本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–71104–1a DATA SHEET ASSP 電源用 評価用ボード MB3887 ■ 概 要 MB3887 評価ボードは Li イオン電池充電制御用ダウンコンバージョン回路の表面実装回路基板です。このボードは 1 セ ル～ 4 セルに設定可能で AC アダプタ等の電源電圧から充電電圧と充電電流を制御し , 最大 3 A の電流を供給する高精度・ 高効率のバッテリ充電器です。MB3887 は AC アダプタの電圧垂下を検出し , その電力を一定にするため 2 次電池の充電電 流を動的に制御 ( 動的制御充電：Dynamically-controlled charging) 可能にしています。 また , 電池の状態によりスイッチの切換えで Dead Battery モード ( 充電電流 260 mA) への変更が可能です。 ■ 評価ボード仕様 規格値 最 小 単位 標 準 最 大 25 V 190 290 390 kHz 3 セル 12.41 12.6 12.78 4 セル 16.54 16.8 17.06 CC モード 2.8 3 3.3 A Dead Battery モード 182 260 429 mA AC アダプタ検出電圧 17.2 17.65 18.1 V ソフトスタート 5.9 9.2 17.0 ms 3 セル 252 4 セル 336 入力電圧 3 セル 13.93 4 セル 17.65 ＊1 発振周波数 出力電圧 充電電流 ＊1 ＊2 出力リップル電圧 V mV ＊ 1：初期設定は 4 セル仕様です。 ＊ 2：AC アダプタ検出電圧は定電力制御するために 17.65 V に設定しています。 通常動作時は VIN 端子へは 17.65 V 以上の電圧を印加してください。 上記設定以外で使用する場合は , 「■ 部品表 VIN ＝ 15 V/16 V/19 V 時の抵抗値」を参照してください。 Copyright©2003-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2003.5 MB3887 ■ 端子情報 記号 機能説明 DC 電源 , AC アダプタ入力端子です。 VIN BATT DC/DC コンバータ出力端子です。 CTL 電源制御端子［SW1 (switch1) ＝ OFF 時］ VCTL ＝ 0 V ～ 0.8 V：Standby モード VCTL ＝ 2.0 V ～ VIN：Operation モード 基準電圧出力端子です。 VREF モード制御端子［SW2 (switch1) ＝ OFF 時］ VMODE SW ＝ 0 V ～ 1.0 V：Dead battery モード＊ 1 VMODE SW ＝ High-Z (or 2.5 V ～ VIN) ：DCC モード＊ 2 MODE SW GND バッテリチャージャシステム GND です。 SGND IC 制御側接地端子です。 ＊ 1：正常な電池であるか確認するためのモードです。 Dead Battery モードでの充電電流値は 260 mA ( 標準 ) にセットしています。 ＊ 2：動的制御充電 (Dynamically-controlled charging (DCC) ) モードで充電します。 DCC モードでの充電電流値は 3 A ( 標準 ) にセットしています。 ■ SW 情報 SW NAME FUNCTION ON 1 CTL 電源制御 Operating 2 モード SW 充電電流モード制御 DCC モード OFF Stand-by ＊ Dead Battery モード＊ ＊：ノート PC のモードを表します。 ■ セットアップ & 確認方法 (1) セットアップ ・ 電源側端子を VIN・GND へ接続します。BATT を必要な負荷装置または測定器に接続してください。 ・ SW は全て OFF 状態にしてください。 (2) 確認方法 ・ SW1 を ON の状態で VIN ( 電源 ) へ電力を投入してください。 BATT ＝ 16.8 V (Typ) が出力されていれば IC は正常に動作しています。 SW2 ＝ ON：DCC モード SW2 ＝ OFF：Dead battery モード 2 MB3887 ■ 部品配置図 ・ボード部品配置図 NSK-5A U L1 C1 Q1 D1 C2 C3 VIN BATT R24 C9 M1 24 R21 R6 R4 R25 R22 R12 R13 R14 R15 MB3887 1 R7 C812 R8 R9 Q2 C10 SGND R16 R23 −INC2 R11 R10 VREF C7 GND R5 R26 GND +INC2 R1 C4 R0 C5 13 R17 C6 R2 R3 R19 R18 R20 1 SW1 CTL MODESW （続く） 3 MB3887 （続き） Top Side Inside VIN (LAYER3) 4 Inside GND (LAYER2) Bottom Side MB3887 ■ 接続図 C1 22 µF R0 + − R1 0.033 Ω L1 22 µH Q1 Si4435DY VIN C2 D1 100 µF RB053L-30 0Ω BATT C3 + − 100 µF + − GND GND +INC2 SW1 R19 100 kΩ R23 0Ω −INC2 CTL 24 R25 0Ω C4 C5 R2 0.022 µF 0.1 µF 47 kΩ 23 1 22 21 0.1 µF M1 2 3 20 19 18 VREF R22 R4 remove 82 kΩ 4 5 16 C6 1500 pF R3 330 kΩ 15 R17 100 kΩ 14 13 MB3887 6 7 8 9 R9 10 kΩ 10000 pF C10 R7 22 kΩ 5600 pF 10 11 12 R8 100 kΩ VIN R5 C9 330 kΩ 0.1 µF R6 68 kΩ SGND 17 C7 C8 R24 0Ω R18 200 kΩ SGND SGND R20 remove R12 R14 30 kΩ 1 kΩ R10 30 kΩ R21 remove R26 0Ω R11 30 kΩ R13 20 kΩ R16 MODE 200 kΩ SW R15 120 Ω SW2 Q2 2N7002E 5 MB3887 ■ 部品表 記号 品名 型格 仕様 パッケージ メーカ M1 IC MB3887 MB3887 FPT-24P-M03 富士通 Q1 P-ch FET Si4435DY VDS ＝－ 30 V, ID ＝± 8 A (Max) SO-8 Siliconix Q2 N-ch FET 2N7002E VDS ＝ 60 V, ID ＝ 0.115 A (Max) TO-236 Siliconix D1 Diode RB053L-30 VF ＝ 0.42 V (Max) IF ＝ 3 A 時 PMDS ローム L1 インダクタ SLF12565T-220M3R5 22 µH 3.5 A, 31.6 mΩ SMD TDK 25SL22M 22 µF (25 V) 三洋 C1 TM OS CON 備考 C2, C3 電解コン 25CV100AX 100 µF (25 V) 三洋 C4 セラコン C1608JB1H223K 0.022 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C5 セラコン CM21W5R104K16 0.1 µF (16 V) 2012 タイプ 京セラ C6 セラコン GRM39B152K10 1500 pF (10 V) 1608 タイプ ムラタ C7 セラコン GRM39F104Z25 0.1 µF (25 V) 1608 タイプ ムラタ C8 セラコン GRM39B103K10 10000 pF (10 V) 1608 タイプ ムラタ C9 セラコン CM21W5R104K16 0.1 µF (16 V) 2012 タイプ 京セラ C10 セラコン GRM39B562K10 5600 pF (10 V) 1608 タイプ ムラタ R0 ジャンパー RK73Z1J-0D 0Ω 1608 タイプ KOA R1 抵抗 SRS1R033F 33 mΩ (1％) 6.3 × 3.2 mm SEIDEN TECHNO R2 抵抗 RK73G1J-473D 47 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R3 抵抗 RK73G1J-334D 330 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R4 抵抗 RK73G1J-823D 82 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R5 抵抗 RK73G1J-334D 330 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R6 抵抗 RK73G1J-683D 68 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R7 抵抗 RK73G1J-223D 22 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R8 抵抗 RK73G1J-104D 100 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R9 抵抗 CR21-103-F 10 kΩ (1％) 1608 タイプ 京セラ R10 ～ R12 抵抗 RK73G1J-303D 30 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R13 抵抗 RK73G1J-203D 20 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R14 抵抗 RK73G1J-102D 1 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R15 抵抗 RR0816P-121-D 120 Ω (0.5％) 1608 タイプ ssm R16, R18 抵抗 RK73G1J-204D 200 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R17, R19 抵抗 RK73G1J-104D 100 kΩ (0.5％) 1608 タイプ KOA R20 ジャンパー RK73Z1J-0D 0Ω 1608 タイプ KOA 未実装 R21 未実装 R22 未実装 R23 ～ R26 ジャンパー RK73Z1J-0D 0Ω 1608 タイプ KOA SW1, SW2 ディップ SW DAS-2H 2極 松久 端子ピン WT-2-1 マックエイト 2 個パラレル （注意事項）OS-CON は三洋電機社の商標です。 （続く） 6 MB3887 （続き） Siliconix ROHM SANYO TDK MURATA KYOCERA SEIDEN TECHNO KOA 松久 マックエイト VISHAY Intertechnology, Inc ローム株式会社 三洋電機株式会社 TDK 株式会社 株式会社村田製作所 京セラ株式会社 セイデンテクノ株式会社 コーア株式会社 松久株式会社 株式会社マックエイト VIN ＝ 15 V/16 V/19 V 時の抵抗値 VIN 15 V 16 V 19 V R4 (Ω) 91 k 0 82 k R5 (Ω) 220 k 330 k 330 k AC Adapter detection voltage (V) 13.93 14.63 17.65 3 cell or 4 cell 時の抵抗値 Battery 3 cell 4 cell R20 (Ω) 0 Remove VBATT (V) 12.6 16.8 7 MB3887 ■ 初期設定 (1) 出力電圧 VBATT (V) ＝ (R17 ＋ R18 ＋ R19) / R17 × 4.2 (V) ≒ 16.8 (V) （注意事項）・ 抵抗 R17 ～ R19 は OUTD 端子 (11 ピン ) に接続されている内部 FET のオン抵抗 (35 Ω, 1 mA 時 ) を無視で きる抵抗値をご使用ください。 ・ 3 cell でご使用になる場合は R20 にジャンパーを置いてください。 (2) AC アダプタ検出電圧 R11 R4 ＋ R5 ＋ R6 Vth ＝ × VREF × ≒ 17.65 (V) R10 ＋ R11 R6 (3) 最大充電電流 (DCC モード ) R13 IBATT (Max) ＝ × VREF × R12 ＋ R13 1 ≒ 3 (A) R1 × 20 (4) Dead Battery モード充電電流 R13// (R14 ＋ R15) IDEAD ＝ × VREF × R12 ＋ R13// (R14 ＋ R15) (5) ソフトスタート時間 ts (s) ＝ 0.42 × CS (µF) ≒ 9.2 (ms) (6) 発振周波数 fOSC (kHz) ＝ 13630 / RT (kΩ) ≒ 290 (kHz) 8 1 ≒ 260 (mA) R1 × 20 MB3887 ■ 充電方式 (Dynamically-controlled charging) "Constant power control" Fold back current limit (AC adapter) Recommended current maximum (AC adapter) AC Adapter Current (A) Ichg Isys : System required current Ichg Time (t) Isys System Power VIN AC Adapter Battery Charger Mode Signal Ichg Battery （続く） 9 MB3887 （続き） Recommended power maximum Typical voltage AC Adapter Voltage(V) (A) Fold back Current Limiting AC Adapter Current (A) Recommended current Max (AC adapter) ・AC アダプタの電流制限 一般に , AC アダプタには内部素子のダメージを避けるためのホールドバックカレントリミットという保護機能があり ます。そのため出力が短絡した場合でも破壊されません。 ・動的制御充電について 動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) は , (A) 点の電圧を検出し , AC アダプタの電力を一定に保つよう充電電 流を制御する定電力制御方式です。 10 MB3887 ■ 参考データ (1) 変換効率 変換効率－充電電流特性 ( 定電圧モード ) 100 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 12.6 V 設定 SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT × IBATT) / (VIN × IIN) × 100 98 96 変換効率 η (％) 94 92 90 88 86 84 82 80 10 m 100 m 1 10 BATT 充電電流 IBATT (A) 変換効率－充電電圧特性 ( 定電流モード ) 100 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 12.6 V 設定 SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT × IBATT) / (VIN × IIN) × 100 98 96 変換効率 η (％) 94 92 90 88 86 84 82 80 0 2 4 6 8 10 12 14 16 BATT 充電電圧 VBATT (V) （続く） 11 MB3887 （続き） 変換効率－充電電流特性 ( 定電圧モード ) 100 98 96 変換効率 η (％) 94 92 90 88 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 16.8 V 設定 SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT × IBATT) / (VIN × IIN) × 100 86 84 82 80 10 m 100 m 1 10 BATT 充電電流 IBATT (A) 変換効率－充電電圧特性 ( 定電流モード ) 100 98 96 変換効率 η (％) 94 92 90 88 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT 充電電圧＝ 16.8 V 設定 SW2 ＝ ON 効率 η (％) ＝ (VBATT × IBATT) / (VIN × IIN) × 100 86 84 82 80 0 2 4 6 8 10 12 BATT 充電電圧 VBATT (V) 12 14 16 18 20 MB3887 (2) 垂下特性 BATT 電圧－ BATT 充電電流特性 (12.6 V 設定 ) 18 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT：電子負荷 (KIKUSUI 社製：PLZ-150W) 16 BATT 電圧 VBATT (V) 14 12 10 Dead Battery MODE DCC MODE 8 6 4 2 DCC : Dynamically-Controlled Charging 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 BATT 充電電流 IBATT (A) BATT 電圧－ BATT 充電電流特性 (16.8 V 設定 ) 20 Ta ＝＋ 25 °C VIN ＝ 19 V BATT：電子負荷 (KIKUSUI 社製： PLZ-150W) 18 16 BATT 電圧 VBATT (V) 14 12 DCC MODE Dead Battery MODE 10 8 6 4 2 DCC : Dynamically-Controlled Charging 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 BATT 充電電流 IBATT (A) 13 MB3887 (3) スイッチング波形 スイッチング波形定電圧モード (12.6 V 設定 ) Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 1.5 A VBATT (mV) 100 98 mVp-p VBATT 0 VD −100 VD (V) 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) スイッチング波形定電流モード (12.6 V 設定 10 V 時 ) Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 3.0 A VBATT (mV) 100 92 mVp-p VBATT 0 VD −100 VD (V) 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) （続く） 14 MB3887 （続き） スイッチング波形定電圧モード (16.8 V 設定 ) Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 1.5 A VBATT (mV) 100 58 mVp-p VBATT 0 VD −100 VD (V) 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) スイッチング波形定電流モード (16.8 V 設定 10 V 時 ) Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 3.0 A VBATT (mV) 100 96 mVp-p VBATT 0 VD −100 VD (V) 15 10 5 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 (µs) 15 MB3887 (4) ソフトスタート / ディスチャージ動作波形 ソフトスタート動作波形定電圧モード (12.6 V 設定 ) VBATT (V) 20 Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 12 Ω 10 VBATT 0 VCS (V) 4 VCS ts ≒ 10.4 ms 2 0 VCTL (V) 5 VCTL 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) ディスチャージ動作波形定電圧モード (12.6 V 設定 ) VBATT (V) 20 10 VBATT 0 VCS (V) 4 2 VCS 0 VCTL (V) 5 Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 12 Ω VCTL 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) （続く） 16 MB3887 （続き） ソフトスタート動作波形定電圧モード (16.8 V 設定 ) VBATT (V) 20 Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 12 Ω 10 VBATT 0 VCS (V) 4 VCS ts ≒ 10.4 ms 2 0 VCTL (V) 5 VCTL 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) ディスチャージ動作波形定電圧モード (16.8 V 設定 ) VBATT (V) 20 10 VBATT 0 VCS (V) 4 2 VCS 0 VCTL (V) 5 Ta = +25 °C VIN = 19 V BATT = 12 Ω VCTL 0 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 (ms) 17 MB3887 ■ 部品選択方法 1. ボード図 フライバックダイオード 出力平滑コンデンサ FET インダクタ 充電電流設定センス抵抗 NSK-5A U L1 C2 C3 00 100 2 5A 220 435 ZK∆ J07AA VIN D1 56 12 00 100 2 5A C1 M1 24 R21 R9 Q2 C10 R16 R7 C812 R8 VREF C7 R24 C9 1 R6 R4 R25 R22 R12 R13 R14 R15 SGND 18 R11 R10 3887 0126 M04 R23 −INC2 +INC2 R033F 0 BATT GND R5 R26 GND R1 C4 R0 C5 13 R17 C6 R2 R3 R19 1 2 R18 R20 1 OFF SW1 CTL MODESW MB3887 部品選択法を下記に記します。 2. 16.8 V 出力の場合 VIN ＝ 25 V (Max) , Vo ＝ 16.8 V, Io ＝ 3 A, fOSC ＝ 290 kHz (1) P-ch MOS FET (Si4435DY (VISHAY SILICONIX 製 ) ) VDS ＝－ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 8 A, RDS (on) ＝ 15 mΩ (Typ) , Qg ＝ 47 nC (Typ) ・ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。 VIN － Vo ton I D ≧ IO ＋ 2L ≧ 3＋ 25 － 16.8 1 × × 0.672 2 × 22 × 10 － 6 290 × 103 ≧ 3.43 A (2) インダクタ (SLF12565T-220M3R5：TDK 製 ) 22 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 3.5 A 全負荷電流条件での L 値：リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定 2 (VIN － Vo) ton L≧ IO ≧ 2 × (25 － 16.8) 1 × × 0.672 3 290 × 103 ≧ 12.7 µH 連続電流条件になる負荷電流値は下記式で求められます。 Vo IO ≧ toff 2L ≧ 16.8 1 × × (1 － 0.672) 2 × 22 × 10 － 6 290 × 103 ≧ 431.8 mA ・リップル電流：ピーク値 リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。 VIN － Vo IL ≧ IO ＋ ton 2L ≧ 3＋ 25 － 16.8 1 × × 0.672 2 × 22 × 10 － 6 290 × 103 ≧ 3.43 A ・リップル電流：ピークピーク値 リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。 VIN － Vo ∆IL ＝ ton L ＝ 25 － 16.8 22 × 10 － 6 × 1 × 0.672 290 × 103 ≒ 0.864 A 19 MB3887 (3) 出力平滑コンデンサ (25CV100AX：三洋製 ) 100 µF, 定格電圧＝ 25 V, ESR ＝ 340 mΩ, 最大許容リップル電流＝ 280 mArms 出力リップ電圧を∆VO (出力電圧の2％) , 出力平滑コンデンサをCL としリップル電流をICLrms, 直列抵抗をESRとします。 2 個並列で使用すると 200 µF となり ESR, CL, ICLrms は下記式で求められます。 直列抵抗 ∆Vo － ∆IL ESR ≦ 1 2πfCL 0.336 1 － 0.864 2π × 290 × 103 × 200 × 10 － 6 ≦ ≦ 386.1 mΩ 上記コンデンサ 2 個並列で 170 mΩ となり条件を満たします。 コンデンサ CL ≧ ≧ ∆IL 2πf (∆Vo － ∆IL × ESR) 0.864 2π × 290 × 103 × (0.336 － 0.864 × 0.17) ≧ 2.5 µF 上記コンデンサ 2 個並列で 200 µF (Typ) となり条件を満たします。 リップル電流 ICLrms ≧ ≧ (VIN － Vo) ton 2 √ 3L (25 － 16.8) × 0.672 2 √ 3 × 22 × 10 － 6 × 290 × 103 ≧ 249.3 mArms 上記コンデンサ 2 個並列で 560 mArms となり条件を満たします。 20 MB3887 (4) フライバックダイオード (RB053L-30：ROHM 製 ) VR ( 直流逆方向電圧 ) ＝ 30 V, 平均出力電流＝ 3.0 A, せん頭電流＝ 70 A VR：入力電圧を十分満たす値→ 30 V ダイオード導通時間を tD (Max) とするとダイオード平均電流 IDi は下記式で求められます。 Vo IDi ≧ IO × (1 － ) ＝ 3 × (1 － 0.672) ≒ 984 mA VIN ダイオード導通時間を tD (Max) とするとダイオードピーク電流 IDip は下記式で求められます。 Vo IDip ≧ (IO ＋ toff) ≒ 3.43 A 2L (5) 充電電流設定センス抵抗 (SRS1R033F：SEIDEN TECHNO 製 ) 33 mΩ +INE1 端子電圧が 2 V で充電電流を 3 A にする場合 R1 は下記式で求められます。 +INE1 R1 ＝ 20 × I1 ＝ 2 20 × 3 ≒ 33.3 (mΩ) 21 MB3887 3. 12.6 V 出力の場合 VIN ＝ 25 V (Max) , Vo ＝ 12.6 V, Io ＝ 3 A, fOSC ＝ 290 kHz (1) P-ch MOS FET (Si4435DY (VISHAY SILICONIX 製 ) ) VDS ＝－ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 8 A, RDS (on) ＝ 15 mΩ (Typ) , Qg ＝ 47 nC (Typ) ・ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。 VIN － Vo ton I D ≧ IO ＋ 2L ≧ 3＋ 25 － 12.6 1 × × 0.504 2 × 22 × 10 － 6 290 × 103 ≧ 3.49 A (2) インダクタ (SLF12565T-220M3R5：TDK 製 ) 22 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 3.5 A 全負荷電流条件での L 値：リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定 2 (VIN － Vo) ton L≧ IO ≧ 2 × (25 － 12.6) 1 × × 0.504 3 290 × 103 ≧ 14.4 µH 連続電流条件になる負荷電流値は下記式で求められます。 Vo IO ≧ toff 2L ≧ 12.6 1 × × (1 － 0.504) 2 × 22 × 10 － 6 290 × 103 ≧ 489.8 mA ・リップル電流：ピーク値 リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。 VIN － Vo ton IL ≧ IO ＋ 2L ≧ 3＋ 25 － 12.6 1 × × 0.504 2 × 22 × 10 － 6 290 × 103 ≧ 3.49 A ・リップル電流：ピークピーク値 リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。 VIN － Vo ton ∆IL ＝ L ＝ 25 － 12.6 22 × 10 － 6 ≒ 0.980 A 22 × 1 × 0.504 290 × 103 MB3887 (3) 出力平滑コンデンサ (25CV100AX：三洋製 ) 100 µF, 定格電圧＝ 25 V, ESR ＝ 340 mΩ, 最大許容リップル電流＝ 280 mArms 出力リップ電圧を∆VO (出力電圧の2％) , 出力平滑コンデンサをCL としリップル電流をICLrms, 直列抵抗をESRとします。 2 個並列で使用すると 200 µF となり ESR, CL, ICLrms は下記式で求められます。 直列抵抗 ∆Vo － ∆IL ESR ≦ 1 2πfCL 0.252 1 － 0.980 2π × 290 × 103 × 200 × 10 － 6 ≦ ≦ 254.4 mΩ 上記コンデンサ 2 個並列で 170 mΩ となり条件を満たします。 コンデンサ CL ≧ ≧ ∆IL 2πf (∆Vo － ∆IL × ESR) 0.980 2π × 290 × 103 × (0.252 － 0.980 × 0.17) ≧ 6.3 µF 上記コンデンサ 2 個並列で 200 µF (Typ) となり条件を満たします。 リップル電流 ICLrms ≧ ＝ (VIN － Vo) ton 2 √ 3L (25 － 12.6) × 0.504 2 √ 3 × 22 × 10 － 6 × 290 × 103 ≒ 282.8 mArms 上記コンデンサ 2 個並列で 560 mArms となり条件を満たします。 (4) フライバックダイオード (RB053L-30：ROHM 製 ) VR ( 直流逆方向電圧 ) ＝ 30 V, 平均出力電流＝ 3.0 A, せん頭電流＝ 70 A VR：入力電圧を十分満たす値→ 30 V ダイオード導通時間を tD (Max) とするとダイオード平均電流 IDi は下記式で求められます。 Vo IDi ≧ IO × (1 － ) ＝ 3 × (1 － 0.504) ≒ 1.49 A VIN ダイオード導通時間を tD (Max) とするとダイオードピーク電流 IDip は下記式で求められます。 Vo IDip ≧ (IO ＋ toff) ≒ 3.49 A 2L 23 MB3887 ■ オーダ型格 EV ボード型格 MB3887EVB 24 EV ボード版数 MB3887EV Board Rev.1.0 備考 MB3887 MEMO 25 MB3887 MEMO 26 MB3887 MEMO 27 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 販売戦略部