http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E33 2009 年 4 月 Power Zener Diode 概要 過電圧保護素子として優れた応答性で動作 する表面実装型 1W ﾊﾟﾜｰﾂｪﾅｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞです パッケージ 4.5±0.2 2.6±0.2 アプリケーション ・ｶｰﾅﾋﾞ ・ｴｱｰﾊﾞｯｸ ・その他電子機器 主要スペック 特長 ・平均電力損失 1Ｗの２端子面実装型 ・高逆ｻｰｼﾞ耐量と高 ESD 耐量を確保 代 ﾋﾟｰｸ逆耐電力破壊値 項目 記号 単位 定格 許容電力損失 P W 1 条件 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ 基板実装 500μs 矩形波 ﾋﾟｰｸ逆耐電力 PRSM W 95 min 逆方向降伏電圧 VZ V 31.0∼ 35.0 IZ =1mA 逆方向漏れ電流 IR μA 10 max VR =25V 表 特 単発 性 Vz−Iz 逆方向降伏電圧−逆方向降伏電流特性 Vz typ.品 at Iz=1mA PRSM 1000 10 Iz [A] at t=0.4ms 平均破壊値 PRSM [W] 100 保証値 10 1 0.1 0.01 0.001 1 0.1 1 Pulse width [ms] 10 100 30 35 40 Vz [V] 記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください . Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 1 45 http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E33 2009 年 4 月 Power Zener Diode 絶対最大定格 SJPZ-E33 製品名 項 目 記号 単位 定 格 条 件 許容電力損失 P W 1 次頁の図Ｐ−Ｔａ参照 ﾋﾟｰｸ逆耐電力 PRSM W 95 min. 500μs 矩形波単発 接合部温度 Tj ℃ - 55 ∼ ＋ 1 50 − 保存温度 T s tg ℃ - 55 ∼ ＋ 1 50 − 電気的特性(特に指定の無い場合は、25℃とする。) SJPZ-E33 製品名 項 目 記号 単位 逆方向降伏電圧 Vz V 31. 0 ∼ 35. 0 IZ=1mA 逆方向漏れ電流 IR μA 10 max. VR=25V 降伏電圧温度依存性 γz mV/℃ 2 8 typ. IZ=1mA 降伏領域等価抵抗 Rz Ω 1 0 typ. IZ=10mA∼20mA Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 2 定 格 条 件 http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E33 2009 年 4 月 Power Zener Diode 特性 許容電力損失−周囲温度特性 逆方向降伏電圧−周囲温度特性 Vz−Ta Vz typ.品 at Iz=1mA P−Ta 38 1.2 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装 （銅箔３mm□） 1.0 37 Vz [V] at Iz=1mA 36 P [W] 0.8 0.6 0.4 34 33 32 0.2 γｚ：２８mV/℃ 31 0.0 0 20 40 30 -100 60 80 100 120 140 160 Ta [℃] 0 100 200 Ta [℃] 降伏領域等価抵抗−逆方向降伏電流特性 Vz typ.品 at Iz=1mA 逆方向降伏電圧−降伏電圧温度係数特性 Vz−γz 35 Rz−Iz 100 30 25 Rz [Ω] γz [mV/℃] at Iz=1mA 35 20 10 15 10 15 20 25 30 Vz [V] 35 1 40 1 10 Iz [mA] 過渡熱抵抗特性 Rth 1000 ｶﾞﾗｽｴﾎﾟｷｼ基板実装 （銅箔３mm□） Rth(j-a) Rth [℃/W] 100 10 Rth(j-l) 1 0.1 0.001 0.01 0.1 1 Time [s] Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 3 10 100 1000 100 http://www.sanken-ele.co.jp SJPZ-E33 2009 年 4 月 Power Zener Diode 外形図 (mm) ② 2.15 +0.1 -0.2 ① 2.0 min. 接続図 Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 4