高くならないように逆流防止ダイオード（D1,D2）電圧電流特性にご注意願います。 VCCO DC-IN 25 A B OUT 24 I1 RS2 D1 電池 1 VH 26 C D I2 RS3 D2 電池 2 39 MB3879 ■ 応用回路例 RS1 10 mΩ R3 100 kΩ R4 51 kΩ R22 100 kΩ R19 30 kΩ R21 2.7 kΩ Q3 SW2 R18 100 kΩ R15 30 kΩ R17 2.7 kΩ Q2 SW1 <Current + Amp1> ×25 − + <Error Amp1> − + OUT-EA1 13 <MODE Comp.2> + <Error Amp2> OUT-EA2 12 − <MODE Comp.3> − + + OUT-EC 11 − <<Dynamically-Contorl>> <MODE Comp.4> <<Current-Contorl>> <Current + Amp2> ×25 − <Current + Amp3> ×25 − + <Error Amp3> OUT-EV 10 − − + + <Error Amp4> − + + C9 0.1 µF <OUT> + + + − Drive OUT 24 VCC <SOFT1> VB VH 26 bias (VCC − 6 V) Voltage GNDO <VH> 27 C3 0.1 µF A B BATT1 12.6 V/ 16.8 V Q1 L1 22 µF D1 23 + + D2 C4 C5 100 100 µF µF RS2 75 mΩ Battery 1 C D BATT2 12.6 V/ 16.8 V D3 RS3 75 mΩ Battery 2 VIN 16 V/ 19 V R1 22.4 kΩ −INE5 C7 3300 pF R14 51 kΩ R1 <<Voltage-Contorl>> 22.4 kΩ <Error Amp5> − + + 29 FB5 <UVLO> R2 −INE6 VCC UVLO VB UVLO 30 R2 <Error Amp6> 21 − + + 2.8 kΩ 2.8 kΩ C15 3300 pF 3V R3 8.4 kΩ R3 8.4 kΩ R27 51 kΩ 2V FB6 20 <SOFT2> VB CS2 22 C14 0.022 µF (4.2 V) VDD <REF> D0 D1 2 D2 3 D3 4 5 VSS 6 <Decoder> C19 0.1 µF 8 <Larch> 5V (4.1 V) <OSC> CTL <VB> bias (5 V) CT C10 100 pF 37 28 TEST C8 0.1 µF 9 VB C7 0.1 µF 40 C1 C2 10 µF10 µF VCCO 25 <PWM Comp> CS1 C13 0.022 µF <VDD> − FB Voltage Selector R2 0Ω (30 kΩ) <MODE Camp.1> <<Differencial-Control>> FB Voltage Selector R11 30 kΩ C20 0.1 µF VCC 1 FB Voltage Selector R10 150 kΩ R25 −INE1 100 kΩ 44 OUTC1 45 +INC1 48 −INC1 C12 47 3300 +INE1 pF 43 R26 51 kΩ FB1 46 FB2 42 R24 47 kΩ C11 6800 pF −INE2 41 R23 15 kΩ +INE2 40 DTC 39 R28 100 kΩ −INE3 18 OUTC2 C16 17 3300 pF +INC2 A 15 R29 IN1 51 B 14 kΩ +INE3 19 FB3 R20 16 30 kΩ −INE4 R13 100 kΩ 32 OUTC3 C6 33 3300 pF +INC3 35 C R12 IN2 51 36 D kΩ +INE4 31 FB4 R16 34 30 kΩ <VR> GND 38 <CTL> 7 MB3879 ■ 部品表 COMPONENT ITEM Q1 Q2, Q3 FET FET D1 ～ D3 Diode L1 Inductor 22 µH C1, C2 C3 C4, C5 C6, C7 C8, C9 C10 C11 C12, C15, C16 C13,C14 C17, C19, C20 Ceramics Condenser Ceramics Condenser Electrolytic Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser Ceramics Condenser RS1 R2 Resistor Jumper Resistor ＊ Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor Resistor R3 R4 RS2,RS3 R10 R11 R12, R14 R13 R15, R16 R17, R21 R18, R22 R19, R20 R23 R24 R25, R28 R26, R27, R29 SPECIFICATION VENDOR VDS ＝ 30 V, Qg ＝ 43 nC (Typ.) TOSHIBA VDS ＝ 60 V VISHAY SILICONIX VF ＝ 0.42 V (Max.) , IF ＝ 3 A 時 PARTS No. TPC8102 2N7002E ROHM RB053L-30 3.5 A, 31.6 mΩ TDK SLF12565T-220M3R5 10 µF 0.1 µF 100 µF 3300 pF 0.1 µF 100 pF 6800 pF 3300 pF 0.022 µF 0.1 µF 25 V 50 V 25 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V 50 V TDK TDK SANYO MURATA TDK TDK MURATA MURATA TDK TDK C3225JF1E106Z C1608JB1H104K 25CV100AX GRM39B322K50 C1608JB1H104K C1608CH1H101J GRM39B682K50 GRM39B332K50 C1608JB1H223K C1608JB1H104K 10 mΩ 0Ω 30 kΩ 100 kΩ 51 kΩ 75 mΩ 150 kΩ 30 kΩ 51 kΩ 100 kΩ 30 kΩ 2.7 kΩ 100 kΩ 30 kΩ 15 kΩ 47 kΩ 100 kΩ 51 kΩ 1％ 50 mΩ Max. 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 1％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ 0.5 ％ KOA KOA ssm ssm ssm KOA ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm ssm SL1TE10mF RK73ZJ1J RR0816P303D RR0816P104D RR0816P513D SL1TE75mF RR0816P154D RR0816P303D RR0816P513D RR0816P104D RR0816P303D RR0816P272D RR0816P104D RR0816P303D RR0816P153D RR0816P473D RR0816P104D RR0816P513D ＊：4 cell 時 30 kΩ （注意事項）TOSHIBA：株式会社東芝 VISHAY SILICONIX：VISHAY Intertechnology,Inc. ROHM：ローム株式会社 TDK：TDK 株式会社 SANYO：三洋電機株式会社 MURATA：株式会社村田製作所 KOA：KOA 株式会社 ssm：進工業株式会社 41 MB3879 ■ 参考データ 変換効率－充電電流特性 ( 定電圧モード Li3C42) 100 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 16 V BATT 充電電圧＝ 12.6 V 設定 BATT2 ＝ OPEN SW1 ＝ SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1) / (VIN × IIN) × 100 98 変換効率 η (％) 96 94 92 90 88 86 84 82 80 10 m 100 m 1 10 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) 変換効率－充電電流特性 ( 定電流モード Li3C42) 100 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 16 V BATT 充電電圧＝ 12.6 V 設定 BATT2 ＝ OPEN SW1 ＝ SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1) / (VIN × IIN) × 100 98 η (％) 94 変換効率 96 90 92 88 86 84 82 80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 BATT1 充電電圧 VBATT1 (V) （続く） 42 MB3879 変換効率－充電電流特性 ( 定電圧モード Li4C42) 100 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 16.8 V 設定 BATT2 ＝ OPEN SW1 ＝ SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1) / (VIN × IIN) × 100 98 変換効率 η (％) 96 94 92 90 88 86 84 82 80 10 m 100 m 1 10 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) 変換効率－充電電流特性 ( 定電流モード Li4C42) 100 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 16.8 V 設定 BATT2 ＝ OPEN SW1 ＝ SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1) / (VIN × IIN) × 100 98 変換効率 η (％) 96 94 92 90 88 86 84 82 80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 BATT1 充電電圧 VBATT1 (V) （続く） 43 MB3879 変換効率－充電電流特性 ( 定電圧モード Li3C42) 変換効率 η (％) 100 並列充電 98 Ta ＝＋ 25 °C 96 VIN ＝ 16 V BATT 充電電圧＝ 12.6 V 設定 94 SW1 ＝ SW2 ＝ ON 92 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × 90 IBATT1 ＋ VBATT2 × IBATT2) / (VIN × IIN) 88 × 100 IBATT1 ＝ IBATT2 86 84 82 80 10 m 100 m 1 10 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) 変換効率－充電電流特性 ( 定電流モード Li3C42) 変換効率 η (％) 100 並列充電 98 Ta ＝＋ 25 °C 96 VIN ＝ 16 V BATT 充電電圧＝ 12.6 V 設定 94 SW1 ＝ SW2 ＝ ON 92 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1 ＋ VBATT2 × IBATT2) / 90 (VIN × IIN) × 100 88 IBATT1 ＝ IBATT2 86 84 82 80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 BATT1 充電電圧 VBATT1 (V) （続く） 44 MB3879 変換効率－充電電流特性 ( 定電圧モード Li4C42) 変換効率 η (％) 100 並列充電 98 Ta ＝＋ 25 °C 96 VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 16.8 V 設定 94 SW1 ＝ SW2 ＝ ON 92 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1 ＋ VBATT2 90 × IBATT2) 88 / (VIN × IIN) 86 × 100 IBATT1 ＝ IBATT2 84 82 80 10 m 100 m 1 10 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) 変換効率 η (％) 変換効率－充電電流特性 ( 定電流モード Li4C42) 100 並列充電 98 Ta ＝＋ 25 °C 96 VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 16.8 V 設定 94 SW1 ＝ SW2 ＝ ON 92 効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1 ＋ VBATT2 × IBATT2) 90 / (VIN × IIN) × 100 88 IBATT1 ＝ IBATT2 86 84 82 80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 BATT1 充電電圧 VBATT1 (V) （続く） 45 MB3879 BATT 電圧－ BATT 充電電流特性 (Li3C42) 18 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 16 V BATT1：電子負荷 (KIKUSUI 社製： PLZ-150W) BATT2：OPEN DCC MODE BATT1 電圧 VBATT1 (V) 16 14 12 10 Dead Battery MODE 8 6 4 2 DCC : Dynamically-Controlled Charging 0 0 0.5 1 1.5 2 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) BATT 電圧－ BATT 充電電流特性 (Li4C42) 20 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT1：電子負荷 (KIKUSUI 社製： PLZ-150W) BATT2：OPEN BATT1 電圧 VBATT1 (V) 18 16 14 12 Dead Battery MODE 10 DCC MODE 8 6 4 2 DCC : Dynamically-Controlled Charging 0 0 0.5 1 1.5 2 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) （続く） 46 MB3879 BATT 電圧－ BATT 充電電流特性 (Li3C42) 18 並列充電 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 16 V BATT1：電子負荷 (KIKUSUI 社製： PLZ-150W) IBATT1 ＝ IBATT2 DCC MODE BATT1 電圧 VBATT1 (V) 16 14 12 10 Dead Battery MODE 8 6 4 2 DCC : Dynamically-Controlled Charging 0 0 0.5 1 1.5 2 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) BATT 電圧－ BATT 充電電流特性 (Li4C42) 20 並列充電 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT1：電子負荷 (KIKUSUI 社製： PLZ-150W) IBATT1 ＝ IBATT2 BATT1 電圧 VBATT1 (V) 18 16 14 12 Dead Battery MODE 10 DCC MODE 8 6 4 2 DCC : Dynamically-Controlled Charging 0 0 0.5 1 1.5 2 BATT1 充電電流 IBATT1 (A) （続く） 47 MB3879 スイッチング波形電圧モード (Li3C42) Ta = +25 °C VIN = 16 V BATT1 = 20 Ω BATT2 = OPEN VD (V) 20 スイッチング波形電流モード (Li3C42) Ta = +25 °C VIN = 16 V BATT1 = 8 Ω BATT2 = OPEN VD (V) 20 VD VD 10 10 0 VOUT (V) 20 0 VOUT (V) 20 VOUT 10 VOUT 10 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 スイッチング波形電圧モード (Li4C42) Ta = +25 °C, VIN = 19 V BATT1 = 20 Ω BATT2 = OPEN VD VD (V) 20 0 9 10 (µs) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) スイッチング波形電流モード (Li4C42) Ta = +25 °C, VIN = 19 V BATT1 = 8 Ω BATT2 = OPEN VD VD (V) 20 10 10 0 VOUT (V) 20 0 VOUT (V) 20 VOUT 10 10 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) VOUT 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) （続く） 48 MB3879 （続き） ソフトスタート動作波形電圧モード (Li3C42) VBATT1 (V) Ta = +25 °C, VIN = 16 V BATT1 = 20 Ω 15 BATT2 = OPEN 10 VBATT1 VBATT2 VBATT2 (V) 15 ディスチャージ動作波形電圧モード (Li3C42) Ta = +25 °C VIN = 16 V BATT1 = 20 Ω VBATT2 (V) BATT2 = OPEN 15 VBATT1 (V) VBATT1 15 VBATT2 10 5 10 5 10 0 5 0 5 0 VCTL (V) 5 ts 9 ms VCTL 0 0 2 0 4 6 0 8 10 12 14 16 18 20 (ms) ソフトスタート動作波形電圧モード (Li4C42) VBATT1 (V) 20 15 10 0 VCTL (V) VCTL 5 Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT1 = 20 Ω BATT2 = OPEN VBATT1 VBATT2 (V) 20 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) ディスチャージ動作波形電圧モード (Li4C42) VBATT1 (V) 20 15 VBATT1 VBATT2 Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT1 = 20 Ω BATT2 = OPEN VBATT2 (V) 20 15 10 5 10 5 10 0 5 0 5 VCTL (V) 5 ts VBATT2 8.8 ms VCTL 0 0 15 0 VCTL (V) VCTL 5 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) 49 MB3879 ■ 使用上の注意 ・プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し設計してください。 ・静電気対策を行ってください。 ・ 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。 ・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。 ・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。 ・ 作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ～ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。 ・負電圧を印加しないでください。 ・－ 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。 ■ オーダ型格 型 格 MB3879PFV 50 パッケージ プラスチック・LQFP, 48 ピン (FPT-48P-M05) 備 考 MB3879 ■ 外形寸法図 プラスチック・LQFP, 48 ピン (FPT-48P-M05) （注意事項）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。 9.00±0.20(.354±.008)SQ 7.00±0.10(.276±.004)SQ 36 0.145±0.055 (.006±.002) 25 24 37 0.08(.003) Details of "A" part +0.20 1.50 –0.10 +.008 .059 –.004 INDEX 13 48 "A" 0°~8° LEAD No. 1 0.50(.020) C (Mounting height) 0.10±0.10 (.004±.004) (Stand off) 12 0.20±0.05 (.008±.002) 0.08(.003) M 0.50±0.20 (.020±.008) 0.60±0.15 (.024±.006) 0.25(.010) 2000 FUJITSU LIMITED F48013S-c-4-8 単位：mm (inches) 51 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 販売戦略部