2SC4706 シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧スイッチングトランジスタ) 600 V IEBO 7 V V(BR)CEO A hFE VEBO 14(パルス28) IC 試 験 条 件 単位 VCB=800V 100max μA VEB=7V 100max μA IC=10mA 600min V VCE=4V, IC=7A 10∼25 A VCE(sat) IC=7A, IB=1.4A 0.5max 130(Tc=25℃) W VBE(sat) IC=7A, IB=1.4A 1.2max V Tj 150 ℃ fT VCE=12V, IE=−1.5A 6typ MHz −55∼+150 ℃ COB 7 Tstg 1.05 +0.2 -0.1 IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) IB2 (A) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) 250 35.7 7 10 –5 1.05 –3.5 1max 5max 0.7max 1.4 E I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) 14 2 1.2 A I C /I B =5一定 12 2 2 度) ス温 ˚C ( ケース 温度) ) 温度 ース 4 −55 I B =100mA 6 ケー 200mA 4 V B E (sat) 8 C( 6 1 (ケ 400m A 25˚ 8 10 5˚C 600mA 12 10 コレクタ電流 I C (A) コレクタ飽和電圧 V C E (sat) (V) ベース飽和電圧 V B E (sat) (V) 12 800mA コレクタ電流 I C (A) C 製品質量 約6.0g イ.品名 ロ.ロット番号 V CE (sat),V BE (sat) – I C 特性(代表例) 14 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B RL (Ω) A 2 3 5.45±0.1 VCC (V) 6 1. ø3.2±0.1 pF ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) I C – V CE 特性( 代 表 例 ) 2.0±0.1 V 160typ VCB=10V, f=1MHz イ 4.8±0.2 ロ PC IB 15.6±0.4 9.6 1.8 VCEO 記 号 5.0±0.2 ICBO 2.0 V 4.0 900 19.9±0.3 単 位 VCBO 記 号 外形図 MT-100(TO3P) (Ta=25℃) 規格値 4.0max ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 20.0min ■絶対最大定格 用途: スイッチングレギュレータ、一般用 V C E (sat) 0 1 2 3 0 0.02 4 0.05 0.1 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) h FE – I C 温度特性( 代 表 例 ) スィッチング時間 t o n• t s t g• t f ( µs ) 50 直流電流増幅率 h F E 125˚C 25 ˚C –55 ˚C 10 0.05 0.1 0.5 1 5 10 14 V CC 250V I C :I B1 :– I B 2 =10:1.5:5 0µ 0.8 1.0 1.2 t s tg tf 0.1 0.2 0.5 1 5 10 14 コレクタ電流 I C (A) 逆バイアスASO曲線 P c – Ta定 格 130 s 100 500 1000 コレクタ電流 I C (A) 付 100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 板 0.1 50 熱 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 1000 放 500 0.5 放熱板なし 自然空冷 L=3mH I B 2 = – 1.0A Duty 1%以下 大 放熱板なし 自然空冷 1 限 1 5 無 コレクタ電流 I C (A ) 0.6 θ j-a – t特 性 10 100 0.4 t on 10 50 0.2 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) 50 10 0 1 0.5 50 118 0 10 5 ASO 曲線(単発 パ ル ス ) 0.1 10 5 8 コレクタ電流 I C (A) 0.5 1 t on •t stg • t f – I C 特 性( 代 表 例 ) (V CE =4V) 5 0.02 0.5 コレクタ電流 I C (A) 最大許容損失 P C (W) 0 50 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 周囲温度 Ta( ˚C) 125 150