総合カタログ 富士電機半導体 FUJI SEMICONDUCTORS 25A2-W-0001d あらゆるシーンでエネルギーマネジメントに 貢献する富士電機のパワー半導体 Fuji Electric Power Semiconductors contibuting Energy Management in various fields 富士電機は、低炭素社会の実現に向け、産業機械、鉄道、自動車、社会インフラ、再生可能エネルギー、家電製品、 情報機器など様々な場面で、高いエネルギー利用効率を可能にするパワー半導体を提供します。 パワーエレクトロニクス技術のキーデバイスであるパワー半導体の技術革新と製品開発を続け、安全・安心で 持続可能な社会の実現に貢献していきます。 Fuji Electric provides Power Semiconductors enabling high-efficiency energy usage in various fields such as industrial machinery,automobile, railroad, social infrastructure, renewable energy, consumer electronics and information equipment in order to achieve low-carbon society. Fuji Electric contributes to realization of safe and secure sustainable society through continuous technology inovation and product development of Power Semiconductors as key devices in Power Electronics technology. ※ 掲載の写真は当社パワー半導体が使われる様々な用途の一例を示すものであり、写真の製品に必ずしも使用されていることではありません。 The pictures on this page show examples of various applications which may use Fuji Electric Power Semiconductors, they aren’ t necessarily used in the products in these pictures. 01 6P パワーデバイス Power Devices (IGBT) 02 46P SiC デバイス SiC Devices 03 50P 集積回路 Integrated Circuits 04 63P パワーMOSFET Power MOSFETs 05 89P 整流ダイオード Rectifier Diodes 06 104P 圧力センサ Pressure Sensors INDEX 外形図 Outline 105 注文単位 Order Quantity 123 型式索引 Number Index 124 保守移行機種 Maintenance products 129 廃型機種 Discontinued products 130 お知らせ Information 132 富士電機は、各種用途に適したパワー半導体を供給しています。 下に示す各用途の製品情報については以下の弊社パワー半導体Webサイトをご覧ください。 www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/usage/ Fuji Electric provides Power Semiconductors well suited for various applications. You will find more information on products for each application shown below at our Web site. www.fujielectric.com/products/semiconductor/usage/ インバータ／Inverters 高圧インバータ／Medium-Voltage Inverters ベルトコンベヤ、 ファン、 ポンプなどにおいてモータを可変 速運転する汎用インバータに最適な半導体製品。 鉄 鋼・繊 維・製 紙プラントなどに使われる3 相 交 流 3k/6k/6.6kVの高圧電動機を駆動する高圧インバー タに最適な半導体製品。 Semiconductor products best suited for general-purpose inverters that carry out variable-speed operation of motors in products such as belt conveyors, fans and pumps NC・サーボ／NC / Servos Semiconductor products suitable for medium-voltage inverters that drive 3-phase AC 3k/6k/6.6kV high-voltage motors used in iron and steel plants, textile plants and paper mills 鉄道／Railroads 工作機械の位置決めや速度制御を行うNC・サーボと 組立・溶接・搬送などに使われ多軸制御機能を持つロ ボッ トに最適な半導体製品。 鉄道車両の主電動機駆動、 補助電源装置など車両 用パワーエレクトロニクスに適した半導体製品。 Semiconductor products suited for the power electronics of railroad cars such as the main motor drive and auxiliary power supply equipment of rolling stock Semiconductor products best suited to NC and servos that carry out speed control and positioning of machine tools, as well as robots that have multi-spindle control features used in assembly, welding and conveyance 風力発電／Wind Power Generation 太陽光／Solar 風力発電機から出力される交流電力を直流電力に変 換するAC/DCコンバータと直流電力を商用周波数の 交流電力に変換するインバータに最適な半導体製品。 太陽光パネルで発電された直流の電力を家庭で消費 したり、 電力会社の電源系統に戻すために交流の電力 に変換するパワーコンディショナに最適な半導体製品。 Semiconductor products suitable for AC/DC converters that convert the AC power output from wind turbine generators to DC power, as well as for inverters that convert DC power to the AC power of commercial frequencies Semiconductor products best suited for power conditioners that convert solar-panel generated DC power into AC power to enable the residential consumption, as well as to facilitate the recovery of the power to the power systems of power companies 溶接機／Welding Machines UPS／UPS 2つ以上の金属部材に熱または圧力を加え溶融・一体 化する溶接機において抵抗熱を発生させるスイッチン 停電や瞬停からシステムダウンを防ぐUPS （無停電電 源装置） の電力変換回路に最適な半導体製品。 グ回路に最適な半導体製品。 Semiconductor products ideal for the power conversion circuits of UPS (uninterruptible power supply) that prevent system shutdown during power outages and instantaneous power failures Semiconductor products suitable for switching circuits that generate resistance heat in welding machines to melt and integrate by adding heat or pressure to two or more metallic members スイッチング電源／Switching Power Supplies 民生・OA・通信機器など幅広い用途に使用されてい る汎用スイッチング電源に最適な半導体製品。 Semiconductor products best suited for general-purpose switching power supplies used in a wide variety of applications such as equipment for general consumers and OA and communication devices 薄型TV／Flat-screen TVs 薄型・軽量・大画面化が進む一方、低消費電力化が 求められるTVセットの電源に最適な半導体製品。 Semiconductor products ideal for the power supplies of TV sets that require low power consumption and large screens that are increasingly thinner and more lightweight PC・サーバ／PC / Servers 小型・軽量化が進むノートPCと高性能化が進むデス クトップPC、 サーバの電源に最適な半導体製品。 Semiconductor products suitable for the power supplies of increasingly high-performance desktop PCs and servers, as well as of increasingly compact and lightweight notebook PCs 自動車／Automobiles 「Car Electronics Solution ∼環境・安全・快適性に 貢献∼｣をテーマとした、 IGBTモジュール、 パワーIC、 MOSFET、 圧力センサの自動車用半導体製品。 IGBT modules, power ICs, MOSFETs and pressure sensors as semiconductor products for automobiles developed with the theme "Car Electronics Solutions Contributing to the Environment, Safety and Comfort" CONTENTS SiC IGBT Page Features of the IGBT Module X Series ........................................................................ 6 Products Map < X series > ............................................................................................ 7 IGBT Module PIM < X series > Small PIM/Built-in converter and brake 650, 1200 volts class ...................... 9 PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 650, 1200 volts class ........10 IGBT Module 6-Pack < X series > 6-Pack EconoPACK™ 1200 volts class ...........................................................12 6-Pack EconoPACK™+ 1200, 1700 volts class.............................................13 IGBT Module 2-Pack < X series > Standard 2-Pack 650, 1200, 1700 volts class ...............................................14 Standard 2-Pack 1200, 1700 volts class .........................................................15 PrimePACK ™ 1200, 1700 volts class .............................................................16 IGBT Module IPM < X series > Small IPM (Intelligent Power Module) 600 volts class ...................................17 Features of the IGBT Module V Series ......................................................................18 Products Map < V series > ..........................................................................................19 IGBT Module PIM < V series > Small PIM/Built-in converter and brake 600, 1200 volts class ....................21 MiniSKiiP®/Built-in converter and brake 1200 volts class ............................22 PIM/Built-in converter and brake EconoPIM ™ 600, 1200 volts class ................23 IGBT Module 6-Pack < V series > 6-Pack MiniSKiiP® 1200 volts class .................................................................25 6-Pack EconoPACK™ 600, 1200, 1700 volts class .....................................26 6-Pack EconoPACK™+ 1200, 1700 volts class.............................................27 IGBT Module 2-Pack < V series > Standard 2-Pack 600, 1200, 1700 volts class ...............................................28 Standard 2-Pack 1200, 1700 volts class .........................................................29 High Power Module 1200, 1700 volts class ...................................................30 PrimePACK™ 1200, 1700 volts class ..............................................................31 IGBT Module 1-Pack < V series > Standard 1-Pack 1200, 1700V volts class ..................................................32 IGBT Module 1-Pack < V series / U series > High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class .......................................33 IGBT Module Chopper < V series / U series > Chopper 600, 1200 volts class ..........................................................................34 PrimePACK™ 1200, 1700 volts class ..............................................................35 IGBT Module High Speed High Speed 1200 volts class..............................................................................36 IGBT Module 3-level < V series > T/I-type NPC 3-level Circuits 600, 1200, 1700 volts class .........................37 T/I-type NPC 3-level Circuits 1200 volts class ..............................................38 IGBT Module IPM < V series > IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class ..................................39 Discrete IGBT Discrete IGBT High Speed W series 650V, 1200V class .............................43 Discrete IGBT V/High Speed V series 600V, 1200V class ..........................44 Discrete RB-IGBT ..................................................................................................44 IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle Features of IGBT IPM for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle ......45 Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle ......45 IC IGBT モジュール X シリーズの特長 製品系列マップ < X series > IGBT モジュール PIM < X series > 小容量 PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）650V, 1200V クラス PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 650V, 1200V クラス IGBT モジュール 6-Pack < X series > ６個組 EconoPACK™ 1200V クラス ６個組 EconoPACK™+ 1200V, 1700V クラス IGBT モジュール 2-Pack < X series > ２個組 650V, 1200V, 1700V クラス ２個組 1200V, 1700V クラス PrimePACK ™ 1200V, 1700V クラス IGBT モジュール IPM < X series > 小容量 IPM（Intelligent Power Module）600V クラス IGBT モジュール V シリーズの特長 製品系列マップ < V series > IGBT モジュール PIM < V series > 小容量 PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）600V, 1200V クラス MiniSKiiP®（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）1200V クラス PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM ™ 600V, 1200V クラス IGBT モジュール 6-Pack < V series > ® ６個組 MiniSKiiP 1200V クラス ６個組 EconoPACK™ 600V, 1200V, 1700V クラス ６個組 EconoPACK™+ 1200V, 1700V クラス IGBT モジュール 2-Pack < V series > ２個組 600V, 1200V, 1700V クラス ２個組 1200V, 1700V クラス ハイパワーモジュール 1200V, 1700V クラス PrimePACK™ 1200V, 1700V クラス IGBT モジュール 1-Pack < V series > 1 個組 1200V, 1700V クラス IGBT モジュール 1-Pack < V series / U series > ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300V クラス IGBT モジュール チョッパ < V series / U series > チョッパ 600V, 1200V クラス PrimePACK™ 1200V, 1700V クラス IGBT モジュール 高速タイプ 高速 IGBT モジュール 1200V クラス IGBT モジュール ３レベル < V series > T/I タイプ NPC３レベル回路 600V, 1200V, 1700V クラス T/I タイプ NPC３レベル回路 1200V クラス IGBT モジュール IPM < V series > IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200V クラス ディスクリート IGBT ディスクリート IGBT High Speed W シリーズ 650V, 1200V クラス ディスクリート IGBT V/High Speed V シリーズ 600V, 1200V クラス ディスクリート RB-IGBT EV, HEV 用 IGBT モジュール EV, HEV 用 IGBT IPM の特長 EV, HEV 用 IGBT モジュールの特長 MOSFET 1. パワーデバイス /Power Devices (IGBT) 2. SiC デバイス /SiC Devices SiC-SBD 搭載 IGBT ハイブリッドモジュール V シリーズ SiC ショットキーバリアダイオード IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series ..........................................................46 SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD) ............................................................................48 第２世代スーパージャンクション MOSFET Super J MOS®S2 シリーズ SuperFAP-E3, E3S シリーズの特長 SuperFAP-G シリーズの特長 Super J MOS® S2 シリーズ Super J MOS® S2FD シリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ Super J MOS® S1 シリーズ Super J MOS® S1FD シリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ SuperFAP-E3 シリーズ SuperFAP-E3S 低 Qg シリーズ SuperFAP-G シリーズ SuperFAP-G シリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ 低・中耐圧トレンチ シリーズ 自動車用 Super J MOS® S1 シリーズ 自動車用 Super J MOS® S1FD シリーズ（高速ダイオード内蔵タイプ） 自動車用 Super J MOS® S2 シリーズ 自動車用 Super J MOS® S2FD シリーズ（高速ダイオード内蔵タイプ） 自動車用 MOSFET（Trench Power MOS、SuperFAP-E3S） 自動車用 SuperFAP-E3S 低 Qg シリーズ 自動車用 SuperFAP-E3S 低 Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ 自動車用トレンチ MOSFET 自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ） MOSFET Super J-MOS®S2 series..............................................................................63 Features of the SuperFAP-E3, E3S series ...................................................................65 Features of the SuperFAP-G series ............................................................................65 Super J MOS® S2 series ..............................................................................................67 Super J MOS® S2FD series (Built-in FRED type) ....................................................69 Super J MOS® S1 series ..............................................................................................70 Super J MOS® S1FD series (Built-in FRED type) ....................................................71 SuperFAP-E3 series .......................................................................................................72 SuperFAP-E3S Low Qg series ......................................................................................76 SuperFAP-G series ........................................................................................................78 SuperFAP-G Built-in FRED series ..............................................................................82 Trench Power MOSFET ...............................................................................................83 Automotive Super J MOS® S1 series .........................................................................84 Automotive Super J MOS® S1FD series (Built-in FRED type) ...............................84 Automotive Super J MOS® S2 series .........................................................................85 Automotive Super J MOS® S2FD series (Built-in FRED type) ...............................85 Automotive MOSFET（Trench Power MOS、SuperFAP-E3S）...............................86 Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series .................................................................86 Automotive SuperFAP-E3S Low Qg Built-in FRED series ........................................87 Automotive Trench Power MOSFET ..........................................................................87 Automotive IPS series (Intelligent Power Switches) ................................................88 5. 整流ダイオード /Rectifier Diodes SBD, LLD の特長 ショットキーバリアダイオード 超低 IR ショットキーバリアダイオード 低 IR ショットキーバリアダイオード スーパー LLD2（臨界モード PFC 回路用） スーパー LLD3（連続モード PFC 回路用） 低損失超高速ダイオード 低損失超高速低ノイズダイオード ショットキーバリアダイオード 低損失超高速ダイオード 600V 超高速ダイオード 1200V 低ノイズ高速ダイオード 6. 圧力センサ /Pressure Sensors 圧力センサ 外形図 注文単位 型式索引 保守移行機種 廃型機種 お知らせ Features of the SBD, LLD ............................................................................................89 Schottky-Barrier Diodes (SBD) ....................................................................................91 Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes .........................................................................93 Low IR Schottky-Barrier Diodes ..................................................................................94 Super LLD 2 (Critical mode PFC)...............................................................................97 Super LLD 3 (Continuous mode PFC) .......................................................................98 Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) ......................................................................99 Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) .......................................................... 100 Schottky-Barrier Diodes (SBD) ................................................................................. 101 Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) ................................................................... 101 Ultra Fast Recovery Diodes ...................................................................................... 102 Soft Recovery Fast Recovery Diodes ...................................................................... 103 Pressure Sensors............................................................................................... 104 Outline .......................................................................................................................................................................................................... 105 Order Quantity .......................................................................................................................................................................................... 123 Type Number Index ............................................................................................................................................................................... 124 Maintenance products .......................................................................................................................................................................... 129 Discontinued products ......................................................................................................................................................................... 130 Information .................................................................................................................................................................................................. 132 Pressure Sensor 4. パワー MOSFET/Power MOSFETs Features of Power Supply control ICs........................................................................50 AC/DC Power Supply control ICs ..............................................................................52 High and Low side driver ICs.......................................................................................61 DC/DC Power Supply control ICs ..............................................................................62 Outline 電源制御用 IC の特長 AC/DC 電源制御用 IC ハイサイド・ローサイドドライバ IC DC/DC 電源制御用 IC Diode 3. 集積回路 /Integrated Circuits IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール IGBT Module 富士電機の IGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無 停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発 されてきました。IGBT はパワー MOSFET の高速スイッチン グ性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力 とを合わせ持った半導体素子です。 Fuji Electric has been developing IGBT modules designed to be used as switching elements for power converters of variablespeed drives for motors, uninterruptable power supplies, and more. IGBT has superior characteristics combining the highspeed switching performance of a power MOSFET with the highvoltage/high-current handling capabilities of a bipolar transistor. ■ IGBTモジュール Xシリーズの特長 Features of the IGBT Module X Series 電力損失を低減し省エネに貢献 当社第 7 世代「X シリーズ」は、本モジュールを構成する IGBT 素子およびダイオード素子の厚みをさらに薄くし微細化するこ とで、 素子構造を最適化。これにより、 従来製品（当社第 6 世代「V シリーズ」 ）に比べてインバータ動作時の電力損失を低減しまし た。搭載機器の省エネと電力コスト削減に貢献します。 Ɣ5HGXFHVSRZHUGLVVLSDWLRQWRFRQWULEXWHWRHQHUJ\VDYLQJ The IGBT and diode devices of Fuji electric’s 7th-generation X series that constitute these modules have been made thinner and miniaturized, thereby optimizing the device structure. This has successfully reduced power dissipation in inverter operation compared with conventional products (Fuji Electric's 6thgeneration V Series), contributing to energy saving and power cost reduction of the equipment on which the module is installed. 機器の小型化を実現 新たに開発した絶縁基板を適用し、モジュールの放熱性を向 上。上記（電力損失低減）と併せて発熱を抑制することで、 従来製品に比べ約 36％の小型化※ 1 を実現しました。さらに 連続動作時の最大保証ﾁｯﾌﾟ温度を従来の 150℃から 175℃に することで、搭載機器のサイズを維持しながら出力電流を最 大 35％※ 2 増やすことが可能となります。これらにより機器 の小型化およびトータルコスト削減に寄与します。 ※ 1：1200V 75A PIM 製品における実装面積比 ※ 2：当社試算値 機器の信頼性向上に寄与 モジュールの構造や使用部材を見直し、高温動作時の安定性 や耐久性を高めました。搭載機器の信頼性向上に寄与します。 Ɣ$FKLHYHVHTXLSPHQWVL]HUHGXFWLRQ $QHZO\GHYHORSHGLQVXODWLQJVXEVWUDWHKDVEHHQDSSOLHGLQRUGHU to improve the module’s heat dissipation. Combined with the feature described above (reduced power dissipation) to suppress KHDWJHQHUDWLRQDQDSSUR[LPDWHO\1 reduction has been achieved in comparison to the conventional module. In addition, the maximum temperature guaranteed in continuous operation has been increased from the conventional 150°C to 175°C, which allows WKHRXWSXWFXUUHQWWREHLQFUHDVHGE\XSWR2 while maintaining the size of the equipment on which the module is installed. This contributes to reducing the size and total cost of the equipment. 0RXQWLQJDUHDUDWLRZLWK9$3,0PRGHOV 9DOXHHVWLPDWHGIURPVLPXODWLRQUHVXOWV Ɣ&RQWULEXWHVWRLPSURYLQJHTXLSPHQWUHOLDELOLW\ Newly developed structures and materials of the module have realized to increase its stability and durability in high-temperature operation. This contributes to improving the stability and reliability of the equipment on which the module is installed. ■製品系列 Product lineup Number of IGBT Switches Products Category 6WDQGDUGSDFN 3ULPH3$&. SDFN ,30 3,0 ,QWHUQDO&RQ¿JXUDWLRQ IGBT Module Page 14 15 16 12 17 9 10 Standard Module Power Integrated Module Intelligent Power Module Discrete 650V IGBT 注3ULPH3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH3ULPH3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ Max VCE Rated Current 1200V 1700V $ !$ !$ !$ !$ $ $ $ $ !$ パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT ■ 製品系列マップ Products Map < X series > PIM & 6-pack Products Map Ic (A) 600 XNA XNA Power Integrated Module 7MBR Ic 450 300 Vces XKA, XKC 33.8 × 62.8 mm XKB, XKD 56.7 × 62.8 mm XM□, XP□, XW□, XY□ 45 × 107.5 mm XN□, XR□, XX□, XZ□ 62 × 122 mm 6-pack 225 200 XZ□ XX□ XR□ XN□ XXA XZA XNA XRA 150 XX□ XB□ 6MBI Ic Vces 62 × 122 mm XNA 150 × 162 mm XY□ XW□ XP□ XM□ XWA XMA 75 IGBT series & Package type XB□, XX□ XY□ XP□ 100 XKD XKB 50 35 30 25 20 15 10 IGBT series & Package type XKD XKB XKC XKA XKC XKA 0 650V PIM 1200V 1700V 6-pack 2-pack Products Map Ic (A) 2-pack 2MBI Ic XXF XXB 1800 XXF XXB 1400 XXE XXA 1200 XXE XXA IGBT series & Package type Vces XAA 34 × 94 mm XBE 45 × 92 mm XDE 62 × 108 mm XEE 80 × 110 mm XHA 62 × 108 mm XN□ 62 × 150 mm XXA, XXE 89 × 172 mm XXB, XXF 89 × 250 mm Standard Pack PrimePACK™ PrimePACK™はInfineon Technologies社の登録商 標です。 PrimePACK™ is registered trademark of Infineon Technologies AG, Germany 1000 900 XN□ 800 650 600 450 400 XDE XEE XDE 0 XEE XEE XBE XN□ XHE XBE 300 225 200 150 100 75 XHA XAA XAA XAA 650V 1200V 1700V パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT ■ 型式の見方 Part numbers < X series > 0%,;%$H[DPSOH IGBT スイッチ数 Number of IGBT Switches 0% , IGBT モジュール IGBT Module 内部構成 Internal Configuration I: Standard Modules 定格電流 Rated Current ×1 ; IGBT デバイス IGBT Device Technology X: X series (7th Generation) R: Power Integrated Modules P: Intelligent Power Modules % $ パッケージ Package Type See the Products map 最大電圧 Max. VCE RoHS Compliant A ∼ D： 065: 650V Standard Type E ∼ H： 120: 1200V Premium Type* 50 to 99 RoHS Compliant 170: 1700V * Premium Type：Low Thermal Impedance Version ■ 記号 Letter symbols 記号 /HWWHUV\PEROV コレクタ・エミッタ間電圧 VCES: VGES: ゲート・エミッタ間電圧 IC: PC : コレクタ電流 最大損失 Collector-to-emitter rated voltage (Gate-to-emitter short-circuited) Gate-to-emitter rated voltage (Collector-to-emitter short-circuited) Rated collector current Maximum power dissipation VCE(sat ): ton: toff: tf: td(on): td(off): コレクタ・エミッタ飽和電圧 ターンオン時間 ターンオフ時間 立下り時間 ターンオン遅延時間 ターンオフ遅延時間 Collector-to-emitter saturation voltage Turn-on time Turn-off time Fall time Turn-on time Turn-off time パワーデバイス/Power Devices (IGBT) 3UHVV¿WSLQV Ic $ $ $ $ $ $ $ $ $ 12 Thermistor 33 48 8 . 62 .8 0 3UHVV¿WSLQV 12 Thermistor 56 .7 650V X series 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.$ IGBT IGBT モジュール PIM < X series > ■小容量PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）650V, 1200Vクラス Small PIM/Built-in converter and brake 650, 1200 volts class 1200V X series 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.% 0%5;.% 0%5;.% 0%5;.% 48 8 . 62 0 Solder pins $ $ $ $ $ 12 Thermistor 33 48 8 . 62 .8 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0 Solder pins $ $ $ $ 0%5;.' 12 Thermistor 56 .7 0%5;.' 0%5;.' 0%5;.' 48 8 . 62 0 Dimension [mm] 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.% 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.' 0%5;.$ 0%5;.$ 0%5;.$ インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts $PSV :DWWV Volts 650 10 90 650 15 110 650 20 650 180 650 50 270 650 10 90 650 15 110 650 20 650 180 650 50 270 1200 10 105 1.50 1200 15 1.50 1200 25 160 1.70 ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ コンバータ部 Converter [Diode] VCES IC VRRM VRRM IO VFM IFSM Cont. Cont. Typ. Volts Volts $PSV Volts $PSV Volts $PSV 650 10 650 800 10 0.90 650 15 650 800 15 0.95 650 20 650 800 20 1.00 650 650 800 1.05 650 50 650 800 50 1.10 580 650 10 650 800 10 0.90 650 15 650 800 15 0.95 650 20 650 800 20 1.00 650 650 800 1.05 650 50 650 800 50 1.10 580 1200 10 1200 1600 10 0.95 295 1200 15 1200 1600 15 1.00 295 1200 25 1200 1600 25 1.05 295 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass Grams 0 25 0 25 0 25 0 25 0 45 0 25 0 25 0 25 0 25 0 45 0 25 0 25 0 25 0%5;.% 0%5;.% 0%5;.% 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.& 0%5;.' 0%5;.' 0%5;.' 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 0 0 0 0 0 0 0 0 0 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ●：新製品 New products 15 25 10 15 25 15 25 200 255 105 160 200 255 1.50 1.50 1.50 1.50 1.50 1.70 1.50 1.50 1.50 15 25 10 15 25 15 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1600 1600 1600 1600 1600 1600 1600 1600 1600 15 25 10 15 25 15 25 0.95 1.00 1.05 0.95 1.00 1.05 0.95 1.00 1.05 470 470 470 295 295 295 470 470 470 45 45 45 25 25 25 45 45 45 VCE(sat), VFM : at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール PIM < X series > ■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 650V, 1200Vクラス PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 650, 1200 volts class Solder pins Thermistor P P1 R 45 S T U B W V 7.5 10 N N1 M719 Solder pins Power Flow INV REC W R S T INPUT U V OUTPUT 2 62 12 Thermistor P P1 7.5 R 10 S T M719 R INPUT S T 2 12 M720 U B N N1 Solder pins 62 1200V X series 0%5;0$ 0%5;0$ 0%5;0( $ $ 0%5;1$ $ 0%5;1$ $ 0%5;1$ 0%5;1$ 0%5;1$ 0%5;1( M720 Solder pins 45 650V Ic X series $ $ $ 0%5;0$ $ 0%5;0$ Power Flow REC INV V W $ $ $ $ $ $ $ $ $ 0%5;3$ 0%5;3$ 0%5;3( 0%5;5$ 0%5;5$ 0%5;3$ 0%5;3$ 0%5;3( 0%5;5$ 0%5;5$ 0%5;5( OUTPUT U V W Dimension [mm] 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● 0%5;0$ 0%5;0$ 0%5;1$ 0%5;1$ 0%5;1$ 0%5;3$ 0%5;3$ 0%5;3( 0%5;5$ 0%5;5$ 0%5;0$ 0%5;0$ 0%5;0( 0%5;1$ 0%5;1$ 0%5;1( 0%5;3$ 0%5;3$ 0%5;3( 0%5;5$ 0%5;5$ 0%5;5( インバータ部 Inverter [IGBT] VCES IC PC VCE(sat) Cont. Typ. Volts $PSV :DWWV Volts 650 50 210 650 75 270 650 75 270 650 100 650 150 450 650 50 210 650 75 270 650 100 480 650 100 650 150 450 1200 200 1.5 1200 50 250 1.5 1200 75 455 1.55 1200 75 1.5 1200 100 445 1.45 1200 150 880 1.5 1200 200 1.5 1200 50 250 1.5 1200 75 455 1.55 1200 75 1.5 1200 100 445 1.45 1200 150 880 1.5 ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ VCES IC VRRM Cont. Volts $PSV Volts 650 650 650 50 650 650 50 650 650 50 650 650 75 650 650 650 650 50 650 650 50 650 650 50 650 650 75 650 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 75 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 75 1200 ●：新製品 New products 注(FRQR3,0は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH(FRQR3,0LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ コンバータ部 Converter [Diode] VRRM IO VFM IFSM Cont. Typ. Volts $PSV Volts $PSV 800 50 1.05 545 800 75 1.25 545 800 75 1.25 545 800 100 1.1 770 800 150 1.1 1260 800 50 1.05 545 800 75 1.25 545 800 100 1.1 745 800 100 1.1 770 800 150 1.1 1260 1600 1.05 450 1600 50 1.05 690 1600 75 1.15 690 1600 75 1.15 690 1600 100 1.05 970 1600 150 1.05 1650 1600 1.05 450 1600 50 1.05 690 1600 75 1.15 690 1600 75 1.15 690 1600 100 1.05 970 1600 150 1.05 1650 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass Grams M719 200 M719 200 M720 M720 M720 M719 200 M719 200 M719 200 M720 M720 M719 200 M719 200 M719 200 M720 M720 M720 M719 200 M719 200 M719 200 M720 M720 M720 VCE(sat), VFM: at Tj=25℃ , Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) 3UHVV¿WSLQV Thermistor P P1 R 45 S T U B V W 7.5 10 N N1 M721 3UHVV¿WSLQV Power Flow REC R S T INPUT INV W U V OUTPUT 2 12 62 Thermistor P P1 R S T U B V 7.5 10 M721 N N1 3UHVV¿WSLQV R INPUT S T 62 1200V X series 0%5;:$ 0%5;:$ 0%5;:( $ $ 0%5;;$ $ 0%5;;$ $ 0%5;;$ 0%5;;$ 0%5;;$ 0%5;;( M722 3UHVV¿WSLQV 45 650V Ic X series $ $ $ 0%5;:$ $ 0%5;:$ IGBT IGBT モジュール PIM < X series > ■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 650V, 1200Vクラス PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 650, 1200 volts class 2 12 M722 Power Flow REC INV OUTPUT U V W W $ $ $ $ $ $ $ $ $ 0%5;<$ 0%5;<$ 0%5;<( 0%5;=$ 0%5;=$ 0%5;<$ 0%5;<$ 0%5;<( 0%5;=$ 0%5;=$ 0%5;=( Dimension [mm] 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 0%5;:$ 0%5;:$ 0%5;;$ 0%5;;$ 0%5;;$ 0%5;<$ 0%5;<$ 0%5;<( 0%5;=$ 0%5;=$ 0%5;:$ 0%5;:$ 0%5;:( 0%5;;$ 0%5;;$ 0%5;;( 0%5;<$ 0%5;<$ 0%5;<( 0%5;=$ 0%5;=$ 0%5;=( インバータ部 Inverter [IGBT] VCES IC PC VCE(sat) Cont. Typ. Volts $PSV :DWWV Volts 650 50 210 650 75 270 650 75 270 650 100 650 150 450 650 50 210 650 75 270 650 100 480 650 100 650 150 450 1200 200 1.5 1200 50 250 1.5 1200 75 455 1.55 1200 75 1.5 1200 100 445 1.45 1200 150 880 1.5 1200 200 1.5 1200 50 250 1.5 1200 75 455 1.55 1200 75 1.5 1200 100 445 1.45 1200 150 880 1.5 ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ VCES IC VRRM Cont. Volts $PSV Volts 650 650 650 50 650 650 50 650 650 50 650 650 75 650 650 650 650 50 650 650 50 650 650 50 650 650 75 650 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 75 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 75 1200 ○：開発中 Under development 注 (FRQR3,0 は ,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV 社の登録商標です。 1RWH(FRQR3,0LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ コンバータ部 Converter [Diode] VRRM IO VFM IFSM Cont. Typ. Volts $PSV Volts $PSV 800 50 1.05 545 800 75 1.25 545 800 75 1.25 545 800 100 1.1 770 800 150 1.1 1260 800 50 1.05 545 800 75 1.25 545 800 100 1.1 745 800 100 1.1 770 800 150 1.1 1260 1600 1.05 450 1600 50 1.05 690 1600 75 1.15 690 1600 75 1.15 690 1600 100 1.05 970 1600 150 1.05 1650 1600 1.05 450 1600 50 1.05 690 1600 75 1.15 690 1600 75 1.15 690 1600 100 1.05 970 1600 150 1.05 1650 パッケージ 3DFNDJH M721 M721 M722 M722 M722 M721 M721 M721 M722 M722 M721 M721 M721 M722 M722 M722 M721 M721 M721 M722 M722 M722 質量 Net mass Grams 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 VCE(sat), VFM: at Tj=25℃ , Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール 6-Pack < X series > ■６個組 EconoPACK™ 1200Vクラス 6-Pack EconoPACK™ 1200 volts class Solder pins Thermistor P U 62 W V 2 12 N M668 3UHVV¿WSLQV Thermistor P U 62 W V 1200V X series Ic $ 0%,;%$ $ 0%,;%$ $ 0%,;%$ 0%,;%( $ 0%,;;$ $ 0%,;;$ $ 0%,;;$ 0%,;;( 2 12 N M648 Dimension [mm] 型 式 Device type VCES VGES IC Cont. PC $PSV :DWWV 100 445 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1.45 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF TBD TBD TBD ● 0%,;%$ Volts 1200 Volts ±20 ● 0%,;%$ 1200 ±20 150 625 1.45 150 TBD TBD TBD ● 0%,;%$ 1200 ±20 TBD 750 1.55 200 TBD TBD TBD ● 0%,;%( 1200 ±20 TBD 1000 1.55 200 TBD TBD TBD ● 0%,;;$ 1200 ±20 100 445 1.45 100 TBD TBD TBD ● 0%,;;$ 1200 ±20 150 625 1.45 150 TBD TBD TBD ● 0%,;;$ 1200 ±20 TBD 750 1.55 200 TBD TBD TBD ● 0%,;;( 1200 ±20 TBD 1000 1.55 200 TBD TBD TBD $PSV 100 ●：新製品 New products 注(FRQR3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 6MBI200XBE120-50、 6MBI200XXE120-50は低熱抵抗パッケージ適用 1RWH(FRQR3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ 6MBI200XBE120-50、6MBI200XXE120-50; Premium type (Low Thermal Impedance Version) パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M668 M668 M668 M668 M648 M648 M648 M648 Grams VCE(sat): at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) 6ROGHUSLQV+LJKSRZHUSDFN Ic $ $ $ $ Thermistor T1 T2 V+ U+ C5 15 0 2 16 C3 W+ C1 G5 G3 G1 E5 U1 E3 U2 G4 V1 E1 V2 G2 G6 E6 M629 E4 U- 1200V X series 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ IGBT IGBT モジュール 6-Pack < X series > ■６個組 EconoPACK™+ 1200V, 1700Vクラス 6-Pack EconoPACK™+ 1200, 1700 volts class 1700V X series 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ W1 W2 E2 V- W- Dimension [mm] 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ VCES VGES IC Cont. PC Volts 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV 225 TBD TBD 450 TBD 600 TBD 225 TBD TBD 450 TBD 600 TBD VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD $PSV 225 450 600 225 450 600 ○：開発中 Under development 注(FRQR3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH(FRQR3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ スイッチングタイム Switching time td(on) td(off) tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M629 M629 M629 M629 M629 M629 M629 M629 Grams TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD VCE(sat): at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール 2-Pack < X series > ■２個組 650V, 1200V, 1700Vクラス Standard 2-Pack 650, 1200, 1700 volts class 34 Ic $ $ $ $ $ $ $ $ 94 0 45 92 650V X series 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;%( 0%,;%( 1200V X series 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;$$ 1700V X series 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;%( 0%,;%( M274 $ $ 0%,;'( $ 0%,;'( 62 62 8 10 M275 $ $ $ $ $ $ $ $ $ $ 0%,;(( 08 1 M276 80 0%,;'( 0%,;'( 0 11 M277 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;(( 0%,;(( 0%,;(( 0%,;(( 0%,;(( Dimension [mm] 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;%( 0%,;%( 0%,;'( 0%,;'( 0%,;(( 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;%( 0%,;%( 0%,;'( 0%,;'( 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;(( 0%,;(( 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;$$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;+$ 0%,;(( 0%,;(( 0%,;(( ○：開発中 Under development VCES VGES IC Cont. PC Volts 650 650 650 650 650 650 650 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV 150 TBD 200 TBD TBD 400 TBD 400 TBD 600 TBD 600 TBD 100 TBD 150 TBD 200 TBD 200 TBD TBD 400 TBD 600 TBD TBD 450 TBD 600 TBD 450 TBD 600 TBD 75 TBD 100 TBD 150 TBD 150 TBD 200 TBD TBD 400 TBD TBD 400 TBD 600 TBD VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD $PSV 150 200 400 400 600 600 100 150 200 200 400 600 450 600 450 600 75 100 150 150 200 400 400 600 スイッチングタイム Switching time td(on) td(off) tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass 0 0 M274 M274 M275 M275 M277 0 0 0 M274 M274 M275 M275 M276 M276 M276 M277 M277 0 0 0 M276 M276 M276 M276 M277 M277 M277 Grams TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD パワーデバイス/Power Devices (IGBT) Solder pins $ $ $ $ $ 1200V X series 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1( 0%,;1( 1700V X series 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1( $ $ $ $ $ 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1) 0%,;1) 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1) Ic Thermistor IGBT IGBT モジュール 2-Pack < X series > ■２個組 1200V, 1700Vクラス Standard 2-Pack 1200, 1700 volts class 0 15 62 M254, M285 3UHVV¿WSLQV Thermistor 0 15 62 M282, M286 Dimension [mm] 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1( 0%,;1( 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1) 0%,;1) 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1$ 0%,;1( 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1% 0%,;1) ○：開発中 Under development VCES VGES IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV Volts 225 TBD TBD TBD TBD 450 TBD TBD 600 TBD TBD 800 TBD TBD 225 TBD TBD TBD TBD 450 TBD TBD 600 TBD TBD 800 TBD TBD 225 TBD TBD TBD TBD 450 TBD TBD 600 TBD TBD 225 TBD TBD TBD TBD 450 TBD TBD 600 TBD TBD $PSV 225 450 600 800 225 450 600 800 225 450 600 225 450 600 スイッチングタイム Switching time td(on) td(off) tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M254 M254 M254 M285 M285 M282 M282 M282 M286 M286 M254 M254 M254 M285 M282 M282 M282 M286 Grams VCE(sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール 2-Pack < X series > ■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class Inverter 89 Thermistor 2 17 M271 Inverter Thermistor 1200V X series Low switching loss Soft turn off Ic $ $ 0%,;;$( $ 0%,;;(( 0%,;;$3 0%,;;(3 $ $ $ 0%,;;%3 0%,;;)3 1700V X series Low switching loss Soft turn off 0%,;;$( 0%,;;(3 0%,;;%( 0%,;;%3 0%,;;)3 0 89 25 M272 Dimension [mm] 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ 0%,;;$( 0%,;;$3 0%,;;(( 0%,;;(3 0%,;;%3 0%,;;)3 0%,;;$( 0%,;;(3 0%,;;%( 0%,;;%3 0%,;;)3 VCES VGES IC Cont. PC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV 900 TBD 900 TBD 1200 TBD 1200 TBD 1400 TBD 1800 TBD 650 TBD 1200 TBD 1000 TBD 1400 TBD 1800 TBD VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD $PSV 900 900 1200 1200 1400 1800 650 1200 1000 1400 1800 ○：開発中 Under development 注3ULPH3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH3ULPH3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ スイッチングタイム Switching time td(on) td(off) tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M271 M271 M271 M271 M272 M272 M271 M271 M272 M272 M272 Grams 850 850 850 850 1250 1250 850 850 1250 1250 1250 VCE(sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール IPM < X series > ■小容量IPM（Intelligent Power Module）600Vクラス Small IPM (Intelligent Power Module) 600 volts class Built-in protection functions P-side fault status output (Alarm) N-side fault status output (Alarm) Under voltage protection (self shutdown) Over current protection (External current detection and shutdown) Overheating protection (self shutdown) Temperature sensor output (Vtemp, out) Small IPM with High Voltage Driver-IC ZLWKRXW%UDNH&KRSSHU 3.7 26 43 3$ 600V X series Ic $ $ $ $ $ $ $ $ 0%3;6$ 0%3;6$ 0%3;6$ 0%3;6$ 0%3;6& 0%3;6& 0%3;6& 0%3;6& Dimension [mm] 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● 0%3;6$ 0%3;6$ 0%3;6$ 0%3;6$ 0%3;6& 0%3;6& 0%3;6& 0%3;6& インバータ部 Inverter 制御部 Control VCE(sat) VCCL Boot- Input signal VCES IC Cont. VCCH strap $FLYHORJLF VB Diode and Voltage Typ. Typ. level Volts $PSV Volts Volts 600 10 1.40 15 Built-in +LJK9 600 15 1.40 15 Built-in +LJK9 600 20 1.40 15 Built-in +LJK9 600 1.40 15 Built-in +LJK9 600 10 1.40 15 Built-in +LJK9 600 15 1.40 15 Built-in +LJK9 600 20 1.40 15 Built-in +LJK9 600 1.40 15 Built-in +LJK9 保護機能 Protection function UV OC Vtemp TOH VCCL ※1 ※2 ※2 VCCH VB P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side 1VLGH℃ ) P&N-side N-side N-side 1VLGH℃ ) P&N-side N-side N-side 1VLGH℃ ) P&N-side N-side N-side 1VLGH℃ ) $ODUP出力 VFO fault output N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC,TOH) N-side(UV,OC,TOH) N-side(UV,OC,TOH) N-side(UV,OC,TOH) パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass 3$ 3$ 3$ 3$ 3$ 3$ 3$ 3$ Grams ●：新製品 New Products ※1 外部電流検出方式 ※1 External current ditection ※2 LVIC内での温度検出 ※2 Temperature detection in LVIC ●ブロック図 %ORFN'LDJUDP High side bias voltage for IGBT driving VB(U) VB(V) VB(W) Power supply VCCH High side IN(HU) PWM IN(HV) signal input IN(HW) GND COM High-side Drv. High-side Drv. High-side Drv. P U V W N(W) N(V) N(U) GND COM Power supply VCCL Low side IN(LU) PWM IN(LV) signal input IN(LW) Fault output VFO Temperature sensor output TEMP Low-side Drv. IS OC sensing voltage input IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール IGBT Module 富士電機の IGBT モジュールはモータの可変速駆動装置や無 停電電源装置等の電力変換器のスイッチング素子として開発 されてきました。IGBT はパワー MOSFET の高速スイッチン グ性能とバイポーラトランジスタの高電圧・大電流処理能力 とを合わせ持った半導体素子です。 Fuji Electric has been developing IGBT modules designed to be used as switching elements for power converters of variable-speed drives for motors, uninterruptable power supplies, and more. IGBT has superior characteristics combining the high-speed switching performance of a power MOSFET with the high-voltage/high-current handling capabilities of a bipolar transistor. ■ IGBTモジュール Vシリーズの特長 Features of the IGBT Module V Series パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！ ・高性能、低損失な第 6 世代 V シリーズ IGBT チップ・FWD を使用 ・Tj max175℃、連続動作保証 150℃ 環境に優しいモジュール ・豊富な組立性、ハンダレス組立への対応 ・RoHS 対応（一部非対応） ターンオン特性 ・ノイズ−損失トレードオフの改善 ・dv/dt, dic/dt 低減によるノイズ・振動の抑制 ターンオフ特性 ・ソフトスイッチング特性・ターンオフ振動の抑制 Ɣ$FRPSDFWGHVLJQDOORZVIRUJUHDWHUSRZHURXWSXW ā+LJKSHUIRUPDQFHWKJHQHUDWLRQ9VHULHV,*%7):' chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C Ɣ(QYLURQPHQWDOO\IULHQGO\PRGXOHV · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant (Some parts are Non RoHS.) Ɣ7XUQRQVZLWFKLQJFKDUDFWHULVWLFV · Improved noise-loss trade-off · Reduced turn-on dv/dt, excellent turn-on dic/dt Ɣ7XUQRIIVZLWFKLQJFKDUDFWHULVWLF · Soft switching behavior, turn-off oscillation free ■製品系列 Product lineup Number of IGBT Switches Products Category 6WDQGDUGSDFN &KRSSHU 6WDQGDUGSDFN +LJK6SHHG0RGXOH +LJK3RZHU0RGXOH 3ULPH3$&. SDFN $713&OHYHO 'LVFUHWH5%,*%7 3,0 ,30 'LVFUHWH,*%7 ,30IRU(9+(9 SDFNIRU(9+(9 Page 28 29 25 26 27 42 21 22 42 45 45 Internal Configuration Max VCE IGBT Module $ Power Intelligent Discrete 600V 1200V 1700V 3300V Standard IGBT Integrated Power Module Module Module Reverse-Blocking IGBTs are integrated. 注3ULPH3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH3ULPH3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ Rated Current !$ !$ !$ !$ !$ $ $ $ $ パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT ■ 製品系列マップ Products Map < V series > PIM & 6-pack Products Map Ic (A) 550 Power Integrated Module V 7MBR Ic V 450 300 225 180 150 VZ VR VB 100 VZ VX VR VN VX VB VW VA VY VP IGBT series & Package type - Vces VJA 40 × 42 mm VJB 52 × 59 mm VJC 59 × 82 mm VKA, VKC 33.8 × 62.8 mm VKB, VKD 56.7 × 62.8 mm VA, VM, VP, VW, VY 45 × 107.5 mm VB, VN, VR, VX, VZ 62 × IGBT series & Package type - Vces U4B 6-pack VW VA VJC 6MBI Ic VA, VW 45 × 107.5 mm VB, VX, U4B VB 75 VKD VKB 50 V 62 × 122 mm 150 × 162 mm VY VW VP VM VA VKD VKB VJB VKC VKA 35 30 25 20 15 10 8 0 122 mm VX VB VA VKC VJA VKA 600V PIM 1200V 1700V 6-pack 1-pack / 2-pack Products Map Ic (A) 3600 1MBI Ic VR VC VC 2400 1-pack VS VD VD V UE 1500 VXB 1400 VXB UG 1000 V 900 VXA 800 IGBT series & Package type VE VD VE VN VJ VX 34 × 94 mm VB 45 × 92 mm VD 62 × 108 mm VE 80 × 110 mm VH 62 × 108 mm VJ, VN, VX 62 × 150 mm VX VXA 89 × 172 mm VJ VXB 89 × 250 mm Standard Pack High Power Module PrimePACK™ PrimePACK™はInfineon Technologies 社の登録商 標です。 PrimePACK™ is registered trademark of Infineon Technologies AG, Germany VH VD VB 140 × 130 mm VXA V VN - Vces VA VG, VT 650 600 550 VE VH 300 0 62 × 108 mm Standard Pack 2-pack 2MBI Ic VT VG VG 1200 225 200 150 100 75 - Vces VC, VR, UG 140 × 130 mm High Power VD, VS, UE 140 × 190 mm Module 1600 450 400 IGBT series & Package type VA VB VA VA 600V 1-pack 1200V 1700V 3300V 2-pack パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT ■ 製品系列マップ Products Map < V series > Intelligent Power Module Products Map Ic (A) 400 6/7MBP Ic IGBT series - Vces VEA & Package type 49.5 × 70 mm – VBA 50.2 × 87 mm – VDA, VDN 300 7 in 1 6 in 1 VAA 84 × 128.5 mm VEA 110 × 142 mm VFN* 55 × 90 mm Thermal impedance of VDN type is lower than VDA type. VDA 200 VDN VEA 150 VDN VBA 75 50 VDA VFN 100 VBA VAA 35 30 25 20 15 10 VFN VAA 0 600V 1200V ■ 型式の見方 Part numbers 0%,9+H[DPSOH IGBT スイッチ数 Number of IGBT Switches 0% , IGBT モジュール IGBT Module 内部構成 Internal Configuration 定格電流 Rated Current I: Standard Modules ×1 R: Power Integrated Modules P: Intelligent Power Modules 9 IGBT デバイス IGBT Device Technology V: V series (6th Generation) U: U series (5th Generation) + パッケージ Package Type 最大電圧 Max. VCE RoHS Compliant See the Products 060: 600V Map on the next pages 120: 1200V None, 01 to 49 Non RoHS Compliant 50 to 99 RoHS Compliant 170: 1700V 330: 3300V ■ 記号 Letter symbols 記号 /HWWHUV\PEROV コレクタ・エミッタ間電圧 VCES: VGES: ゲート・エミッタ間電圧 IC: PC : コレクタ電流 最大損失 Collector-to-emitter rated voltage (Gate-to-emitter short-circuited) Gate-to-emitter rated voltage (Collector-to-emitter short-circuited) Rated collector current Maximum power dissipation VCE(sat ): ton: toff: tf: td(on): td(off): コレクタ・エミッタ飽和電圧 ターンオン時間 ターンオフ時間 立下り時間 ターンオン遅延時間 ターンオフ遅延時間 Collector-to-emitter saturation voltage Turn-on time Turn-off time Fall time Turn-on time Turn-off time パワーデバイス/Power Devices (IGBT) 3UHVV¿WSLQV 12 Thermistor 33 48 8 . 62 .8 Ic $ $ $ $ 600V V series 0%59.$ 0%59.$ 0%59.$ 0%59.$ IGBT IGBT モジュール PIM < V series > ■小容量PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）600V, 1200Vクラス Small PIM/Built-in converter and brake 600, 1200 volts class 1200V V series 0%59.$ 0%59.$ M726 Thermistor $ $ $ $ 0%59.% 0%59.% 0%59.% 0%59.% Thermistor $ $ $ $ 0%59.& 0%59.& 0%59.& 0%59.& 0%59.& 0%59.& Thermistor $ $ $ $ 0%59.' 0%59.' 0%59.' 0%59.' 12 3UHVV¿WSLQV 56 .7 48 8 . 62 M727 12 Solder pins 33 48 8 . 62 .8 M728 12 Solder pins 56 .7 48 8 . 62 M729 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%59.$ 0%59.$ 0%59.$ 0%59.$ 0%59.% 0%59.& 0%59.& 0%59.& 0%59.& 0%59.' 0%59.$ 0%59.$ 0%59.% 0%59.% 0%59.% 0%59.& 0%59.& 0%59.' 0%59.' 0%59.' インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts $PSV :DWWV Volts 600 10 70 1.70 600 15 85 1.75 600 20 100 1.70 600 125 1.70 600 50 180 1.60 600 10 70 1.70 600 15 85 1.75 600 20 100 1.70 600 125 1.70 600 50 180 1.60 1200 10 110 1.85 1200 15 1.90 1200 15 1.90 1200 25 180 1.85 1200 215 1.85 1200 10 110 1.85 1200 15 1.90 1200 15 1.90 1200 25 180 1.85 1.85 1200 215 ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ コンバータ部 Converter [Diode] VCES IC VRRM VRRM IO VFM IFSM Cont. Cont. Typ. Volts Volts $PSV Volts $PSV Volts $PSV 600 10 600 800 10 0.95 600 15 600 800 15 1.00 600 20 600 800 20 1.05 600 600 800 1.15 600 50 600 800 50 1.25 580 600 10 600 800 10 0.95 600 15 600 800 15 1.00 600 20 600 800 20 1.05 600 600 800 1.15 600 50 600 800 50 1.25 580 1200 10 1200 1600 10 0.95 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 25 1200 1600 25 1.00 1200 1200 1600 1.05 1200 10 1200 1600 10 0.95 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 25 1200 1600 25 1.00 1200 1200 1600 1.05 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass Grams M726 25 M726 25 M726 25 M726 25 M727 45 M728 25 M728 25 M728 25 M728 25 M729 45 M726 25 M726 25 M727 45 M727 45 M727 45 M728 25 M728 25 M729 45 M729 45 M729 45 VCE(sat), VFM : at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール PIM < V series > ® ■MiniSKiiP （コンバータ部、ブレーキ部内蔵）1200Vクラス MiniSKiiP®/Built-in converter and brake 1200 volts class P R 40 S T Gv Gw U V W Gb Gx Gy Gz 0 59 S N P 82 M725 S Gb Nb Pb N Gb Eb Nb Gu Eu U Gv Ev V Gw Ew W Gx Gy Gz P1 N1 Temp. Sensor T1 T2 En N1 B T Ez P1 B T M724 R Pb Ey Ex Nb R 59 Gu B Temp. Sensor T1 T2 N 42 P 52 P1 Pb Gu Eu U Gv Ev V Gw Ew W Gx Ex GY Ey Gz Ez Temp. Sensor T1 T2 1200V V series $ 0%59-$ 0%59-$ $ 0%59-$ 0%59-$ Ic $ 0%59-% 0%59-% $ 0%59-% 0%59-% 0%59-%$ 0%59-%$ $ 0%59-& 0%59-& $ 0%59-& 0%59-& $ 0%59-& 0%59-& Dimension [mm] 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● 0%59-$ 0%59-$ 0%59-$ 0%59-$ 0%59-% 0%59-% 0%59-% 0%59-% 0%59-%$ 0%59-%$ 0%59-& 0%59-& 0%59-& 0%59-& 0%59-& 0%59-& インバータ部 Inverter [IGBT] ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ IC VCE(sat) VCES IC VRRM VCES Cont. Typ. Cont. Volts Volts Volts $PSV Volts $PSV 1200 8 1.80 1200 8 1200 1200 8 1.80 1200 8 1200 1200 15 1.85 1200 15 1200 1200 15 1.85 1200 15 1200 1200 25 1.85 1200 25 1200 1200 25 1.85 1200 25 1200 1200 1.85 1200 1200 1200 1.85 1200 1200 1200 1.85 1200 1200 1200 1.85 1200 1200 1200 50 1.85 1200 50 1200 1200 50 1.85 1200 50 1200 1200 75 1.85 1200 75 1200 1200 75 1.85 1200 75 1200 1200 100 1.75 1200 100 1200 1200 100 1.75 1200 100 1200 ●：新製品 New Products 注1：0LQL6.LL3®は6(0,.521,17(51$7,21$/社の登録商標です。 注2："-50"はStandard Lid使用タイプ、 はSlim Lid使用タイプです。 1RWH0LQL6.LL3®LVDUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI6(0,.521,17(51$7,21$/*PE+ 1RWHLQGLFDWHV6WDQGDUG/LGW\SHVDQGLQGLFDWHV6OLP/LGW\SHV コンバータ部 Converter [Diode] VRRM IO VFM IFSM Cont. Typ. Volts $PSV Volts $PSV 1600 8 1.00 220 1600 8 1.00 220 1600 15 1.10 220 1600 15 1.10 220 1600 25 1.10 1600 25 1.10 1600 1.20 1600 1.20 1600 1.05 700 1600 1.05 700 1600 50 1.10 700 1600 50 1.10 700 1600 75 1.25 700 1600 75 1.25 700 1600 100 1.15 1000 1600 100 1.15 1000 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass Grams 0 40 0 40 0 40 0 40 M724 65 M724 65 M724 65 M724 65 M724 65 M724 65 M725 95 M725 95 M725 95 M725 95 M725 95 M725 95 VCE(sat), VFM: at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) Solder pins Thermistor P P1 R 45 S T 7.5 10 U B M711 Solder pins Power Flow REC 62 W V N N1 2 12 R S T INPUT M712 Solder pins INV W U V OUTPUT Thermistor P P1 45 7.5 10 R S T M719 U B Power Flow REC 62 22 1 R S T INPUT M720 Solder pins INV W U V OUTPUT Thermistor P P1 R 45 7.5 10 S T M719 Solder pins N N1 R INPUT S T 62 2 12 M720 U B Power Flow REC INV OUTPUT U V W V 1200V V series 0%59$ 0%59$ $ $ $ 0%59% $ 0%59% 0%59% 0%59% 0%59% $ $ $ 0%590 0%590 0%590 $ $ $ $ 0%591 0%591 0%591 0%591 $ $ $ $ $ $ $ $ $ 0%593 0%593 0%593 W V N N1 Solder pins 600V Ic V series $ $ $ 0%59$ IGBT IGBT モジュール PIM < V series > ■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 600V, 1200Vクラス PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class W 0%593 0%593 0%593 0%595 0%595 0%595 0%595 0%595 0%595 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%59$ 0%59% 0%59% 0%593 0%593 0%593 0%595 0%595 0%59$ 0%59$ 0%59% 0%59% 0%59% 0%590 0%590 0%590 0%591 0%591 0%591 0%591 0%593 0%593 0%593 0%595 0%595 0%595 0%595 インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts $PSV :DWWV Volts 600 50 200 1.6 600 75 1.6 600 100 1.6 600 50 200 1.6 600 75 1.6 600 100 1.85 600 100 1.6 600 150 485 1.6 1200 25 170 1.85 1200 210 1.85 1200 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 1.85 1200 25 170 1.85 1200 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 1200 25 170 1.85 1200 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ VCES IC VRRM Cont. Volts $PSV Volts 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 75 600 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 注(FRQR3,0は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH(FRQR3,0LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ コンバータ部 Converter [Diode] VRRM IO VFM IFSM Cont. Typ. Volts $PSV Volts $PSV 800 50 210 800 75 1.25 500 800 100 1.25 700 800 50 210 800 75 1.25 500 800 100 1.25 700 800 100 1.25 700 800 150 1.25 700 1600 25 1.4 155 1600 260 1600 260 1600 50 1600 75 1.4 520 1600 25 1.4 155 1600 260 1600 50 1600 50 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 1600 25 1.4 155 1600 260 1600 50 1600 50 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 パッケージ 3DFNDJH M711 M712 M712 M719 M719 M719 M720 M720 M711 M711 M712 M712 M712 M719 M719 M719 M720 M720 M720 M720 M719 M719 M719 M720 M720 M720 M720 質量 Net mass Grams 180 200 200 200 180 180 200 200 200 200 200 200 VCE(sat), VFM: at Tj=25℃, Chip IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール PIM < V series > ■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵） EconoPIM™ 600V, 1200Vクラス PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class 3UHVV¿WSLQV Ic $ $ $ Thermistor P P1 45 7.5 R 10 S T M721 U B V 600V V series 1200V V series 0%59: 0%59: 0%59: W N N1 3UHVV¿WSLQV Power Flow REC R S T INPUT INV W U V OUTPUT $ $ $ $ 0%59; 0%59; 0%59; 0%59; $ $ $ 0%59< $ 0%59< $ 0%59< 0%59< 0%59< 0%59< $ $ $ 0%59= $ 0%59= 0%59= 0%59= 0%59= 0%59= 2 12 62 M722 3UHVV¿WSLQV Thermistor P P1 45 R 7.5 10 S T M721 3UHVV¿WSLQV U B V R INPUT S T Power Flow REC INV OUTPUT U V W 62 W N N1 2 12 M722 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%59< 0%59< 0%59< 0%59= 0%59= 0%59: 0%59: 0%59: 0%59; 0%59; 0%59; 0%59; 0%59< 0%59< 0%59< 0%59= 0%59= 0%59= 0%59= インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts $PSV :DWWV Volts 600 50 215 1.6 600 75 1.6 600 100 1.85 600 100 1.6 600 150 485 1.6 1200 25 170 1.85 1200 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 1200 25 170 1.85 1200 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 ブレーキ部%UDNH>,*%7):'@ VCES IC VRRM Cont. Volts $PSV Volts 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 75 600 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 1200 1200 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 注(FRQR3,0は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 1RWH(FRQR3,0LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ コンバータ部 Converter [Diode] VRRM IO VFM IFSM Cont. Typ. Volts $PSV Volts $PSV 800 50 210 800 75 1.25 500 800 100 1.25 700 800 100 1.25 700 800 150 1.25 700 1600 25 1.4 155 1600 260 1600 50 1600 50 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 1600 25 1.4 155 1600 260 1600 50 1600 50 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 パッケージ 3DFNDJH M721 M721 M721 M722 M722 M721 M721 M721 M722 M722 M722 M722 M721 M721 M721 M722 M722 M722 M722 質量 Net mass Grams 200 200 200 200 200 200 200 200 200 VCE(sat), VFM: at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール 6-Pack < V series > ® ■6個組MiniSKiiP 1200Vクラス 6-Pack, MiniSKiiP® 1200 volts class [ Inverter ] P Temp. Sensor T1 T2 U 59 82 V W N M664 1200V Ic V series $ 0%,9-& 0%,9-& $ 0%,9-& 0%,9-& 0%,9-& 0%,9-& Dimension [mm] 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ 0%,9-& 0%,9-& 0%,9-& 0%,9-& 0%,9-& 0%,9-& VCES VGES IC Cont. PC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV 100 100 150 450 150 450 150 710 150 710 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1.75 1.75 1.85 1.85 1.85 1.85 $PSV 100 100 150 150 150 150 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.44 0.05 0.44 0.05 0.45 0.06 0.45 0.06 0.45 0.06 0.45 0.06 ○：開発中 Under development 注1：0LQL6.LL3®は6(0,.521,17(51$7,21$/社の登録商標です。 注2：6MBI150VJC-120-55、6MBI150VJC-12-58は低熱抵抗パッケージ適用 注："-50/-55"はStandard Lid使用タイプ、 はSlim Lid使用タイプです。 1RWH0LQL6.LL3®LVDUHVLVWHUHGWUDGHPDUNRI6(0,.521,17(51$7,21$/*PE+ Note2: 6MBI150VJC-120-55, 6MBI150VJC-120-58; Premium type (Low Thermal Impedance Version) 1RWHLQGLFDWHV6WDQGDUG/LGW\SHVDQGLQGLFDWHV6OLP/LGW\SHV パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M664 M664 M664 M664 M664 M664 Grams 95 95 95 95 95 95 VCE(sat): at Tj=25℃, Chip IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール 6-Pack < V series / U series > ■６個組 EconoPACK™ 600V, 1200V, 1700Vクラス 6-Pack EconoPACK™ 600, 1200, 1700 volts class Solder pins Thermistor P U 45 V W 7.5 10 0 Thermistor P U $ $ 0%,9% 0%,9% 0%,9% 0%,9% 0%,9% 0%,8% 0%,8% V $ 0%,9: $ 0%,9: $ 0%,9: 0%,9: 0%,9: 0%,9: $ $ 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.52 0.52 0.52 0.52 0.52 0.52 0.52 0.52 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.06 0.70 0.10 0.62 0.55 0.09 0.62 0.55 0.09 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass W 2 0 N Thermistor P U V W 7.5 10 N M647 3UHVV¿WSLQV Thermistor P U 62 1700V V / U series 12 3UHVV¿WSLQV 45 1200V V series 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ N Solder pins 62 600V Ic V series $ 0%,9$ $ 0%,9$ $ 0%,9$ V W 2 12 N M648 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ 0%,9% 0%,9: 0%,9: 0%,9: 0%,9; 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ 0%,9% 0%,9% 0%,9% 0%,9% 0%,9: 0%,9: 0%,9: 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,8% 0%,8% VCES VGES IC Cont. PC Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV 50 200 75 275 100 150 485 50 215 75 100 150 485 50 280 75 100 520 100 520 150 770 150 150 1075 50 280 75 100 520 100 520 150 770 150 150 1075 100 665 100 520 150 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.6 1.85 1.85 1.75 1.75 1.75 1.85 1.85 1.85 1.85 1.75 1.75 1.75 1.85 1.85 2.00 2.25 2.25 $PSV 50 75 100 150 50 75 100 150 50 75 100 100 150 200 200 50 75 100 100 150 200 200 100 100 150 注(FRQR3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 6MBI180VB-120-55、 6MBI180VX-120-55は低熱抵抗パッケージ適用 1RWH(FRQR3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ 6MBI180VB-120-55, 6MBI180VX-120-55; Premium type (Low Thermal Impedance Version) 0 0 0 0 M647 M647 M647 M648 0 0 0 0 0 0 0 M647 M647 M647 M648 M648 M648 M648 M648 0 0 Grams 180 180 180 200 200 200 180 180 180 200 200 200 VCE(sat): at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) +LJKSRZHUSDFN Thermistor T1 T2 V+ U+ C5 15 0 2 16 C3 W+ C1 G5 G3 G1 E5 U1 E3 U2 G4 V1 E1 V2 G2 G6 E6 M629 E4 U- W1 W2 1200V Ic V series $ 0%,9 0%,9 $ 0%,9 0%,9 $ 0%,9 $ 0%,9 IGBT IGBT モジュール 6-Pack < V series > ■６個組 EconoPACK™+ 1200V, 1700Vクラス 6-Pack EconoPACK™+ 1200, 1700 volts class 1700V V series 0%,9 0%,9 E2 V- W- Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9 0%,9 0%,9 0%,9 0%,9 0%,9 0%,9 0%,9 VCES VGES IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV 225 225 450 550 450 :DWWV 1070 1070 1600 1600 2250 2500 1665 2500 Volts 1.85 1.85 1.75 1.75 1.75 1.85 2.00 2.00 $PSV 225 225 450 600 450 注(FRQR3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 -80 : 高熱伝導体のTIM （Thermal-Interface-Material） をモジュールベース面に塗布。 1RWH(FRQR3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNVRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ 3UH$SSOLHG7KHUPDO,QWHUIDFH0DWHULDO スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.90 0.10 0.90 0.10 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M629 M629 M629 M629 M629 M629 M629 M629 Grams 950 950 950 950 950 950 950 950 VCE(sat): at Tj=25℃, Chip IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール 2-Pack < V series > ■２個組 600V, 1200V, 1700Vクラス Standard 2-Pack 600, 1200, 1700 volts class 34 Ic $ $ $ $ $ $ $ $ 94 0 45 92 600V V series 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ 1200V V series 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ 1700V V series 0%,9$ 0%,9$ 0%,9% 0%,9% 0%,9% 0%,9% M274 $ $ 0%,9' $ 0%,9' 62 8 10 M275 * 2MBI450VH-120F-50 62 8 10 $ $ $ $ M276 80 0%,9' 0%,9' $ $ $ $ 0%,9( 0 11 0%,9+ 0%,9+ 0%,9+ 0%,9+) 0%,9( 0%,9+ 0%,9+ 0%,9+ 0%,9( 0%,9( 0%,9( 0%,9( M277 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ 0%,9% 0%,9% 0%,9' 0%,9' 0%,9( 0%,9$ 0%,9$ 0%,9$ 0%,9% 0%,9% 0%,9' 0%,9' 0%,9+ 0%,9+ 0%,9+ 0%,9+) 0%,9( 0%,9( 0%,9( 0%,9$ 0%,9$ 0%,9+ 0%,9+ 0%,9+ 0%,9( 0%,9( VCES VGES IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV Volts 100 1.60 150 480 1.60 200 640 1.60 1.60 400 1970 1.60 400 1970 1.60 600 2940 1.60 600 2940 1.60 75 1.85 100 555 1.85 150 785 1.85 150 1070 1.85 200 1500 1.75 2200 1.85 400 1.75 200 1110 1.75 1600 1.75 450 2400 1.80 450 2400 1.80 2200 1.85 450 1.80 600 4800 1.75 75 555 2.00 100 665 2.00 150 1110 2.00 200 1250 2.00 1805 2.00 2.00 400 2.00 $PSV 100 150 200 400 400 600 600 75 100 150 150 200 400 200 450 450 450 600 75 100 150 200 400 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.65 0.60 0.04 0.65 0.60 0.04 0.65 0.60 0.04 0.65 0.60 0.07 0.65 0.60 0.07 0.65 0.60 0.07 0.75 0.75 0.07 0.75 0.75 0.07 0.60 0.60 0.04 0.60 0.60 0.04 0.60 0.60 0.04 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.60 0.80 0.08 0.15 1.25 1.25 0.15 0.95 1.05 0.14 1.15 1.05 0.14 1.15 1.05 0.14 1.15 1.05 0.14 1.15 1.05 0.14 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass 0 0 0 M274 M274 M275 M275 M277 0 0 0 M274 M274 M275 M275 M276 M276 M276 M276 M277 M277 M277 0 0 M276 M276 M276 M277 M277 Grams 180 180 180 240 240 470 180 180 180 240 240 470 470 470 180 180 470 470 VCE(sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) Solder pins Ic Thermistor 62 0 15 M254 3UHVV¿WSLQV Thermistor 1200V V series $ 0%,91 0%,91 0%,916 $ 0%,91 0%,916 $ 0%,91 0%,91 0%,916 $ $ 0%,91 0%,91 $ 0%,9; $ 0%,9; $ 0%,9; $ $ 0%,9; IGBT IGBT モジュール 2-Pack < V series > ■２個組 1200V, 1700Vクラス Standard 2-Pack 1200, 1700 volts class 1700V V series 0%,91 0%,91 0%,91 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0 15 62 M282 $ 0%,9- $ 0%,9- $ 0%,9- 0%,9- $ $ 0%,9- 0%,9- Spring contacts Thermistor 0 62 15 M260 0%,9- Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,91 0%,91 0%,916 0%,91 0%,916 0%,91 0%,91 0%,916 0%,91 0%,91 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9- 0%,9- 0%,9- 0%,9- 0%,9- 0%,9- 0%,91 0%,91 0%,91 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9; 0%,9- VCES VGES IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV Volts 225 1070 1.85 225 1070 1.85 225 1.85 1595 1.75 2000 1.75 450 2270 1.75 450 2270 1.75 450 1.75 600 1.85 600 1.85 225 1070 1.85 1595 1.75 450 2270 1.75 600 1.85 225 1070 1.85 1595 1.75 450 2270 1.75 450 2270 1.75 600 1.85 600 1.85 1665 2.00 450 2500 2.00 550 2.15 225 1500 2.00 1665 2.00 450 2500 2.00 550 2.15 550 2.15 $PSV 225 225 225 450 450 450 600 600 225 450 600 225 450 450 600 600 450 550 225 450 550 550 注 : -80 : 高熱伝導体の TIM（Thermal-Interface-Material）をモジュールベース面に塗布。 1RWH3UH$SSOLHG7KHUPDO,QWHUIDFH0DWHULDO スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.40 0.55 0.05 0.55 1.05 0.11 0.45 0.65 0.06 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.47 0.70 0.07 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.55 1.05 0.11 0.90 0.10 0.90 0.10 1.00 0.10 0.90 1.05 0.08 0.90 0.10 0.90 0.10 1.00 0.10 1.00 0.10 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M254 M254 M254 M254 M254 M254 M254 M254 M254 M254 M282 M282 M282 M282 M260 M260 M260 M260 M260 M260 M254 M254 M254 M282 M282 M282 M282 M260 Grams VCE(sat): at Tj=25°C, Chip IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール 2-Pack < V series > ■ハイパワーモジュール 1200V, 1700Vクラス High Power Module 1200, 1700 volts class Ic 14 0 0 13 1200V V series Cu-baseplate $ 0%,9*3 $ 0%,9*3 $ 0%,9*3 1700V V series Cu-baseplate 0%,9*( 0%,9*( 0%,9*( $,6L&EDVHSODWH 0%,97( 0%,97( 0%,97( M256, M278 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9*3 0%,9*3 0%,9*3 0%,9*( 0%,9*( 0%,9*( 0%,97( 0%,97( 0%,97( VCES VGES IC Cont. Volts 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV Volts 600 1.70 800 5170 1.70 1200 6810 1.70 600 4410 2.00 800 5760 2.00 1200 7500 2.00 600 4280 2.00 800 2.00 1200 7040 2.00 1RWH0&XEDVHSODWH0$O6L&EDVHSODWH PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC $PSV 600 800 1200 600 800 1200 600 800 1200 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 1.86 1.25 0.12 1.97 0.15 2.55 1.67 0.16 2.28 2.07 0.58 2.41 0.55 2.76 2.29 1.51 2.07 0.58 2.00 0.55 2.14 2.29 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M256 M256 M256 M256 M256 M256 M278 M278 M278 Grams 1500 1500 1500 1500 1500 1500 900 900 900 VCE(sat): at Tj=25°C, Chip Switching time: at Tj=125°C IGBT モジュール 2-Pack < V series > ■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class Inverter 89 Thermistor 1200V V series Ic Low switching loss Soft turn off $ 0%,9;$( 0%,9;$( $ 72 1 M271 Inverter 0%,9;$3 0%,9;$3 $ 0%,9;%( 0%,9;%( 0%,9;%3 0%,9;%3 Thermistor 0 89 $ 0%,9;$( 0%,9;$( $ 25 1700V V series Low switching loss Soft turn off 0%,9;$( 0%,9;$( 0%,9;$($ 0%,9;$($ 0%,9;%( 0%,9;%( 0%,9;%($ 0%,9;%($ 0%,9;%( 0%,9;%3 0%,9;%( 0%,9;%3 M272 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9;$( 0%,9;$( 0%,9;$( 0%,9;$( 0%,9;%( 0%,9;%( 0%,9;$3 0%,9;$3 0%,9;%3 0%,9;%3 0%,9;$( 0%,9;$( 0%,9;$($ 0%,9;$($ 0%,9;%( 0%,9;%( 0%,9;%($ 0%,9;%($ 0%,9;%( 0%,9;%( 0%,9;%3 0%,9;%3 VCES VGES IC Cont. PC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV :DWWV 600 600 900 5100 900 5100 1400 7650 1400 7650 900 5100 900 5100 1400 7650 1400 7650 650 4150 650 4150 650 4150 650 4150 1000 6250 1000 6250 1000 6250 1000 6250 1400 8820 1400 8820 1400 8820 1400 8820 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1.75 1.75 1.75 1.75 1.75 1.75 1.65 1.65 1.65 1.65 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.15 2.15 1.90 1.90 $PSV 600 600 900 900 1400 1400 900 900 1400 1400 650 650 650 650 1000 1000 1000 1000 1400 1400 1400 1400 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.70 1.60 0.11 1.70 1.60 0.11 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.70 1.60 0.11 1.70 1.60 0.11 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.80 0.20 1.80 0.20 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M271 M271 M271 M271 M272 M272 M271 M271 M272 M272 M271 M271 M271 M271 M272 M272 M272 M272 M272 M272 M272 M272 Grams 850 850 850 850 1250 1250 850 850 1250 1250 850 850 850 850 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 1250 注3ULPH3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 -54…VCE(sat)及びVFのランクをラベルに表示 本ページで($の付く型式は、 ダイオードの負荷が厳しいアプリケーションに対応し、 ):'を最適化したことにより、 VFおよび熱抵抗を低減。 1RWH3ULPH3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ 7KHSURGXFWVZLWKVXI¿[ ‘-54’RQWKLVSDJHDUHODEHOHGWRVSHFLI\WKHUDQNRI9CE(sat) and VF. The products with‘($’ RQWKLVSDJHKDYHRSWLPL]HG):'IRUWKHDSSOLFDWLRQFDXVLQJKHDY\ORDGWKURXJK):'7KHRSWLPL]HG):'UHGXFHV9F and thermal resistance. IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール 1-Pack < V series > ■ 1個組 1200V, 1700Vクラス Standard 1-Pack 1200, 1700V volts class Ic 62 $ $ 0%,9 $ 0%,9 $ 0%,9 8 10 1200V V series $OXPLQLXPR[LGH'&% $OXPLQLXPQLWULGH'&% 0 0%,9) 0%,9) 1700V V series $OXPLQLXPR[LGH'&% 0%,9 0%,9 0%,9 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9 0%,9 0%,9 0%,9) 0%,9) 0%,9 0%,9 0%,9 VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC $PSV :DWWV Volts 400 2410 1.75 600 1.75 900 4280 1.90 400 1.75 600 4680 1.75 1705 2.00 400 2500 2.00 600 2.00 $PSV 400 600 900 400 600 400 600 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.60 1.10 0.14 0.70 0.90 0.10 0.70 0.85 0.10 0.60 1.10 0.14 0.70 0.90 0.10 0.70 0.80 0.14 0.70 0.80 0.14 0.70 0.80 0.14 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass 0 0 0 0 0 0 0 0 Grams VCE(sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) Ic $ $ 14 0 0 13 M151, M155 14 0 0 1200V V series Cu-baseplate IGBT IGBT モジュール 1-Pack < V series / U series > ■ハイパワーモジュール 1200V, 1700V, 3300Vクラス High Power Module 1200, 1700, 3300 volts class 1700V V series Cu-baseplate $,6L&EDVHSODWH $ 0%,9&3 $ 0%,9&3 $ 0%,9&3 $ $ 0%,9&( 0%,9&( 0%,9&( $ 0%,9'3 $ 0%,9'3 0%,9'( 0%,9'( 9 U Series $,6L&EDVHSODWH 0%,8* 0%,8* 0%,8*% 0%,95( 0%,95( 0%,95( 0%,8( 0%,8( 0%,8(% 0%,96( 0%,96( 19 M152, M156 Dimension [mm] 型 式 Device type ● ● 0%,9&3 0%,9&3 0%,9&3 0%,9'3 0%,9'3 0%,9&( 0%,9&( 0%,9&( 0%,9'( 0%,9'( 0%,95( 0%,95( 0%,95( 0%,96( 0%,96( 0%,8* 0%,8* 0%,8*% 0%,8( 0%,8( 0%,8(% VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC $PSV 1200 1600 2400 2400 1200 1600 2400 2400 1200 1600 2400 2400 800 1000 1000 1200 1500 1500 :DWWV Volts 7890 1.70 1.70 1.70 15780 1.70 20540 1.70 8820 2.00 11700 2.00 15000 2.00 17640 2.00 2.00 8570 2.00 10710 2.00 14010 2.00 16120 2.00 21120 2.00 9600 2.28 10400 2.46 10400 2.75 14700 2.28 15600 2.46 15600 2.75 $PSV 1200 1600 2400 2400 1200 1600 2400 2400 1200 1600 2400 2400 800 1000 1000 1200 1500 1500 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 1.52 0.15 2.22 1.47 0.19 0.24 1.64 0.21 2.98 2.15 0.27 2.18 2.20 0.45 2.28 2.17 0.40 2.41 2.22 2.27 2.67 1.51 2.20 0.45 2.17 0.40 2.51 2.41 2.09 2.22 2.70 2.66 2.40 0.40 2.50 2.00 0.50 0.45 2.40 0.40 2.60 0.50 0.45 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M151 M151 M151 M152 M152 M151 M151 M151 M152 M152 M155 M155 M155 M156 M156 M155 M155 M155 M156 M156 M156 Grams 1500 1500 1500 1500 1500 1500 900 900 900 900 900 900 ●：新製品 New Products 1RWH00&XEDVHSODWH00$O6L&EDVHSODWHVCE(sat): at Tj=25°C, Chip Switching time: at Tj=125°C, at Tj &9$$RQO\ 1RWH%W\SH低スイッチング損失 Low switching losses IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール チョッパ < V series / U series > ■ チョッパ 600V, 1200Vクラス Chopper 600, 1200 volts class Inverse Diode FWD C1 E2 NC 34 94 G1 E1 E1C2 G2 E2 M262 Inverse Diode 600V Ic U series $ $ $ $ $ $ $ 0%,8+/ 1200V U series V series 0%,8)/ 0%,8)/ 0%,8)/ 0%,9$/ 0%,9$/ 0%,8+/ FWD E2 NC 62 8 10 G1 E1 E1C2 G2 E2 M259 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,8+/ 0%,8)/ 0%,8)/ 0%,8)/ 0%,8+/ 0%,9$/ 0%,9$/ VCES VGES Volts Volts 600 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC $PSV :DWWV Volts 1000 2.45 50 400 2.15 75 400 2.20 100 540 2.20 200 1040 2.25 150 785 1.85 200 880 1.80 $PSV 50 75 100 200 150 200 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.40 0.48 0.07 0.41 0.07 0.41 0.07 0.41 0.07 0.41 0.07 0.60 0.60 0.04 0.60 0.60 0.04 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M259 M262 M262 M262 M259 M262 M262 Grams 180 180 180 180 180 VCE(sat): at Tj=25°C, Chip IGBT モジュール チョッパ < V series > ■PrimePACK™ 1200V, 1700Vクラス PrimePACK™ 1200, 1700 volts class Chopper Low Side 89 High Side Thermistor 2 17 Thermistor 1200V 1700V V series V series Soft turn off Low side Soft turn off High side Low switching loss Low switching loss Ic FRQ¿JXUDWLRQ FRQ¿JXUDWLRQ /RZVLGHFRQ¿JXUDWLRQ +LJKVLGHFRQ¿JXUDWLRQ 0%,9;$(/ 0%,9;$(+ $ 0%,9;$(/ 0%,9;$(+ M271 0%,9;%(/ 0%,9;%(/ $ 0%,9;%3/ 0%,9;%3+ 0%,9;%3/ 0%,9;%3/ Chopper $ 0%,9;%(+ 0%,9;%(+ 0%,9;%3+ 0%,9;%3+ 0 25 89 M272 Dimension [mm] VCES 型 式 Device type ● ● ● ● 0%,9;%3/ 0%,9;%3+ 0%,9;$(/ 0%,9;$(/ 0%,9;%(/ 0%,9;%(/ 0%,9;%3/ 0%,9;%3/ 0%,9;$(+ 0%,9;$(+ 0%,9;%(+ 0%,9;%(+ 0%,9;%3+ 0%,9;%3+ VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC $PSV 1400 1400 650 650 1000 1000 1400 1400 650 650 1000 1000 1400 1400 :DWWV Volts 7650 1.65 7650 1.65 4150 2.00 4150 2.00 6250 2.00 6250 2.00 8820 2.15 8820 2.15 4150 2.00 4150 2.00 6250 2.00 6250 2.00 8820 2.15 8820 2.15 $PSV 1400 1400 650 650 1000 1000 1400 1400 650 650 1000 1000 1400 1400 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 1.00 1.20 0.15 1.00 1.20 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 1.25 1.55 0.15 Low Side High Side Thermistor 89 Thermistor 2 17 M272 M272 M271 M271 M272 M272 M272 M272 M271 M271 M272 M272 M272 M272 Grams 1250 1250 850 850 1250 1250 1250 1250 850 850 1250 1250 1250 1250 VCE(sat): at Tj=25℃, Chip ●：新製品 New products 注3ULPH3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 -54…VCE(sat)及びVFのランクをラベルに表示 1RWH3ULPH3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ 7KHSURGXFWVZLWKVXI¿[ ‘-54’RQWKLVSDJHDUHODEHOHGWRVSHFLI\WKHUDQNRI9CE(sat) and VF. Chopper パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass 1200V V series Boost (Low side) %XFN+LJKVLGH Ic Chopper Chopper $ 0%,9;$3' 0%,9;$3& 0%,9;$3' 0%,9;$3& 1700V V series Boost (Low side) %XFN+LJKVLGH Chopper Chopper M271 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,9;$3& 0%,9;$3& 0%,9;$3' 0%,9;$3' VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC $PSV 900 900 900 900 :DWWV Volts 5100 1.65 5100 1.65 5100 1.65 5100 1.65 $PSV 900 900 900 900 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 1.10 1.20 0.15 1.10 1.20 0.15 1.10 1.20 0.15 1.10 1.20 0.15 注3ULPH3$&.は,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV社の登録商標です。 -54…VCE(sat)及びVFのランクをラベルに表示 逆並列接続ダイオードの電流定格は$です。%RRVW%XFNFKRSSHU回路にのみ適用願います。 1RWH3ULPH3$&.LVUHJLVWHUHGWUDGHPDUNRI,Q¿QHRQ7HFKQRORJLHV$**HUPDQ\ 7KHSURGXFWVZLWKVXI¿[ ‘-54’RQWKLVSDJHDUHODEHOHGWRVSHFLI\WKHUDQNRI9CE(sat) and VF. $QWLSDUDOOHOGLRGHFXUUHQWUDWLQJLV$$SSOLFDWLRQFLUFXLWLV%RRVW%XFNFKRSSHURQO\ パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M271 M271 M271 M271 Grams 850 850 850 850 VCE(sat): at Tj=25℃, Chip IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール 高速タイプ ■高速IGBTモジュール 1200Vクラス High Speed 1200 volts class Chopper 1200V High Speed IGBT Ic $ 0%,++/ $ 0%,++/ $ 0%,++/ Thermistor 8 62 10 M249 SDFN $ 0%,+% 45 92 0 M233 SDFN $ 0%,++ $ 0%,++ 62 8 10 M249 SDFN $ $ $ $ 62 0%,+- 0%,+- 0%,+- 0%,+- 8 10 M276 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%,++/ 0%,++/ 0%,++/ 0%,+% 0%,++ 0%,++ 0%,+- 0%,+- 0%,+- 0%,+- VCES VGES IC Cont. PC VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 $PSV 200 400 100 150 200 100 150 200 :DWWV 2090 2500 1040 1790 655 925 1950 Volts $PSV 200 400 100 150 200 100 150 200 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝVHF ȝVHF ȝVHF 0.2 0.05 0.2 0.05 0.2 0.4 0.05 0.05 0.05 0.05 0.25 0.05 0.25 0.05 0.25 0.05 0.25 0.05 パッケージ 質量 3DFNDJH Net mass M249 M249 M249 0 M249 M249 M276 M276 M276 M276 Grams 240 VCE(sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール ３レベル < V series > ■T/IタイプNPC３レベル回路 600V, 1200V, 1700Vクラス T/I-type NPC 3-level Circuits 600, 1200, 1700 volts class ■特長 Features 電力変換効率に優れた T/I タイプ NPC3 レベル回路に対応 1 レッグまたは 3 レッグ（3 相分）を 1 パッケージに搭載、 またモジュールの外部配線が容易 低パッケージ内部インダクタンスにより低サージ電圧を実現 T-Type AC-SW 部には RB-IGBT を採用、低損失を実現 メイン SW 部には第 6 世代 IGBT, FWD を採用し低損失を実現 1-leg T-Type T3 80 0 11 T1 RB-IGBT T4 0 1-leg T-Type T2 T3 T1 Ɣ $SSOLFDEOHWR7,W\SH13&OHYHOFLUFXLWIRUKLJKSRZHU conversion efficiency. Ɣ 7KHUHDUHOHJRUOHJSKDVHFLUFXLWVLQRQHSDFNDJH DQGLWLVHDVLHUWRPDNHVH[WHUQDOZLULQJRIPRGXOH Ɣ /RZHUVXUJHYROWDJHE\VPDOOHULQWHUQDOSDFNDJHVWUD\LQGXFWDQFH Ɣ Lower power loss can be achieved by using RB-IGBT as for 7W\SH$&6:GHYLFH Ɣ Lowest power loss can be achieved by using 6th Gen. IGBT DQG):'DVIRU0DLQ6:GHYLFH T1, T2 600V Ic 77 600V 600V $ 0%,9*5 $ 0%,9)5 $ 0%,9*5 0%,9)5 ※１ $ 0%,9)5' ※ 2 $ $ $ $ $ 1200V 900V 1200V 1700V 1200V 0%,9)5 0%,9*5 0%,9%5 0%,9%5 0%,9%5 0%,9%5 0%,9%5 0 25 89 RB-IGBT M404 T4 T2 1-leg I-Type 0%,9& $ 0%,90 T1 0 25 89 $ M404 T2 1-leg I-Type T3 T4 15 0 4.4 16 0 Dimension [mm] ● ○ ○ ○ ● ○ ○ 型 式 Device type T1, T2 VCES 0%,9*5 0%,9*5 0%,9*5 0%,9)5 0%,9)5 ※１ 0%,9)5' ※ 2 0%,9%5 0%,9%5 0%,9%5 0%,9& 0%,90 0%,9)5 0%,9%5 0%,9%5 Volts 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 IC Cont. $PSV 400 400 450 650 900 600 600 200 450 600 PC :DWWV 1250 1500 1500 2205 2865 TBD 1500 77 VCE(sat) (VGE=15V) VCES Typ. IC Volts Volts $PSV 400 600 1.60 600 1.85 900 1.85 600 1.85 400 600 2.00 200 600 1.75 450 900 1.85 650 900 1.80 900 900 1.85 600 1200 1.85 600 1200 TBD 200 1200 2.00 450 1200 2.00 600 1200 2.00 IC Cont. $PSV 400 450 450 450 650 900 600 600 200 450 600 PC :DWWV 1560 1250 1550 1500 1980 2660 2865 TBD 1865 2660 ●：新製品 New Products, ○：開発中 Under development 注: 製品名にVFが含まれる型式は低熱抵抗パッケージ適用 Note: VF type is lower thermal impedance version. ※１：インバータ専用 Particular for Inverter ※２：コンバータ専用 Particular for Converter パッケージ VCE(sat) (VGE=15V) 3DFNDJH Typ. IC Volts $PSV 2.45 400 0 2.45 0 0 2.45 0 2.45 400 0 2.45 400 0 450 M404 2.25 650 M404 900 M404 1.85 600 M404 TBD 600 0 2.70 200 0 2.70 450 M404 2.70 600 M404 質量 Net mass Grams 460 460 460 460 460 460 950 460 VCE(sat): at Tj=25°C, Chip IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール ３レベル < V series > ■T/IタイプNPC３レベル回路 1200Vクラス T/I-type NPC 3-level Circuits 1200 volts class OHJ6ROGHUSLQV P T1u T1v T3u T2u M T4u 62 2 12 T1w T3v U T3w T2v V T4v T2w W T4w T1, T2 Ic 77 $ 0%,91 $ 0%,91 $ 0%,91 1200V 600V N 0 OHJ3UHVV¿WSLQV P T1u T1v T3u T2u M T4u 62 2 T1w T3v U 0%,9; 0%,9; 0%,9; T3w T2v T4v $ $ $ V T2w W T4w N 12 M1202 Dimension [mm] 型 式 Device type T1, T2 VCES 0%,91 0%,91 0%,91 0%,9; 0%,9; 0%,9; Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 IC Cont. $PSV 50 75 100 50 75 100 PC :DWWV VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts $PSV 50 1.85 75 1.85 100 1.75 50 1.85 75 1.85 100 1.75 77 VCES Volts 600 600 600 600 600 600 IC Cont. $PSV 50 75 100 50 75 100 PC :DWWV 400 400 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts $PSV 2.45 50 2.45 75 2.45 100 2.45 50 2.45 75 2.45 100 パッケージ 3DFNDJH 0 0 0 M1202 M1202 M1202 質量 Net mass Grams VCE(sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT IGBT モジュール IPM < V series > ■ IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200Vクラス IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class Built-in protection functions P-side fault status output (Alarm) N-side fault status output (Alarm) Under voltage protection (self shutdown) Over current protection (self shutdown) Overheating protection (self shutdown) 600V V series :LWKRXW%UDNH&KRSSHU :LWK%UDNH&KRSSHU Ic 49 .5 70 P629 50 $ $ $ $ $ $ $ $ $ $ 1200V V series :LWKRXW%UDNH&KRSSHU :LWK%UDNH&KRSSHU 0%39$$ 0%39$$ 0%39$$ 0%39$$ 0%39$$ 0%39$$ 0%39%$ 0%39%$ 0%39%$ 0%39%$ 0%39%$ 87 .2 P626 55 90 3 $ 0%39)1 $ 0%39)1 $ 0%39)1 0%39)1 0%39)1 $ 0%39)1 0%39)1 $ 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 Dimension [mm] 型 式 Device type 0%39$$ 0%39$$ 0%39$$ 0%39%$ 0%39%$ 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39$$ 0%39$$ 0%39$$ 0%39%$ 0%39%$ 0%39%$ 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 0%39)1 インバータ部 VCES IC Cont. Volts $PSV 600 20 600 600 50 600 50 600 75 600 50 600 75 600 100 600 50 600 75 600 100 1200 10 1200 15 1200 25 1200 25 1200 1200 50 1200 25 1200 1200 50 1200 25 1200 1200 50 Inverter VCE(sat) Typ. Volts 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.25 1.25 1.25 1.25 1.25 1.25 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 ブレーキ部%UDNH VCES IC Cont. Volts $PSV 600 600 50 600 50 1200 15 1200 25 1200 25 制御部 Control TjOH VCC IOC[INV] VUV Typ. Min. Min. Volts $PSV Volts ℃ 15 11.0 to 12.5 150 15 45 11.0 to 12.5 150 15 75 11.0 to 12.5 150 15 75 11.0 to 12.5 150 15 11.0 to 12.5 150 15 100 11.0 to 12.5 150 15 150 11.0 to 12.5 150 15 200 11.0 to 12.5 150 15 100 11.0 to 12.5 150 15 150 11.0 to 12.5 150 15 200 11.0 to 12.5 150 15 15 11.0 to 12.5 150 15 11.0 to 12.5 150 15 11.0 to 12.5 150 15 11.0 to 12.5 150 15 11.0 to 12.5 150 15 75 11.0 to 12.5 150 15 50 11.0 to 12.5 150 15 70 11.0 to 12.5 150 15 100 11.0 to 12.5 150 15 50 11.0 to 12.5 150 15 70 11.0 to 12.5 150 15 100 11.0 to 12.5 150 パッケージ 質量 $ODUP 3DFNDJH Net mass OC(typ.) UV(typ.) TjOH(typ.) Grams ms ms ms 2 4 8 P629 80 2 4 8 P629 80 2 4 8 P629 80 2 4 8 P626 100 2 4 8 P626 100 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 P629 80 2 4 8 P629 80 2 4 8 P629 80 2 4 8 P626 100 2 4 8 P626 100 2 4 8 P626 100 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 2 4 8 3 190 IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT モジュール IPM < V series > ■ IPM（Intelligent Power Module）600V, 1200Vクラス IPM (Intelligent Power Module) 600, 1200 volts class Built-in protection functions P-side fault status output (Alarm) N-side fault status output (Alarm) Under voltage protection (self shutdown) Over current protection (self shutdown) Overheating protection (self shutdown) 600V V series Ic :LWKRXW %UDNH&KRSSHU $ $ $ $ $ 8.5 84 12 $ 3 $ $ $ $ $ $ 11 1200V V series :LWK %UDNH&KRSSHU :LWKRXW %UDNH&KRSSHU 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'1 0%39'1 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'1 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'1 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ :LWK %UDNH&KRSSHU 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39($ 0%39($ 0%39($ 2 0 14 3 Dimension [mm] ●ブロック図 %ORFN'LDJUDP ・6MBP□VAA060-50 ・6MBP□VAA120-50 ・6MBP□VBA060-50 ・6MBP□VBA120-50 Alarm output U Supply voltage VCCU Signal input VinU GND U Supply voltage VCCL VinX Signal input for low side VinY VinZ Alarm output ALM VCCV VinV GND V Pre Driver VCCW VinW GND W Pre Driver Pre Driver VCCU VinU GND U U V W Pre-Driver Tj-sensor VinX GND VCCV VinV GND V Pre Driver VCCW VinW GND W Pre Driver Pre Driver VinY Pre Driver VinZ GND N ・6MBP□VFN□-50 ・6MBP□VDA□-50 ・6MBP□VDN□-50 ・6MBP□VEA□-50 Pre Driver U V W Pre Driver N Tj-sensor IC-sensor ・7MBP□VFN□-50 ・7MBP□VDA□-50 ・7MBP□VDN□-50 ・7MBP□VEA□-50 Alarm output U Alarm output V RALM Alarm output W RALM Alarm output U RALM Alarm output V RALM P Alarm output W RALM RALM P VCCU VinU GND U Pre Driver VCCV VinV GND V Pre Driver VCCW VinW GND W RALM VinX Pre Driver VinY Pre Driver VinZ VCCU VinU GND U Pre Driver B U V W Supply voltage VCCL Alarm output ALM RALM Supply voltage VCCL Alarm output ALM RALM RALM Alarm output W RALM P IC-sensor GND Alarm output V RALM P Pre Driver N Tj-sensor IC-sensor Pre Driver VCCV VinV GND V Pre Driver VCCW VinW GND W Pre Driver U V Supply voltage VCCL Alarm output ALM W RALM Signal input VinB GND VinX Pre Driver VinY Pre Driver VinZ Pre Driver N Tj-sensor IC-sensor 型 式 Device type 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'$ 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39'$ 0%39'1 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ 0%39($ インバータ部 VCES IC Cont. Volts $PSV 600 50 600 75 600 100 600 100 600 150 600 150 600 200 600 200 600 50 600 75 600 100 600 100 600 150 600 150 600 200 600 200 600 200 600 600 400 600 200 600 600 400 1200 25 1200 1200 50 1200 50 1200 75 1200 75 1200 100 1200 100 1200 25 1200 1200 50 1200 50 1200 75 1200 75 1200 100 1200 100 1200 100 1200 150 1200 200 1200 100 1200 150 1200 200 Inverter ブレーキ部%UDNH 制御部 Control TjOH VCE(sat) VCES IC VCC IOC[INV] VUV Typ. Min. Cont. Typ. Min. Volts Volts $PSV Volts $PSV Volts ℃ 1.4 15 75 11.0 to 12.5 150 1.4 15 11.0 to 12.5 150 1.4 15 150 11.0 to 12.5 150 1.4 15 150 11.0 to 12.5 150 1.4 15 225 11.0 to 12.5 150 1.4 15 225 11.0 to 12.5 150 1.4 15 11.0 to 12.5 150 1.4 15 11.0 to 12.5 150 1.4 600 15 75 11.0 to 12.5 150 1.4 600 50 15 11.0 to 12.5 150 1.4 600 50 15 150 11.0 to 12.5 150 1.4 600 50 15 150 11.0 to 12.5 150 1.4 600 75 15 225 11.0 to 12.5 150 1.4 600 75 15 225 11.0 to 12.5 150 1.4 600 100 15 11.0 to 12.5 150 1.4 600 100 15 11.0 to 12.5 150 1.25 15 11.0 to 12.5 150 1.25 15 450 11.0 to 12.5 150 1.25 15 600 11.0 to 12.5 150 1.25 600 100 15 11.0 to 12.5 150 1.25 600 150 15 450 11.0 to 12.5 150 1.25 600 200 15 600 11.0 to 12.5 150 1.7 15 11.0 to 12.5 150 1.7 15 11.0 to 12.5 150 1.7 15 75 11.0 to 12.5 150 1.7 15 75 11.0 to 12.5 150 1.7 15 11.0 to 12.5 150 1.7 15 11.0 to 12.5 150 1.7 15 150 11.0 to 12.5 150 1.7 15 150 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 15 15 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 15 15 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 25 15 75 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 25 15 75 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 15 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 15 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 50 15 150 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 50 15 150 11.0 to 12.5 150 1.7 15 150 11.0 to 12.5 150 1.7 15 225 11.0 to 12.5 150 1.7 15 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 50 15 150 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 75 15 225 11.0 to 12.5 150 1.7 1200 100 15 11.0 to 12.5 150 パッケージ 質量 $ODUP 3DFNDJH Net mass OC(typ.) UV(typ.) TjOH(typ.) Grams ms ms ms 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 3 290 2 4 8 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 290 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 2 4 8 3 940 注：本ページでVDNの付く型式は高放熱特性。 Note：The products with“VDN”on this page have high heat dissipation characteristics. IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT ディスクリート IGBT Discrete IGBT 3DFNDJH VCES (V) IC $ Trench-FS High-Speed V Series V Series )*:19' )*:1+' )*:1+& )*:1+ 40 600/ 650 50 )*:19' )*:1+' )*:1+& )*:1+ 60 )*:1+' )*:1+& 75 TO-247-P2 RB-IGBT High-Speed W Series )*:1+ )*:1:' )*:1:( )*:1:' )*:1:( )*:1:' )*:1:( )*:1:' )*:1:( )*:1: )*:1: )*:1: )*:1: )*:15% 85 15 25 )*:19' )*:1+ )*:19' 1200 40 )*:1+' )*:19' )*:1+' )*:1+ )*:1+' )*:1+ )*:1:' )*:1:( )*:1: )*:1:' )*:1:( )*:1: ■シリーズ別推奨動作周波数 Recommended operating frequency 0~ ~10 ~20 a ~40 ~50 ~60 ~70 ~80 ~90 ~100 N+] V/RB High speed V High speed W ■ 型式の見方 Part numbers FGW35N60HD (example) ) * 機種コード 社名 Company Device code Fuji G IGBT : パッケージコード 定格電流 3DFNDJHW\SH Current W TO-247 ×1 1 : ' 極性 Polarity 定格電圧 Voltage シリーズ Series ダイオードタイプ Diode Type N N-ch 60 600V W High Speed W series 65 650V H High Speed V series V RB 120 1200V C,E w/ Diode (Full rated) V series D w/ Diode RB-IGBT Blank w/o Diode ■ 等価回路 Equivalent circuit （a）ダイオード内蔵 with Diode （b）ダイオードなし without Diode コレクタ Collector ゲート Gate コレクタ Collector ゲート Gate エミッタ Emitter （c）ディスクリート RB-IGBT コレクタ Collector ゲート Gate エミッタ Emitter エミッタ Emitter パワーデバイス/Power Devices (IGBT) IGBT ■ ディスクリートIGBT High Speed Wシリーズ 650V,1200Vクラス Discrete IGBT High Speed W series 650V,1200V class ■特長 Features Ɣ IGBT in Trench-gate structure and Field-stop technology Ɣ Low VCE(sat) and low switching Loss Ɣ High switching frequency ( ∼100kHz) トレンチゲート、フィールドストップ IGBT 低 VCE(sat)、低スイッチング Loss 高周波対応 ( ∼100kHz) ,*%7LQ¿HOGVWRSWHFKQRORJ\DQGWUHQFKJDWHVWUXFWXUHZLWK8OWUDIDVW):' 650V,1200Vクラス 650,1200 volts class 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ○ ● ● ○ )*:1: )*:1:' )*:1:( )*:1: )*:1:' )*:1:( )*:1: )*:1:' )*:1:( )*:1: )*:1:' )*:1:( )*:1: )*:1:' )*:1:( 絶対最大定格 Maximum Ratings IC ICP PD VCES IGBT Tc=100°C Volts $PSV $PSV :DWWV 650 40 160 155 650 40 160 155 650 40 160 155 650 50 200 190 650 50 200 190 650 50 200 190 650 60 240 650 60 240 650 60 240 1200 25 100 220 1200 25 100 220 1200 25 100 220 1200 40 160 1200 40 160 1200 40 160 ●：新製品 New Products, VCE(sat) (VGE=15V) Typ. Volts 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 Eon Eoff (rg=10Ω) typ. mJ mJ 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.29 0.42 0.46 0.42 0.46 0.42 0.46 0.6 0.67 0.6 0.67 0.6 0.67 0.9 0.9 0.9 2.8 1.6 2.8 1.6 2.8 1.6 QG typ. nC 180 180 180 215 215 215 250 250 250 80 80 80 120 120 120 VF typ. Volts 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.2 2.2 2.2 2.2 Qrr IF Tc=100°C $PSV 20 40 25 50 60 12 25 20 40 typ. ȝ& 0.26 0.29 0.6 0.6 0.95 0.95 パッケージ 3DFNDJH TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質量 Net mass Grams 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 ○：開発中 Under development IGBT パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ ディスクリートIGBT V/High Speed Vシリーズ 600V, 1200Vクラス Discrete IGBT V/High Speed V series 600V, 1200V class ■特長 Features Ɣ IGBT in Trench-gate structure and Field-stop technology Ɣ Low VCE(sat) and low switching Loss (High Speed V series) Ɣ Short circuit withstand time; tsc=10µs (V series) トレンチゲート、フィールドストップ IGBT 低 VCE(sat)、低スイッチング Loss (High Speed V シリーズ ) 短絡保証時間 tsc=10µs (V シリーズ ) ,*%7LQ¿HOGVWRSWHFKQRORJ\DQGWUHQFKJDWHVWUXFWXUHZLWK8OWUDIDVW):' 600Vクラス 600 volts class 型 式 Device type )*:19' )*:1+ )*:1+' )*:1+& )*:1+ )*:1+' )*:1+& )*:19' )*:1+ )*:1+' )*:1+& 絶対最大定格 Maximum Ratings IC ICP PD VCES IGBT Tc=100°C Volts $PSV $PSV :DWWV 600 60 600 105 600 105 600 105 600 50 150 600 50 150 600 50 150 600 50 100 600 75 225 500 600 75 225 500 600 75 225 500 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. Volts 1.6 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.6 1.5 1.5 1.5 Eon Eoff (rg=10Ω) typ. mJ mJ 1.2 0.7 0.9 0.85 0.9 0.85 0.95 0.85 1.4 1.7 1.4 1.7 1.5 1.7 2.4 1.4 4.2 4.2 4.2 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. Volts 1.8 1.8 1.85 1.85 1.8 1.8 1.8 1.8 1.85 Eon Eoff (rg=10Ω) typ. mJ mJ 0.6 0.8 0.6 0.8 1.1 0.8 2.2 1.4 1.6 1.5 1.6 1.5 2.8 1.8 2.8 1.8 2.2 QG VF typ. nC 225 210 210 210 460 460 460 typ. Volts 1.5 2.0 2.0 1.5 2.0 QG VF typ. nC 140 140 150 typ. Volts 2.2 1.7 1.7 2.2 2.2 1.7 Qrr IF $PSV 25 15 25 50 75 typ. ȝ& 0.7 0.06 0.08 0.07 0.75 0.12 パッケージ 3DFNDJH TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質量 Net mass Grams 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 1200Vクラス 1200 volts class 型 式 Device type )*:1+ )*:1+' )*:19' )*:19' )*:1+ )*:1+' )*:1+ )*:1+' )*:19' 絶対最大定格 Maximum Ratings IC ICP PD VCES IGBT Tc=100°C Volts $PSV $PSV :DWWV 1200 15 45 155 1200 15 45 155 1200 15 155 1200 25 50 260 1200 90 260 1200 90 260 1200 40 120 1200 40 120 1200 40 80 Qrr IF $PSV 12 15 25 20 typ. ȝ& 0.6 0.85 1.2 0.95 1.45 パッケージ 3DFNDJH TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質量 Net mass Grams 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 ■ディスクリートRB-IGBT Discrete RB-IGBT ■特長 Features 富士電機の独自技術により逆電圧特性を有する IGBT を 1 チップで実現 3 レベルインバータ（Tタイプ）への適用で高効率を実現 Ɣ Reverse blocking character is realized for 1 chip by Fuji s original technology. Ɣ High efficiency by applying to T-type 3 level inverter circuit. ■特性 Characteristics 型 式 Device type )*:15% 絶対最大定格 Maximum Ratings IC ICP tsc VCES Tc=100°C Volts $PSV $PSV μsec. 600 85 170 10 PD IGBT :DWWV 600 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. Volts 2.45 Eon (rg=10Ω) typ. mJ 4.7 Eoff QG trr mJ 2.4 typ. nC typ. n sec 165 パッケージ 3DFNDJH 質量 Net mass Grams TO-247-P2 6.0 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■特長 Features ドライブ回路、保護機能内蔵 ・光絶縁 （信号入力、IGBT チップ温度モニター、異常 検出時アラーム出力） ・短絡保護、過熱保護、制御電圧低下保護 ・鉛フリー Ɣ Including circuit board whitch has IGBT drive and protection fanction ・Optical isolated (signal input, IGBT’s temperature monitor, alarm output) ・Detection and protection (short-circuit, over-temperature, under-voltage) ・/HDG)UHH3DFNDJH ■ 特性 Characteristics 型 式 Device type 0%3819 IGBT EV, HEV 用 IGBT モジュール ■ EV, HEV用IGBT IPMの特長 Features of IGBT IPM for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle (Tj=25°C) VCES Volts 1200 IC(Cont) $PSV 600 VCE(sat) Typ. Volts 2.00 VF Typ. Volts 2.20 パッケージ 3DFNDJH P401 質量 Net mass Grams 680g ■ EV, HEV用IGBTモジュールの特長 Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle ■特長 Features P 9 C 1 G 3 G 2 E 4 E VCES Volts 650 6 E V U 7 T1 W 8 T2 11 G 13 G 15 G 10 E 12 E 14 E N ■ 特性 Characteristics 型 式 Device type 0%,9:9 5 G NTC 第 6 世代“V シリーズ” 650V-IGBT 直接水冷銅フィンベース 高パワー密度および小型 パッケージ RoHS 対応 Ɣ 6th Generation “V-series“ 650V-IGBT Ɣ Direct liquid Cooling Finbase with copper Ɣ High power density and VPDOOSDFNDJHVL]H Ɣ RoHS compliant VCE (sat): at Tj=25°C, Chip IC(Cont) $PSV I&3HDN $PSV 600 VCE(sat) VF パッケージ Typ. Volts Typ. Volts 3DFNDJH 2.00（IC $） 1.70（IF $） M652 質量 Net mass Grams 900g ■ EV, HEV用IGBTモジュールの特長 Features of IGBT Module for Electric Vehicle and Hybrid Electric Vehicle ■特長 Features 第 7 世代“RC IGBT”750V-IGBT 直接水冷アルミウォータージャケット 高パワー密度および小型・軽量 パッケージ 高信頼性：Tjmax 175℃保証 RoHS 対応 Ɣ 7th Generation “RC-IGBT“ 750V-IGBT Ɣ 'LUHFWOLTXLG&RROLQJ$/:DWHUMDFNHW Ɣ High power density ,small and OLJKWZHLJKWSDFNDJH Ɣ High reliability：Tjmax 175℃ guaranteed Ɣ5R+6FRPSOLDQW ■ 特性 Characteristics ○ 型 式 Device type 0%,;99 VCES Volts 750 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip IC(Cont) $PSV 720 I&3HDN $PSV 1600 VCE(sat) VF パッケージ Typ. Volts Typ. Volts 3DFNDJH 1.45（IC=800A）1.50（IF=800A）0 質量 Net mass Grams 572g ○：開発中 Under development 2 SiCデバイス/SiC Devices SiCデバイス SiC Devices SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作 を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー 半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現す ることができます。 SiC SiC devices have excellent characteristics that realize high blocking voltage, low power dissipation, high-frequency operation and high-temperature operation. Power semiconductors that make use of SiC achieve significant reduction in energy consumption, and can be used to develop smaller and lighter products. ■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series Ɣ High performance chips ■特長 Features 高性能チップ適用 · V series IGBT for low loss operation ・低損失の V シリーズ IGBT · SiC-SBD for low loss operation ・低損失の SiC-SBD Ɣ The same package lineup as the conventional Si-IGBT 従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換 modules ■６個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class Solder pins N 1200V Ic IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series 100A 6MSI100VB-120-50 Thermistor P P U U V W 62 V W 2 12 N M633 Dimension [mm] 型 式 Device type ● 6MSI100VB-120-50 VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 PC IC Cont. VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Amps. Watts Volts 100 520 1.75 Amps. 100 ●：新製品 New Products 注: EconoPACK™はInfineon Technologies社の登録商標です。 Note: EconoPACK™ is registered trademarks of Infineon Technologies AG, Germany. 46 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝsec. ȝsec. ȝsec. 0.39 0.42 0.05 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M633 300 SiCデバイス/SiC Devices 2 ■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 600, 1200V クラス PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class P P) P P1 N N1 R 62 S V U T Ic 35A 50A 75A 100A W R S T B U V W 2 12 M712 N N) 600V 1200V IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series 7MSR35VB120-50 7MSR50VB060-50 7MSR50VB120-50 7MSR75VB060-50 7MSR100VB060-50 SiC Thermistor B Dimension [mm] 型 式 Device type ● ● ● ● ● 7MSR50VB060-50 7MSR75VB060-50 7MSR100VB060-50 7MSR35VB120-50 7MSR50VB120-50 ブレーキ部 Brake [IGBT+FED] コンバータ部 Converter [Diode] VCES IC VRRM VRRM IO VFM IFSM Typ. Cont. Cont. Volts Volts Volts Amps. Amps. Volts Amps. 600 50 600 800 50 1.3 210 600 50 600 800 75 1.25 500 600 50 600 800 100 1.25 700 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 インバータ部 Inverter [IGBT] VCES IC PC VCE(sat) Typ. Cont. Volts Amps. Watts Volts 600 50 215 1.6 600 75 300 1.6 600 100 335 1.6 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M712 330 M712 330 M712 330 M712 330 M712 330 ●：新製品 New Products 注: EconoPIM™はInfineon Technologies社の登録商標です。 Note: EconoPIM™ is registered trademarks of Infineon Technologies AG, Germany. ■２個組 1200, 1700V クラス Standard 2-pack 1200, 1700 volts class Ic 92 45 1200V 1700V IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series 200 2MSI200VAB-120-53 M274 300 2MSI300VAH-120C-53 8 62 10 M276 300 2MSI300VAN-120-53 450 2MSI450VAN-120-53 550 600 2MSI600VAN-120-53 400 Thermistor 0 15 62 M254 80 2MSI450VAN-170-53 2MSI550VAN-170-53 2MSI400VE-170E-53 0 11 M277 1200 14 0 2MSI1200VAT-170PC 2MSI1200VAT-170EC 0 13 M256 Dimension [mm] 型 式 Device type 〇 ● 〇 〇 〇 〇 〇 ● 〇 〇 2MSI200VAB-120-53 2MSI300VAH-120C-53 2MSI300VAN-120-53 2MSI450VAN-120-53 2MSI600VAN-120-53 2MSI450VAN-170-53 2MSI550VAN-170-53 2MSI400VE-170-53 2MSI1200VAT-170PC 2MSI1200VAT-170EC VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 IC PC Cont. Amps. 200 300 300 450 600 450 550 400 1200 1200 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Watts Volts 1500 1.75 1600 1.75 1595 1.75 2270 1.75 3750 1.85 2500 2.00 3750 2.15 4540 2.00 7040 1.80 7040 2.00 Amps. 200 300 300 450 600 450 550 400 1200 1200 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝsec. ȝsec. ȝsec. T.B.D T.B.D T.B.D 0.82 0.84 0.09 T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D 1.05 1.95 0.09 T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D パッケージ 質量 Package Net mass Grams M274 270 M276 370 M254 300 M254 300 M254 300 M254 300 M254 300 M277 470 M256 900 M256 900 ●：新製品 New Products ○：開発中 Under development 47 2 SiCデバイス/SiC Devices ■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD) ■特長 Features 高速スイッチング特性 Ɣ High speed switching ・電源の高周波動作、システムの小型軽量化 · High-frequency operation,miniaturization,weight saving 低 VF 特性 Ɣ Low-VF 低 IR 特性 Ɣ Low-IR SiC ・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化 高逆サージ耐量 · Tj=175°C Guaranteed, High-temperature operation, Low-Loss, High efficiency Ɣ High avalanche capability ■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series SiC-SBD Series 結線 シングル Single デュアル Dual VRRM (V) 650 1200 650 1200 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ FDCP06S65 FDCP08S65 FDCP10S65 FDCP20C65 FDCP25S65 FDCA10S65 FDCA20C65 FDCA25S65 FDCA06S65 FDCA08S65 FDCY10S65 FDCY20C65 FDCY25S65 FDCY50C65 FDCC10S65 FDCC20C65 FDCC25S65 FDCA18S120 FDCY18S120 FDCY36C120 Io (A) 6 8 10 25 18 20 50 36 絶対最大定格 Maximaum rating VRRM IO *1 Volts Amps. 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 1200 1200 1200 TO-220 TO-220F IFSM *2 Amps. 6 8 10 20 25 10 20 25 6 8 10 20 25 50 10 20 25 18 18 36 ○：開発中 Under development *1 50Hz 方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms *3 VR=VRRM 48 *1 50Hz Square wave duty=1/2 *2 Sine half wave, 10ms *3 VR=VRRM 34 40 50 50 100 50 50 100 34 40 50 50 100 100 50 50 100 90 90 90 接合温度 Thermal rating Tj (°C) MAX 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 TO-247 T-Pack(s) 電気的特性 (Ta=25°C) Characteristics VFM IRRM *3 MAX. Volts MAX. A 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.6 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.7 10 1.7 10 1.7 10 パッケージ Package TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 T-Pack(S) T-Pack(S) T-Pack(S) TO-220F TO-247 TO-247 SiCデバイス/SiC Devices 2 ■自動車用 SiC ショットキーバリアダイオード Automotive SiC Schottky-Barrier Diodes 結線 ｼﾝｸﾞﾙ Single デュアル Dual VRRM (V) 650 1200 FDCP10S65A FDCY10S65A FDCC10S65A FDCP20C65A FDCY20C65A FDCC20C65A FDCP25S65A FDCY25S65A FDCC25S65A FDCY50C65A FDCY18C120A FDCY36C120A TO-247 T-Pack(s) Io (A) 10 25 18 20 50 36 1200 650 型 式 Device type TO-220 SiC SiC-SBD Series VRRM Io IFSM VF max. Volts Amps. 10 10 10 20 20 20 25 25 25 50 18 36 Amps. 100 100 100 100 100 100 190 190 190 190 180 180 Volts 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 1200 1200 *1 *1 *1 *1 *1 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.7 1.7 1.7 1.7 1.8 1.8 IRRM max. rating Tj and Tstg mA °C 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 パッケージ 質量 Package Net mass Grams TO-220 2.0 TO-247 6.4 T-Pack(S) 1.6 TO-220 2.0 TO-247 6.4 T-pack 1.6 TO-220 2.0 TO-247 6.4 T-pack 1.6 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 * 1 : 2 in 1 package, IF=0.5Io 49 3 集積回路/Integrated Circuits 電源制御用IC Integrated Circuits 富士電機の電源制御用 IC は AC/DC、DC/DC それぞれにラ インアップを揃えており様々な電源回路に対応が可能です。 高効率、低待機電力、低ノイズを実現し、各種環境関連の規 制に対応。更に、多くの保護機能を IC に内蔵しており、電 源回路の小型化も実現できます。 IC Fuji Electric offers a lineup of AC/DC and DC/DC power supply control ICs that support a variety of power circuits. These highly efficient, low-noise products with low standby power consumption are compatible with environmental regulations. Furthermore, the many protection functions are built into the ICs themselves, allowing for smaller power circuits. ■ 電源制御用 IC の特長 Features of Power Supply control ICs 低待機電力対応 PWM制御IC Green Mode PWM-ICs ■特長 Features 500V / 650V 耐圧起動回路内蔵 軽負荷時 スイッチング周波数低減 各種保護機能（過電圧 / ブラウンアウト /2 段階過電力） 周波数拡散機能による低 EMI ノイズ Ɣ Built-in 500/650V withstand voltage start up circuit Ɣ Reduct switching frequency at light load Ɣ Protect functions (Over voltage/Brown out/2 stage Over power) Ɣ Low EMI noise 低待機電力対応 擬似共振制御IC Green Mode Quasi-resonant ICs ■特長 Features 500V 耐圧起動回路内蔵 低待機電力対応（間欠動作 / 周波数低減） 各種保護機能（過電圧 / 過負荷など） ƔBuilt-in 500V withstand voltage start up circuit ƔGreen mode functions (Intermittent Switching/Linerary reduced switching frequency) ƔProtect functions (Over voltage/Over load etc.) 力率改善制御IC Power Factor Correction ICs ■特長 Features 幅広い電力範囲（75W ∼ 1kW） 力率 0.99 以上 各種保護機能（FB ピンオープンショート / 過電圧など） ƔWide electric power range(From 75W to 1kW) ƔPower factor ≧ 0.99 ƔProtect functions (FB Pin open short/Over voltage etc.) 50 集積回路/Integrated Circuits 3 電流共振IC Current Resonant ICs ■特長 Features ワールドワイド入力にて、1 コンバータの回路構成が可能 ハイサイド駆動回路内蔵 共振はずれ防止機能 各種保護機能 （過電流 / 過電圧 / 過負荷 / 過熱 / ブラウンアウト） 低待機電力対応（間欠動作） ƔRealize 1 convertor circuit structure at world wide input power ƔBuilt-in High side driver ƔPriventing capacitive region operation ƔProtect functions (Over current/Over voltage/Over load/Over heat/Brown out) ƔGreen mode function (Intermittent switching) ハイサイド・ローサイド ドライバIC High and Low side driver IC ■特長 Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ High negative transient voltage on VS terminal Wide range supply voltage up to 30V (FA5650/5651) 3.3V logic compatible Built-in under voltage lockout Allowable offset supply voltage transient dVs/dt up to 50kV/us High speed response: Turn on/off delay time 125ns (Typ) (FA5650/5651/5751) ■型式の見方 Part numbers FA8A00N (example) F 社名 Company Symbol F Fuji A 制御方式 Control System A Analog 8 製品シリーズ Series 1 CRMPFC 6 LLC 8 PWM A 世代 Generation A 1G B 2G C 3G … … 55 製品シリーズ Series 3X AC/DC 5X AC/DC 7X DC/DC 13X AC/DC 90 系列番号 Number 2 桁の整数 Two-digit integer 00 系列番号 Number 2 桁の整数 Two-digit integer N パッケージコード Package code N SOP P DIP FA5590N (example) F 社名 Company Symbol F Fuji A 制御方式 Control System A Analog N パッケージコード Package code N/S SOP P DIP 51 IC ■ Features VS 端子の高負電圧耐量 30V までの広範囲電源電圧（FA5650/5651） 3.3V 論理入力に対応 電源電圧低下保護を内蔵 dVs/dt 耐量 50kV/us の高ノイズ耐量 高速応答：入出力遅延時間 125ns（Typ） （FA5650/5651/5751） 3 集積回路/Integrated Circuits ■ AC/DC 電源制御用 IC AC/DC Power Supply control ICs 低待機電力対応 PWM制御IC（電流モード） Green mode PWM-ICs (Current mode) 型式 デューティ 入力電圧 動作周波数 Type Name Duty Input voltage Frequency (V) (%) （kHz） 65 100 電流検出 過負荷保護 Current Over sense load protection IC ブラウンアウト機能 内蔵 Within Brown out function FA8A00N FA8A40N 12 - 24V FA8A01N プラス 83% FA8A41N Positive FA8A27N FA8A37N 10 - 28V FA8A39N ブラウンアウト機能 非内蔵 Without Brown out function FA5680N 85% 11 - 24V FA5681N FA8A60N FA8A64N FA8A61N FA8A65N FA8A70N FA8A74N FA8A71N FA8A75N FA8A12N FA8A80N ● FA8A84N ● FA8A81N ● FA8A85N ● FA8A90N ● FA8A94N ● FA8A91N ● FA8A95N ● ●：新製品 New Product 52 プラス Positive 自動復帰 Auto-Recovery タイマーラッチ Timer-latch 1段階 1Stage 自動復帰 Auto-Recovery タイマーラッチ Timer-latch X-Cap 放電機能 X-Cap discharge function リニア周波数低減 Linerary frequency reduction 間欠動作 Intermittent opration リニア周波数低減 Linerary frequency reduction 間欠動作 Intermittent opration 500V ラッチ Latch 2段階 自動復帰 Auto-Recovery 2Stage 500V 2段階 2Stage (OPP ratio 1:1.8) タイマーラッチ Timer-latch タイマーラッチ Timer-latch ラッチ Latch 自動復帰 Auto-Recovery 10 - 24V 自動復帰 Auto-Recovery 2段階 2Stage (OPP ratio 1:1.4) 過電圧保護 起動回路 低待機電力機能 Green mode Over Start up function voltage circuit protection 自動復帰 マイナス Auto-Recovery Negative タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 AutoRecovery 1段階 タイマーラッチ 1Stage Timer-latch 83% 過電力保護 Over power protection 650V 3 集積回路/Integrated Circuits 低待機電力対応 PWM-IC系列（ブラウンアウトあり） Green mode PWM-ICs with Brown Out function 低待機電力PWM IC Green Mode PWM IC 内蔵 Within ブラウンアウト機能 Brown Out function 電流検出 Current senes プラス Positive 2段階 2 Stage OPP ratio 1:1.4 動作周波数 Frequency (kHz) 2段階 2 Stage OPP ratio 1:1.8 65 65 100 過負荷保護 Over load protecition 自動復帰 Auto-recovery タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-recovery タイマーラッチ Timer-latch タイマーラッチ Timer-latch OLP遅延時間 OLP Delay time (ms) 70 70 70 70 860 1600 2400 内蔵 Within 内蔵 Within 内蔵 Within 内蔵 Within 内蔵 Within 内蔵 Within 内蔵 Within FA8A00N FA8A01N FA8A40N FA8A41N FA8A27N FA8A37N FA8A39N X-Cap放電機能 X-Cap discharge 型式 Product type IC 過電力保護 Over power protection 低待機電力対応 PWM-IC系列（ブラウンアウトなし） Green mode PWM-ICs without Brown Out function 低待機電力PWM IC Green Mode PWM IC ブラウンアウト機能 Brown Out function 非内蔵 Without 過電力保護 Over power protection 1段階 1 Stage 2段階 2 Stage マイナス Negative 電流検出 Current senes 過負荷保護 Over load protecition プラス Positive 自動復帰 Auto-recovery タイマーラッチ Timer-latch 65 65 動作周波数 Frequency (kHz) 自動復帰 Auto-recovery 65 タイマーラッチ Timer-latch 100 内蔵 Within X-Cap放電機能 X-Cap discharge 型式Product type 起動素子500V FA5680N プラス Positive FA5681N 型式Product type 起動素子650V 自動復帰 Auto-recovery 65 100 内蔵 Within 65 内蔵 Within 内蔵 Within 内蔵 Within FA8A12N FA8A60N FA8A70N FA8A64N FA8A74N FA8A61N FA8A71N FA8A65N FA8A75N FA8A80N FA8A90N FA8A84N FA8A94N FA8A81N FA8A91N FA8A85N FA8A95N 代表型式ブロック図 Block diagram(Main product) FA8A00N（With-in Brown out) FA8A61N（Without Brown out) Start_up Block Start_up Block vcc VH uvloh Start up current on VCC UVLO comp. X-CAP Discharge startup uvlo reset bo BO_Timer OVP_VCC Soft Start OSC vcc VH reset ovp reset Dmax VCC OVP R FB fb reset ctrl T1 Reset SCP T2 Over load S RSFF OLP reset Q Vcssl olp_short R GND FB VDD3 Start Up Management olp_short LAT clk ovp reset Reset Set Reset latch bo LAT uvlo monitor ctrl Driver RSFF POM Control OUT Q R OCP comp. OLP Block OLP comp. reset OLP Timer T1 POM comp. Reset T2 Over load latch reset S OLP reset RSFF pwm_on Q GND R olp lat_set power_off clk POM Timer 5uA on vcc clk power_off ctrl VCC Latch 1 shot S fb CS state set Latch_Timer PWM OSC Vss FB OFF comp. reg Latch comp. PWM comp. Vfbd SCP comp. Latch Block Latch 1 time clamp VCC dchg latch Dmax Dmax VDD5 su_on OLP_Timer Soft Start jitter fb lat_set pwm_on Slope CS OLP Block OLP_CS VDD3（3.15V） PWM OSC Block CS state set Q ss FB_OFF comp. Timer OSC reset Line Correction OUT CS reg ovp power_off reset clk VH voltage detect ON RSFF 30V Vss DBL Driver S PWM comp. Slope reset Reg3 uvlo latch 1 shot PWM OSC Vref Gen. vdd_uvlo clk fb VDD5（5V） Reg5 Latch 1 time clamp VCC dchg Dmax Line_ Correction VCC pwm_on VCC UVLO comp. ss clk OCP comp. VH voltage detect Start up current on startup latch Hys. comp. VCC 35V reset Discharge _Timer clk Brown IN/OUT Block clk 3V reg (Internal power supply) REF. / Reg. lat_ovp su_on reset latch clk ovp startup Latch comp. Latch Timer Latch Reset Set Reset Start Up Management latch vcc on monitor ctrl startup OHP reset 53 3 集積回路/Integrated Circuits 汎用PWM制御IC General PWM-ICs 制御方式 デューティ 入力電圧 電流検出 Duty Input Current Control voltage sense mode (%) (V) 低待機電力機能 内蔵 Within Green mode function プラス FA3641P/N Positive 70 10 - 28 マイナス FA3647P/N Negative 電圧 FA5604N 46 モード Voltage FA5605N mode マイナス 10 - 30 Negative 70 型式 Type Name 過負荷保護 Over load protection 過電圧保護 Over voltage protection ‒ ラッチ Latch 17.5V/9.7V IC FA5606N 低待機電力機能 非内蔵 Without Green mode function FA13842P/N 電流 96 FA13843P/N モード 10 - 25 ‒ FA13844P/N Current 48 FA13845P/N mode プラス Positive FA5504P/N 46 FA5510P/N FA5511P/N FA5514P/N 電圧 モード Voltage mode 70 46 70 10 - 30 PKG: 全て8pin All 8pin 動作周波数：外部調整 Frequency: Adjustable 54 ‒ 自動復帰 Auto-Recovery 軽負荷時周波数低減開始 / 復帰 FB 電圧 1.8V/1.95V Frequency reduction start/stop FB voltage under light load 1.8V/1.95V 軽負荷時周波数低減開始 / 復帰 FB 電圧 1.55V/1.65V Frequency reduction start/stop FB voltage under light load 1.55V/1.65V 16.5V/9.0V エラーアンプ内蔵 Within error ampli¿er ‒ ラッチ Latch マイナス Negative FA5515P/N FA5607N タイマーラッチ Timer-latch 10 - 28 備考 Remarks ‒ タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-Recovery UVLO Under-voltage lockout (ON/OFF) 17.5V/9.7V 3 集積回路/Integrated Circuits 汎用PWM制御IC系列 General PWM-ICs 汎用PWMIC General PWM IC 低待機電力機能 Green mode function 内蔵 Within 動作モード Control mode 電圧モード Voltage mode デューティー Duty 46% 電流検出 Current Sense マイナス Negative プラス Positive マイナス Negative 自動復帰 Auto-recovery 過負荷ヒカップ動作比率 OLP HICCUP RATE 型式 Product type 自動復帰 Auto-recovery タイマーラッチ Timer-latch IC 過負荷保護 Over load protecition 70% 1:7 FA5604N FA3647P/N FA3641P/N 1:15 1:7 FA5605N FA5606N 汎用PWMIC General PWM IC 非内蔵 Without 低待機電力機能 Green mode function 動作モード Control mode 電圧モード Voltage mode デューティー Duty 電流モード Current mode 46% 電流検出 Current Sense プラス Positive 70% マイナス Negative プラス Positive マイナス Negative 低電圧誤動作防止 UVLO (ON/OFF) その他 Other 型式 Product type 48% プラス Positive プラス Positive 16.5V/9.0V エラーアンプ内臓 Within ER-amp FA5504P/N 96% FA5510P/N FA5514P/N FA5511P/N OLP※ タイマーラッチ Timer-latch OLP※ 自動復帰 Auto-recovery FA5515P/N FA5607N 16.5V/9.0V 9.6V/9.0V 9.6V/9.0V FA13842P/N FA13843P/N FA13844P/N FA13845P/N ※OLP：Over Load Protection 過負荷保護 代表型式ブロック図 Block diagram (Main model) FA5604N VCC(6) 80㱅 OSC & counter (For Hiccup) CS(8) ON/OFF 3.6V Latch 5V S 7.3V 10k㱅 5V Reg. 17.5V/9.7V Internal supply Q 37.5V UVLO 5V Reg. Check 0.75V/0.60V 15.5V FA13842P/N R QB S UVLO FB(2) PWM Q R QB 1M㱅 10pF S Voltage Controlled Oscillator ONE SHOT EN OUTPUT OUT(5) Q R QB Dmax= 46% 3.5/3.3V Output current limit function VF(7) Overload Sensing RT(1) 䋭0.17V GND(4) IS(3) 55 3 集積回路/Integrated Circuits 低待機電力対応 擬似共振制御IC（電流モード） Green mode Quasi-resonant ICs（Current mode） 型式 Type Name 入力電圧 最大周波数 Input voltage Maximum (V) frequency 過負荷保護 Over load protection 自動復帰 Auto-Recovery FA5571N 10 - 28 FA5573N FA5574N FA5577N IC UVLO Under-voltage lockout (ON/OFF) 120kHz タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-Recovery タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-Recovery 過電圧保護 ラッチ Over voltage protection Latch 間欠動作 Intermittent operation ZCD 端子 ZCD Pin 18V/8V リニア周波数低減 Linerary frequency reduction VCC 端子 VCC Pin FA5640N 500V 14V/8V FA5641N FA5642N FA5643N 11 - 26 自動復帰 オン−オフ幅検出 Auto-Recovery によるボトムス キップ数制御 Bottom skip control by on-off width detection FA5644N タイマーラッチ Timer-latch FA5648N 自動復帰 Auto-Recovery PKG: 全て8pin All 8pin 56 備考 Remarks – FA5570N FA5572N 過電圧検出 起動回路 低待機電力機能 Over Start up Green mode voltage circuit function sense 最小周波数制限 Min. frequency limitation 10V/8V ZCD 端子 ZCD Pin 間欠動作 Intermittent operation 14V/8V 最小周波数制限 Min. frequency limitation IS 端子ラッチ停止 Latch stop function (IS pin) 高周波動作向け For High SW frequency 3 集積回路/Integrated Circuits 低待機電力対応 擬似共振制御IC系列 Green mode Quasi-resonant ICs 疑似共振制御IC Quasi-resonant IC オン・オフ幅検出によるボトムスキップ数制御 Control of bottom skips by on-off width detection 周波数 Frequency 最大周波数: 120kHz Max. frequency: 120kHz 間欠動作 Intermittent operation 軽負荷時動作 Green mode function 過負荷保護 Over load protecition 自動復帰 Auto-recovery 低電圧誤動作防止 UVLO (ON/OFF) 14.0V/8.0V 間欠動作 Intermittent operation タイマーラッチ Timer-latch 10.0V/8.0V 14.0V/8.0V 周波数低減 Reduced ferquency 自動復帰 Auto-recovery タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-recovery タイマーラッチ Timer-latch 18.0V/8.0V 18.0V/8.0V 18.0V/8.0V 18.0V/8.0V ZCD 端子 ZCD Pin ZCD 端子 ZCD Pin ZCD 端子 ZCD Pin VCC 端子 VCC Pin ZCD 端子 ZCD Pin FA5571N FA5572N FA5573N FA5577N FA5574N IC 過電圧検出 Over voltage detection 最小周波数制限 Min. frequency limitation その他 Other IS端子ラッチ Latch stop function of IS pin 型式 Product type FA5640N FA5641N FA5643N 高周波動作 High Sw frequency FA5648N FA5642N FA5644N FA5570N 代表型式ブロック図 Block diagram (Main model) FA5570N ZCD FA5640N 5V Start up management Logic 10.5V/9V 1 shot (380ns) Time out (14μs) CLR VH 㻥㼒㼗㼗㼒㼐 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻽㻦㻧 Start up Current 㻚㻑㻘㻹 5V 30k mode select signal 㻹㻦㻦 㻸㻹㻯㻲 㻔㻗㻹㻒㻛㻹 Q Resistance ratio MP1 on/off 91.3%/100% 84.1%/100% 24k Driver 㻗㻑㻛㻹 R Timer (2.3μs) 㻹㼗㼋㻩㻥㻓 㻓㻑㻗㻘㻹 㻓㻑㻖㻘㻹 1/4:FA5671 のみ 㻩㻥 Timer 190ms Timer (57μs) IS 1520 ms Latch OCP2 Reset 28V 㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻖㻑㻘㻒㻖㻑㻖㻹 㻲㻹㻳 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻓㻑㻘㻹 㻓㻑㻗㻘㻹 㻷㼌㼐㼈㼕 㻕㻓㻓㼐㼖 㻔㻙㻓㻓㼐㼖 㻲㻹㻳㻔 㻙㻹 㻹㼗㼋㻬㻶㻃㼄㼗㻃㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㻓㻑㻔㻘㻹 VinH 㻓㻑㻔㻓㻹 㼈㼑㼅 GND FA5671 のみ:機能あり VinH 㻽㻦㻧 㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㻓㻑㻘㻘㻹 㻹㼗㼋㻬㻶 㻧㼕㼌㼙㼈㼕 㻲㻸㻷 㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻋㻗㻑㻘䃒㼖㻌 㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃 㼆㼒㼐㼓㼄㼕㼄㼗㼒㼕 㻲㼙㼈㼕㼏㼒㼄㼇 OVP1 5570 /5671 :機能なし 㼈㼑㼅 㻴 VinH 㻔㻒㻙 㻶㼒㼉㼗㻃㼖㼗㼄㼕㼗 㻋㻔㼐㼖㻌 VCC 2V 3.5/3.3V 㻶 㻵㻕 㻵㻔 㻬㻶 4.5us:FA5571 A 5570 /5671 :ZCD OVP 2.3us ( )機能なし 150k OVP 㻰㼄㼛㻑㻃㻷㼒㼑 㻋㻕㻗䃒㼖㻌 㻎 㻔㻓䃒㻤 ZCD 㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏 㼖㼘㼓㼓㼏㼜 㻵㼈㼖㼈㼗 VinH 㻐 㻧㼌㼖㼄㼅㼏㼈 OUT 1/2 㻗㻑㻛㻹㻃㻵㼈㼊㻑 MP1 Disable S 㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕㻃 㻋㻕䃒㼖㻌 㻗㻑㻛㻹 18V/8V Overload 㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓 㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗 㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓 㼐㼄㼑㼄㼊㼈㼐㼈㼑㼗 㻔㻔㻹㻒㻜㻹 UVLO Internal supply Soft start (2.6ms) 1V 0.5V:FA5671 のみ 㻬㼑㼓㼘㼗㻃 㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻵㼈㼖㼗㼄㼕㼗㻃㻷㼌㼐㼈㼕 㻕㻘䃒㼖 5V Reg. FB 㼈㼑㼅 VinH 170kHz:5571 A/5671 Current comparator set 㻳㼘㼏㼖㼈㻃㼚㼌㼇㼗㼋㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 Max. fsw Blanking (120kHz) 0.4V 㻔㻃㼖㼋㼒㼗 㻋㻕㻜㻓㼑㼖㻌 㻥㼒㼗㼗㼒㼐㻃㻶㼎㼌㼓㻃 㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏 VCC Reset IS 㻹㻫 㻽㻦㻧 Valley detection 㻯㼄㼗㼆㼋 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻲㻯㻳 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻵㼈㼖㼈㼗 㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻙㻓䃒㼖 㻪㻱㻧 57 3 集積回路/Integrated Circuits 力率改善制御IC Power factor correction ICs 型式 Type Name 入力電圧 最大 電流検出 UVLO 動作 Under-voltage 周波数 Input voltage デューティ Current lockout Duty sense Frequency (V) (ON/OFF) (%) 最大 周波数 Maximum frequency ゼロ電流 検出 Zero Current Detection FB オープン ショート保護 FB open short protection 過電圧保護 Over voltage protection 備考 Remarks 臨界モード PFC CRMPFC FA5590N 9.6V/9.0V FA5591N 13.0V/9.0V FA1A10N 9.6V/8.8V 外部調整 Adjustable パルス幅制御電圧制限 Voltage-Limit by Pulse width 固定 Fixed FA1A11N 12.4V/8.8V 電流検出 Current sence マイナス Negative FA5695N IC 13.0V/9.0V FA5696N 10 - 26 – 9.6V/9.0V FA1A00N 9.6V/8.8V FA1A01N 12.4V/8.8V FA5601N 13.0V/9.0V プラス Positive FA1A21N FA1A31Nż 自励方式 Self-oscillation 外部調整 Adjustable パルス幅制御電圧制限 ＋電圧制限 Voltage-Limit by Pulse width and Voltage-Limit 固定 Fixed 外部調整 Adjustable 17.3V/8.8V 固定 Fixed 補助巻線 Auxiliarywinding – パルス幅制御電圧制限 Voltage-Limit by Pulse width 17.3V/8.8V 連続モード PFC CCMPFC FA5502P/M 10 - 28 16.5V/8.9V 94 FA5612N マイナス Negative 9.6V/9.0V 10 - 26 FA5613N 13.0V/9.0V 外部調整 Adjustable 外部選択 Choice 65/60kHz/jitter (50-70kHz) ○：開発中 Under development PKG: FA5502のみ16pin 他は全て8pin FA5502 is 16pin, others are 8pin 58 150kHz – 電圧制限 Voltage-Limit – – パルス幅制御電圧制限 Voltage-Limit by Pulse width 過負荷保護 Over load protection 3 集積回路/Integrated Circuits 力率改善制御IC系列 Power factor correction ICs 力率改善制御IC PFC IC 臨界 CRM 外部調整 Adjustable 最大動作周波数 Maximam frequency 電流検出 Current sense 連続 CCM 固定 Fixed プラス Positive マイナス Negative 低電圧誤動作防止 13.0V/9.0V UVLO (ON/OFF) 過電圧保護 Over voltage proteciton シングル Single 9.6V/9.0V シングル Single プラス Positive 13.0V/9.0V デュアル Dual シングル Single 17.3V/8.8V デュアル Dual 型式 Product type FA5601N 9.6V/8.8V シングル Single シングル Single マイナス Negative 12.4V/8.8V デュアル Dual シングル Single 9.6V/9.0V FA5696N FA5590N FA5591N FA5695N FA1A21N 13.0V/9.0V 発振周波数 外部選択 60/65kHz/jitter (50-70kHz) Choice FA1A31N FA1A00N FA1A11N FA1A10N 16.5V/8.9V デュアル Dual ゼロ電流 検出端子 with ZCD sense pin ゼロ電流 検出端子 with ZCD sense pin その他 Other マイナス Negative FA1A01N FA5612N 発振周波数 外部調整 15-150kHz Adjustable FA5613N FA5502P/M 代表型式ブロック図 Block diagram (Main model) FA5591N FA5613N VCC RT 3 ８ UV Freq Reduce RAMP OSC THD Optimize 2.5V + - Erramp VDET Driver ７ S Q F.F. ２ 0.4V/0.35V Overshoot Reduce 2.71V/2.61V + Short Comp SOVP Comp SP SOVP VCMP 2 GND FB 0.5V G - 4mV Filter 40ns UV SP 5 ICMP 7 OUT 6 GND G Gate Driver OSC + ᣉᩋᶭ⬗ Dinamic O.V.P. O.V.P. 12k Restart Comp State Set ERR. AMP 1 2.5M ZCD Comp IS + - + - ６ PWM COMP Multiplier 2.5V OCP Comp PROT SP VD CUR. AMP OVP Comp + - Bypass Diode Short Prot G Delay CS ５ 3 R TIMER S 2.71V/2.61V - 0.6V VIN Detector OUT + - SP UVLO + Internal Bias : 5V 2.7V Q R OVP COMP + VREF FB PROT １ SP SOVP FB UVLO UVLO 12.4V/8.8V PWM Comp 0.3V 8 28V + + 2.63V VCC 28V UVLO Comp REF 5.0V Dynamic OVP 4 Static O.V.P. 5.0V VD 28k O.C.P IL Detector - 12mV ４ OVP 59 IC 動作モード Mode 3 集積回路/Integrated Circuits 電流共振IC Current Resonant ICs 型式 Type Name 制御方式 Control mode 入力電圧 UVLO Under-voltage Input voltage (V) lockout (ON/OFF) FA5760N 電流検出 動作周波数 Current Frequency sense 最大周波数 Maximum frequency (kHz) 12.0V/8.9V 10 - 24 FA6A11N 14 - 27 プラス Positive 12.0V/9.0V 350 自励方式 Self-oscillation FA6A30N ● 500V 調整可能 Adjustable 自動復帰 Auto-Recovery 350 タイマーラッチ Timer-latch 新製品 New Product PKG: 全て16pin All 16pin 電流共振IC Current Resonant ICs 電流共振IC Current Resonant IC 軽負荷時制御方式 Control system under lighit load Vcc端子検出 Vcc Pin detection FB端子検出 FB Pin detection プラス Positive プラス Positive 電流検出 Current sense ブラウンアウト機能 Brown out function 固定 Fixed 調整可能 Adjustable 自動復帰 Auto-Recovery 過負荷保護 Over load protection 自動復帰 Auto-Recovery 周波数 Frequency 200kHz 350kHz 周波数 Frequency FA5760N FA6A00N 自動復帰 Auto-Recovery タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-Recovery 350kHz FA6A10N タイマーラッチ Timer-latch 350kHz FA6A11N FA6A30N FA6A31N 代表型式ブロック図 Block diagram (Main model) FA5760N FA6A00N 㻥㼏㼒㼆㼎㻃㻧㼌㼄㼊㼕㼄㼐 㻳㻪㻶 㻹㻦㻦 㻵㻨㻩 㻹㻫 㻹㻦㻦 㻹㻥 㻘㻹 㻹㻫㻲㻹㻳 + 㻶㼗㼒㼓㻃㼖㼚㼌㼗㼆㼋㼌㼑㼊 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗 㻭㻩㻨㻷 㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓㻃 㼆㼒㼐㼓 㻥㻲㼆㼒㼐㼓 㻹㻶㻷㻲㻱㻒 㻹㻶㻷㻲㻩㻩 㻹㻦㻦㼂㻸㻹㻯㻲 + 㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏 㻶㼘㼓㼓㼏㼜㻃㻖㻑㻖㻹 㻳㻪㻶㻃㼗㼌㼐㼈㼒㼘㼗 㻤㼅㼑㼒㼕㼐㼄㼏㻃 㻋㻲㻦㻳㻏㻃㻲㻯㻳㻃㼈㼗㼆㻑㻌 㻥㻲 㻥㻲㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻋㻚㻓㼐㼖㻌 - 㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓 㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻹㼗㼋㼂㼅㼒 㻵㼈㼊㻘㻑㻓㻃 㻸㻹㻯㻲 㻫㼌㼊㼋㻐㼖㼌㼇㼈㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻦㼋㼄㼕㼊㼈㻃 㼇㼈㼏㼄㼜 㻥㻬㻤㻶㻫 㻬㼑㼓㼘㼗㻃 㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻵 㻧㼕㼌㼙㼈㼕 㻶㼌㼊㼑㼄㼏㻒㻱㼒㼌㼖㼈 㻶㼈㼓㼄㼕㼄㼗㼌㼒㼑 㻫㻲 㻷㻩㻩 㻸㻹㻯㻲 㻕㻑㻘㼐㻤 㻹㻲㻯㻳 㻵 - 㻹㻲㻯㻳㻫㻒 㻹㻲㻯㻳㻯 㻷㼌㼐㼌㼑㼊㻃 㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗 㻧㼕㼌㼙㼈㼕 㼒㼉㼉㼂㼗㼕㼊 㻹㻲㻦㻳㻒 㻹㻲㻦㻰 + - 㻲㻯㻳 㻚㻘㼐㼖㻒㻖㻓㻓㼐㼖 - 㻹㻦㻶㻲㻱㻒 㻹㻦㻶㻲㻩㻩 㻵 㻷㻶㻧 㻴 㻷 㻹㼍㻲㻫 㻵 㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 - - 㻹㻹㻺㻳 㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 - 㻲㻹㻳 㼓㼏㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻹㻦㻦 - 㻹㻹㻺㻰 + 㼓㼏㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰 㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻰 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳 㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻳 + 㻹㻬㻶㻃㼏㼈㼙㼈㼏㻃 㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗 + 㻘㻹 㻘㻹 㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗 㻬㻶 㻹㻷㻫㻯㻤㻷 㻶㼐㼒㼇㼈 㻔㻓㻓㻹㼄㼆 㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆 - 㻹㻲㻦㻳㻒 㻹㻲㻦㻰 㻯㻤㻷㻦㻫 㻵 㻦㻶㻃㼓㼌㼑㻃㼆㼋㼄㼕㼊㼈㻒 㼇㼌㼖㼆㼋㼄㼕㼊㼈 㻹㻶 㻯㻲㻃㻃㻃㻃 㻧㻵㻬㻹㻨㻵 㻩㼒㼕㼆㼈㼇㻃㼗㼘㼕㼑㻐㼒㼉㼉㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻦㻶 㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻪㻱㻧 㻯㻲 㻲㻦㻳㻃 㼕㼈㼖㼈㼗㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻚㻙㼘㼖 㻔㻓㻓㻹㼄㼆 㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆 㻹㻦㻦 㻶㼐㼒㼇㼈 㻶㼗㼄㼑㼇㻐㼅㼜㻃 㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏 㻲㻫㻳 㻹㻫㻲㻹㻳 㻯㻤㻷㻦㻫 㻸㻹㻯㻲 㻲㻦㻳㻃㻶㼌㼊㼑㼄㼏 㻰㼖㼗㼅 㻩㻷㻲 㻳㼘㼏㼖㼈㻐㼅㼜㻐㼓㼘㼏㼖㼈 㻳㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻳㼘㼏㼖㼈㻐㼅㼜㻐㼓㼘㼏㼖㼈 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻹㻺㼂㻲㻯㻳 㻧㻷㼄㼇㼍 㻹㻺㻃㼒㼏㼓㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻶㼐㼒㼇㼈 㻔㻓㻓㻹㼄㼆 㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆 㻰㼖㼗㼅 㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻥㻲㻳 㻲㼙㼈㼕㻃㼋㼈㼄㼗㼌㼑㼊㻃 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻲㻦㻳㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻶㼈㼏㼉㻐㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼌㼑㼊 㼇㼈㼄㼇㻐㼗㼌㼐㼈 㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖 㻳㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻲㻯㻳㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻲㻯㻳㻃㻷㼌㼐㼈㼕 㻷㻲㻩㻩㻝㻘㻘㻓㼐㼖 㻷㼒㼆㼓 㻩㻷㻲 㻘㻹 㻦㻶 㻫㻲 㻳㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑㻃㼏㼒㼊㼌㼆 㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗㻃㼉㼒㼕㻃㼄㼙㼒㼌㼇㼌㼑㼊㻃㼆㼄㼓㼄㼆㼌㼗㼌㼙㼈㻃㼐㼒㼇㼈㻃 㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻹㻦㻦㻲㻹㻳 㻰㼈㼛㼏㼄㼗 㻰㼒㼓㼏㼄㼗 㻰㼒㼆㼓 㻵㻶㻩㻩 㻶 㻵 㻴 㻷㻵㻰 㻬㻶 㻹㻺 㻯㻤㻷㻦㻫 㻪㻱㻧 㻸㻹㻯㻲 㻰㼖㼖㼗㼅 㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗 㻹㻺 㻖㻓㻓㼘㼖㻃 㼗㼌㼐㼈㼕 㻸㻹㻯㻲 㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 + 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳 㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻳 㻹㻥㻫 㻒㻹㻥㻯㻃 + 㻹㻦㻦㻫 - 㻬㼇㼌㼖㼂㼆㼖 㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌 㻰㼖㼖㼗㼅 - 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰 㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻰 㻬㼆㼋㼊㼂㼆㼖 㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌 㻲㻦㻳㻃㼆㼒㼐㼓 㻦㻶㻃㼆㼒㼐㼓 㻸㻹㻯㻲 㻘㻹 㻰㼖㼗㼅 - + 㻥㻶㻷 㻹㻥 㻫㻲㻃㻃㻃㻃 㻧㻵㻬㻹㻨㻵 㻶㼌㼊㼑㼄㼏㻒㻱㼌㼖㼈 㻶㼈㼓㼄㼕㼄㼗㼌㼒㼑 + 㻹㼗㼋㼂㼒㼋㼓 + + 㻰㼈㼛㼏㼄㼗 㻹㻦㻦 㻲㻯㻳㻃㻷㼌㼐㼈㼕 㻷㻲㻯㻳㻝㻃㻚㻙㻑㻛㼐㼖 㻲㻦㻳㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻹㻦㻶㻲㻱㻒 㻹㻦㻶㻲㻩㻩 㻶㼒㼉㼗㻐㼖㼗㼄㼕㼗 㻦㻶 㻹㻺㼂㻲㻯㻳 㼏㼒㼚㻃㻩㻥㻒㼏㼒㼚㻃㻦㻶 + 㻘㻹 㻴 㻦㻶㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻫㻒 㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻯 㻦㻶㻦㻯㻳 㻩㻥㻃㼆㼒㼐㼓 + 㻤㼕㼐㻐㼖㼋㼒㼕㼗㻃㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻷 㻨㼛㼗㼈㼕㼑㼄㼏 㻯㼄㼗㼆㼋 㻫㼌㼊㼋㻐㼖㼌㼇㼈㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻯㻲㻃㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏 + 㻹㻩㻥㻲㻱㻒 㻹㻩㻥㻲㻩㻩 - 㻲㻦㻳㻃 㻰㼒㼆㼓 㻶㼌㼊㼑㼄㼏 㻶㼐㼒㼇㼈 㻸㻹 㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻩㻥㼂㻲㻯㻳 㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㼗㼇㻯㻤㻵 㻔㻓㻓㼘㼖 + 㻰㼒㼓㼏㼄㼗 㻰㼒㼇㼈 㻤㼇㼍㼘㼖㼗㼄㼅㼏㼈 㻶㼈㼏㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻲㻦㻳㻃㻷㼌㼐㼈㼕 + 㻲㻦㻳 㻹㻩㻥㻲㻱㻒 㻹㻩㻥㻲㻩㻩 㻰㼖㼖㼗㼅 㻦㼒㼑㼗㼕㼒㼏㻃㼘㼑㼌㼗 㼏㼒㼚㼂㻩㻥㻒㼏㼒㼚㼂㻦㻶 㻩㻥 + 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗 㻹㻦㻦㻲㻹㻳 㻯㼈㼙㼈㼏㻐㻶㼋㼌㼉㼗 㻕㻗㼎 㻯㻲 㻰㼒㼇㼈 㻲㼓㼈㼑㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻫㻲㻃㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏 - 㻘㻹 㻴 + 㻩㻥 㻷㼌㼐㼈㼕 㻖㻓㻗㼘㼖㻃 㻕㻛㻑㻘㻹 㼒㼑㼂㼗㼕㼊 㻦㼒㼑㼗㼌㼑㼘㼒㼘㼖㻃㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻹㻦㻦 㻳㼘㼏㼖㼈 㻪㼈㼑㼈㼕㼄㼗㼒㼕 㻴㻥 - 㻶㼘㼓㼈㼕 㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㻰㼒㼇㼈 㻹㻦㻦㻃㻃㻲㻹㻳 㻔㻕㻑㻓㻹㻒㻜㻑㻓㻹 㻲㼖㼆㼌㼏㼄㼗㼒㼕 㻋㻹㻦㻲㻌 㻳㼘㼏㼖㼈㻃㼅㼜㻃㼓㼘㼏㼖㼈㻃 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻷 + 㻹㼗㼋㻶㻶㻷㻥 㻰㼖㼗㼅 㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㻰㼒㼇㼈 㻘㻑㻓㻹㻃㻦㼏㼄㼐㼓㻃㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗㻃㻃 㼒㼑㼂㼗㼕㼊 㻘㻹 㻹㻫㻲㻹㻳 㻔㻓㻓㻹㼄㼆㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆 㻳㻪㻶㻃㼗㼌㼐㼈㼒㼘㼗 㻥㻲㻳 㻃㻷㼌㼐㼈㼕 - 㻹㻺㻃㻲㻯㻳 㻶㻷㻤㻱㻧㻥㻼 㻯㻤㻷㻦㻫 㻩㻥 㻦㻶 㻹㻶 㻰㻲㻧㻨 + 㻹㼗㼋㻶㻷㻥 㻧㻷㼄㼇㼍 㻕㻓㻓㼑㼖 㼕㼈㼖㼈㼗 60 㻹㻫 㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻵㼈㼊㻖㻑㻖㻃 㻸㻹㻯㻲 㻵㻨㻩 㻨㼇㼊㼈 㻹㻦㻦 㻵㼈㼊㻑㻃㻖㻑㻖㻹 㻶㻷㻥 㻻㻐㻦㻤㻳 㼇㼌㼖㼆㼋㼄㼕㼊㼈 㻸㻹 㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻔㻓㻓㻹㼄㼆 㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆 㻵㼈㼊㻑㻃㻘㻹 㻲㻶㻦 㻹㻦㻲 㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓 㻰㼄㼑㼄㼊㼈㼐㼈㼑㼗 㻔㻔㻑㻘㻹㻒㻔㻔㻑㻓㻹 㻵㻨㻩㻘㻓 㻥㻬㻤㻶㻯 㻵㻨㻪㼂㻸㻹㻯㻲 㻹㻫 㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓 㼇㼈㼙㼌㼆㼈㼖 㻵㼈㼊㻑㻃㻘㻹 㻹㻦㻦㼂㻸㻹㻯㻲 㻳㻪㻶 㻹㻦㻦㻲㻱㻒 㻹㻦㻦㻲㻩㻩 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗 㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏 㻶㼘㼓㼓㼏㼜㻃㻘㻹 㻙㻓㼘㻤 - 㻹㼗㼋㼂㼋㼙 㻯㼈㼙㼈㼏㻐㻶㼋㼌㼉㼗 IC ブラウンアウト 機能 Brown out function 固定 Fixed タイマーラッチ タイマーラッチ Timer-latch Timer-latch FA6A31N ● ●: 起動回路 Start up circuit 自動復帰 AutoRecovery 350 電圧モード Voltage mode 過電圧保護 Over voltage protection 200 FA6A00N FA6A10N 過負荷保護 Over load protection 3 集積回路/Integrated Circuits ■ ハイサイド・ローサイド ドライバ IC High and Low side driver ICs 型式 Type name 絶対最大定格 Absolute maximum ratings 入力電圧 出力電流 ハイサイド Maximum Output current 対地電圧 High side supply voltage source / sink Àoating supply voltage 最大動作 周波数 Maximum input frequency FA5650N 830V 30V FA5651N -0.2A/0.35A FA5752N High side IHO: -0.62A/1.00A Low side ILO: -0.56A/0.91A 24V パッケージ Package 125ns positive going 8.9V negative going 8.2V 125ns 500kHz Logic"1" 2.1V Logic"0" 1.3V 130ns SOP-16 2 SOP-8 IC 624V 入力系統数 Number of Input terminal SOP-8 Logic"1" 2.1V Logic"0" 1.1V -1.4A/1.8A FA5751N 電気的特性 Electrical characteristics 論理入力電圧 入出力遅延 電源電圧 Logic"1" / "0" 時間 低下保護 Input voltage Turn-on/off VCC and VBS level (typ.) propagation supply delay time under-voltage threshold (typ.) (typ.) ハイサイド・ローサイド ドライバIC系列 High and Low side driver IC ハイサイド・ローサイドドライバIC High and Low side driver IC ハイサイド対地電圧 High side floating supply voltage 830V 出力電流 Output current (source / sink) ‒1.4A/1.8A ‒0.2A/0.35A High Side：-0.62A/1.00A Low side: -0.56A/0.91A 125ns 125ns 130ns 入出力遅延時間 Turn-on/off propagation delay time パッケージ Package 型式 Product type 624V SOP-8 SOP-16 SOP-8 SOP-8 FA5650N FA5651N FA5751N FA5752N 代表型式ブロック図 Block diagram (Main model) ■端子配置 Pin Layout FA5651N FA5650N Level-Shift VB(8) UV Delay=1.5us detect R Driver Signal/Noise Separator Input voltage detect circuit HIN(1) HO(7) VS(6) Pulse genatator FA5650N FA5751/52N 1 HIN (NC) 16 1 HIN VB 8 1 VCC VB 8 2 LIN VB 15 2 LIN HO 7 2 HIN HO 7 3 (NC) HO 14 3 GND VS 6 3 LIN VS 6 4 (NC) VS 13 4 LO VCC 5 4 LO GND 5 5 (NC) (NC) 12 6 GND (NC) 11 7 LO (NC) 10 8 VCC (NC) 9 VREG (5.0V) VCC(5) Input voltage detect circuit LIN(2) Timing adjustment UV detect Delay=3us R Driver LO(4) GND(3) 61 3 集積回路/Integrated Circuits ■ DC/DC 電源制御用 IC DC/DC Power Supply control ICs DC/DC制御IC DC/DC Power Supply control ICs 型式 Type Name 制御方式 出力数 入力電圧 動作周波数 Control mode Output Input voltage Frequency channel 昇圧 フライバック 降圧 反転 Boost Fly back Buck Inverting FA7700V IC FA7701V 出力段 パッケージ MOSFET Package Output MOSFET 基準電圧 動作周囲温度 出力電流 Reference Operating Output Voltage Ambient Current Temperature 1 2.5 - 18V 50k - 1MHz 0.88V -30 − +85℃ − − TSSOP-8 1 2.5 - 18V 50k - 1MHz 0.88V -30 − +85℃ − − TSSOP-8 2 2.5 - 28V 50k - 1MHz 1.0V -30 − +85℃ − − TSSOP-16 SOP-16 2 2.5 - 18V 50k - 1MHz 1.0V -30 − +85℃ − − TSSOP-16 1.0V FA7703V FA7704V FA3687V 2 2.5 - 18V 300k - 1.5MHz -40 − +85℃ − − TSSOP-16 FA7711V 3 4.5 - 28V 200k - 800kHz Adjustable -20 − +85℃ − − TSSOP-24 1 9 - 45V FA7764AN/P 30k - 400kHz -20 − +85℃ 1.0V 内蔵 Within 1.5A SOP-8E DC/DC制御IC DC/DC Power Supply control ICs DCDCコンバータ 出力段MOSFET MOSFET 外付け Without 出力数 Out put channel 1 ch 2 ch Vcc: 2.5 to 18V Vcc 内蔵 Within Vcc: 2.5 to 28V Vcc: 2.5 to 18V 3 ch 1ch Pch内蔵 Vcc: 4.5 to 28V Vcc: 9 to 45V 制御方式 Control mode 昇圧/Boost フライバック /Flyback 降圧/Buck 降圧/Buck 昇圧/Boost 反転/Invert フライバック /Flyback 降圧/Buck 昇圧/Boost フライバック /Flyback 降圧/Buck 昇圧/Boost 反転/Invert フライバック /Flyback 降圧/Buck 昇圧/Boost 反転/Invert フライバック /Flyback 降圧/Buck 型式 Product type FA7700V FA7701V FA7703V FA7704V FA3687V FA7711V FA7764AN/P 代表型式ブロック図 Block diagram (Main model) FA7711V FA7764AN/P ④ 㻃 VREF ⑱ VCC ⑯ 㻃CS3 ⑭㻃CS2 ⑪ CS1 57 Reference voltge Soft start UVLO 9 6RIW 6WDUW (1% 9&& &ORFN &RXQWHU &RPSHQVDWLRQ 26& 89/2 212)) 7KHPDO 6KXWGRZQ 5HIHUHQFH 9ROWDJH PVCC &5(* ② RT Oscillator ⑰ 㻃PVCC Er. Amp.1 ⑥ IN1+ 䟽 ⑦ IN1- 䟿 䟽 ⑳ IN2- PGND 䟽 Comp.2 PVCC 䟿 䟿 N/P ch drive 䟽 ⑲ FB2 PGND Er. Amp.3 24 IN3+ 23 IN3- 22 FB3 䟽 䟿 Comp.3 7LPHU/DWFKIRU 6KRUW&LUFXLW3URWHFWLRQ ⑬㻃 OUT2 ⑤ 㻃SEL2 N/P ch drive 䟿 PGND ① 㻃CP 27$ ③ 㻃SEL3 ⑨ 㻃GND 2YHU &XUUHQW 'HWHFWLRQ 'ULYHU 3:0B &203 ⑮㻃 OUT3 䐟㻃㻃㻳㻪㻱㻧 PGND 㻷㼌㼐㼈㼕 㼏㼄㼗㼆㼋 5 4 6 ,1 PVCC 䟽 FB voltage dtection 62 JP ⑫㻃 OUT1 ё Er. Amp.2 IN2+ 9ROWDJH 5HJXODWRU 9%,$6 P ch drive 䟿 ⑧ FB1 21 89/2 Comp.1 6 5 4 287 ,1 'LRGHRSHQ GHWHFW *1' パワーMOSFET/Power MOSFETs パワーMOSFET Power MOSFETs 富士電機のパワー MOSFET は、低損失、低ノイズ、低オン抵 抗などの特長を有し、中耐圧から高耐圧品までラインアップして います。 ® スーパージャンクション技術を適用した『Super J MOS 』 シリーズ では 600V 耐圧品を中心に展開しています。 Fuji Electric has a lineup of power MOSFETs ranging from medium to high-voltage types with features such as low power loss, low noise, and low on-resistance. The “Super J-MOS®” Series uses superjunction technology, and was developed primarily for models with a withstand voltage of 600 V. ■ 第2世代スーパージャンクション MOSFET Super J MOS®S2シリーズ ■コンセプト Concept MOSFET スーパージャンクション構造の不純物拡散プロセスの改善により、従 ® 来製品 (Super J MOS S1 シリーズ）に比べ、素子耐圧とオン抵抗（Ron・ A) のトレードオフを大幅に改善し、ターンオフ損失とターンオフ dV/ dt とのトレードオフ特性を従来製品と同等レベルにする事で、低損失 と低ノイズ特性を両立し電源の高効率化、小型化をサポートします。 Superjunction technology has much improved trade-off charactarisity between On-resistance and Breakdown voltage. Super J MOS has the same turn-off loss and turn-off dv/dt capabilities at conventional MOSFET. As a result, It contributs to high efficiency and miniaturization of power supply. ® ■ Super J MOS S2 シリーズの特長 ® Features of the Super J MOS S2series 1.2 25% down 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 ® ® Super J MOS S1 Super J MOS S2 RonA characteristic 35 S1:FMW47N60S1 30 25 Eoss [uJ] 低オン抵抗 RonA を従来比 （対 Super J MOS S1） 約 25% 低減 ® 低充放電容量 Eoss を従来比 （対 Super J MOS S1） 約 30% 低減 ® 低ゲートチャージ QG を従来比 （対 Super J MOS S1） 約 30% 低減 低ターンオフ損失と低ノイズを両立 アバランシェ耐量保証 ゲートしきい値電圧 typ.±0.5V 保証 低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能 ex) 600V/0.07ȍ/TO-3P ĺ 600V/0.07ȍ/TO-220F Ɣ Low RonA 25% lower than our conventional MOSFET Ɣ Low Eoss 30% lower than our conventional MOSFET Ɣ Low QG 30% lower than our conventional MOSFET Ɣ Coping with both low turn-off loss and low noise Ɣ Guaranteed avalanche robustness Ɣ Narrow band of the gate threshold voltage (typ.±0.5V) Ɣ Due to low RDS (on), Selectable smaller package ex) 600V/0.07ȍ/TO-3P ĺ 600V/0.07ȍ/TO-220F 1RUPDOL]HG5RQ$ 1.0 ® 30% down S2:FMW60N070S2 20 15 10 5 ■用途 Applications サーバ、PC、パワーコンディショナー、UPS、液晶テレビ、照明、標 準電源、基地局電源などの PFC 回路・PWM コンバータ 0 0 200 400 600 Vds [V] Eoss characteristic PFC or PWM converter for Server, PC, PCS, UPS, LCD-TV, Lighting and Standard power supply 63 パワーMOSFET/Power MOSFETs ® ■ Super J MOS S2FD シリーズ (Built-in FRED type) の 100 特長 ® Features of the Super J MOS S2FD series (Built-in FRED type) 60 40 ID [A] ® 内蔵ダイオードの Trr を Super J MOS S2 比、約 50％低減 高リカバリー耐量 ( 高 -di/dt 耐量 ) アバランシェ耐量保証 ® Ɣ Fast-recovery body diode 50% lower than Super J MOS S2 Ɣ High diode recovery ruggedness (High -di/dt ruggedness) Ɣ Guaranteed avalanche robustness 80 FMW60N075S2FD FMW60N070S2 (Built-in FRED type) (Standard type) 400ns QV 20 0 -20 -40 -60 t : 500ns/div. Conditions : VDD=400V, Isd=39.4A, -di/dt=100A/us, Tch=25℃ ■用途 Applications UPS、サーバー、通信電源、LED 照明、PCS 等の LLC、フェー ズシフトフルブリッジ回路等の共振回路部、インバータ回路 部 MOSFET for resonant switching topologies in applications like UPS, Server,Telecom, LED lighting, Power conditioner system and Power supply. ® Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric. 64 Built-in diode recovery wave form パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3, E3Sシリーズの特長 Features of the SuperFAP-E3, E3S series ■コンセプト Concept 第二世代擬平面接合技術により、 “低損失、低ノイズ特性”と“使い易さ” を両立し、電源セットの設計から製品までのトータル性能向上をサポート します。 The second generation Quasi-Planer Junction technology copes with both low loss/noise and usability. And this technology lets us achive high performance for power supply's circuit desine. ■特長 Features E3コンセプト概念図 Concept 低損失特性と低ノイズ特性の両立 低オン抵抗特性 スイッチング時 dv/dt のゲート抵抗制御性が良い スイッチング時の VGS のリンギングが小さい ゲートしきい値電圧幅 ±0.5V 高アバランシェ耐量 Easy to Design Easy to use Lower Emission (power loss, EMI noise) Ecology pe rF AP -E 3 Coping with both low loss and low noise Low RDS(on) High controlability of gate recistance during switching Low VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage(3.0±0.5V) High avalanche durability MOSFET エコロジー Su Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ 使いやすさ 低損失・低ノイズ ■ SuperFAP-Gシリーズの特長 Features of the SuperFAP-G series 擬平面接合技術により、低 Qgd によるスイッチング損失と低オン抵抗特性を実現しました。 The Quasi-Planer Junction technology achieve low RDS(on) and low witching loss(low Qgd). ■特長 Features ターンオフ損失の低減 従来比で約 75％低減 低ゲートチャージ 従来比で約 60％低減 高アバランシェ耐量 低オン抵抗化によりパッケージ小型化が可能 ex）500V/0.4Ω/TO-3P → 500V/0.38Ω/TO-220 Ɣ Ɣ Ɣ Ɣ Low turn off loss 75% lower than our conventional type Low Gate charge 60% lower than our conventional type High avalanche durability Due to low RDS(on), Selectable smaller package ex) 500V/0.4ȍ/TO-3P ĺ 500V/0.38ȍ/TO-220 65 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■系列マップ Series map 10.0 RDS (on) max (ȍ) SuperFAP-G シリーズ SuperFAP-E3 シリーズ Super J MOS® シリーズ 1.0 MOSFET 0.1 0.0 100V 200V 300V 400V 500V 600V 700V 800V 900V VDSS(V) ■型式の見方 Part numbers FMV20N60S1 (example) F M 機種コード 社名 Device code Company Symbol Fuji M MOSFET V 20 パッケージコード Package code A TO-220F C T-pack (S) H TO-3P I T-pack (L) P TO-220 R TO-3PF V TO-220F (SLS) W TO-247 定格電流 Current ×1 N 極性 Polarity N N-ch 60 S1 定格電圧 Voltage ×1/10 製品シリーズ Series S1 Super J MOS® S1FD Super J MOS® (FRED) S1A Super J MOS® for Automotive S1FDA Super J MOS® (FRED) for Automotive E SuperFAP-E3 ES SuperFAP-E3S G SuperFAP-G GF SuperFAP-G (FRED) T2 Trench R 3G-Trench FMV60N190S2 (example) F M 機種コード 社名 Company Symbol Device code Fuji M MOSFET V 60 パッケージコード Package code D TO-252 H TO-3P P TO-220 V TO-220F (SLS) W TO-247 定格電圧 Voltage ×1/10 ® Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric. 66 N 極性 Polarity N N-ch 190 S2 オン抵抗 Ron(mΩ) ×1 製品シリーズ Series S2 Super J MOS® S2FD Super J MOS® (FRED) S2A Super J MOS® for Automotive S2FDA Super J MOS® (FRED) for Automotive パワーMOSFET/Power MOSFETs ® ® ■ Super J MOS S2シリーズ Super J MOS S2 series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss Vds (V) 600 650V Ron (ȍ) 0.3800 0.2800 0.1900 0.1600 0.1250 0.0990 0.0880 0.0790 0.0700 0.0550 0.0400 0.0254 (0.1010) (0.0790) (0.0450) (0.0287) TO-220 TO-220F (SLS) Id (A) 8.1 10.4 15.5 17.9 22.7 29.2 32.8 37.1 39.4 49.9 66.2 95.5 (30.6) (37.1) (62.4) (89.8) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-252 ■ 600Vクラス 600V class 型 式 Device type ● ● ○ ● ● ● ○ ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● FMP60N380S2 FMV60N380S2 FMD60N380S2 FMP60N280S2 FMV60N280S2 FMH60N280S2 FMD60N280S2 FMP60N190S2 FMV60N190S2 FMW60N190S2 FMP60N160S2 FMV60N160S2 FMW60N160S2 FMP60N125S2 FMV60N125S2 FMW60N125S2 FMP60N099S2 FMV60N099S2 FMW60N099S2 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 8.1 8.1 8.1 10.4 10.4 10.4 10.4 15.5 15.5 15.5 17.9 17.9 17.9 22.7 22.7 22.7 29.2 29.2 29.2 Amps. 24.3 24.3 24.3 31.2 31.2 31.2 31.2 46.5 46.5 46.5 53.7 53.7 53.7 68.1 68.1 68.1 87.6 87.6 87.6 RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.3800 0.3800 0.3800 0.2800 0.2800 0.2800 0.2800 0.1900 0.1900 0.1900 0.1600 0.1600 0.1600 0.1250 0.1250 0.1250 0.0990 0.0990 0.0990 PD VGS VGS (th) Watts 62 20 58 75 26 65 75 113 38 94 127 45 110 160 57 140 210 75 185 Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 Qg typ. nC 27.5 27.5 27.5 33 33 33 33 46 46 46 43 43 43 53 53 53 65 65 65 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) TO-252 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-252 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 質 量 Net mass Grams 2.0 2.0 (0.3) 2.0 2.0 5.0 (0.3) 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 ●：新製品 New Products ○：開発中 Under development ® Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® The Super J MOS series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 67 MOSFET Super J MOS® S2 series パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 600Vクラス 600V class(continued) 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● FMP60N088S2 FMV60N088S2 FMW60N088S2 FMP60N079S2 FMV60N079S2 FMW60N079S2 FMV60N070S2 FMW60N070S2 FMW60N055S2 FMW60N040S2 FMW60N025S2 ●：新製品 New VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 32.8 32.8 32.8 37.1 37.1 37.1 39.4 39.4 49.9 66.2 95.5 Amps. 98.4 98.4 98.4 111.3 111.3 111.3 118.2 118.2 149.7 198.6 286.5 VDSS ID ID (pulse) Volts 650 650 650 650 650 650 650 Amps. (30.6) (30.6) (30.6) (37.1) (37.1) (62.4) (89.8) Amps. (91.8) (91.8) (91.8) (111.3) (111.3) (187.2) (269.4) RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.0880 0.0880 0.0880 0.0790 0.0790 0.0790 0.0700 0.0700 0.0550 0.0400 0.0254 PD VGS VGS (th) Watts 235 85 205 270 95 235 110 270 340 435 575 Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 PD VGS VGS (th) Watts TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD Volts (30) (30) (30) (30) (30) (30) (30) Volts TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD QG typ. nC 72 72 72 80 80 80 90 90 110 147 222 パッケージ Package 質 量 Net mass Grams TO-220 2.0 TO-220F(SLS) 2.0 TO-247-P2 6.0 TO-220 2.0 TO-220F(SLS) 2.0 TO-247-P2 6.0 TO-220F(SLS) 2.0 TO-247-P2 6.0 TO-247-P2 6.0 TO-247-P2 6.0 TO-247-P2 6.0 QG typ. nC TBD TBD TBD TBD TBD TBD TBD パッケージ Package Product ■ 650Vクラス 650V class 型 式 Device type ○ ○ MOSFET ○ ○ ○ ○ ○ (FMP65N101S2) (FMV65N101S2) (FMW65N101S2) (FMV65N079S2) (FMW65N079S2) (FMW65N045S2) (FMW65N029S2) ○：開発中 Under development ® RDS (on) Max. Ohms (Ω) (0.1010) (0.1010) (0.1010) (0.079) (0.079) (0.0450) (0.0287) 質 量 Net mass Grams TO-220 2.0 TO-220F(SLS) 2.0 TO-247-P2 6.0 TO-220F(SLS) 2.0 TO-247-P2 6.0 TO-247-P2 6.0 TO-247-P2 6.0 Super J MOS®は、富士電機の登録商標です。 Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric. Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® The Super J MOS series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 68 パワーMOSFET/Power MOSFETs ® ■ Super J MOS S2FDシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ ® Super J MOS S2FD Series (Built-in FRED type) 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss Super J MOS® S2FD Series TO-220 TO-220F (SLS) TO-247-P2 (Built-in FRED type) Vds (V) 600 Ron (ȍ) 0.1700 0.1330 0.1050 0.0940 0.0840 0.0750 0.0590 0.0430 0.0270 Id (A) 17.9 22.7 29.2 32.8 37.1 39.4 49.9 66.2 95.5 型 式 Device type ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● FMP60N170S2FD FMV60N170S2FD FMW60N170S2FD FMP60N133S2FD FMV60N133S2FD FMW60N133S2FD FMP60N105S2FD FMV60N105S2FD FMW60N105S2FD FMP60N094S2FD FMV60N094S2FD FMW60N094S2FD FMP60N084S2FD FMV60N084S2FD FMW60N084S2FD FMV60N075S2FD FMW60N075S2FD FMW60N059S2FD FMW60N043S2FD FMW60N027S2FD ●：新製品 New Product VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 17.9 17.9 17.9 22.7 22.7 22.7 29.2 29.2 29.2 32.8 32.8 32.8 37.1 37.1 37.1 39.4 39.4 49.9 66.2 95.5 Amps. 53.7 53.7 53.7 68.1 68.1 68.1 87.6 87.6 87.6 98.4 98.4 98.4 111.3 111.3 111.3 118.2 118.2 149.7 198.6 286.5 RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.170 0.170 0.170 0.133 0.133 0.133 0.105 0.105 0.105 0.094 0.094 0.094 0.084 0.084 0.084 0.075 0.075 0.059 0.043 0.027 PD VGS VGS (th) Watts 127 45 110 160 57 140 210 75 185 235 85 205 270 95 235 110 270 340 435 575 Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 QG typ. nC (47) (47) (47) (59) (59) (59) 75 75 75 83 83 83 (91) (91) (91) 97 97 (127) 177 (274) Trr typ. ns 150 150 150 160 160 160 174 174 174 185 185 185 190 190 190 207 207 215 250 288 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-220F(SLS) TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質 量 Net mass Grams 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 2.0 2.0 6.0 2.0 6.0 6.0 6.0 6.0 Super J MOS®は、富士電機の登録商標です。 Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric. ® Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® The Super J MOS series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 69 MOSFET ■ 600Vクラス 600V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ® ® ■ Super J MOS S1シリーズ Super J MOS S1 series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss Super J MOS® S1 series Vds (V) 600 Ron (ȍ) 0.580 0.470 0.380 0.280 0.230 0.190 0.160 0.125 0.099 0.088 0.070 0.055 0.040 Id (A) 6.5 8 10 13 15 20 22 30 35 40 47 57 68 TO-220 TO-220F (SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 ■ 600Vクラス 600V class MOSFET 型 式 Device type FMP07N60S1 FMV07N60S1 FMP08N60S1 FMV08N60S1 FMP10N60S1 FMV10N60S1 FMP13N60S1 FMV13N60S1 FMH13N60S1 FMP15N60S1 FMV15N60S1 FMH15N60S1 FMW15N60S1 FMP20N60S1 FMV20N60S1 FMH20N60S1 FMW20N60S1 FMP22N60S1 FMV22N60S1 FMH22N60S1 FMW22N60S1 FMP30N60S1 FMV30N60S1 FMH30N60S1 FMW30N60S1 FMV35N60S1 FMH35N60S1 FMW35N60S1 FMV40N60S1 FMH40N60S1 FMW40N60S1 FMH47N60S1 FMW47N60S1 FMW57N60S1 FMW79N60S1 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 6.5 6.5 8 8 10 10 13 13 13 15 15 15 15 20 20 20 20 22 22 22 22 30 30 30 30 35 35 35 40 40 40 47 47 57 68 Amps. 19.5 19.5 24 24 30 30 39 39 39 45 45 45 45 60 60 60 60 66 66 66 66 90 90 90 90 105 105 105 120 120 120 141 141 171 204 RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.580 0.580 0.470 0.470 0.380 0.380 0.280 0.280 0.280 0.230 0.230 0.230 0.230 0.190 0.190 0.190 0.190 0.160 0.160 0.160 0.160 0.125 0.125 0.125 0.125 0.099 0.099 0.099 0.088 0.088 0.088 0.070 0.070 0.055 0.040 PD VGS VGS (th) Watts 60 21 70 25 90 32 120 43 105 135 48 115 115 150 60 130 130 195 70 170 170 250 90 220 220 110 270 270 130 315 315 390 390 445 545 Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 QG typ. nC 21 21 25 25 28 28 35 35 35 43 43 43 43 48 48 48 48 57 57 57 57 73 73 73 73 87 87 87 100 100 100 125 125 153 203 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) TO-220 TO-220F(SLS) TO-220 TO-220F(SLS) TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質 量 Net mass Grams 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 2.0 5.0 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 5.0 6.0 2.0 5.0 6.0 5.0 6.0 6.0 6.0 Super J MOS®は、富士電機の登録商標です。 Super J MOS® is registered trademarks of Fuji Electric. ® Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® The Super J MOS series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 70 パワーMOSFET/Power MOSFETs ® ■ Super J MOS S1FDシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ ® Super J MOS S1FD Series (Built-in FRED type) 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss Super J MOS® TO-220 TO-220F (SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 S1FD series (Built-in FRED type) Vds (V) 600 Ron (ȍ) 0.200 0.170 0.132 0.105 0.093 0.074 0.058 0.042 Id (A) 20 22 30 35 40 47 57 68 型 式 Device type FMP20N60S1FD FMV20N60S1FD FMH20N60S1FD FMW20N60S1FD FMP22N60S1FD FMV22N60S1FD FMH22N60S1FD FMW22N60S1FD FMP30N60S1FD FMV30N60S1FD FMH30N60S1FD FMW30N60S1FD FMV35N60S1FD FMH35N60S1FD FMW35N60S1FD FMH40N60S1FD FMW40N60S1FD FMH47N60S1FD FMW47N60S1FD FMW57N60S1FD FMW79N60S1FD VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 20 20 20 20 22 22 22 22 30 30 30 30 35 35 35 40 40 47 47 68 68 Amps. 60 60 60 60 66 66 66 66 90 90 90 90 105 105 105 120 120 141 141 171 204 RDS (on) PD Max. Ohms (Ω) Watts 0.200 150 0.200 60 0.200 130 0.200 130 0.170 195 0.170 70 0.170 170 0.170 170 0.132 250 0.132 90 0.132 220 0.132 220 0.105 110 0.105 270 0.105 270 0.093 315 0.093 315 0.074 390 0.074 390 0.058 445 0.042 545 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 4.0±1.0 QG typ. nC 52 52 52 52 58 58 58 58 73 73 73 73 92 92 92 104 104 127 127 158 209 Trr typ. パッケージ Package ns 150 150 150 150 165 165 165 165 180 180 180 180 185 185 185 200 200 210 210 220 230 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質 量 Net mass Grams 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 2.0 5.0 6.0 2.0 5.0 6.0 5.0 6.0 5.0 6.0 6.0 6.0 ® Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 ® Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric. ® Super J MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® The Super J MOS series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 71 MOSFET ■ 600Vクラス 600V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series 低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise SuperFAP-E3 series Vds (V) 500 MOSFET 600 650 700 800 900 72 Ron (ȍ) 1.5 0.85 0.79 0.52 0.38 0.31 0.245 0.19 2.3 1.3 1.2 0.79 0.75 0.58 0.47 0.365 0.28 1.47 0.97 1.5 1.2 0.85 0.59 2 1.6 1.1 0.78 2.5 2 1.4 1 Id (A) 5 6.5 7.5 12 16 20 23 28 3 6 6 10 11 13 16 19 23 7 9 7 9 11 15 6 8 10 13 6 7 9 11 TO-220 TO-220 (SLS) TO-3P (Q) TO-3PF T-Pack(L) T-Pack(S) パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series 型 式 Device type FMP05N50E FMV05N50E FMI05N50E FMC05N50E FMP07N50E FMV07N50E FMI07N50E FMC07N50E FMP08N50E FMV08N50E FMP12N50E FMV12N50E FMI12N50E FMC12N50E FMP16N50E FMV16N50E FMI16N50E FMC16N50E FMH16N50E FMP20N50E FMV20N50E FMI20N50E FMC20N50E FMH20N50E FMV23N50E FMH23N50E FMR23N50E FMH28N50E FMR28N50E ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 Amps. 5 5 5 5 6.5 6.5 6.5 6.5 7.5 7.5 12 12 12 12 16 16 16 16 16 20 20 20 20 20 23 23 23 28 28 Amps. 20 20 20 20 26 26 26 26 30 30 48 48 48 48 64 64 64 64 64 80 80 80 80 80 92 92 92 112 112 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 1.5 1.5 1.5 1.5 0.85 0.85 0.85 0.85 0.79 0.79 0.52 0.52 0.52 0.52 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.31 0.31 0.31 0.31 0.31 0.245 0.245 0.245 0.19 0.19 PD ＊2 Watts 60 21 60 60 90 32 90 90 105 37 165 60 165 165 225 80 225 225 195 270 95 270 270 235 130 315 150 400 200 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 QG Typ. nC 21 21 21 21 32 32 32 32 35 35 60 60 60 60 60 60 60 60 60 77 77 77 77 77 93 93 93 130 130 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.7 5.1 6.0 5.1 6.0 PD: TC=25°C 記号 Letter symbols VDSS: ドレイン・ソース電圧 ドレイン電流 ID : ID(pulse): パルスドレイン電流 RDS(on): ドレイン・ソース オン抵抗 Drain-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Drain-source on-state resistance Maximum power dissipation 許容損失電力 PD: VGS: ゲート・ソース電圧 Gate-source voltage VGS(th): ゲートしきい値電圧 Gate threshold voltage QG: トータルゲートチャージ量 Total gate charge SuperFAP-E3 シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合 わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The SuperFAP-E3 series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 73 MOSFET ■ 500V クラス 500V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3シリーズ SuperFAP-E3 series ■ 600 − 800V クラス 600 - 800V class MOSFET 型 式 Device type FMP03N60E FMV03N60E FMI03N60E FMC03N60E FMP05N60E FMV05N60E FMI05N60E FMC05N60E FMP06N60E FMV06N60E FMP10N60E FMV10N60E FMI10N60E FMC10N60E FMP11N60E FMV11N60E FMI11N60E FMC11N60E FMP13N60E FMV13N60E FMI13N60E FMC13N60E FMP16N60E FMV16N60E FMI16N60E FMC16N60E FMV19N60E FMH19N60E FMR19N60E FMH23N60E FMR23N60E FMV07N65E FMV09N65E FMV07N70E FMH07N70E FMV09N70E FMH09N70E FMV11N70E FMH11N70E FMV15N70E FMV06N80E FMH06N80E FMI06N80E FMC06N80E FMV08N80E FMH08N80E FMI08N80E FMC08N80E FMV10N80E FMH10N80E FMV13N80E FMH13N80E ＊1 74 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 650 650 700 700 700 700 700 700 700 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 Amps. 3 3 3 3 5.5 5.5 5.5 5.5 6 6 10 10 10 10 11 11 11 11 13 13 13 13 16 16 16 16 19 19 19 23 23 7 9 7 7 9 9 11 11 15 6 6 6 6 8 8 8 8 10 10 13 13 Amps. 12 12 12 12 22 22 22 22 24 24 40 40 40 40 44 44 44 44 52 52 52 52 64 64 64 64 76 76 76 92 92 28 36 28 28 36 PD: TC=25°C 36 44 44 60 24 24 24 24 32 32 32 32 40 40 52 52 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 2.3 2.3 2.3 2.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.2 1.2 0.79 0.79 0.79 0.79 0.75 0.75 0.75 0.75 0.58 0.58 0.58 0.58 0.47 0.47 0.47 0.47 0.365 0.365 0.365 0.28 0.28 1.47 0.97 1.5 1.5 1.2 1.2 0.85 0.85 0.59 2.0 2.0 2.0 2.0 1.6 1.6 1.6 1.6 1.1 1.1 0.78 0.78 PD ＊2 Watts 60 21 60 60 90 32 90 90 105 37 165 60 165 165 180 65 180 180 225 80 225 225 270 95 270 270 130 315 150 400 200 37 60 48 115 60 145 85 205 120 48 115 135 135 60 145 165 165 85 205 120 285 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 QG Typ. nC 21.5 21.5 21.5 21.5 33 33 33 33 35 35 47 47 47 47 48.5 48.5 48.5 48.5 60 60 60 60 76 76 76 76 105 105 105 130 130 35 47 32 32 38 38 50 50 66 32 32 32 32 38 38 38 38 50 50 66 66 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-220F(SLS) TO-220F(SLS) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 1.7 5.1 6.0 5.1 6.0 1.7 1.7 1.7 5.1 1.7 5.1 1.7 5.1 1.7 1.7 5.1 1.6 1.6 1.7 5.1 1.6 1.6 1.7 5.1 1.7 5.1 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3 シリーズ SuperFAP-E3 series ■ 900V クラス 900V class FMH06N90E FMV06N90E FMI06N90E FMC06N90E FMH07N90E FMV07N90E FMI07N90E FMC07N90E FMH09N90E FMV09N90E FMR09N90E FMH11N90E FMV11N90E FMR11N90E ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 Amps. 6 6 6 6 7 7 7 7 9 9 9 11 11 11 Amps. 24 24 24 24 28 28 28 28 36 36 36 44 44 44 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 2.5 2.5 2.5 2.5 2.0 2.0 2.0 2.0 1.4 1.4 1.4 1.0 1.0 1.0 PD ＊2 Watts 115 48 135 135 145 60 165 165 205 85 100 285 120 135 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 QG Typ. nC 33 33 33 33 39 39 39 39 50 50 50 60 60 60 パッケージ Package TO-3P(Q) TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF 質 量 Net mass Grams 5.1 1.7 1.6 1.6 5.1 1.7 1.6 1.6 5.1 1.7 6.0 5.1 1.7 6.0 PD: TC=25°C MOSFET 型 式 Device type 75 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss SuperFAP-E 3S TO-220 TO-220 (SLS) TO-3P (Q) TO-3PF T-Pack(L) T-Pack(S) TFP Low Qg series MOSFET Vds Ron (V) (ȍ) 500 0.5 0.38 0.31 0.27 0.245 0.19 600 1.2 0.75 0.58 0.47 0.4 0.365 0.28 Id (A) 12 16 20 21 23 28 6 12 13 16 17 19 23 ■ 500V クラス 500V class 型 式 Device type FMP12N50ES FMV12N50ES FMI12N50ES FMC12N50ES FML12N50ES FMP16N50ES FMV16N50ES FMI16N50ES FMC16N50ES FMH16N50ES FML16N50ES FMP20N50ES FMV20N50ES FMI20N50ES FMC20N50ES FMH20N50ES FML20N50ES FMV21N50ES FMR21N50ES FMH21N50ES FMV23N50ES FMR23N50ES FMH23N50ES FMR28N50ES FMH28N50ES ＊1 VDSS ID ID (pulse) Volts 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 Amps. 12 12 12 12 12 16 16 16 16 16 16 20 20 20 20 20 20 21 21 21 23 23 23 28 28 Amps. 48 48 48 48 48 64 64 64 64 64 64 80 80 80 80 80 80 84 84 84 92 92 92 112 112 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.31 0.31 0.31 0.31 0.31 0.31 0.27 0.27 0.27 0.245 0.245 0.245 0.19 0.19 PD ＊2 Watts 180 65 180 180 180 225 80 225 225 195 225 270 95 270 270 235 270 120 135 285 130 150 315 200 400 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 QG Typ. nC 41 41 41 41 41 52 52 52 52 52 52 57 57 57 57 57 57 67 67 67 74 74 74 92 92 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TFP TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 1.7 6.0 5.1 1.7 6.0 5.1 6.0 5.1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 PD: TC=25°C SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The SuperFAP-E3Sseries products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 76 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ SuperFAP-E3S Low Qg series 型 式 Device type FMP06N60ES FMV06N60ES FMI06N60ES FMC06N60ES FMP12N60ES FMV12N60ES FMI12N60ES FMC12N60ES FML12N60ES FMP13N60ES FMV13N60ES FMI13N60ES FMC13N60ES FMH13N60ES FML13N60ES FMP16N60ES FMV16N60ES FMI16N60ES FMC16N60ES FMH16N60ES FML16N60ES FMV17N60ES FMR17N60ES FMH17N60ES FMV19N60ES FMR19N60ES FMH19N60ES FMR23N60ES FMH23N60ES VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 6 6 6 6 12 12 12 12 12 13 13 13 13 13 13 16 16 16 16 16 16 17 17 17 19 19 19 23 23 Amps. 24 24 24 24 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 64 64 64 64 64 64 68 68 68 76 76 76 92 92 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 1.2 1.2 1.2 1.2 0.75 0.75 0.75 0.75 0.75 0.58 0.58 0.58 0.58 0.58 1.58 0.47 0.47 0.47 0.47 0.47 0.47 0.4 0.4 0.4 0.365 0.365 0.365 0.28 0.28 PD ＊2 Watts 105 37 105 105 180 65 180 180 180 225 225 225 225 195 225 270 95 270 270 235 270 120 135 285 130 150 315 200 400 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 QG Typ. nC 31 31 31 31 37 37 37 37 37 48 48 48 48 48 48 56 56 56 56 56 56 68 68 68 74 74 74 92 92 パッケージ Package TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TFP TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220 TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 1.7 6.0 5.1 1.7 6.0 5.1 6.0 5.1 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 PD: TC=25°C SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The SuperFAP-E3Sseries products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 77 MOSFET ■ 600V クラス 600V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series 低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge SuperFAP-G TO-220 TO-220F TO-220 (SLS) TO-3PF TO-247 T-Pack(L) T-Pack(S) TFP series Vds (V) 100 120 150 200 MOSFET 250 280 300 450 500 600 700 900 78 Ron (ȍ) 0.062 0.03 0.105 0.1 0.07 0.041 0.016 0.17 0.066 0.26 0.13 0.1 0.053 0.061 0.28 0.13 2.5 1.6 0.65 0.38 2.3 0.85 0.7 0.52 0.46 0.38 0.26 0.11 3.3 1.2 1 0.75 0.65 0.57 0.37 0.6 8 6.4 4.3 2.5 Id (A) 29 67 23 23 33 57 100 18 45 14 24 37 59 56 15 32 3 4 10 17 4 9 11 14 16 19 25 51 3 8 9 12 13 16 21 17 2.2 2.6 3.7 6.0 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series 型 式 Device type 2SK3598-01 2SK3599-01MR 2SK3600-01L, S 2SK3920-01 2SK3886-01MR 2SK3921-01L, S 2SK3922-01 2SK3602-01 2SK3603-01MR 2SK3604-01L, S 2SK3648-01 2SK3649-01MR 2SK3650-01L, S 2SK3474-01 2SK3537-01MR 2SK3590-01 2SK3591-01MR 2SK3592-01L, S 2SK3593-01 2SK3882-01 2SK3606-01 2SK3607-01MR 2SK3608-01L, S 2SK3609-01 2SK3594-01 2SK3595-01MR 2SK3596-01L, S 2SK3597-01 2SK3610-01 2SK3611-01MR 2SK3612-01L, S FMV24N25G 2SK3554-01 2SK3555-01MR 2SK3556-01L, S 2SK3535-01 2SK3651-01R 2SK3778-01 2SK3779-01R ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 100 100 100 120 120 120 120 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 200 200 200 200 200 200 200 200 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 Amps. 29 29 29 67 67 67 67 23 23 23 33 33 33 33 33 57 57 57 57 100 18 18 18 18 45 45 45 45 14 14 14 24 37 37 37 37 37 59 59 Amps. 116 116 116 268 268 268 268 92 92 92 132 132 132 132 132 228 228 228 228 400 72 72 72 72 180 180 180 180 56 56 56 96 148 148 148 148 148 236 236 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.062 0.062 0.062 0.03 0.03 0.03 0.03 0.105 0.105 0.105 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.041 0.041 0.041 0.041 0.016 0.17 0.17 0.17 0.17 0.066 0.066 0.066 0.066 0.26 0.26 0.26 0.13 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.053 0.053 PD ＊2 Watts 105 37 105 270 95 270 270 105 37 105 150 53 150 150 53 270 95 270 270 600 105 37 105 105 270 95 270 270 105 37 105 65 270 95 270 270 115 410 210 VGS Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±20 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 VGS (th) QG Typ. Volts nC 3 to 5 22 3 to 5 22 3 to 5 22 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 34 3 to 5 34 3 to 5 34 3 to 5 34 1 to 2.5 46 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 140 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 51 3 to 5 51 3 to 5 51 3 to 5 51 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 3 to 5 36 44 3 to 5 44 3 to 5 44 3 to 5 44 3 to 5 44 3 to 5 80 3 to 5 80 3 to 5 パッケージ Package TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-220F TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-247 TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-220 TO-220F T-pack TO-220F(SLS) TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-3PF TO-247 TO-3PF 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 4.9 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 6.0 4.9 6.0 PD: TC=25°C SuperFAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合 わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The Super FAP-G series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 79 MOSFET ■ 100 − 250V クラス 100 - 250V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series ■ 300 − 500V クラス 300 - 500V class MOSFET 型 式 Device type VDSS ID ID (pulse) 2SK3580-01MR 2SK3772-01 2SK3773-01MR 2SK3774-01L, S 2SK3775-01 2SK3725-01 2SK3726-01MR 2SK3916-01 2SK3917-01MR 2SK3514-01 2SK3515-01MR 2SK3516-01L, S 2SK3692-01 2SK3693-01MR 2SK3694-01L, S 2SK4040-01 Volts 300 300 300 300 300 450 450 450 450 450 450 450 450 450 450 450 Amps. 15 32 32 32 32 3 3 4.3 4.3 10 10 10 17 17 17 17 Amps. 60 128 128 128 128 12 12 17.2 17.2 40 40 40 68 68 68 68 2SK3985-01 2SK3986-01MR 2SK3987-01L, S 2SK3519-01 2SK3520-01MR 2SK4004-01MR 2SK3521-01L, S 2SK3931-01 2SK3932-01MR 2SK3933-01L, S 2SK3468-01 2SK3469-01MR 2SK3512-01L, S 2SK3504-01 2SK3505-01MR 2SK3581-01L, S 2SK3682-01 2SK3683-01MR 2SK3684-01L, S 2SK3685-01 FML19N50G 2SK3522-01 2SK3523-01R 2SK3680-01 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 3.6 3.6 3.6 9 9 9 9 11 11 11 14 14 14 16 16 16 19 19 19 19 19 25 25 51 14.4 14.4 14.4 36 36 36 36 44 44 44 56 56 56 64 64 64 76 76 76 76 76 100 100 208 ＊1 80 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 PD: TC=25°C RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.28 0.13 0.13 0.13 0.13 2.5 2.5 1.6 1.6 0.65 0.65 0.65 0.38 0.38 0.38 0.38 2.3 2.3 2.3 0.85 0.85 0.85 0.85 0.70 0.70 0.70 0.52 0.52 0.52 0.46 0.46 0.46 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.26 0.26 0.11 ＊2 VGS VGS (th) Watts 48 270 95 270 270 50 17 21 21 135 48 135 225 80 225 225 Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 Volts 3.5 to 4.5 3 to 5 60 21 60 135 48 48 135 165 60 165 195 70 195 225 80 225 270 95 270 235 270 335 160 600 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 3 to 5 3 to 5 3 to 5 PD 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 QG Typ. nC 23 44.5 44.5 44.5 44.5 10.5 10.5 13 13 22 22 22 33 33 33 33 13 13 13 20 3 to 5 20 3 to 5 2.5 to 3.5 24 20 3 to 5 25 3 to 5 25 3 to 5 25 3 to 5 30 3 to 5 30 3 to 5 30 3 to 5 33 3 to 5 33 3 to 5 33 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 3 to 5 32 54 3 to 5 54 3 to 5 118 3 to 5 パッケージ Package TO-220F TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-220 TO-220F TO-220 TO-220F TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TFP TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-247 TFP TO-247 TO-3PF TO-247 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 4.9 0.8 4.9 6.0 4.9 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-Gシリーズ SuperFAP-G series 型 式 Device type VDSS ID ID (pulse) 2SK3988-01 2SK3989-01MR 2SK3990-01L, S 2SK3524-01 2SK3525-01MR 2SK3526-01L, S 2SK3887-01 2SK3888-01MR 2SK3889-01L, S 2SK3501-01 2SK3502-01MR 2SK3513-01L, S 2SK3450-01 2SK3451-01MR 2SK3753-01R 2SK3686-01 2SK3687-01MR Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 3 3 3 8 8 8 9 9 9 12 12 12 13 13 13 16 16 Amps. 12 12 12 32 32 32 36 36 36 48 48 48 52 52 52 64 64 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 3.3 3.3 3.3 1.2 1.2 1.2 1.0 1.0 1.0 0.75 0.75 0.75 0.65 0.65 0.65 0.57 0.57 2SK3688-01L, S 2SK3689-01 2SK3527-01 2SK3528-01R 2SK3681-01 2SK3891-01R 2SK3727-01 2SK3728-01MR 2SK3981-01 2SK3982-01MR 2SK3983-01L, S 2SK3698-01 2SK3699-01MR 2SK3676-01L, S 600 600 600 600 600 700 900 900 900 900 900 900 900 900 16 16 21 21 43 17 2.2 2.2 2.6 2.6 2.6 3.7 3.7 6 64 64 84 84 172 68 8.8 8.8 10.4 10.4 10.4 14.8 14.8 24 0.57 0.57 0.37 0.37 0.16 0.6 8.0 8.0 6.4 6.4 6.4 4.3 4.3 2.5 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 PD ＊2 Watts 60 21 60 135 48 135 165 60 165 195 70 195 225 80 95 270 97 270 235 335 160 600 170 75 26 90 32 90 120 43 195 VGS VGS (th) Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 Volts 3 to 5 3 to 5 3 to 5 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 3 to 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3.5 to 4.5 3.5 to 4.5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3.5 to 4.5 3.5 to 4.5 3 to 5 QG Typ. nC 13 13 13 20 20 20 25 25 25 30 30 30 34 34 34 33 パッケージ Package 33 33 33 54 54 118 46 8.3 8 13 13 13 13 13 21.5 TO-220F T-pack TO-247 TO-247 TO-3PF TO-247 TO-3PF TO-220 TO-220F TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F T-pack TO-220 TO-220F TO-3PF TO-220 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 6.0 2.0 1.7 1.6 4.9 4.9 6.0 4.9 6.0 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 PD: TC=25°C 81 MOSFET ■ 600 − 900V クラス 600 - 900V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ SuperFAP-Gシリーズ 高速ダイオード内蔵シリーズ SuperFAP-G Built-in FRED series SuperFAP-G Built-in FRED series Vds (V) 500 600 Ron (ȍ) 0.55 0.8 0.17 TO-220 TO-220F Id (A) 13 11 42 TO-247 T-Pack (L) T-Pack (S) ■ 500 − 600V クラス 500 - 600V class MOSFET 型 式 Device type 2SK3695-01 2SK3696-01MR 2SK3928-01 2SK3929-01MR 2SK3930-01L, S 2SK3697-01 ＊1 82 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 500 500 600 600 600 600 Amps. 13 13 11 11 11 42 Amps. 52 52 44 44 44 168 PD: TC=25°C RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.55 0.55 0.8 0.8 0.8 0.17 PD ＊2 Watts 195 70 195 70 195 600 VGS VGS (th) Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 Volts 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 QG Typ. nC 28 28 30 30 30 105 パッケージ Package TO-220 TO-220F TO-220 TO-220F T-pack TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 4.9 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 低・中耐圧トレンチ シリーズ Trench Power MOSFET 低オン抵抗、高ゲート耐圧 Low-on resistance and high gate capability Trench Power MOSFET Vds (V) 40 60 75 100 150 200 Ron (ȍ) 0.060 0.0065 0.0065 0.0079 0.0085 0.0067 0.0067 0.0128 0.0245 0.0470 TO-220 Id (A) 70 70 80 100 70 70 80 100 80 65 49 TO-220F TO-3P (Q) TO-247 T-Pack(L) T-Pack(S) D2-pack 型 式 Device type 2SK4068-01 2SK3273-01MR 2SK3270-01 2SK3272-01L, S 2SK3272-01SJ 2SK4047-01S 2SK3271-01 2SK3730-01MR 2SK3804-01S FMC80N10R6 FMY100N10R6 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts 40 60 60 60 60 60 60 75 75 100 100 Amps. 70 70 80 80 80 80 100 70 70 80 100 Amps. 280 280 320 320 320 320 400 280 280 320 400 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.006 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0079 0.0085 0.0067 0.0067 PD ＊2 Watts 115 70 135 135 135 195 155 70 162 180 280 VGS Volts +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 ±20 ±20 +30/-20 +30/-20 VGS (th) typ. Volts 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 パッケージ Package 質 量 Net mass Grams TO-247 4.9 TO-220F 1.7 TO-220 2.0 T-pack (L, S) 1.6 D2-pack 1.6 T-pack (S) 1.6 TO-3P 5.5 TO-220F 1.7 T-pack (S) 1.6 T-pack (S) 1.6 TO-247 6.3 VGS (th) typ. Volts 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 パッケージ Package PD: TC=25°C ■ 100 − 200V クラス 100 - 200V class 型 式 Device type FMP80N10T2 FMA80N10T2 FMI80N10T2 FMC80N10T2 FMP65N15T2 FMA65N15T2 FMI65N15T2 FMC65N15T2 FMP49N20T2 FMA49N20T2 FMI49N20T2 FMC49N20T2 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts 100 100 100 100 150 150 150 150 200 200 200 200 Amps. 80 80 80 80 65 65 65 65 49 49 49 49 Amps. 320 320 320 320 260 260 260 260 196 196 196 196 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.0128 0.0128 0.0128 0.0128 0.0245 0.0245 0.0245 0.0245 0.047 0.047 0.047 0.047 PD ＊2 Watts 270 95 270 270 270 95 270 270 270 95 270 270 VGS Volts +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 TO-220 TO-220F T-pack(L) T-pack(S) TO-220 TO-220F T-pack(L) T-pack(S) TO-220 TO-220F T-pack(L) T-pack(S) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 PD: TC=25°C 中耐圧トレンチ シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問 い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The Trench Power MOSFET series products satis¿es the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 83 MOSFET ■ 60 − 100V クラス 60 - 100V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用Super J MOS® S1シリーズ Automotive Super J MOS® S1 series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss Automotive Super J MOS® S1 Series Vds (V) 600 Ron (ȍ) 0.145 0.082 0.070 0.071 0.062 0.046 0.040 Id (A) 29 46 47 52 53 67 68 TO-247 T-Pack(S) ■ 600V クラス 600V class MOSFET 型 式 Device type FMY47N60S1A FMY53N60S1A FMY68N60S1A ＊1 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 Amps. 47 53 68 Amps. 141 159 204 ＊2 RDS (on) : VGS=10V, RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.070 0.062 0.040 PD ＊2 VGS Watts 390 480 545 Volts 30 30 30 VGS (th) typ. Volts 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 QG Typ. nC 125 164 203 パッケージ Package TO-247 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 6.4 6.4 6.4 ® Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 PD: TC=25°C ® 自動車用Super J MOS S1シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric. ® Automotive Super J MOS S1 series of products satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. ■ 自動車用Super J MOS® S1FDシリーズ（高速ダイオード内蔵タイプ） Automotive Super J MOS® S1FD series (Built-in FRED type) ■ 600V クラス 600V class 型 式 Device type FMC29N60S1FDA FMY29N60S1FDA FMY46N60S1FDA FMY52N60S1FDA FMY67N60S1FDA FMY52N65S1FDA ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 650 Amps. 29 29 46 52 67 52 Amps. 87 87 138 156 201 156 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.145 0.145 0.082 0.071 0.046 0.071 PD ＊2 Watts 220 220 390 480 545 480 VGS Volts 30 30 30 30 30 30 PD: TC=25°C ® 自動車用 Super J MOS S1FDシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 ® VGS (th) typ. Volts 4.0±1 4.0±1 4.0±1 4.0±1 4.0±1 4.0±1 QG Typ. nC 73 73 125 164 203 164 trr Typ. nsec 170 170 210 280 280 280 パッケージ 質 量 Package Net mass Grams T-Pack 1.6 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 ® Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 ® Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric. The Automotive Super J MOS S1FD series of products satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 84 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用Super J MOS® S2シリーズ Automotive Super J MOS® S2 series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss 型 式 Device type 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 FMY60N160S2A FMC60N160S2A FMY60N125S2A FMC60N125S2A FMY60N099S2A FMC60N099S2A FMY60N088S2A FMC60N088S2A FMY60N079S2A FMC60N079S2A FMY60N070S2A FMY60N040S2A FMY60N025S2A VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 18 18 23 23 29 29 33 33 37 37 39 66 96 Amps. 54 54 68 68 88 88 98 98 111 111 118 199 287 ○：開発中 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.160 0.160 0.125 0.125 0.099 0.099 0.088 0.088 0.079 0.079 0.070 0.040 0.025 PD ＊2 Watts 110 127 140 160 185 210 205 235 235 270 270 435 575 VGS Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 VGS (th) typ. Volts 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 4.0±0.5 パッケージ Package QG Typ. nC 42 42 52 52 64 64 71 71 80 80 89 150 232 TO-247 T-Pack TO-247 T-Pack TO-247 T-Pack TO-247 T-Pack TO-247 T-Pack TO-247 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 6.4 1.6 6.4 1.6 6.4 1.6 6.4 1.6 6.4 1.6 6.4 6.4 6.4 ® PD: TC=25°C ® 自動車用 Super J MOS S1FDシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 ® Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric. ® The Automotive Super J MOS S1FD series of products satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. ■ 自動車用Super J MOS® S2FDシリーズ（高速ダイオード内蔵タイプ） Automotive Super J MOS® S2FD series (Built-in FRED type) 型 式 Device type 〇 〇 〇 〇 FMY60N105S2FDA FMC60N105S2FDA FMY60N081S2FDA FMC60N081S2FDA VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 Amps. 28 28 37 37 Amps. 84 84 111 111 ○：開発中 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ® ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.105 0.105 0.081 0.081 PD ＊2 Watts 185 210 235 270 VGS Volts 30 30 30 30 PD: TC=25°C 自動車用 Super J MOS S2FDシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 VGS (th) typ. Volts 4.0±1 4.0±1 4.0±1 4.0±1 パッケージ Package QG Typ. nC 64 64 100 100 TO-247 T-Pack TO-247 T-Pack 質 量 Net mass Grams 6.4 1.6 6.4 1.6 ® Super J MOS は、富士電機の登録商標です。 ® Super J MOS is registered trademarks of Fuji Electric. ® The Automotive Super J MOS S2FD series of products satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 85 MOSFET ■ 600V クラス 600V class パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用MOSFET（Trench Power MOS、SuperFAP-E3S） Automotive MOSFET TO-220 Automotive Trench TO-220F TO-3P (Q) TO-247 T-Pack(L) T-Pack(S) D2-pack Power MOSFET SuperFAP-E3S Low Qg series Vds (V) 40 60 75 100 MOSFET 150 200 300 600 Ron (ȍ) 0.006 0.0065 Id (A) 70 70 80 0.0065 0.0079 0.0085 0.0067 0.0128 0.0067 0.0245 0.047 0.085 0.072 0.053 0.045 0.29 0.28 0.21 0.20 0.17 0.16 100 70 70 80 80 100 65 49 47 50 67 72 22 24 30 31 35 36 ■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qgシリーズ Automotive SuperFAP-E3S Low Qg series ■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class 型 式 Device type FMY50N30ES FMY72N30ES FMY24N60ES FMY31N60ES FMY36N60ES ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 300 300 600 600 600 Amps. 50 72 24 31 36 Amps. 200 288 96 124 144 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.072 0.045 0.280 0.200 0.160 PD ＊2 Watts 400 570 400 495 570 VGS Volts +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 VGS (th) typ. Volts 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 QG Typ. nC 97 155 95 125 155 パッケージ Package TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 PD: TC=25°C 3S 自動車用SuperFAP-E 低Qgシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 3S The Automotive SuperFAP-E Low Qg series of products satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 86 質 量 Net mass Grams 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用SuperFAP-E3S 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ Automotive SuperFAP-E3S Low Qg Built-in FRED series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss ■ 300 − 600V クラス 300 - 600V class 型 式 Device type VDSS ID ID (pulse) Volts 300 300 600 600 600 Amps. 47 67 22 30 35 Amps. 188 268 88 120 140 FMY47N30ESF FMY67N30ESF FMY22N60ESF FMY30N60ESF FMY35N60ESF ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.085 0.053 0.290 0.210 0.170 PD ＊2 VGS Watts 400 570 400 495 570 Volts +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 VGS (th) typ. Volts 4.2±1.0 4.2±1.0 4.2±1.0 4.2±1.0 4.2±1.0 QG Typ. nC 96 155 95 125 155 パッケージ 質 量 Package Net mass Grams TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 trr Typ. nsec 130 150 150 160 160 PD: TC=25°C 3S 自動車用SuperFAP-E 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 3S Automotive SuperFAP-E Low Qg Built-in FRED series of products satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. ■ 40 − 100V クラス 40 - 100V class 型 式 Device type 2SK4068-01 2SK3273-01MR 2SK3270-01 2SK3272-01L, S 2SK3272-01SJ 2SK4047-01S FMY100N06T ※1 2SK3271-01 2SK3730-01MR 2SK3804-01S FMC80N10R6 FMY100N10R6 ※1 ＊1 RDS (on) : VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 40 60 60 60 60 60 60 60 75 75 100 100 Amps. 70 70 80 80 80 80 100 100 70 70 80 100 Amps. 280 280 320 320 320 320 400 400 280 280 320 400 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.006 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0079 0.0085 0.0067 0.0067 PD ＊2 Watts 115 70 135 135 135 195 135 155 70 135 324 280 VGS Volts +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 ±20 ±20 +30/-20 +30/-20 VGS (th) typ. Volts 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 パッケージ Package TO-247 TO-220F TO-220 T-pack D2-pack T-pack TO-247 TO-3P TO-220F T-pack T-Pack TO-247 質 量 Net mass Grams 4.9 1.7 2.0 1.6 1.6 1.6 6.3 5.5 1.7 1.6 1.6 6.3 PD: TC=25°C ※1 FMY100N06T、FMY100N10R6は一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 FMY100N06T and FMY100N10R6 satis¿es the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 87 MOSFET ■ 自動車用トレンチMOSFET Automotive Trench Power MOSFET パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ） Automotive IPS series ( Intelligent Power Switches ) 自己保護機能 Self protection 型 式 Device type ● MOSFET ● F5044H F5045P F5106H F5112H ※3 F5062H F5072H F5018 F5019 F5020 F5033 F5041 F5042 F5043 F5048 F5055 F5063L Type High side High side High side High side High side High side Low side Low side Low side Low side Low side Low side Low side Low side Low side Low side ●：新製品 New Product 88 Channels 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2 2 1 1 1 2 2 ※1 RDS (on) : VDS=13V VGS ID Volts 50 50 50 50 35 35 40 40 40 40 40 40 40 80 40 40 Amps. 2.5 1 2 2 50 80 8 12 3 1 1 8 12 15 5.9 1.9 ※2 RDS (on) : VIN/VGS=5V RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.12 ※1 0.60 ※1 0.12 ※1 0.12 ※1 0.008 ※1 0.005 ※1 0.14 ※2 0.14 ※2 0.40 ※2 0.60 ※2 0.60 ※2 0.14 ※2 0.14 ※2 0.125 ※2 0.14 ※2 0.14 ※2 PD Watts 1.5 1.5 1.5 2 114 114 15 30 10 1.5 1.5 15 30 43 7.8 1.75 ※3 低待機電流品 パッケージ Package SOP-8 SOP-8 SOP-8 SOP-8 PSOP-12 PSOP-12 K-pack T-pack K-pack SOP-8 SOP-8 K-pack T-pack T-pack SSOP-20 SOP-8 質 量 Net mass Grams 0.2 0.2 0.2 0.2 0.4 0.4 0.6 1.6 0.6 0.2 0.2 0.6 1.6 1.6 0.3 0.2 備考 Remarks 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes 整流ダイオード Rectifier Diodes 富士電機の整流ダイオードは、低 VF 特性、低 IR などの特長 を有し、 電源の PFC 回路や二次側整流回路に対応が可能です。 Fuji Electric’s rectifier diodes have features such as low VF characteristics and low IR, and are compatible with PFC circuits of power supplies and secondary-side rectification circuits. ■ SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD 超低IR-SBD (Schottky-Barrier Diode) Ultra Low-IR SBD ■特長 Features Ɣ Guaranteed Tj=175°C Ɣ VF is same level and IR is reduced by less than 1/10. 接合部温度（Tj）175℃保証 従来品に対し VF は同等で、IR を 1/10 以下に低減 LLD (Low Loss Diode) Super LLD series for PFC circuit Super LLD-3（電流連続モード PFC 用） 従来品に対し高速化と低 VF 化を実現。 Super LLD-3 for CCM-PFC Ɣ Realize acceleration and low VF compaired with existing model. Super LLD-2（臨界モード PFC 用） 低 VF 特性による低損失化 ソフトリカバリーによる低ノイズ化 Super LLD-2 for DCM-PFC Ɣ Achieved low power loss by low VF Ɣ Achieved low noise by soft recovery ■型式の見方 Part numbers FDRW50C60L (example) F DR 社名 機種コード Company code Device code Fuji DR FWD W パッケージコード Package code P TO-220 TO-247 W 50 定格電流 Current ×1 C S C 極性 Polarity Single Cathode Common 60 定格電圧 Voltage 60 600V 120 1200V L 製品シリーズ Series Ultra Fast L Recovery Sort/Fast J Recovery 89 Diode ■特長 Features 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■型式の見方 Part numbers YA875C10R (example) YA パッケージコード Package code KP K-Pack (L) KS K-Pack (S) MS TFP PA TO-3P PG TO-3PF PH TO-247 TP T-Pack (L) TS T-Pack (S) YA TO-220 YG TO-220F 87 シリーズ Series 8x SBD 9x LLD 1 2 3 4 5 6 8 9 0 5 C 10 R 定格電流 Current 5A 10A 15A 15A 20A 30A 30A 40A 40A 極性 Polarity S Single Cathode C Common 定格電圧 Voltage 20V 30V 40V 60V LLD 80V 90V 100V 120V 150V 200V 付加コード Additional code R or RR 02 03 04 06 08 SBD 09 10 12 15 20 2 3 4 6 8 10 12 15 200V 300V 400V 600V 800V 1000V 1200V 1500V ■型式の見方 Part numbers ESAD92M02R (example) D 92 定格電流 Current ERA ≦1A ERB ≦2A リード ERC ≦3A ERD ERC ≦5A ESAB 5A-10A TOPKG ESAC 10A-20A ESAD 20A-30A シリーズ Series 8x SBD 9x LLD Diode ESA チップ構成 Chip ESA ツインチップ ER シングルチップ 90 M パッケージコード Package code 無し フィン M フルモールド SBD 004 006 009 02 R 電圧定格 Voltage 40V LLD 60V 90V 付加コード Additional code R or RR 02 03 200V 300V 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD) TO-220F Schottky-Barrier Diodes(SBD) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA) シングル 40 5 0.55 5 45 60 デュアル 20 30 40 60 90 100 10 5 15 7 5 5 10 20 30 5 10 15 20 30 5 5 10 20 30 0.60 0.59 0.63 0.39 0.47 0.55 0.55 0.6 0.53 0.58 0.58 0.58 0.58 0.58 0.9 0.8 0.8 0.8 0.8 2 5 20 10 5 5 5 15 8 5 5 5 15 3 5 0.7 1.2 2.5 20 K-Pack(L) K-Pack(S) TFP 型式 Device type KS826S04 YG811S04R YG812S04R YG811S06R YG804S06R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 40 5.0 (Tc=110℃) 40 5.0 (Tc=122℃) 45 10 (Tc=124℃) 60 5.0 (Tc=127℃) 60 15 (Tc=99℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 V =V R RRM 記号 Letter symbols VRRM ピーク繰返し逆電圧 VRSM ピーク非繰返し逆電圧 平均出力電流 IO サージ電流 IFSM 接合温度 Tj 周囲温度 Ta ケース温度 Tc 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 80 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 80 -40 to +150 120 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Rth (j-c) Max. Volts Max.mA ℃/W 0.55 (IF=5.0A) 5 10 5 5.0 0.55 (IF=5.0A) 2 2.5 0.6 (IF=10A) 5 5.0 0.59 (IF=5.0A) 20 2.2 0.63 (IF=15A) パッケージ Package K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM ＊1 ＊2 Repetitive peak reverse voltage Non-repetitive peak reverse voltage Average output current Surge current Junction temperature Ambient temperature Case temperature Tstg VFM IRRM trr Rth (j-c) Tl IF(AV) 保存温度 順電圧 逆電流 逆回復時間 熱抵抗 ( 接合ケース間 ) リード温度 平均順電流 Storage temperature Forward voltage Reverse current Reverse recovery time Thermal resistance (Junction to case) Lead temperature Average forward current 91 Diode シングル 1 in one-package 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD) デュアル 2 in one-package 型式 Device type KP883C02 KS883C02 KS823C03 KS823C04 YG801C04R YG802C04R YG805C04R YG838C04R MS838C04 YG801C06R YG802C06R YG803C06R YG805C06R MS808C06 KS823C09 YG801C10R YG802C10R YG805C10R YG808C10R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 20 7.0 (Tc=89℃) 20 7.0 (Tc=89℃) 30 5.0 (Tc=117℃) 40 5.0 (Tc=107℃) 40 5.0 (Tc=125℃) 40 10 (Tc=110℃) 40 20 (Tc=100℃) 40 30 (Tc=85℃) 40 30 (Tc=111℃) 60 5.0 (Tc=125℃) 60 10 (Tc=118℃) 60 15 (Tc=94℃) 60 20 (Tc=108℃) 60 30 (Tc=118℃) 90 5.0 (Tc=100℃) 100 5.0 (Tc=117℃) 100 10 (Tc=102℃) 100 20 (Tc=91℃) 100 30 (Tc=80℃) Diode ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. １チップあたり ＊3 I =0.5Io １チップあたり F ＊4 V =V R RRM １チップあたり 92 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 60 -40 to +125 60 -40 to +125 60 -40 to +150 60 -40 to +150 100 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 180 -40 to +150 180 -40 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 80 -40 to +150 150 -40 to +150 60 -40 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 180 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.mA 0.39 (IF=2.5A) 10 10 0.39 (IF=2.5A) 5 0.47 (IF=2.5A) 5 0.55 (IF=2.5A) 5 0.55 (IF=2.0A) 5 0.55 (IF=4.0A) 15 0.6 (IF=10A) 8 0.53 (IF=12.5A) 8 0.53 (IF=12.5A) 5 0.58 (IF=2.0A) 5 0.58 (IF=4.0A) 5 0.58 (IF=6.0A) 15 0.58 (IF=8.0A) 3 0.58 (IF=12.5A) 5 0.9 (IF=2.5A) 0.7 0.8 (IF=1.5A) 1.2 0.8 (IF=3.0A) 2.5 0.8 (IF=5.0A) 20 0.8 (IF=10A) パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 10.0 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 1.2 5.0 3.5 3.0 2.5 1.2 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 K-Pack(L) K-pack(S) K-pack(S) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TFP TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TFP K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 I =0.5Io per element F ＊4 V =V R RRM per element 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 0.8 1.7 1.7 1.7 1.7 0.8 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 整流ダイオード/Rectifier Diodes 5 ■ 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes 結線 デュアル VRRM (V) 100 120 150 200 Io (A) 10 20 30 10 20 30 10 20 30 10 20 30 VF (V) 0.82 0.86 0.86 0.84 0.88 0.88 0.86 0.89 0.89 0.89 0.93 0.93 IR (mA) 0.015 0.02 0.03 0.015 0.02 0.03 0.015 0.02 0.03 0.015 0.02 0.03 TO-220 TO-220F 型式 Device type YG872C10R YA872C10R YG875C10R YA875C10R YG878C10R YA878C10R YG872C12R YA872C12R YG875C12R YA875C12R YG878C12R YA878C12R YG872C15R YA872C15R YG875C15R YA875C15R YG878C15R YA878C15R YG872C20R YA872C20R YG875C20R YA875C20R YG878C20R YA878C20R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 100 10 (Tc=146℃) 100 10 (Tc=158℃) 100 20 (Tc=131℃) 100 20 (Tc=144℃) 100 30 (Tc=122℃) 100 30 (Tc=142℃) 120 10 (Tc=143℃) 120 10 (Tc=158℃) 120 20 (Tc=127℃) 120 20 (Tc=144℃) 120 30 (Tc=116℃) 120 30 (Tc=141℃) 150 10 (Tc=144℃) 150 10 (Tc=157℃) 150 20 (Tc=130℃) 150 20 (Tc=143℃) 150 30 (Tc=120℃) 150 30 (Tc=140℃) 200 10 (Tc=143℃) 200 10 (Tc=157℃) 200 20 (Tc=127℃) 200 20 (Tc=141℃) 200 30 (Tc=116℃) 200 30 (Tc=138℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊3 正弦波 10ms. １チップあたり IF=0.5Io １チップあたり ＊4 V =V R RRM １チップあたり ＊2 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ Characteristics Package VFM＊3 IRRM＊4 Rth (j-c) Max. Volts Max.mA ℃/W 0.82 3.5 TO-220F 0.015 0.82 0.015 2.0 TO-220 0.86 0.020 2.5 TO-220F 0.86 0.020 1.75 TO-220 0.86 0.030 2.0 TO-220F 0.86 0.030 1.25 TO-220 0.84 0.015 3.5 TO-220F 0.84 0.015 2.0 TO-220 0.88 0.020 2.5 TO-220F 0.88 0.020 1.75 TO-220 0.88 0.030 2.0 TO-220F 0.88 0.030 1.25 TO-220 0.86 0.015 3.5 TO-220F 0.86 0.015 2.0 TO-220 0.89 0.020 2.5 TO-220F 0.89 0.020 1.75 TO-220 0.89 0.030 2.0 TO-220F 0.89 0.030 1.25 TO-220 0.89 0.015 3.5 TO-220F 0.89 0.015 2.0 TO-220 0.93 0.020 2.5 TO-220F 0.93 0.020 1.75 TO-220 0.93 0.030 2.0 TO-220F 0.93 0.030 1.25 TO-220 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊3 I =0.5Io per element Sine wave, 10ms per element F ＊4 V =V R RRM per element ＊1 ＊2 93 Diode デュアル 2 in one-package 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes Low IR Schottky-Barrier Diodes TO-220 TO-220F 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR (mA) シングル 120 5 0.88 0.15 デュアル 150 45 60 80 100 120 Diode 150 5 20 30 10 20 30 40 10 20 30 40 10 20 30 40 10 20 30 30 40 10 20 30 40 0.9 0.63 0.63 0.68 0.74 0.74 0.7 0.76 0.76 0.76 0.71 0.86 0.86 0.86 0.82 0.88 0.88 0.88 1.01 0.95 0.9 0.9 0.9 0.97 0.15 0.175 0.2 0.15 0.175 0.2 0.2 0.15 0.175 0.2 0.2 0.15 0.175 0.2 0.2 0.15 0.15 0.2 0.2 0.2 0.15 0.15 0.2 0.2 TO-3P (Q) TO-3PF TO-247 T-Pack(L) T-Pack(S) TFP シングル 1 in one-package 型式 Device type YG861S12R YG861S15R ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 I =Io F 94 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 120 5 (Tc=104℃) 150 5 (Tc=94℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 75 -40 to +150 75 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ Characteristics Package VFM＊3 IRRM＊4 Rth (j-c) Max. Volts Max.mA ℃/W 0.88 0.15 5.0 TO-220F 0.90 0.15 5.0 TO-220F ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 I =Io F ＊1 ＊4 VR=VRRM ＊4 VR=VRRM 質 量 Net mass Grams 1.7 1.7 整流ダイオード/Rectifier Diodes 5 ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes 型式 Device type YG865C04R YA865C04R TS865C04R MS865C04 YG868C04R YA868C04R TS868C04R MS868C04 YG862C06R YA862C06R TS862C06R YG865C06R YA865C06R TS865C06R YG868C06R YA868C06R TS868C06R YG869C06R YA869C06R TP869C06R YG862C08R YA862C08R TS862C08R MS862C08 YG865C08R YA865C08R TS865C08R MS865C08 YG868C08R YA868C08R TS868C08R YG869C08R YA869C08R TP869C08R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 45 20 (Tc=115℃) 45 20 (Tc=126℃) 45 20 (Tc=126℃) 45 20 (Tc=125℃) 45 30 (Tc=105℃) 45 30 (Tc=122℃) 45 30 (Tc=122℃) 45 30 (Tc=122℃) 60 10 (Tc=124℃) 60 10 (Tc=136℃) 60 10 (Tc=136℃) 60 20 (Tc=109℃) 60 20 (Tc=122℃) 60 20 (Tc=122℃) 60 30 (Tc=101℃) 60 30 (Tc=119℃) 60 30 (Tc=119℃) 60 40 (Tc=105℃) 60 40 (Tc=114℃) 60 40 (Tc=114℃) 80 10 (Tc=109℃) 80 10 (Tc=126℃) 80 10 (Tc=126℃) 80 10 (Tc=115℃) 80 20 (Tc=89℃) 80 20 (Tc=107℃) 80 20 (Tc=107℃) 80 20 (Tc=108℃) 80 30 (Tc=72℃) 80 30 (Tc=105℃) 80 30 (Tc=105℃) 80 40 (Tc=86℃) 80 40 (Tc=98℃) 80 40 (Tc=98℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.mA 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.20 0.63 0.20 0.63 0.20 0.63 0.20 0.68 0.15 0.68 0.15 0.68 0.15 0.74 0.175 0.74 0.175 0.74 0.175 0.74 0.20 0.74 0.20 0.74 0.20 0.70 0.20 0.70 0.20 0.70 0.20 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.20 0.76 0.20 0.76 0.20 0.71 0.20 0.71 0.20 0.71 0.20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.25 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 3.5 2.0 2.0 3.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-Pack(L) TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-Pack(L) 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊1 ＊2 95 Diode デュアル 2 in one-package 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes デュアル 2 in one-package Diode 型式 Device type YG862C10R YA862C10R TS862C10R YG865C10R YA865C10R TS865C10R MS865C10 YG868C10R YA868C10R TS868C10R TP868C10R MS868C10 PA868C10R YG869C10R YA869C10R TP869C10R YG862C12R YA862C12R TP862C12R TS862C12R YG865C12R YA865C12R PH865C12 TP865C12R TS865C12R MS865C12 YG868C12R YA868C12R PH868C12 TS868C12R MS868C12 YG869C12R YA869C12R YG862C15R YA862C15R TP862C15R TS862C15R YG865C15R PH865C15 PG865C15R YA865C15R TP865C15R TS865C15R MS865C15 YG868C15R YA868C15R TS868C15R MS868C15 PA868C15R PH868C15 YG869C15R YA869C15R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 100 10 (Tc=118℃) 100 10 (Tc=132℃) 100 10 (Tc=132℃) 100 20 (Tc=103℃) 100 20 (Tc=117℃) 100 20 (Tc=117℃) 100 20 (Tc=117℃) 100 30 (Tc=91℃) 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=114℃) 100 30 (Tc=107℃) 100 40 (Tc=94℃) 100 40 (Tc=105℃) 100 40 (Tc=105℃) 120 10 (Tc=122℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 20 (Tc=116℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 30 (Tc=116℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=115℃) 120 40 (Tc=95℃) 120 40 (Tc=104℃) 150 10 (Tc=117℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 20 (Tc=101℃) 150 20 (Tc=109℃) 150 20 (Tc=80℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 30 (Tc=113℃) 150 30 (Tc=119℃) 150 30 (Tc=119℃) 150 30 (Tc=113℃) 150 30 (Tc=129℃) 150 30 (Tc=129℃) 150 40 (Tc=90℃) 150 40 (Tc=100℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり 96 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 -40 to +150 75 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.mA 0.86 0.15 0.86 0.15 0.86 0.15 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.82 0.20 0.82 0.20 0.82 0.20 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.95 0.20 0.95 0.20 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.97 0.20 0.97 0.20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.25 1.2 1.5 1.2 1.0 1.0 3.00 1.20 1.50 1.50 1.75 1.25 1.50 1.25 1.25 1.25 1.20 1.00 1.20 1.00 1.20 1.20 1.00 3.00 1.50 1.50 1.50 1.75 1.50 2.50 1.25 1.25 1.25 1.25 1.20 1.00 1.00 1.20 1.20 1.20 1.20 1.00 TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 T-pack(S) T-Pack(L) TFP TO-3P(Q) TO-220F TO-220 T-Pack(L) TO-220F TO-220 T-Pack(L) T-pack(S) TO-220F TO-220 TO-247 T-Pack(L) T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 TO-247 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 TO-220F TO-220 T-Pack(L) T-pack(S) TO-220F TO-247 TO-3PF TO-220 T-Pack(L) T-pack(S) TFP TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-3P TO-247 TO-220F TO-220 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊1 ＊2 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.6 0.8 5.1 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 2.0 4.9 1.6 1.6 0.8 1.7 2.0 4.9 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 4.9 6.0 2.0 1.6 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 5.5 4.9 1.7 2.0 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ スーパー LLD 2 ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD 2 (Critical mode PFC) Super LLD 2 (Critical mode PFC) 結線 VRRM (V) シングル 600 デュアル 800 600 Io (A) 8 10 5 10 VF (V) 1.55 1.55 2.2 1.55 IR(A) 10 10 10 10 Trr (sec) 0.05 0.05 0.05 0.05 TO-220 TO-220F TO-247 シングル 1 in one-package 型式 Device type YA971S6R YG971S6R YA972S6R YG972S6R YG971S8R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 IFSM＊2 Volts Amps. Amps. 600 70 8 (Tc=116℃) 600 70 8 (Tc=89℃) 600 100 10 (Tc=115℃) 600 100 10 (Tc=89℃) 800 60 5 (Tc=93℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 V =V R RRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 1.55 (IF=8A) 10 1.55 (IF=8A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 2.2 (IF=5A) 10 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Rth (j-c) ℃/W 2.5 4.5 2.0 3.5 4.5 TO-220 TO-220F TO-220 TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 1.7 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 V =V R RRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F デュアル 2 in one-package YA975C6R YG975C6R PH975C6 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 IFSM＊2 Volts Amps. Amps. 600 20 (Tc=106℃) 100 600 100 20 (Tc=89℃) 600 100 20 (Tc=97℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 V =V R RRM 1チップあたり ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.05 0.05 0.05 Rth (j-c) ℃/W 1.25 1.75 1.5 TO-220 TO-220F TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 4.9 Diode 型式 Device type ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊3 V =V ＊2 Sine wave, 10ms per element R RRM per element ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 97 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ スーパー LLD 3 ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD 3 (Continuous mode PFC) Super LLD 3 (Continuous mode PFC) 結線 VRRM (V) Io (A) シングル 600 8 デュアル 600 10 16 20 VF (V) IR(A) Trr (sec) 3 25 0.026 3 30 0.028 3 25 0.026 3 30 0.028 TO-220 TO-220F TO-247 T-Pack (S) シングル 1 in one-package 型式 Device type YA981S6R YG981S6R YA982S6R YG982S6R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 600 8 (Tc=99℃) 600 8 (Tc=58℃) 600 10 (Tc=99℃) 600 10 (Tc=60℃) IFSM＊2 Amps. 40 40 50 50 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 V =V R RRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.026 0.026 0.028 0.028 Rth (j-c) ℃/W 2.5 4.5 2.0 3.5 TO-220 TO-220F TO-220 TO-220F 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F デュアル 2 in one-package Diode 型式 Device type YA982C6R TS982C6R YG982C6R YA985C6R TS985C6R YG985C6R PH985C6 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 600 16 (Tc=88℃) 600 16 (Tc=88℃) 600 16 (Tc=68℃) 600 20 (Tc=86℃) 600 20 (Tc=86℃) 600 20 (Tc=60℃) 600 20 (Tc=73℃) IFSM＊2 Amps. 40 40 40 50 50 50 50 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 V =V R RRM 1チップあたり ＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 98 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) 3.0 (IF=10A) 30 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.026 0.026 0.026 0.028 0.028 0.028 0.028 Rth (j-c) ℃/W 1.5 1.5 2 1.25 1.25 1.75 1.5 TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 4.9 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty 1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 V =V R RRM per element ＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(A) Trr (sec) シングル 200 5 0.95 100 0.035 デュアル 300 200 300 10 5 5 10 20 5 10 20 0.98 1.2 0.95 0.95 0.98 1.2 1.2 1.2 200 100 100 100 200 100 100 200 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 TO-220F K-Pack(L) K-Pack(S) TFP シングル 1 in one-package KP926S2 KS926S2 YG911S2R YG912S2R YG911S3R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 5 (Tc=106℃) 200 5 (Tc=106℃) 200 5 (Tc=134℃) 200 10 (Tc=116℃) 300 5 (Tc=128℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 70 -40 to +150 70 -40 to +150 50 -40 to +150 80 -40 to +150 40 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 I =Io ＊4 V =V F R RRM ＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.μA 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.98 200 1.2 100 パッケージ Package trr＊5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty 1/2 Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io ＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 3.5 3.5 3.5 K-Pack(L) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 ＊1 ＊2 ＊4 VR=VRRM Diode 型式 Device type デュアル 2 in one-package 型式 Device type KP923C2 KS923C2 YG901C2R YG902C2R YG906C2R MS906C2 YG901C3R YG902C3R MS906C3 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 5 (Tc=103℃) 200 5 (Tc=103℃) 200 5 (Tc=120℃) 200 10 (Tc=115℃) 200 20 (Tc=102℃) 200 20 (Tc=105℃) 300 5 (Tc=105℃) 300 10 (Tc=101℃) 300 20 (Tc=95℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 50 -40 to +150 50 -40 to +150 25 -40 to +150 50 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 25 -40 to +150 40 -40 to +150 80 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.μA 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.98 200 0.98 200 1.2 100 1.2 100 1.2 200 パッケージ Package trr＊5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 5.0 3.5 2.0 K-Pack(L) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TFP TO-220F TO-220F TFP 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 0.8 1.7 1.7 0.8 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F ＊1 99 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) TO-220 Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) TO-220F TO-3PF T-Pack (S) K-Pack (S) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(A) Trr (sec) シングル 300 5 1.3 20 0.04 デュアル 400 300 400 5 10 20 10 20 1.45 1.3 1.3 1.45 1.45 20 20 35 20 35 0.05 0.04 0.04 0.05 0.05 TFP シングル 1 in one-package 型式 Device type KS986S3 KS986S4 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 300 5 (Tc=128℃) 400 5 (Tc=125℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 90 -40 to +150 80 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 I =Io ＊4 V =V F R RRM ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.μA 1.3 20 1.45 20 パッケージ Package trr＊5 μsec. 0.04 0.05 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 I =Io per element F ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F Rth (j-c) ℃/W 3.5 3.5 K-pack(S) K-pack(S) 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 ＊1 ＊4 VR=VRRM Diode デュアル 2 in one-package 型式 Device type YG982C3R YA982C3R TS982C3R YG985C3R YA985C3R TS985C3R MS985C3 PG985C3R YG982C4R YA982C4R TS982C4R YG985C4R YA985C4R TS985C4R MS985C4 PG985C4R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 300 10 (Tc=112℃) 300 10 (Tc=128℃) 300 10 (Tc=128℃) 300 20 (Tc=105℃) 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=73℃) 400 10 (Tc=107℃) 400 10 (Tc=125℃) 400 10 (Tc=125℃) 400 20 (Tc=100℃) 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=64℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 90 -40 to +150 90 -40 to +150 90 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 100 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max. Volts Max.μA 1.3 20 1.3 20 1.3 20 1.3 35 1.3 35 1.3 35 1.3 35 1.3 35 1.45 20 1.45 20 1.45 20 1.45 35 1.45 35 1.45 35 1.45 35 1.45 35 パッケージ Package trr＊5 μsec. 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.04 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 0.05 Rth (j-c) ℃/W 3 1.75 1.75 1.75 1.25 1.25 1.25 3 3 1.75 1.75 1.75 1.25 1.25 1.25 3 TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-3PF TO-220F TO-220 T-pack(S) TO-220F TO-220 T-pack(S) TFP TO-3PF 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 6.0 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 6.0 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 5 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD) TO-3P(Q) Schottky-Barrier Diodes (SBD) 結線 VRRM (V) Io (A) VF (V) IR(A) 40 10 0.55 5 シングル / 20 0.6 15 デュアル 60 30 30 0.55 0.58 20 20 TO-3PF T-Pack (S) T-Pack (L) シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package 型式 Device type TP802C04R TS802C04R TS805C04R ESAD83M-004RR ESAD83-004R ESAD83M-006RR TS808C06R ESAD83-006R 絶対最大定格 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 40 10 (Tc=116℃) 40 10 (Tc=116℃) 40 20 (Tc=110℃) 40 30 (Tc=105℃) 40 30 (Tc=118℃) 60 30 (Tc=106℃) 60 30 (Tc=115℃) 60 30 (Tc=119℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊4 V =V R RRM 1チップあたり 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM＊3 IRRM＊4 Max.mA Max. Volts 5 0.55 (IF=4.0A) 0.55 (IF=4.0A) 5 0.6 (IF=10A) 15 0.55 (IF=12.5A) 20 0.55 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3.0 3.0 2.0 1.7 1.2 1.7 1.2 1.2 質 量 Net mass Grams 1.6 1.6 1.6 6.0 5.5 6.0 1.6 5.5 T-Pack(L) T-pack(S) T-pack(S) TO-3PF TO-3P TO-3PF T-pack(S) TO-3P ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊4 V =V R RRM per element forward current of centertap full wave conne