絶対最大定格 電気的特性 ISD＝50A, VGS＝0V 20 40 10 0 0 3 4 5 1 0 直流オン抵抗 RDS（ON） （mΩ） 10 8.0 6.0 4.0 2.0 10 20 30 40 50 ドレイン逆電流 IDR（A） Coss Crss 100 30 0 5 （1.4） ＋0.3 10.0 −0.5 10 15 20 35 −55℃ 25℃ 150℃ 100 50 10 5 5 1 10 60 ドレイン電流 ID（A） ■θj-c・θj-a ― t 特性（単発パルス） 50 6.0 4.0 θj-a 10 FR4（70×100×1.6mm）基板実装 θj-c 1 0.1 2.0 0 50 100 0.01 0.0001 150 0.01 0.001 ■ ASO 曲線（単発パルス） 200 100 ID（pulse）max IT 30 VGS ＝ 10V 20 S（ 10 PT ED IM 40 1 10 ■ PD ― Tc 特性 （Ta＝ 25℃） 50 5V 0.1 （s） t （Ta＝ 25℃） ON 60 s =1 0m s RD 70 m PT ）L =1 1 10 50 40 30 20 10 0 20 10A 8.0 10V Ciss 10 25A 10 60 VGS ＝ 0V f ＝ 1MHz ドレイン・ソース間電圧 VDS（V） 0.2 （VDS ＝ 10V） 500 ID ＝ 60A ID ＝ 25A VGS ＝10V ■ I DR ― VSD特性 （Ta＝ 25℃） 0 ■Re（yfs）― ID 特性 ケース温度 TC（℃） ■Capacitance ―VDS 特性 1000 （単位：mm） 0.4 12 0 −60 −50 60 イ：品名 ロ：ロット番号 ゲート・ソース間電圧 VGS（V） 14 ドレイン電流 ID（A） 10000 4 ■ R DS（ON）―TC 特性 12 0 3 0.4±0.1 2.54±0.5 2.54±0.5 0.6 ゲート・ソース間電圧 VGS（V） Ta ＝ 25℃ VGS ＝10V 14 2 ＋0.2 0.86 −0.1 0.8 0 ＋0.2 0.1−0.1 1.27±0.2 （Ta＝ 25℃） θj-c・θj-a（℃／W） 2 1 1.5 φ1.6 ロ 1.2±0.2 1.0 ドレイン電流 ID（A） 0 Ta＝150℃ 25℃ −55℃ 20 10 9 イ ■ VDS ―VGS 特性（代表例） 50 30 μA V S mΩ pF pF pF ns ns ns ns V 1.3±0.2 直流伝達コンダクタンス Re（yfs） （S） VGS ＝ 3.0V ■ R DS（ON）― I D 特性 直流オン抵抗 RDS（ON） （mΩ） ID＝25A VDD＝12V RL＝0.48Ω VGS＝10V （VDS ＝ 10V） ドレイン・ソース間電圧 VDS（V） 容量 Capacitance（pF） 7 2800 1400 600 20 600 250 100 1.0 μA 4.44±0.2 10.2±0.3 最大許容損失 PD（W） ドレイン電流 ID（A） 30 V ＋10 −5 100 2.5 1.0 20 ■ ID―VGS 特性（代表例） 10V 5.0V 4.0V 40 0 40 VDS＝10V f＝1.0MHz VGS＝0V 70 単位 ＋0.3 ID＝100μA, VGS＝0V VGS＝＋20V VGS＝−10V VDS＝40V, VGS＝0V VDS＝10V, ID＝250μA VDS＝10V, ID＝25A VGS＝10V, ID＝25A 規 格 値 typ max min 60 50 ドレイン電流 ID（A） V（BR）DSS IDSS VTH Re（yfs） RDS（ON） Ciss Coss Crss t d（on） tr t d（off） tf VSD （Ta＝ 25℃） 3.5V 60 試 験 条 件 IGSS ※PW≦100μs, duty≦1% ■ID―VDS 特性（代表例） 記 号 ドレイン・ソース間電圧 VDS（V） 記 号 VDSS VGSS ID ID（pulse）※ PD Tch Tstg 外形図 TO220S （Ta＝25℃） 3.0−0.5 （Ta＝25℃） 規 格 値 単位 40 V ＋20, −10 V ±60 A ±180 A W 60（Tc＝25℃） ℃ 150 ℃ −55∼＋150 （1.5） FKV460S 8.6±0.3 MOS FET 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 ソース・ ドレイン間電圧 VSD（V） 1.2 0.1 0.1 0 1 10 ドレイン・ソース間電圧 VDS（V） 50 0 25 50 75 100 125 150 Tc（℃） 119