2SC5130

2SC5130
シリコンNPN三重拡散プレーナ型トランジスタ (高耐圧・高速スイッチングトランジスタ)
ICBO
VCEO
400
V
IEBO
VEBO
10
V
V(BR)CEO
5(パルス10)
A
hFE
VCE＝4V, IC＝1.5A
10∼30
単位
VCB＝500V
100max
μA
VEB＝10V
10max
μA
IC＝25mA
400min
V
IC＝1.5A, IB＝0.3A
0.5max
W
VBE(sat)
IC＝1.5A, IB＝0.3A
1.3max
V
Tj
150
℃
fT
VCE＝12V, IE＝−0.3A
20typ
MHz
−55∼＋150
℃
COB
VCB＝10V, f＝1MHz
30typ
pF
2
Tstg
3.9
VCE(sat)
30(Tc＝25℃)
1.35±0.15
1.35±0.15
■代表的スイッチング特性（エミッタ接地）
2.4±0.2
2.2±0.2
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
IB2
(A)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
200
133
1.5
10
–5
0.15
–0.3
1max
2max
0.3max
I C – V CE 特性（ 代 表 例 ）
m
800
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
2.54
VCC
(V)
5
4.2±0.2
2.8 c0.5
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
A
PC
IB
10.1±0.2
16.9±0.3
規格値
4.0±0.2
V
試 験 条 件
0.8±0.2
600
記 号
±0.2
VCBO
IC
外形図 FM20(T0220F)
(Ta＝25℃)
単 位
8.4±0.2
■電気的特性
(Ta＝25℃)
規 格 値
記 号
13.0min
■絶対最大定格
用途： スイッチングレギュレータ、一般用
B C E
V CE (sat) – I C 特 性（ 代 表 例 ）
I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
5
1.5
A
製品質量 約2.0g
イ．品名
ロ．ロット番号
I C / I B =5一定
0
1
2
3
−55 ˚C（ケース温度）
0.05 0.1
0.5
0
0.01
4
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
スィッチング時間 t on• t s t g• t f ( µs )
25 ˚C
– 55 ˚C
10
0.1
0.5
1
5
t s tg
1
0.5
t on
tf
V CC 200V
I C :I B1 :– I B 2 =10:1:2
0.1
0.1
1
3
50
温度）
ケース
˚C （
1.0
1.2
1.4
1
10
100
1000
時間 t(ms)
P c – Ta定 格
30
5
s
放
熱
板
付
放熱板なし
自然空冷
L=3mH
– I B 2 =0.5A
Duty 1％以下
大
0.5
20
限
放熱板なし
自然空冷
1
無
1
0.5
0.8
10
µs
コレクタ電流 I C (A )
0µ
度）
）
0.5
0.4
20
10
コレクタ電流 I C (A )
0.5
逆 バイ ア ス A S O 曲 線
20
0.6
1
コレクタ電流 I C (A)
ASO 曲線（単 発 パ ル ス ）
5
0.4
5
2
コレクタ電流 I C (A)
10
0.2
θ j-a – t特 性
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
0.05
0
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
t on •t stg • t f – I C 特 性（ 代 表 例 ）
(V CE =4V)
5
0.01
0
5
コレクタ電流 I C (A)
h FE – I C 温度特性（ 代 表 例 ）
50
1
過渡熱抵抗 θ j- a (˚C /W)
0
ス温
温度
12
1
−55
25˚C（ケース温度）
ケー
ース
2
（ケ
I B =50mA
1
125˚C（ケース温度）
0.5
3
C（
15 0m A
2
1.0
5˚C
3
4
25˚
コレクタ電流 I C (A)
30 0m A
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ飽和電圧 V C E (sat) (V)
50 0m A
4
10
放熱板なし
2
0.1
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
130
500
0.1
5
10
50
100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
500
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150