総合カタログ 富士電機半導体 )8-,6(0,&21'8&7256 $: CONTENTS Page 1. パワーデバイス /Power Devices (IGBT) IGBT モジュールの特長 IGBT モジュールＶシリーズ 高速 IGBT モジュール IGBT モジュール U シリーズ V-IPM シリーズ 小容量 IPM シリーズ ディスクリート IGBT V シリーズ HEV 用 IGBT IPM の特長 Features of the IGBT Module......................................................................2 IGBT Modules V series ...............................................................................3 High Speed IGBT Modules ..........................................................................8 IGBT Modules U series...............................................................................9 V-IPM series (Intelligent Power Modules) .............................................. 12 Fuji IPM "Compact" series (Intelligent Power Modules) ...................... 13 Discrete IGBTs V series ........................................................................... 14 Features of IGBT IPM for Hybrid Electric Vehicle................................ 15 2. 集積回路 /Integrated Circuits AC/DC 電源制御用 IC の特長 AC/DC 電源制御用 IC ハイサイド・ローサイドドライバ IC DC/DC 電源制御用 IC Features of AC/DC Power Supply control ICs ..................................... 16 AC/DC Power Supply control ICs .......................................................... 18 High and Low side driver IC (HVIC)........................................................ 26 DC/DC Power Supply control ICs .......................................................... 27 3. パワー MOSFET/Power MOSFETs Super J-MOSTM シリーズの特長 Super FAP-E3, E3S シリーズの特長 Super FAP-G シリーズの特長 Super J-MOSTM シリーズ Super FAP-E3 シリーズ Super FAP-E3S 低 Qg シリーズ Super FAP-G シリーズ 中耐圧トレンチ シリーズ FAP-III シリーズ（P チャネル） FAP-IIIB シリーズ 自動車用トレンチ MOSFET 自動車用 Super FAP-E3S 低 Qg シリーズ 自動車用 Super FAP-E3S 低 Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ 自動車用 Super J-MOSTM シリーズ 自動車用高機能パワー MOSFET 自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ） Features of the Super J-MOSTM series ................................................... 29 Features of the Super FAP-E3, E3S series .............................................. 30 Features of the Super FAP-G series ....................................................... 30 Super J-MOSTM series ............................................................................... 32 Super FAP-E3 series .................................................................................. 33 Super FAP-E3S Low Qg series ................................................................. 36 Super FAP-G series ................................................................................... 37 Trench Power MOSFET............................................................................ 42 FAP-III series (P channel) ......................................................................... 43 FAP-IIIB series ............................................................................................ 43 Automotive Trench Power MOSFET....................................................... 44 Automotive Super FAP-E3S Low Qg series ............................................ 44 Automotive Super FAP-E3S Low Qg Built-in FRED series ................... 44 Automotive Super J-MOSTM series .......................................................... 45 Automotive Intelligent Power MOSFET .................................................. 45 Automotive IPS series (Intelligent Power Switches) ............................. 45 4. 整流ダイオード /Rectifier Diodes SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD ........................................................................ 46 ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD) ................................................................ 47 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes ..................................................... 50 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes .....................................................................51 スーパー LLD II ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD II (Critical mode PFC) ........................................................... 54 スーパー LLD III ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD III (Continuous mode PFC) ................................................... 55 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) .................................................. 56 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) .......................................... 57 ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD) ................................................................ 58 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) .................................................. 58 低 IR 高速ダイオード Low-IR Fast Recovery Diodes .................................................................. 59 600V 超高速ダイオード Ultra Fast Recovery Diodes ..................................................................... 60 1200V 低ノイズ高速ダイオード Soft Recovery Fast Recovery Diodes ..................................................... 60 5. 圧力センサ /Pressure Sensors 圧力センサ 外形図 注文単位 型式索引 保守移行機種 廃型機種 お知らせ Pressure Sensors ....................................................................................... 61 Dimensions ...................................................................................................................................... 62 Order Quantity .............................................................................................................................. 77 Type Number Index .................................................................................................................. 78 Maintenance products ............................................................................................................ 82 Discontinued products ........................................................................................................... 83 Information ....................................................................................................................................... 84 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュールの特長 Features of the IGBT Module 第6世代IGBTモジュール Vシリーズ 6th Gen. IGBT Module V-series ■特長 Features パッケージ小型化と出力のパワー UP を実現！ ・高性能、低損失な第六世代 IGBT チップ・FWD を使用 ・Tj max175℃、連続動作保証 150℃ 環境に優しいモジュール ・豊富な組立性、ハンダレス組立への対応 ・RoHS 対応 ターンオン特性 ・ノイズ−損失トレードオフの改善 ・dv/dt, dic/dt 低減によるノイズ・振動の抑制 ターンオフ特性 ・ソフトスイッチング特性・ターンオフ振動の抑制 A compact design allows for greater power output · High performance 6th gen. IGBT/FWD chipset · Tj(max.)=175°C, Tj(op)=150°C 125 600V-100A (chip level) 25°C 25°C Environmentally friendly modules · Easy assemblage, solder free options · RoHS compliant V-IGBT Von=1.90V Collector Current [A] 100 Turn-on switching characteristics · Improved noise-loss trade-off · Reduced turn-on dv/dt, excellent turn-on dic/dt Turn-off switching characteristic · Soft switching behavior, turn-off oscillation free 125°C 125°C 75 U-IGBT Von=2.00V 50 25 0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 On-state voltage drop [V] EP2 and EP3 Lineup U,U4 series 1200V 25A EP2 35A 50A A B EP2XT V series M/P N/R EP2XT W/Y EP2XT M/N/W/X EP3XT EP3 入出力端子配置 In/Out Pin Layout X/Z EP3XT EP3XT 75A 100A Legacy Pin Layout 2 New Pin Layout Solderless R S T INPUT R INPUT Power Flow REC 150A P/R/Y/Z S INV W U V OUTPUT T Power Flow REC INV OUTPUT U V W パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュールＶシリーズ IGBT Modules V series Vシリーズ PIM（コンバータ部・ブレーキ部内蔵） EconoPIMTM 600V,1200Vクラス V series PIM/Built-in converter and brake EconoPIMTM 600,1200 volts class 型 式 Device type 7MBR50VP060-50 7MBR75VP060-50 7MBR100VP060-50 7MBR100VR060-50 7MBR150VR060-50 7MBR50VY060-50 7MBR75VY060-50 7MBR100VY060-50 7MBR100VZ060-50 7MBR150VZ060-50 7MBR50VA060-50 7MBR75VB060-50 7MBR100VB060-50 7MBR25VM120-50 7MBR35VM120-50 7MBR50VM120-50 7MBR50VN120-50 7MBR75VN120-50 7MBR100VN120-50 7MBR150VN120-50 7MBR25VY120-50 7MBR35VY120-50 7MBR50VY120-50 7MBR50VZ120-50 7MBR75VZ120-50 7MBR100VZ120-50 7MBR150VZ120-50 7MBR25VP120-50 7MBR35VP120-50 7MBR50VP120-50 7MBR50VR120-50 7MBR75VR120-50 7MBR100VR120-50 7MBR150VR120-50 7MBR25VW120-50 7MBR35VW120-50 7MBR50VW120-50 7MBR50VX120-50 7MBR75VX120-50 7MBR100VX120-50 7MBR150VX120-50 7MBR25VA120-50 7MBR35VA120-50 7MBR35VB120-50 7MBR50VB120-50 7MBR75VB120-50 インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts Amps. Watts Volts 600 50 200 1.6 600 75 300 1.6 600 100 430 1.85 600 100 335 1.6 600 150 485 1.6 600 50 215 1.6 600 75 300 1.6 600 100 430 1.85 600 100 335 1.6 600 150 485 1.6 600 50 200 1.6 600 75 300 1.6 600 100 335 1.6 1200 25 170 1.85 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 385 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 1200 25 170 1.85 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 385 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 1200 25 170 1.85 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 385 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 1200 25 170 1.85 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 385 1.85 1200 100 520 1.75 1200 150 885 1.85 1200 25 170 1.85 1200 35 210 1.85 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 1200 75 385 1.85 ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD] VCES IC VRRM Cont. Volts Amps. Volts 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 75 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 600 75 600 600 50 600 600 50 600 600 50 600 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 35 1200 1200 35 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 35 1200 1200 35 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 35 1200 1200 35 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 35 1200 1200 35 1200 1200 50 1200 1200 75 1200 1200 100 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 25 1200 1200 35 1200 1200 50 1200 コンバータ部 Converter [Diode] VRRM IO VFM IFSM Cont. Typ. Volts Amps. Volts Amps. 800 50 1.3 210 800 75 1.25 500 800 100 1.25 700 800 100 1.25 700 800 150 1.25 700 800 50 1.3 210 800 75 1.25 500 800 100 1.25 700 800 100 1.25 700 800 150 1.25 700 800 50 1.3 210 800 75 1.25 500 800 100 1.25 700 1600 25 1.4 155 1600 35 1.35 260 1600 50 1.35 360 1600 50 1.35 360 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 1600 25 1.42 155 1600 35 1.35 260 1600 50 1.35 360 1600 50 1.35 360 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 1600 25 1.4 155 1600 35 1.35 260 1600 50 1.35 360 1600 50 1.35 360 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 1600 25 1.4 155 1600 35 1.35 260 1600 50 1.35 360 1600 50 1.35 360 1600 75 1.4 520 1600 100 1.5 520 1600 150 1.4 780 1600 25 1.4 155 1600 35 1.35 260 1600 35 1.35 260 1600 50 1.35 360 1600 75 1.4 520 パッケージ Package M719 M719 M719 M720 M720 M721 M721 M721 M722 M722 M711 M712 M712 M719 M719 M719 M720 M720 M720 M720 M721 M721 M721 M722 M722 M722 M722 M719 M719 M719 M720 M720 M720 M720 M721 M721 M721 M722 M722 M722 M722 M711 M711 M712 M712 M712 質量 Net mass Grams 200 200 200 310 310 200 200 200 310 310 180 300 300 200 200 200 310 310 310 310 200 200 200 310 310 310 310 200 200 200 310 310 310 310 200 200 200 310 310 310 310 180 180 300 300 300 VCE (sat), VFM: at Tj=25℃, Chip 注 : EconoPIMTM は Infineon Technology 社の登録商標です。 Note: EconoPIMTM is registered trademarks of Infineon Technology AG, Germany. 記号 Letter symbols コレクタ・エミッタ間電圧 VCES: VGES: ゲート・エミッタ間電圧 IC: コレクタ電流 Collector-to-emitter rated voltage (Gate-to-emitter short-circuited) Gate-to-emitter rated voltage (Collector-to-emitter short-circuited) Rated collector current PC: VCE (sat): ton: toff: tf: 最大損失 コレクタ・エミッタ飽和電圧 ターンオン時間 ターンオフ時間 立下り時間 Maximum power dissipation Collector-to-emitter saturation voltage Turn-on time Turn-off time Fall time 3 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Vシリーズ IGBT Modules V series Vシリーズ ６個組 EconoPACKTM, EconoPACKTM+ 600V,1200V,1700Vクラス V series 6 in 1 package EconoPACKTM and EconoPACKTM+ 600,1200,1700 volts class 型 式 Device type 6MBI50VA-060-50 6MBI75VA-060-50 6MBI100VA-060-50 6MBI150VB-060-50 6MBI50VW-060-50 6MBI75VW-060-50 6MBI100VW-060-50 6MBI150VX-060-50 6MBI50VA-120-50 6MBI75VA-120-50 6MBI100VA-120-50 6MBI100VB-120-50 6MBI150VB-120-50 6MBI180VB-120-50 6MBI180VB-120-55 6MBI50VW-120-50 6MBI75VW-120-50 6MBI100VW-120-50 6MBI100VX-120-50 6MBI150VX-120-50 6MBI180VX-120-50 6MBI180VX-120-55 6MBI225V-120-50 6MBI300V-120-50 6MBI450V-120-50 6MBI550V-120-50 6MBI300V-170-50 6MBI450V-170-50 VCES VGES IC Cont. PC Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 Amps. 50 75 100 150 50 75 100 150 50 75 100 100 150 150 150 50 75 100 100 150 150 150 225 300 450 550 300 450 Watts 200 275 335 485 215 300 335 485 280 385 520 520 770 835 1075 280 385 520 520 770 835 1075 1070 1600 2250 2500 1665 2500 VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 50 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 75 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 100 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 150 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 50 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 75 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 100 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 150 0.36 1.2 0.52 1.2 0.03 0.45 1.6 50 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 75 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.75 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.75 150 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.75 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 50 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 75 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.75 100 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.75 150 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.75 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 200 0.39 1.2 0.53 1.0 0.06 0.3 1.85 225 0.55 1.05 0.11 1.85 300 0.55 1.05 0.11 1.75 450 0.55 1.05 0.11 1.75 600 0.55 1.05 0.11 1.85 300 0.90 1.30 0.10 2.00 450 0.90 1.30 0.10 2.00 注 : EconoPACKTM、EconoPACKTM+ は Infineon Technology 社の登録商標です。 6MBI180VB-120-55、6MBI180VX-120-55 は低熱抵抗パッケージ適用 Note: EconoPACKTM、and EconoPACKTM+ are registered trademarks of Infineon Technology AG, Germany. 6MBI180VB-120-55, 6MBI180VX-120-55; Premium type (Low Thermal Impedance Version) 4 パッケージ 質量 Package Net mass M636 M636 M636 M633 M647 M647 M647 M648 M636 M636 M636 M633 M633 M633 M633 M647 M647 M647 M648 M648 M648 M648 M629 M629 M629 M629 M629 M629 Grams 180 180 180 300 200 200 200 300 180 180 180 300 300 300 300 200 200 200 300 300 300 300 950 950 950 950 950 950 VCE (sat): at Tj=25℃, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Vシリーズ IGBT Modules V series Vシリーズ 小容量PIM（コンバータ部・ブレーキ部内蔵）600V,1200Vクラス V series Compact PIM/Built-in converter and brake 600,1200 volts class 型 式 Device type 7MBR10VKA060-50 7MBR15VKA060-50 7MBR20VKA060-50 7MBR30VKA060-50 7MBR50VKB060-50 7MBR10VKC060-50 7MBR15VKC060-50 7MBR20VKC060-50 7MBR30VKC060-50 7MBR50VKD060-50 7MBR10VKA120-50 7MBR15VKA120-50 7MBR15VKB120-50 7MBR25VKB120-50 7MBR35VKB120-50 7MBR10VKC120-50 7MBR15VKC120-50 7MBR15VKD120-50 7MBR25VKD120-50 7MBR35VKD120-50 インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts Amps. Watts Volts 600 10 65 1.70 600 15 80 1.70 600 20 90 1.70 600 30 115 1.70 600 50 180 1.60 600 10 65 1.70 600 15 80 1.70 600 20 90 1.70 600 30 115 1.70 600 50 180 1.60 1200 10 110 1.85 1200 15 135 1.90 1200 15 135 1.90 1200 25 180 1.85 1200 35 215 1.85 1200 10 110 1.85 1200 15 135 1.90 1200 15 135 1.90 1200 25 180 1.85 1200 35 215 1.85 ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD] コンバータ部 Converter [Diode] VCES IC VRRM VRRM IO VFM IFSM Cont. Cont. Typ. Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. 600 10 600 800 10 0.95 360 600 15 600 800 15 1.00 360 600 20 600 800 20 1.05 360 600 30 600 800 30 1.15 360 600 50 600 800 50 1.25 580 600 10 600 800 10 0.95 360 600 15 600 800 15 1.00 360 600 20 600 800 20 1.05 360 600 30 600 800 30 1.15 360 600 50 600 800 50 1.25 580 1200 10 1200 1600 10 0.95 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 25 1200 1600 25 1.00 370 1200 35 1200 1600 35 1.05 370 1200 10 1200 1600 10 0.95 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 15 1200 1600 15 1.00 245 1200 25 1200 1600 25 1.00 370 1200 35 1200 1600 35 1.05 370 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M726 25 M726 25 M726 25 M726 25 M727 45 M728 25 M728 25 M728 25 M728 25 M729 45 M726 25 M726 25 M727 45 M727 45 M727 45 M728 25 M728 25 M729 45 M729 45 M729 45 VCE (sat), VFM : at Tj=25℃, Chip 5 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Vシリーズ IGBT Modules V series Vシリーズ ２個組 600V,1200V,1700Vクラス V series 2 in 1 package 600,1200 1700 volts class 型 式 Device type 2MBI100VA-060-50 2MBI150VA-060-50 2MBI200VA-060-50 2MBI300VB-060-50 2MBI400VB-060-50 2MBI400VD-060-50 2MBI600VD-060-50 2MBI600VE-060-50 2MBI75VA-120-50 2MBI100VA-120-50 2MBI150VA-120-50 2MBI150VB-120-50 2MBI200VB-120-50 2MBI200VH-120-50 2MBI225VN-120-50 2MBI225VJ-120-50 2MBI300VD-120-50 2MBI300VH-120-50 2MBI300VE-120-50 2MBI300VN-120-50 2MBI300VJ-120-50 2MBI400VD-120-50 2MBI450VH-120-50 2MBI450VE-120-50 2MBI450VN-120-50 2MBI450VJ-120-50 2MBI600VE-120-50 2MBI600VN-120-50 2MBI600VJ-120-50 2MBI600VG-120P 2MBI800VG-120P 2MBI1200VG-120P 2MBI75VA-170-50 2MBI100VA-170-50 2MBI150VH-170-50 2MBI200VH-170-50 2MBI300VH-170-50 2MBI300VN-170-50 2MBI450VN-170-50 2MBI550VN-170-50 2MBI550VJ-170-50 2MBI600VG-170E 2MBI600VT-170E 2MBI800VG-170E 2MBI800VT-170E 2MBI1200VG-170E 2MBI1200VT-170E VCES VGES IC Cont. Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 Amps. Watts 100 330 150 480 200 640 300 1360 400 1970 400 1970 600 2940 600 2940 75 390 100 555 150 785 150 1070 200 1500 200 1110 225 1070 225 1070 300 2200 300 1600 300 2200 300 1595 300 1595 400 3330 450 2400 450 3350 450 2270 450 2270 600 4800 600 3750 600 3750 600 TBD 800 TBD 1200 TBD 75 555 100 665 150 1110 200 1250 300 1805 300 1665 450 2500 550 3750 550 3750 600 4410 600 4280 800 5760 800 5370 1200 7500 1200 7040 PC VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 1.60 100 0.65 0.60 0.04 1.60 150 0.65 0.60 0.04 1.60 200 0.65 0.60 0.04 1.60 300 0.65 0.60 0.07 1.60 400 0.65 0.60 0.07 1.60 400 0.65 0.60 0.07 1.60 600 0.75 0.75 0.07 1.60 600 0.75 0.75 0.07 1.85 75 0.60 0.60 0.04 1.85 100 0.60 0.60 0.04 1.85 150 0.60 0.60 0.04 1.85 150 0.60 0.80 0.08 1.75 200 0.60 0.80 0.08 1.75 200 0.60 0.80 0.08 1.85 225 0.55 1.05 0.11 1.85 225 0.55 1.05 0.11 1.85 300 0.60 0.80 0.08 1.75 300 0.60 0.80 0.08 1.85 300 0.60 0.80 0.08 1.75 300 0.55 1.05 0.11 1.75 300 0.55 1.05 0.11 1.75 400 0.60 0.80 0.08 1.80 450 0.60 0.80 0.08 1.80 450 0.60 0.80 0.08 1.75 450 0.55 1.05 0.11 1.75 450 0.55 1.05 0.11 1.75 600 0.60 0.80 0.08 1.85 600 0.55 1.05 0.11 1.85 600 0.55 1.05 0.11 TBD 600 TBD TBD TBD TBD 800 TBD TBD TBD TBD 1200 TBD TBD TBD 2.00 75 1.25 1.30 0.15 2.00 100 1.25 1.30 0.15 2.00 150 0.95 1.05 0.14 2.00 200 1.15 1.05 0.14 2.00 300 1.15 1.05 0.14 2.00 300 0.90 1.30 0.10 2.00 450 0.90 1.30 0.10 2.15 550 1.00 1.30 0.10 2.15 550 1.00 1.30 0.10 2.00 600 2.28 2.07 0.58 2.00 600 1.51 2.07 0.58 2.00 800 2.41 2.13 0.55 2.00 800 2.00 2.13 0.55 2.00 1200 2.76 2.29 0.33 2.00 1200 2.14 2.29 0.33 - パッケージ 質量 Package Net mass M263 M263 M263 M274 M274 M275 M275 M277 M263 M263 M263 M274 M274 M276 M254 M260 M275 M276 M277 M254 M260 M275 M276 M277 M254 M260 M277 M254 M260 M256 M256 M256 M263 M263 M276 M276 M276 M254 M254 M254 M260 M256 M278 M256 M278 M256 M278 Grams 180 180 180 240 240 370 370 470 180 180 180 240 240 370 350 360 370 370 470 350 360 370 370 470 350 360 470 350 360 1500 1500 1500 180 180 370 370 370 350 350 350 360 1500 900 1500 900 1500 900 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip 6 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Vシリーズ IGBT Modules V series Vシリーズ ２個組 PrimePACKTM 1200V,1700Vクラス V series 2 in 1 package PrimePACKTM 1200,1700 volts class 型 式 Device type 2MBI600VXA-120E-50 2MBI600VXA-120E-54 2MBI900VXA-120E-50 2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA-120P-50 2MBI900VXA-120P-54 2MBI1400VXB-120P-50 2MBI1400VXB-120P-54 2MBI650VXA-170E-50 2MBI650VXA-170E-54 2MBI1000VXB-170E-50 2MBI1000VXB-170E-54 2MBI1400VXB-170E-50 2MBI1400VXB-170E-54 2MBI1400VXB-170P-50 2MBI1400VXB-170P-54 VCES VGES IC Cont. PC Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 Amps. 600 600 900 900 900 900 1400 1400 650 650 1000 1000 1400 1400 1400 1400 Watts 3350 3350 5100 5100 5100 5100 7650 7650 4150 4150 6250 6250 8820 8820 8820 8820 VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 600 1.00 1.20 0.15 1.75 600 1.00 1.20 0.15 1.75 900 1.00 1.20 0.15 1.75 900 1.00 1.20 0.15 1.75 900 1.00 1.20 0.15 1.65 900 1.00 1.20 0.15 1.65 1400 1.00 1.20 0.15 1.65 1400 1.00 1.20 0.15 1.65 650 1.25 1.55 0.15 2.00 650 1.25 1.55 0.15 2.00 1000 1.25 1.55 0.15 2.00 1000 1.25 1.55 0.15 2.00 1400 1.25 1.55 0.15 2.15 1400 1.25 1.55 0.15 2.15 1400 1.35 1.80 0.20 1.90 1400 1.35 1.80 0.20 1.90 パッケージ 質量 Package Net mass Max. μsec. - 注 : PrimePACKTM は Infineon Technology 社の登録商標です。 M271 M271 M271 M271 M271 M271 M272 M272 M271 M271 M272 M272 M272 M272 M272 M272 Grams 850 850 850 850 850 850 1250 1250 850 850 1250 1250 1250 1250 1250 1250 VCE (sat): at Tj=25℃, Chip -54…Vsat 及び VF のランクをラベルに表示 Note: PrimePACKTM is registered trademark of Infineon Technology AG, Germany. -54···Attached to the lavel that discribed Vsat & VF classification Vシリーズ １個組 1200V,1700Vクラス V series 1 in 1 package 1200,1700 volts class 型 式 Device type 1MBI400V-120-50 1MBI400VF-120-50 1MBI600V-120-50 1MBI600VF-120-50 1MBI900V-120-50 1MBI1200VC-120P 1MBI1600VC-120P 1MBI2400VC-120P 1MBI2400VD-120P 1MBI3600VD-120P 1MBI1200VC-170E 1MBI1200VR-170E 1MBI1600VC-170E 1MBI1600VR-170E 1MBI2400VC-170E 1MBI2400VR-170E 1MBI2400VD-170E 1MBI2400VS-170E 1MBI3600VD-170E 1MBI3600VS-170E VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 IC Cont. PC Amps. 400 400 600 600 900 1200 1600 2400 2400 3600 1200 1200 1600 1600 2400 2400 2400 2400 3600 3600 Watts 2410 3330 3000 4680 4280 TBD TBD TBD TBD TBD 8820 8570 11700 10710 15000 14010 17640 16120 22380 21120 VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 400 0.60 1.10 0.14 1.75 400 0.60 1.10 0.14 1.75 600 0.70 0.90 0.10 1.75 600 0.70 0.90 0.10 1.75 900 0.70 0.85 0.10 1.90 1200 TBD TBD TBD TBD 1600 TBD TBD TBD TBD 2400 TBD TBD TBD TBD 2400 TBD TBD TBD TBD 3600 TBD TBD TBD TBD 1200 2.18 2.20 0.45 2.00 1200 1.51 2.20 0.45 2.00 1600 2.28 2.17 0.40 2.00 1600 1.83 2.17 0.40 2.00 2400 2.63 2.41 0.38 2.00 2400 2.51 2.41 0.38 2.00 2400 2.30 2.22 0.43 2.00 2400 2.09 2.22 0.43 2.00 3600 2.27 2.67 0.31 2.00 3600 2.70 2.66 0.32 2.00 パッケージ 質量 Package Net mass M153 M153 M153 M153 M153 M151 M151 M151 M152 M152 M151 M155 M151 M155 M151 M155 M152 M156 M152 M156 Grams 380 380 380 380 380 1500 1500 1500 2300 2300 1500 900 1500 900 1500 900 2300 1300 2300 1300 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip 7 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Vシリーズ IGBT Modules V series Vシリーズ チョッパー PrimePACKTM 1200V,1700Vクラス V series Chopper PrimePACKTM 1200V,1700 volts class VCES 型 式 Device type 1MBI1400VXB-120PL-54 1MBI1400VXB-120PH-54 1MBI650VXA-170EL-50 1MBI650VXA-170EL-54 1MBI650VXA-170EH-50 1MBI650VXA-170EH-54 1MBI1000VXB-170EL-50 1MBI1000VXB-170EL-54 1MBI1000VXB-170EH-50 1MBI1000VXB-170EH-54 VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 IC Cont. PC Amps. 1400 1400 650 650 650 650 1000 1000 1000 1000 Watts 7650 7650 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 1400 1.00 1.20 0.15 1.65 1400 1.00 1.20 0.15 1.65 650 1.25 1.55 0.15 2.00 650 1.25 1.55 0.15 2.00 650 1.25 1.55 0.15 2.00 650 1.25 1.55 0.15 2.00 1000 1.25 1.55 0.15 2.00 1000 1.25 1.55 0.15 2.00 1000 1.25 1.55 0.15 2.00 1000 1.25 1.55 0.15 2.00 パッケージ 質量 Package Net mass M272 M272 M271 M271 M271 M271 M272 M272 M272 M272 Grams 1250 1250 850 850 850 850 1250 1250 1250 1250 VCE (sat): at Tj=25℃, Chip 注 : PrimePACKTM は Infineon Technology 社の登録商標です。 -54…Vsat 及び VF のランクをラベルに表示 Note: PrimePACKTM is registered trademark of Infineon Technology AG, Germany. -54···Attached to the lavel that discribed Vsat & VF classification Vシリーズ アドバンスドNPC ３レベル回路用 600V,1200Vクラス V series for Advanced NPC 3-level Circuits 600,1200 volts class（Advanced Neutral-Point-Clamped） ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ 型 式 Device type T1, T2 VCES 4MBI400VG-060R-50 4MBI300VG-120R-50 4MBI450VB-120R1-50 4MBI650VB-120R1-50 4MBI900VB-120R1-50 12MBI50VN-120-50 12MBI50VX-120-50 12MBI75VN-120-50 12MBI75VX-120-50 12MBI100VN-120-50 12MBI100VX-120-50 Volts 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 ▲ 開発中 IC Cont. Amps. 400 300 450 650 900 50 50 75 75 100 100 PC Watts 1135 1250 TBD TBD TBD 235 235 320 320 430 430 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts Amps. 400 1.60 300 1.85 450 TBD 650 TBD 900 TBD 50 1.85 50 1.85 75 1.85 75 1.85 100 1.75 100 1.75 T3, T4 VCES Volts 600 600 900 900 900 600 600 600 600 600 600 IC Cont. Amps. 400 300 450 650 900 50 50 75 75 100 100 PC Watts 1560 1250 TBD TBD TBD 230 230 305 305 400 400 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts Amps. 2.45 400 2.45 300 TBD 450 TBD 650 TBD 900 TBD 50 TBD 50 TBD 75 TBD 75 2.45 100 2.45 100 パッケージ Package M403 M403 TBD TBD TBD M1203 M1202 M1203 M1202 M1203 M1202 質量 Net mass 460 460 TBD TBD TBD 302 304 302 304 302 304 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip Under development ■ 高速IGBTモジュール High Speed IGBT Modules 高速 2個組 1200Vクラス High Speed 2 in 1 package 1200 volts class VCES VGES IC Cont. PC Volts 2MBI100HB-120-50 1200 2MBI150HH-120-50 1200 2MBI200HH-120-50 1200 Volts ±20 ±20 ±20 Amps. 100 150 200 Watts 1040 1390 1790 型 式 Device type VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 3.10 100 0.30 0.60 0.05 0.20 3.20 150 0.30 0.60 0.05 0.20 3.10 200 0.30 0.60 0.05 0.20 高速 チョッパー 1200Vクラス High Speed Chopper 1200 volts class VCES VGES IC Cont. PC Volts 1MBI200HH-120L-50 1200 1MBI300HH-120L-50 1200 1MBI400HH-120L-50 1200 Volts 20 20 20 Amps. 200 300 400 Watts 1390 2090 2500 型 式 Device type ▲ ▲ ▲ ▲ 開発中 8 Under development VCE(sat) (VGE=15V) スイッチングタイム Switching time Typ. IC ton toff tf Typ. Max. Typ. Max. Typ. Max. Volts Amps. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. μsec. 3.10 200 0.2 0.5 0.3 0.7 0.05 0.2 3.20 300 0.2 0.5 0.3 0.7 0.05 0.2 3.10 400 0.2 0.6 0.4 0.7 0.05 0.2 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M233 240 M249 370 M249 370 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip パッケージ 質量 Package Net mass Grams M249 370 M249 370 M249 370 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Uシリーズ IGBT Modules U series Uシリーズ PIM（コンバータ部・ブレーキ部内蔵） EconoPIMTM 600V,1200Vクラス U series PIM/Built-in converter and brake EconoPIMTM 600,1200 volts class 型 式 Device type 7MBR30U2A060-50 7MBR50U2A060-50 7MBR75U2B060-50 7MBR100U2B060-50 7MBR25UA120-50 7MBR35UA120-50 7MBR50UA120-50 7MBR75U4B120-50 7MBR100U4B120-50 インバータ部 Inverter [IGBT] IC PC VCE(sat) VCES Cont. Typ. Volts Amps. Watts Volts 600 30 133 1.85 600 50 187 1.85 600 75 255 1.85 600 100 378 1.85 1200 25 115 2.1 1200 35 160 1.95 1200 50 205 2.0 1200 75 275 2.2 1200 100 390 2.1 ブレーキ部 Brake [IGBT+FWD] コンバータ部 Converter [Diode] VCES IC VRRM VRRM IO VFM IFSM Cont. Cont. Typ. Volts Amps. Volts Volts Amps. Volts Amps. 600 20 600 800 30 1.1 210 600 20 600 800 50 1.1 350 600 30 600 800 75 1.1 525 600 50 600 800 100 1.1 700 1200 25 1200 1600 25 1.1 260 1200 25 1200 1600 35 1.25 260 1200 25 1200 1600 50 1.4 260 1200 35 1200 1600 75 1.3 520 1200 50 1200 1600 100 1.4 520 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M711 180 M711 180 M712 300 M712 300 M711 180 M711 180 M711 180 M712 300 M712 300 VCE (sat), VFM: at Tj=25°C, Chip Uシリーズ ６個組 EconoPACKTM, EconoPACKTM+ 600V,1200V,1700Vクラス U series 6 in 1 package EconoPACKTM and EconoPACKTM+ 600,1200,1700 volts class 型 式 Device type 6MBI75U2A-060-50 6MBI100U2B-060-50 6MBI150U2B-060-50 6MBI35U4A-120-50 6MBI50U4A-120-50 6MBI75U4A-120-50 6MBI100U4B-120-50 6MBI150U4B-120-50 6MBI225U4-120-50 6MBI300U4-120-50 6MBI450U4-120-50 6MBI100U4B-170 *1 6MBI150U4B-170 *1 6MBI225U4-170 6MBI300U4-170 6MBI450U4-170 VCES VGES Volts 600 600 600 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 IC Cont. Amps. 75 100 150 35 50 75 100 150 225 300 450 100 150 225 300 450 PC Watts 255 380 500 205 275 390 520 735 1040 1385 2080 520 735 1040 1385 2080 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Volts Amps. 1.85 75 1.85 100 1.80 150 1.9 35 1.9 50 1.9 75 1.9 100 1.9 150 1.9 225 1.9 300 1.9 450 2.25 100 2.25 150 2.25 225 2.25 300 2.25 450 スイッチングタイム Switching time (Max.) ton toff tf μsec. μsec. μsec. 1.2 1.2 0.45 1.2 1.2 0.45 1.2 1.2 0.45 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 注 : EconoPIMTM、EconoPACKTM、EconoPACKTM+ は Infineon Technology 社の登録商標です。 パッケージ Package M636 M633 M633 M636 M636 M636 M633 M633 M629 M629 M629 M633 M633 M629 M629 M629 質量 Net mass Grams 180 300 300 180 180 180 300 300 950 950 950 300 300 950 950 950 VCE (sat): at Tj=25°C, Chip Note: EconoPIMTM, EconoPACKTM and EconoPACKTM+ are registered trademarks of Infineon Technology AG, Germany. *1 RoHS 対応品（-50）は開発中 RoHS compliant version (-50) is under development. 9 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Uシリーズ IGBT Modules U series Uシリーズ ２個組 600V,1200V,1700Vクラス U series 2 in 1 package 600,1200,1700 volts class 型 式 Device type 2MBI150U2A-060-50 2MBI200U2A-060-50 2MBI300U2B-060-50 2MBI400U2B-060-50 2MBI600U2E-060 2MBI75U4A-120 2MBI100U4A-120-50 2MBI150U4A-120-50 2MBI200U4B-120-50 2MBI200U4H-120-50 2MBI225U4N-120-50 2MBI225U4J-120-50 2MBI300U4D-120-50 2MBI300U4E-120 2MBI300U4H-120-50 2MBI300U4N-120-50 2MBI300U4J-120-50 2MBI400U4H-120-50 2MBI450U4E-120 2MBI450U4N-120-50 2MBI450U4J-120-50 2MBI600U4G-120 2MBI800U4G-120 2MBI1200U4G-120 2MBI100U4H-170-50 2MBI150U4H-170-50 2MBI200U4H-170-50 2MBI225U4N-170-50 2MBI300U4H-170-50 2MBI300U4N-170-50 2MBI400U4H-170-50 2MBI450U4N-170-50 2MBI600U4G-170 2MBI800U4G-170 2MBI1200U4G-170 10 VCES VGES Volts 600 600 600 650 650 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 1700 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 IC Cont. Amps. 150 200 300 400 600 75 100 150 200 200 225 225 300 300 300 300 300 400 450 450 450 600 800 1200 100 150 200 225 300 300 400 450 600 800 1200 PC Watts 500 660 1000 1250 2400 400 540 735 1040 1040 1040 1040 1470 1810 1470 1385 1385 2045 2715 2080 2080 2840 3900 4960 540 780 1040 1040 1470 1385 2045 2080 2840 3900 4960 VCE(sat) (VGE=15V) Max. IC Volts Amps. 2.1 150 2.1 200 2.1 300 2.1 400 2.1 600 2.05 75 2.05 100 2.05 150 2.05 200 2.05 200 2.05 225 2.05 225 2.05 300 2.05 300 2.05 300 2.05 300 2.05 300 2.05 400 2.05 450 2.05 450 2.05 450 2.05 600 2.05 800 2.05 1200 2.4 100 2.4 150 2.4 200 2.45 225 2.4 300 2.45 300 2.4 400 2.45 450 2.4 600 2.4 800 2.4 1200 スイッチングタイム Switching time (Max.) ton toff tf μsec. μsec. μsec. 1.2 1.2 0.45 1.2 1.2 0.45 1.2 1.2 0.45 1.2 1.2 0.45 1.2 1.2 0.45 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.2 1.0 0.3 1.35 0.8 0.2 1.35 0.8 0.2 1.35 0.8 0.2 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 1.2 1.5 0.3 4.0 2.0 0.7 4.0 2.0 0.7 4.0 2.0 0.7 パッケージ Package M232 M232 M233 M233 M247 M232 M232 M232 M233 M249 M254 M250 M235 M247 M249 M254 M250 M249 M247 M254 M250 M256 M256 M256 M249 M249 M249 M254 M249 M254 M249 M254 M256 M256 M256 質量 Net mass Grams 180 180 240 240 470 180 180 180 240 370 350 360 370 470 370 350 360 370 470 350 360 1500 1500 1500 370 370 370 350 370 350 370 350 1500 1500 1500 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ IGBTモジュール Uシリーズ IGBT Modules U series Uシリーズ １個組 1200V,1700V,3300Vクラス U series 1 in 1 package 1200,1700,3300 volts class 型 式 Device type 1MBI300U4-120 1MBI400U4-120 1MBI600U4-120 1MBI800U4B-120 1MBI1200U4C-120 1MBI1600U4C-120 1MBI2400U4D-120 1MBI3600U4D-120 1MBI1200U4C-170 1MBI1600U4C-170 1MBI2400U4D-170 1MBI3600U4D-170 1MBI800UG-330 1MBI1000UG-330 1MBI1200UE-330 1MBI1500UE-330 VCES VGES Volts 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1200 1700 1700 1700 1700 3300 3300 3300 3300 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 IC Cont. Amps. 300 400 600 800 1200 1600 2400 3600 1200 1600 2400 3600 800 1000 1200 1500 PC Watts 1540 2155 2905 4805 5680 7810 10000 15620 5680 7810 10000 15620 9600 10400 14700 15600 VCE(sat) (VGE=15V) Max. IC Volts Amps. 2.05 300 2.05 400 2.05 600 2.05 800 2.05 1200 2.05 1600 2.05 2400 2.05 3600 2.40 1200 2.40 1600 2.40 2400 2.40 3600 2.28 800 2.46 1000 2.28 1200 2.46 1500 スイッチングタイム Switching time (Max.) ton toff tf μsec. μsec. μsec. 1.20 1.00 0.30 1.20 1.00 0.30 1.20 1.00 0.30 1.20 1.00 0.30 2.00 1.60 0.40 2.00 1.60 0.40 2.00 1.60 0.40 2.00 1.60 0.40 4.00 2.00 0.70 4.00 2.00 0.70 4.00 2.00 0.70 4.00 2.00 0.70 3.40 2.40 0.40 2.50 2.00 0.50 3.40 2.40 0.40 3.10 2.60 0.50 VCE(sat) (VGE=15V) Max. IC Volts Amps. 2.45 300 2.15 50 2.20 75 2.20 100 2.25 200 スイッチングタイム Switching time (Max.) ton toff tf μsec. μsec. μsec. 1.20 1.20 0.45 1.20 1.00 0.30 1.20 1.00 0.30 1.20 1.00 0.30 1.20 1.00 0.30 パッケージ Package M127 M127 M127 M138 M151 M151 M152 M152 M151 M151 M152 M152 M155 M155 M156 M156 質量 Net mass Grams 380 380 380 530 1500 1500 2300 2300 1500 1500 2300 2300 900 900 1300 1300 Uシリーズ チョッパー 600V,1200Vクラス U series Chopper 600,1200 volts class 型 式 Device type 1MBI300U2H-060L-50 1MBI50U4F-120L-50 1MBI75U4F-120L-50 1MBI100U4F-120L-50 1MBI200U4H-120L-50 VCES VGES Volts 600 1200 1200 1200 1200 Volts ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 IC Cont. Amps. 300 50 75 100 200 PC Watts 1000 400 400 540 1040 パッケージ Package M259 M262 M262 M262 M259 質量 Net mass Grams 360 180 180 180 360 11 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ V-IPMシリーズ V-IPM series（Intelligent Power Modules） 下アームアラーム出力機能付 600V,1200Vクラス With N-side alarm output function 600,1200 volts class 型 式 Device type 6MBP20VAA060-50 6MBP30VAA060-50 6MBP50VAA060-50 6MBP10VAA120-50 6MBP15VAA120-50 6MBP25VAA120-50 インバータ部 VCES IC Cont. Volts Amps. 600 20 600 30 600 50 1200 10 1200 15 1200 25 Inverter VCE(sat) Typ. Volts 1.4 1.4 1.4 1.7 1.7 1.7 ブレーキ部 Brake VCES IC Cont. Volts Amps. - 制御部 Control パッケージ 質量 VCC IOC[INV] VUV TjOH Alarm Package Net Typ. Min. Min. OC(typ.) UV(typ.) TjOH(typ.) mass Volts Amps. Volts ms ms ms Grams ℃ 80 15 30 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 15 45 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80 15 15 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80 15 23 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P629 80 上下アームアラーム機能付 600V,1200Vクラス With P and N-side alarm function 600,1200 volts class 型 式 Device type 6MBP50VBA060-50 6MBP50VDA060-50 6MBP75VBA060-50 6MBP75VDA060-50 6MBP100VDA060-50 6MBP150VDA060-50 6MBP200VDA060-50 6MBP200VEA060-50 6MBP300VEA060-50 6MBP400VEA060-50 7MBP50VDA060-50 7MBP75VDA060-50 7MBP100VDA060-50 7MBP150VDA060-50 7MBP200VDA060-50 7MBP200VEA060-50 7MBP300VEA060-50 7MBP400VEA060-50 6MBP25VBA120-50 6MBP25VDA120-50 6MBP35VBA120-50 6MBP35VDA120-50 6MBP50VBA120-50 6MBP50VDA120-50 6MBP75VDA120-50 6MBP100VDA120-50 6MBP100VEA120-50 6MBP150VEA120-50 6MBP200VEA120-50 7MBP25VDA120-50 7MBP35VDA120-50 7MBP50VDA120-50 7MBP75VDA120-50 7MBP100VDA120-50 7MBP100VEA120-50 インバータ部 VCES IC Cont. Volts Amps. 600 50 600 50 600 75 600 75 600 100 600 150 600 200 600 200 600 300 600 400 600 50 600 75 600 100 600 150 600 200 600 200 600 300 600 400 1200 25 1200 25 1200 35 1200 35 1200 50 1200 50 1200 75 1200 100 1200 100 1200 150 1200 200 1200 25 1200 35 1200 50 1200 75 1200 100 1200 100 7MBP150VEA120-50 7MBP200VEA120-50 1200 150 1200 200 12 Inverter VCE(sat) Typ. Volts 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.25 1.25 1.25 1.4 1.4 1.4 1.4 1.4 1.25 1.25 1.25 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 ブレーキ部 Brake VCES IC Cont. Volts Amps. 600 30 600 50 600 50 600 75 600 100 600 100 600 150 600 200 1200 15 1200 15 1200 25 1200 35 1200 50 1200 50 1200 1200 75 100 制御部 Control パッケージ 質量 VCC IOC[INV] VUV TjOH Alarm Package Net Typ. Min. Min. OC(typ.) UV(typ.) TjOH(typ.) mass Volts Amps. Volts ms ms ms Grams ℃ 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 450 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 600 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 450 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 600 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 53 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100 15 53 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P626 100 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 38 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 53 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 75 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 113 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P630 290 15 150 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 225 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 15 300 11.0 to 12.5 150 2 4 8 P631 950 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ 小容量IPMシリーズ Fuji IPM "Compact"series（Intelligent Power Modules） 下アームアラーム出力機能付 600Vクラス With N-side alarm output function 600 volts class 型 式 Device type ▲ ▲ ▲ ▲ 6MBP15VRA060-50 6MBP15VRB060-50 6MBP15VRC060-50 6MBP20VSA060-50 6MBP20VSC060-50 6MBP30VSA060-50 6MBP30VSC060-50 ▲ 開発中 インバータ部 Inverter 制御部 Control VCE(sat) VCCL Boot- Input signal VCES IC Cont. VCCH strap Acive logic VB(*) Diode and Voltage Typ. Typ. level Volts Amps. Volts Volts 600 15 1.80 15 Built-in High(3.3/5V) 600 15 1.80 15 Built-in High(3.3/5V) 600 15 1.80 15 Built-in High(3.3/5V) 600 20 1.44 15 Built-in High(3.3/5V) 600 20 1.44 15 Built-in High(3.3/5V) 600 30 1.42 15 Built-in High(3.3/5V) 600 30 1.42 15 Built-in High(3.3/5V) Under development ※1 外部電流検出方式 ※1 External current ditection 保護機能 Protection function UV OC Vtemp TOH VCCL ※1 ※2 ※2 VCCH VB(*) P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side(125±10℃ ) P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ ) P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ ) P&N-side N-side N-side P&N-side N-side N-side N-side(125±10℃ ) Alarm出力 VFO fault output N-side(UV,OC) N-side(UV,OC,TOH) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) N-side(UV,OC) パッケージ 質量 Package Net mass P633 P633 P633 P633A P633A P633A P633A Grams 9.3 9.3 9.3 9.3 9.3 9.3 9.3 ※2 LVIC内での温度検出 ※2 Temperature detection in LVIC 13 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ ディスクリートIGBT Vシリーズ Discrete IGBTs V series 6th gen. IGBT in field-stop technorogy and trench-gate structure with Ultra fast FWD 600Vクラス 600 volts class 型 式 Device type ▲ ▲ スイッチング 周波数 Switching frequency Low High High High High High Low High High Low FGW30N60VD FGW35N60H FGW35N60HD FGW50N60H FGW50N60HD FGW50N60HC FGW50N60VD FGW75N60H FGW75N60HD FGW75N60VD 逆並列 絶対最大定格 Maximum Ratings ICP tsc PD ダイオード VCES IC Anti-Parallel Tc=100°C IGBT Diode Volts Amps. Amps. μsec. Watts 10 230 600 30 60 内蔵 Yes 5 230 600 35 105 5 230 600 35 105 内蔵 Yes 5 360 600 50 150 5 360 600 50 150 内蔵 Yes 5 360 600 50 150 内蔵 Yes 10 360 600 50 100 内蔵 Yes 5 500 600 75 225 5 500 600 75 225 内蔵 Yes 10 500 600 75 150 内蔵 Yes VCE(sat) (VGE=15V) Typ. Volts 1.6 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.6 1.5 1.5 1.6 Eon Eoff (Rg=10Ω) typ. mJ mJ 1.2 0.7 0.9 0.85 0.9 0.85 1.4 1.7 1.4 1.7 1.5 1.7 2.4 1.4 3.0 4.2 3.0 4.2 3.5 2.1 Qg VF typ. nC 225 210 210 305 305 305 360 460 460 520 typ. Volts 1.5 2.0 2.0 2.3 1.5 2.0 1.5 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. Volts 1.8 1.8 1.85 1.85 1.8 1.8 1.8 1.8 1.85 Eon Eoff (Rg=10Ω) typ. mJ mJ 0.6 0.8 0.6 0.8 1.1 0.8 2.2 1.4 1.6 1.5 1.6 1.5 2.8 1.8 2.8 1.8 4.3 2.2 Qg VF typ. nC 140 140 150 235 230 230 300 300 320 typ. Volts 2.2 1.7 1.7 2.2 2.2 1.7 パッケージ Package IF Amps. 25 15 25 50 35 35 50 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 質量 Net mass Grams 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 Under development ▲ 開発中 1200Vクラス 1200 volts class 型 式 Device type スイッチング 周波数 Switching frequency High High Low Low High High High High Low FGW15N120H FGW15N120HD FGW15N120VD FGW25N120VD FGW30N120H FGW30N120HD FGW40N120H FGW40N120HD FGW40N120VD 逆並列 ダイオード Anti-Parallel Diode 内蔵 Yes 内蔵 Yes 内蔵 Yes 内蔵 Yes 内蔵 Yes 内蔵 Yes 絶対最大定格 Maximum Ratings VCES IC ICP tsc PD Tc=100°C IGBT Volts Amps. Amps. μsec. Watts 5 155 1200 15 45 5 155 1200 15 45 10 155 1200 15 30 10 260 1200 25 50 5 260 1200 30 90 5 260 1200 30 90 5 340 1200 40 120 5 340 1200 40 120 10 340 1200 40 80 パッケージ Package IF Amps. 12 15 25 20 30 30 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 TO-247-P2 ■ 型式の見方 Naming system for Fuji discrete IGBTs F G W 35 N 60 HD 社名 機種コード Device code パッケージコード Package type 定格電流 Current 極性 Polarity 定格電圧 Voltage シリーズ Series Company Fuji G IGBT W TO-247 ×1 ■ 等価回路 Equivalent circuit （a）ダイオード内蔵 with Diode ゲート Gate 14 コレクタ Collector ゲート Gate エミッタ Emitter N-ch 60 600V H 120 1200V HC High Speed V w/o FWD High Speed V with FWD （b）ダイオードなし without Diode コレクタ Collector N エミッタ Emitter HD VD V series with FWD 質量 Net mass Grams 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 6.0 パワーデバイス/Power Devices (IGBT) ■ HEV用IGBT IPMの特長 Features of IGBT IPM for Hybrid Electric Vehicle ■特長 Features ドライブ回路、保護機能内蔵 ・光絶縁 （信号入力、IGBT チップ温度モニター、 異常検出時アラーム出力） ・短絡保護、過熱保護、制御電圧低下保護 鉛フリー Easy to use ・Optical isolated (signal input, IGBT's temperature monitor, alarm output) ・Detection and protection (short-circuit, over-temperature, under-voltage) Lead Free Package ■ 特性 Characteristics ▲ 型 式 Device type 2MBP600UN-120V ▲ 開発中 VCES Volts 1200 （Tj=25℃） IC(Cont) Amps. 600 VCE(sat) Typ. Volts 2.00 VF Typ. Volts 2.20 パッケージ Package P401 Under development 15 集積回路/Integrated Circuits 2 ■ AC/DC 電源制御用 IC の特長 Features of AC/DC Power Supply control ICs 低待機電力対応PWM制御IC Green Mode PWM-ICs ■特長 Features 500V / 750V 耐圧起動回路内蔵 低待機電力に有利な軽負荷時スイッチング周波数低減 各種保護機能（過電圧 / ブラウンアウト / 2 段階過電力）が充実 周波数拡散機能により、低 EMI ノイズ実現 Internal start-up circuit with a 500V / 750V rating Linearly reduced switching frequency at light load for low standby power Many protection functions; Over voltage / Brown out / two stage Over power etc. Low EMI noise by frequency diffusion ■ 効率 Efficiency 92 低待機電力 IC FA5680 効率データ 115VAC Efficiency [䟸] 91 230VAC · Input Voltage: 80VAC to 264VAC · Output Voltage: 19VDC · Output Power: 65W (3.42A) 90 89 88 Load 115VAC 230VAC Limit Line: average 87% at 25, 50, 75, 100% Load 87 86 Efficiency Data: Green Mode PWM-IC FA5680 0 25 50 75 25% 90.4% 90.4% 100 Output Power [䟸] 低待機電力対応擬似共振制御IC Green Mode Quasi-resonant ICs ■特長 Features 500V 耐圧起動回路内蔵 低待機電力対応（間欠動作 / 周波数低減） 各種保護機能（過電圧 / 過負荷など）が充実 Internal start-up circuit with a 500V rating Green Mode function; Intermittent Switching / Linearly reduced switching frequency Many protection functions; Over voltage / Over load protection etc. 力率改善制御IC Power Factor Correction ICs ■特長 Features 幅広い電力範囲に対応（75W ∼ 1kW） 力率 0.99 以上を実現 各種保護機能（FB ピンオープンショート / 過電圧など）が充実 Correspondence to a wide power range; 75W to 1kW Power Factor ≥ 0.99 Many protection functions; FB pin open short protection/Over voltage etc. 16 50% 90.0% 90.5% 75% 89.2% 90.2% 100% 88.4% 89.3% Average 89.5% 90.1% 集積回路/Integrated Circuits 2 電流共振IC Current Resonant ICs ■特長 Features ワールドワイドの広範囲入力にて、1 コンバータによる LLC 電流共振電源システムの構成が可能 ハイサイド駆動回路内蔵 共振はずれ防止機能、各種保護（過電流、過電圧、過負荷、過熱、BI/BO）機能内蔵 低待機電力対応（間欠動作） LLC resonant power supply by single converter is available in world-wide input. Built in High-side Driver Function to avoid capacitive region operation. Protection function :OCP,OVP,OLP,OTP,BI/BO Stanby Mode function; Intermittent Switching Input power at standby 400 350 0mW 30mW 42mW 60mW Input Power (mW) 300 250 200 150 100 50 0 80 100 120 140 160 180 200 220 240 260 280 Vin(Vac) 17 2 集積回路/Integrated Circuits ■ AC/DC 電源制御用 IC AC/DC Power Supply control ICs 低待機電力対応PWM制御IC（電流モード） Green mode PWM-ICs (Current mode) 回路方式 型式 Circuit Type type Name 最大 入力電圧 動作周 電流検出 Current デューティ Recommend 波数 input voltage Frequency sense Duty FA5546N 80% 60kHz FA5547N 11 - 24V FA5628N 85% PWM マイナス 検出 Negative voltage sense FA5627N ブラウンアウト あり With FA8A00N Brown out FA8A01N 12 - 24V 83% FA8A27N FA5526N FA5527N FA5528N FA5536N FA5537N FA5538N FA5637N FA5639N 65kHz 10 - 28V 80% 10 - 26V 11 - 24V 10 - 24V 130kHz 100kHz 60kHz 130kHz 100kHz 60kHz 65kHz 100kHz FA5680N ブラウンアウト なし Without Brown out プラス 検出 Positive voltage sense マイナス 検出 Negative voltage sense 85% PWM プラス 検出 Positive voltage sense 11 - 24V FA5681N FA8A60N 65kHz FA8A61N 10 - 24V FA8A70N 83% FA8A71N FA8A12N 18 12 - 24V プラス 検出 Positive voltage sense 過負荷保護 過電力保護 過電圧保護 Over load Over Power Over protection Protection voltage protection 自動復帰 Auto2段階 Recovery 2Stage タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto1段階 Recovery 1Stage タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto2段階 Recovery 2Stage タイマーラッチ (OPP ratio Timer-latch 1:1.4) 遅延（Delay）: 70ms タイマーラッチ 2段階 Timer-latch 2Stage 遅延（Delay）: (OPP ratio 860ms 1:1.8) ラッチ Latch タイマーラッチ Timer-latch ラッチ Latch 自動復帰 AutoRecovery タイマーラッチ Timer-latch 1段階 自動復帰 1Stage AutoRecovery 自動復帰 AutoRecovery 2段階 2Stage 低待機 電力機能 Green mode function パッケージ 備考 Package Remarks 内蔵 Built-in リニア周波数 （500V） 低減 Linearly reduced switching 内蔵 frequency Built-in （750V） 8pin SOP リニア周波数 低減 + 間欠動作 内蔵 Linearly Built-in reduced （500V） switching requencyand Intermittent X-Cap 放電機能 X-Cap discharge function リニア周波数 内蔵 低減 Built-in 自動復帰 （500V） Linearly reduced Autoswitching Recovery frequency 内蔵 Built-in (750V) タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 AutoRecovery タイマーラッチ Timer-latch 1段階 1Stage 自動復帰 AutoRecovery タイマーラッチ Timer-latch 500V/750V 起動回路 500V/750V Start up circuit リニア周波数 低減 + 間欠動作 Linearly reduced switching requency 8pin and Intermittent SOP ラッチ Latch リニア周波数 低減 + 間欠動作 内蔵 Linearly Built-in reduced （500V） switching frequency and Intermittent X-Cap 放電機能 X-Cap discharge function X-Cap 放電機能 X-Cap discharge function 集積回路/Integrated Circuits 2 低待機電力対応PWM-IC系列（ブラウンアウトあり） Green mode PWM-ICs with Brown Out function ※ OPP：Over Power Protection 低待機電力PWM IC Green Mode PWM IC ブラウンアウト機能あり With Brown Out function 電流検出：プラス検出 Current sense : Positive 電流検出：マイナス検出 Current senes : Negative 1段階 過電力保護 1 Stage OPP 2段階 過電力保護 2 Stage OPP 2段階 過電力保護 2 Stage OPP OPP ratio 1:1.4 2段階 過電力保護 2 Stage OPP OPP ratio 1:1.8 動作周波数 fsw: 65kHz 動作周波数 fsw: 60kHz 動作周波数 fsw: 65kHz 動作周波数 fsw: 65kHz 過負荷保護（OLP） ： 自動復帰 Auto-recovery 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch 過負荷保護（OLP） ： 自動復帰 Auto-recovery 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch 過負荷保護（OLP） ： 自動復帰 Auto-recovery 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch OLP Delay: 70ms OLP Delay: 70ms OLP Delay: 200ms OLP Delay: 200ms OLP Delay: 70ms OLP Delay: 70ms OLP Delay: 860ms FA5628N FA5627N FA5546N FA5547N FA8A00N FA8A01N FA8A27N 低待機電力対応PWM-IC系列（ブラウンアウトなし） Green mode PWM-ICs without Brown Out function 低待機電力PWM IC Green Mode PWM IC ブラウンアウト機能なし Without Brown Out function 1段階 過電力保護 1 Stage OPP 電流検出：マイナス検出 Current sense : Negative 2段階 過電力保護 2 Stage OPP 電流検出：プラス検出 Current sense : Positive リニア周波数低減+間欠動作 Linearly reduced frequency and Intermittent リニア周波数低減 Linearly reduced frequency リニア周波数低減 Linearly reduced frequency 過負荷保護（OLP） ： 過負荷保護（OLP） ： 自動復帰 タイマーラッチ Auto-recovery Timer-latch 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch 動作周波数 fsw: 65kHz 動作周波数 fsw: 65kHz 動作周波数 fsw: 65kHz 動作周波数 fsw: 100kHz 動作周波数 fsw: 60kHz FA5680N FA5681N FA5637N FA5639N FA5528N リニア周波数低減+間欠動作 Linearly reduced frequency and Intermittent 過負荷保護（OLP） ： 自動復帰 Auto-recovery FA5526N FA8A60N リニア周波数低減+間欠動作 Linearly reduced frequency and Intermittent 過負荷保護（OLP） ： タイマーラッチ Timer-latch X-Cap放電機能 X-Cap discharge 動作周波数 動作周波数 fsw: 100kHz fsw: 130kHz FA5527N 電流検出：プラス検出 Current sense: Positive FA8A70N 過負荷保護（OLP） ： 自動復帰 Auto-recovery X-Cap放電機能 X-Cap放電機能 X-Cap discharge X-Cap discharge FA8A61N FA8A71N FA8A12N 低待機電力対応PWM-IC代表型式ブロック図 Block diagram of Green mode（main model） FA5528N FA5680N 19 2 集積回路/Integrated Circuits 汎用PWM制御IC General PWM-ICs 回路方式 Circuit type 型式 Type Name 入力電圧 動作周波数 電流検出 制御方式 最大 Control デューティ Recommend Frequency Current Duty input voltage sense mode 過負荷保護 Over load protection 過電圧保護 Over voltage protection 低待機 電力機能 Green mode function パッケージ 備考 Package Remarks FA13842P/N 96% FA13843P/N 電流 モード Current FA13844P/N mode 10 - 25V プラス検出 Positive voltage sense 10 - 28V プラス検出 Positive voltage sense マイナス検出 Negative voltage sense ‒ ‒ ‒ 48% FA13845P/N FA3641P/N 70% FA3647P/N FA5504P/S 46% FA5510P/N FA5511P/N 70% FA5514P/N 46% 10 - 28V FA5604N 70% 電圧 モード Voltage mode 46% FA5605N 10 - 30V 70% FA5606N FA5607N 20 リニア 周波数低減 8pin Linearly DIP/SOP reduced switching frequency エラーアンプ 内蔵 With ER amp タイマー プラス検出 ラッチ Timer-latch Positive voltage sense ‒ 外部調整 Adjustable マイナス検出 Negative voltage sense PWM FA5515P/N UVLO 16.5V ON 9.0V OFF UVLO 9.6V ON 9.0V OFF UVLO 16.5V ON 9.0V OFF UVLO 9.6V ON 9.0V OFF 自動復帰 ラッチ AutoLatch Recovery ヒカップ動作 / 停止期間比率 1：7 自動復帰 AutoRecovery ヒカップ動作 / マイナス検出 停止期間比率 Negative 1：15 voltage sense リニア 周波数低減 Linearly reduced 8pin switching SOP frequency 自動復帰 AutoRecovery ヒカップ動作 / 停止期間比率 1：7 ‒ UVLO 17.5V ON 9.7V OFF 軽負荷時周波 数低減開始 / 復帰 FB 電圧 1.8V/1.95V UVLO 17.5V ON 9.7V OFF 軽負荷時周波 数低減開始 / 復帰 FB 電圧 1.55V/1.65V UVLO 17.5V ON 9.7V OFF 集積回路/Integrated Circuits 2 汎用PWM制御IC系列 General PWM-ICs 汎用PWMIC General PWM IC 低待機電力機能 Green mode function ボルテージモード Voltage mode Dmax=46% OCL：-検出 : -detection Dmax=70% OCL：+検出 : -detection 過負荷保護(OLP) :自動復帰 : Auto-recovery OCL：-検出 : -detection 過負荷保護(OLP) :タイマーラッチ : Timer-latch 過負荷ヒカップ動作比率 OLP HICCUP RATE 1:7 FA5604N 過負荷保護(OLP) :自動復帰 : Auto-recovery 過負荷ヒカップ動作比率 過負荷ヒカップ動作比率 OLP HICCUP RATE OLP HICCUP RATE 1:15 1:7 FA3641P/N FA3647P/N FA5605N FA5606N 汎用PWMIC General PWM IC ボルテージモード Voltage mode Dmax=46% カレントモード Current mode Dmax=70% Dmax=96% Dmax=48% OCL：+検出 : -detection OCL：+検出 : -detection エラーアンプ内臓 With ER amp OCL：+検出 : -detection FA5504P/S OCL：+検出 : -detection FA5510P/N OCL：-検出 : -detection FA5514P/N OCL：+検出 : -detection FA5511P/N OCL：-検出 : -detection 過負荷保護 (OLP) : タイマーラッチ : Timer-latch 過負荷保護 (OLP) : 自動復帰 : Auto-recovery FA5515P/N FA5607N UVLO : 16.5V ON 9.0V OFF UVLO : 16.5V ON 9.0V OFF UVLO : 9.6V ON 9.0V OFF FA13842P/N FA13843P/N UVLO : 9.6V ON 9.0V OFF FA13844P/N FA13845P/N 汎用PWM-IC代表型式ブロック図 Block diagram of General PWM-ICs（main model） FA5604N VCC(6) 80㱅 OSC & counter (For Hiccup) CS(8) ON/OFF 3.6V Latch 5V S 7.3V 10k㱅 5V Reg. 17.5V/9.7V Internal supply Q 37.5V UVLO 5V Reg. Check 0.75V/0.60V 15.5V FA13842P/N R QB S UVLO FB(2) PWM 1M㱅 10pF S Voltage Controlled Oscillator Q R QB ONE SHOT EN OUTPUT OUT(5) Q R QB Dmax= 46% 3.5/3.3V Output current limit function VF(7) Overload Sensing RT(1) 䋭0.17V GND(4) IS(3) 21 2 集積回路/Integrated Circuits 低待機電力対応擬似共振制御IC Green mode Quasi-resonant ICs 回路方式 Circuit type 型式 Type Name 制御方式 Control mode 入力電圧 Recommend input voltage 最大周波数 Maximum frequency FA5570N 自動復帰 Auto-Recovery FA5571N FA5572N FA5573N 10-28V UVLO 18V ON 8V OFF FA5574N FA5577N FA5640N 擬似共振 Quasiresonant FA5641N FA5642N 11 - 26V UVLO 14V ON 電流モード 8V OFF Current mode 11 - 26V UVLO 10V ON 8V OFF FA5643N 11 - 26V UVLO 14V ON 8V OFF 22 過負荷保護 Over load protection 120kHz 過電圧保護 Over voltage protection 過電圧検出 Over voltage sense – – タイマーラッチ Timer-latch FA5648N 自動復帰 Auto-Recovery 備考 Remarks ZCD リニア 周波数低減 Linearly reduced switching frequency VCC 8pin SOP 内蔵 Built-in ラッチ Latch FA5644N 低待機 ﾊﾟｯｹｰｼﾞ Package 電力機能 Green mode function 間欠動作 Intermittent Switching タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-Recovery タイマーラッチ Timer-latch 自動復帰 Auto-Recovery オン−オフ幅 自動復帰 検出による ボトムスキッ Auto-Recovery プ数制御 Control of bottom skips by onoff width detection 500V 起動回 路 500V Start up circuit ZCD 間欠動作 Intermittent Switching 最小周波数制 限機能 Min. frequency limitation 最小周波数制 限機能 Min. frequency limitation IS 端子ラッチ 停止機能 Latch stop function of IS pin 高周波動作向け For High SW frequency 集積回路/Integrated Circuits 2 低待機電力対応擬似共振制御IC系列 Green mode Quasi-resonant ICs 疑似共振制御IC Quasi-resonant IC 最大周波数: 120kHz Max. frequency: 120kHz オン・オフ幅検出によるボトムスキップ数制御 Control of bottom skips by on-off width detection 低待機電力：間欠動作 Green Mode: Intermittent 過負荷保護（OLP）: 自動復帰 Auto-recovery UVLO: 14.0V ON 8.0V OFF 最小周波数制限機能： Min. frequency limitation 低待機電力：間欠動作 Green Mode: Intermittent 過負荷保護（OLP）: 過負荷保護（OLP）: 過負荷保護（OLP）: 過負荷保護（OLP）: 過負荷保護（OLP）: タイマーラッチ 自動復帰 タイマーラッチ 自動復帰 タイマーラッチ Timer-latch Auto-recovery Timer-latch Auto-recovery Timer-latch UVLO: 10.0V ON 8.0V OFF UVLO: 14.0V ON 8.0V OFF UVLO: 18.0V ON 8.0V OFF FA5641N UVLO: 18.0V ON 8.0V OFF UVLO: 18.0V ON 8.0V OFF UVLO: 18.0V ON 8.0V OFF 高周波動作向け： For High Sw frequency 過電圧保護無し： No overvoltage 過電圧検出：ZCD 過電圧検出：ZCD 過電圧検出：ZCD 過電圧検出：VCC 過電圧検出：ZCD OV sense: ZCD OV sense: ZCD OV sense: ZCD OV sense: VCC OV sense: ZCD protection IS端子ラッチ機能： Latch stop function of IS pin FA5640N 低待機電力：周波数低減 Green Mode: Reduced ferquency FA5643N FA5648N FA5642N FA5644N FA5570N FA5571N FA5572N FA5573N FA5577N FA5574N 低待機電力対応擬似共振IC代表型式ブロック図 Block diagram of Quasi-resonant ICs（main model） FA5640N 㻹㻫 㻽㻦㻧 㻥㼒㼗㼗㼒㼐 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻽㻦㻧 㻚㻑㻘㻹 㻥㼒㼗㼗㼒㼐㻃㻶㼎㼌㼓㻃 㼆㼒㼑㼗㼕㼒㼏 30k set 㻔㻃㼖㼋㼒㼗 㻋㻕㻜㻓㼑㼖㻌 㼈㼑㼅 㻬㼑㼓㼘㼗㻃 㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 mode select signal 㻳㼘㼏㼖㼈㻃㼚㼌㼇㼗㼋㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻵㼈㼖㼗㼄㼕㼗㻃㻷㼌㼐㼈㼕 㻕㻘䃒㼖 MP1 24k 㻔㻗㻹㻒㻛㻹 㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕㻃 㻋㻕䃒㼖㻌 Resistance ratio MP1 on/off 91.3%/100% 84.1%/100% 㻗㻑㻛㻹㻃㻵㼈㼊㻑 㻬㼑㼗㼈㼕㼑㼄㼏 㼖㼘㼓㼓㼏㼜 VinH 㻵㼈㼖㼈㼗 㻐 㻧㼌㼖㼄㼅㼏㼈 㻗㻑㻛㻹 㻰㼄㼛㻑㻃㻷㼒㼑 㻋㻕㻗䃒㼖㻌 㻎 㻹㼗㼋㻩㻥㻓 㻓㻑㻗㻘㻹 㻓㻑㻖㻘㻹 㻔㻓䃒㻤 㻶 㼈㼑㼅 㻴 㻲㻸㻷 VinH 㻲㼉㼉㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻋㻗㻑㻘䃒㼖㻌 㻶㼒㼉㼗㻃㼖㼗㼄㼕㼗 㻋㻔㼐㼖㻌 150k 㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻲㼙㼈㼕㼏㼒㼄㼇 VinH 㻓㻑㻘㻹 㻓㻑㻗㻘㻹 㻷㼌㼐㼈㼕 㻕㻓㻓㼐㼖 㻔㻙㻓㻓㼐㼖 㻲㻹㻳㻔 㻙㻹 㻹㼗㼋㻬㻶㻃㼄㼗㻃㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㻓㻑㻔㻘㻹 VinH 㻓㻑㻔㻓㻹 㼈㼑㼅 㻖㻑㻘㻒㻖㻑㻖㻹 㻲㻹㻳 㼇㼈㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻓㻑㻘㻘㻹 㻹㼗㼋㻬㻶 㻽㻦㻧 㻶㼗㼄㼑㼇㼅㼜 㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃 㼆㼒㼐㼓㼄㼕㼄㼗㼒㼕 㻔㻒㻙 㻧㼕㼌㼙㼈㼕 㻵㻕 㻵㻔 㻬㻶 㻩㻥 㻹㻦㻦 㻸㻹㻯㻲 VinH 㻗㻑㻛㻹 㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓 㻦㼘㼕㼕㼈㼑㼗 㻶㼗㼄㼕㼗㼘㼓 㼐㼄㼑㼄㼊㼈㼐㼈㼑㼗 㻔㻔㻹㻒㻜㻹 㻯㼄㼗㼆㼋 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻲㻯㻳 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㼌㼒㼑 㻵㼈㼖㼈㼗 㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻙㻓䃒㼖 㻪㻱㻧 23 2 集積回路/Integrated Circuits 力率改善制御IC Power factor correction ICs 電流共振IC Current Resonant ICs 回路方式 Circuit type 型式 Type Name 入力電圧 最大 デューティ Recommend Duty input voltage FA5590N 9.6V ON 9.0V OFF 動作 周波数 Frequency FA5695N FA5696N 9.6V ON 9.0V OFF 臨界モード CRM – 10 - 26V 10 - 28V 連続モード CCM 94% 10 - 26V FA5613N FA5760N Current Resonant 電圧モード Voltage mode – 10 - 24V ゼロ電流 検出 Zero Current Detection 電流検出 Current sence マイナス検出 16.5V ON Negative 外部調整 Adjustable 8.9V OFF voltage sense マイナス検出 Negative 13.0V ON voltage 9.0V OFF sense 外部選択 Choice 65/60kHz/ jitter (50-70kHz) プラス検出 12.0V ON Positive 8.9V OFF voltage sense 自励方式 Selfoscillation 9.6V ON 9.0V OFF 最大 周波数 Maximum frequency FB オープン ショート 保護 FB open short protection 補助巻線 Auxiliary winding 自励方式 Selfマイナス検出 oscillation 13.0V ON 9.0V OFF Negative voltage sense FA5612N 24 電流検出 Current sense プラス検出 13.0V ON Positive 9.0V OFF voltage sense FA5502P/M 電流共振 UVLO Undervoltage lockout FA5601N FA5591N 力率改善 PFC 制御方式 Control mode パッケージ Package 備考 Remarks パルス幅制御 電圧制限 Voltage-Limit by Pulse width 外部調整 Adjustable 8pin SOP 内蔵 Built-in パルス幅制御 電圧制限 ＋電圧制限 Voltage-Limit by Pulse width and Voltage-Limit 150kHz – – – – 過電圧保護 Over voltage protection 200kHz 内蔵 Built-in – 2 重 OVP Dual OVP 電圧制限 16pin Voltage-Limit DIP/SOP パルス幅制御 電圧制限 8pin Voltage-Limit SOP by Pulse width タイマーラッチ 16pin Timer-latch SOP ブラウン アウト 機能内蔵 With Brown out 集積回路/Integrated Circuits 2 力率改善制御IC系列 Power factor correction ICs 力率改善制御IC PFC IC 臨界モード CRM Mode 連続モード CCM Mode プラス検出 Positive voltage sense マイナス検出 Negative voltage sense 8 pin 8 pin ゼロ電流検出端子有り With ZCD sense pin ゼロ電流検出端子無し Without ZCD sense pin UVLO ：13.0V ON 9.0V OFF UVLO ：9.6V ON 9.0V OFF 8 pin FA5696N FA5590N 16 pin 発振周波数 外部選択 発振周波数 外部調整 60/65kHz/jitter (50-70kHz) 15-150kHz Choice Adjustable UVLO ：13.0V ON 9.0V OFF 二重OVP Dual OVP function FA5601N マイナス検出 Negative voltage sense UVLO ：9.6V ON 9.0V OFF UVLO ：13.0V ON 9.0V OFF UVLO 㸯16.5V ON 8.9V OFF FA5612N FA5613N FA5502P/M 二重OVP Dual OVP function FA5591N FA5695N 力率改善制御IC代表型式ブロック図 Block diagram of Power factor correction ICs（main model） FA5590N/FA5591N FA5613N RT VCC 3 䠊 UV SP UVLO 2.63V Soft Start RAMP OSC SP Dynamic OVP 䠃 2.5V VDET 2.73V/ 2.61V + - VIN Detector 3 Q 䠉 SP OUT VCMP 2 PWM COMP FB G ICMP Gate Driver 7 OUT 6 GND OSC + ᣉᩋᶭ⬗ State Set ERR. AMP 1 5 G UV SP 0.5V 2.5V R TIMER S OVP Comp CUR. AMP Multiplier SP OVP Short Comp Dinamic O.V.P. OVP O.V.P. 䠈 Delay 䠇 SP 2.7V R Static O.V.P. 2.5M IS VD 28k 12k ZCD Comp + - 5.0V GND O.C.P IL Detector 4 + - - 0.6V Internal Bias : 5V VD G S Q F.F. + VREF FB Driver COMP 䠄 0.3V UVLO UVLO + - + Erramp 0.3V 8 28V 9.6V/ 9.0V(FA5590) 13.0V/ 9.0V(FA5591) PWM Comp 1.5uA FB VCC 28V + REF 5.0V + UVLO Comp - 10mV IS 䠆 RTZC 電流共振IC Current Resonant IC 電流共振IC Current Resonant IC 電流共振IC型式ブロック図 Block diagram of Current Resonant IC FA5760N 㻥㼏㼒㼆㼎㻃㻧㼌㼄㼊㼕㼄㼐 㻳㻪㻶 㻹㻦㻦 㻵㻨㻩 㻹㻫 㻹㻥 + 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗 㻭㻩㻨㻷 㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓㻃 㼆㼒㼐㼓 電圧モード Voltage mode 㻹㻶㻷㻲㻱㻒 㻹㻶㻷㻲㻩㻩 㻹㻦㻦㼂㻸㻹㻯㻲 㻹㼗㼋㼂㼋㼙 - 㻶㼗㼄㼕㼗㻐㼘㼓 㻦㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻹㻫㻲㻹㻳 㻶㼗㼒㼓㻃㼖㼚㼌㼗㼆㼋㼌㼑㼊 - 㻥㻲㼆㼒㼐㼓 㻹㻦㻦㻲㻱㻒 㻹㻦㻦㻲㻩㻩 㻫㼌㼊㼋㻐㼖㼌㼇㼈㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻦㼋㼄㼕㼊㼈㻃 㼇㼈㼏㼄㼜 㻥㻬㻤㻶㻫 㻸㻹 㼇㼈㼗㼈㼆㼗 プラス検出 Positive voltage sense 㻔㻓㻓㻹㼄㼆 㻒㻕㻓㻓㻹㼄㼆 㻬㼑㼓㼘㼗㻃 㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃 㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻵㼈㼊㻑㻃㻘㻹 㻲㻶㻦 㻵 㻧㼕㼌㼙㼈㼕 㻶㼌㼊㼑㼄㼏㻒㻱㼒㼌㼖㼈 㻶㼈㼓㼄㼕㼄㼗㼌㼒㼑 㻫㻲 㻕㻓㻓㼑㼖 㻨㼇㼊㼈 㻹㻶 㼕㼈㼖㼈㼗 㻹㻦㻲 㼒㼑㼂㼗㼕㼊 㻷㻩㻩 㻹㻦㻦 㻳㼘㼏㼖㼈 㻪㼈㼑㼈㼕㼄㼗㼒㼕 㻴㻥 16pin 㻷 㻹㻲㻯㻳 㻵 - 㻘㻹 共振はずれ防止機能内蔵 Function to avoid capative region operation 㻯㼈㼙㼈㼏㻐㻶㼋㼌㼉㼗 㻥㻬㻤㻶㻯 㻵㻨㻪㼂㻸㻹㻯㻲 㻥㻲 㻥㻲㻃㼗㼌㼐㼈㼕 㻋㻚㻓㼐㼖㻌 + 㻹㼗㼋㼂㼅㼒 㻴 㻷㼌㼐㼌㼑㼊㻃 㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗 + 㻩㻥 㻧㼕㼌㼙㼈㼕 㻯㻲 + 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗 㻲㻦㻳 㻹㻩㻥㻲㻱㻒 㻹㻩㻥㻲㻩㻩 㼗㼇㻯㻤㻵 㻔㻓㻓㼘㼖 + - 㻹㻲㻦㻳㻒 㻹㻲㻦㻰 + 㻷 㻹㻦㻶㻲㻱㻒 㻹㻦㻶㻲㻩㻩 FA5760N 㻲㻯㻳 㻚㻘㼐㼖㻒㻖㻓㻓㼐㼖 㻤㼕㼐㻐㼖㼋㼒㼕㼗㻃㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 㻘㻹 㻴 㻵 㻷㻶㻧 㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻫㻒 㻹㻦㻶㻦㻯㻳㻯 㻦㻶㻦㻯㻳 - + 㻦㻶 㼓㼕㼒㼗㼈㼆㼗 㻹㻦㻦 㻥㻶㻷 - 㻴 㻷 㻹㼍㻲㻫 㻵 㻦㻶㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 - - 㻯㼄㼗㼆㼋㻃㼆㼌㼕㼆㼘㼌㼗 + + 㻘㻹 + 㻹㼗㼋㼂㼒㼋㼓 㻹㻹㻺㻳 㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 - 㻲㻹㻳 㼓㼏㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻹㻦㻦 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰 㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻰 㻬㼆㼋㼊㼂㼆㼖 㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌 㻹㻦㻦㻫 - 㻹㻹㻺㻰 + 㼓㼏㼘㼖㻃㼆㼘㼕㼕㼈㼑㼗㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻰 㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻰 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳 㻹㻷㻫㻬㻶㻥㻳 㻹㻬㻶㻃㼏㼈㼙㼈㼏㻃 㼄㼇㼍㼘㼖㼗㼐㼈㼑㼗 㻯㻤㻷㻦㻫 㻵 + 㻘㻹 㻘㻹 㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗 㻬㻶 㻖㻓㻓㼘㼖㻃 㼗㼌㼐㼈㼕 㻸㻹㻯㻲 㼐㼌㼑㼘㼖㻃㼙㼒㼏㼗㼄㼊㼈㻃㼇㼈㼗㼈㼆㼗 + 㻹㻷㻫㻬㻶㻤㻳 㻒㻹㻷㻫㻲㻶㻥㻳 + 㻹㻥㻫 㻒㻹㻥㻯㻃 + - - 㻬㼇㼌㼖㼂㼆㼖 㻋㼙㼄㼕㼌㼄㼅㼏㼈㻌 㻹㻷㻫㻯㻤㻷 㼳㻘㻹㻃㼌㼑㼓㼘㼗 㻹㻺 㻪㻱㻧 㻷㻵㻰 25 集積回路/Integrated Circuits 2 ■ ハイサイド・ローサイドドライバ IC High and Low side driver IC (HVIC) ■特長 ■ Features High tolerance to negative transient voltage on VS terminal Wide range supply voltage up to 30V (FA5650/5651) 3.3V logic compatible Under-voltage lockout for both channels Allowable offset supply voltage transient dVs/dt up to 50kV/us Turn-on and Turn-off propagation delay time typical 125ns (FA5650/5651/5751) VS 端子の高負電圧耐量により高信頼性を確保 30V までの広範囲電源電圧（FA5650/5651） 3.3V 論理入力に対応 電源電圧低下保護を内蔵 dVs/dt 耐量 50kV/us の高ノイズ耐量 入出力遅延時間は 125ns(typ.) と高速応答 （FA5650/5651/5751） ■ 用途 Application モータドライブ、UPS、インバータ蛍光灯、IH クッキングヒータなどの IGBT/ パワー MOSFET 駆動用 IGBT/ Power MOSFET driver for motor drive, UPS, inverter fluorescent lamp and IH cooking heater 回路方式 Circuit type 型式 Type name FA5650N FA5651N ハーフ FA5751N ブリッジ Half-bridge FA5752N 絶対最大定格 Absolute maximum ratings ハイサイド対 入力電圧 出力電流 Output Maximum 地電圧 High side supply voltage current source / sink floating supply voltage 830V 624V 最大動作周 波数 Maximum input frequency 電気的特性 Electrical characteristics 論理入力 入出力遅延 電源電圧低 入力系統数 Number 電圧 時間 下保護 Logic"1" / "0" Turn-on VCC and VBS of Input terminal Input voltage and turn-off supply level (typ.) propagation under-voltage delay (typ.) threshold (typ.) Logic"1" 2.1V 125ns Logic"0" 1.1V 30V -1.4A/1.8A 24V -0.2A/0.35A 500kHz High side IHO: -0.62A/1.00A Low side ILO: -0.56A/0.91A 125ns Logic"1" 2.1V Logic"0" 1.3V 130ns パッケージ Package SOP-8 positive going 8.9V negative going 8.2V SOP-16 2 SOP-8 ■端子配置 Pin Layout FA5651N FA5650N FA5751/52N 1 HIN (NC) 16 1 HIN VB 8 1 VCC VB 8 2 LIN VB 15 2 LIN HO 7 2 HIN HO 7 3 (NC) HO 14 3 GND VS 6 3 LIN VS 6 4 (NC) VS 13 4 LO VCC 5 4 LO GND 5 5 (NC) (NC) 12 6 GND (NC) 11 7 LO (NC) 10 8 VCC (NC) 9 ■ブロック図（代表型式） Block diagram (main model) ■標準応用回路 Typical application circuit HV FA5650N Level-Shift VB(8) UV Delay=1.5us detect R Driver Signal/Noise Separator Input voltage detect circuit HIN(1) HO(7) VS(6) Pulse genatator VREG (5.0V) VCC(5) Input voltage detect circuit LIN(2) Timing adjustment UV detect Delay=3us R Driver LO(4) GND(3) 26 DSP etc. 1 HIN VB 8 2 LIN HO 7 3 GND 4 LO VS 6 VCC 5 VCC To LOAD 集積回路/Integrated Circuits ■ DC/DC 電源制御用 IC 2 DC/DC Power Supply control ICs DC/DC制御IC DC/DC Power Supply control ICs 型式 Type Name FA7700V 制御方式 出力数 入力電圧 動作周波数 Control mode Output Recommend Frequency channel input voltage 昇圧 ﾌﾗｲﾊﾞｯｸ 降圧 反転 Boost Fly back Buck Inverting ● ● FA7701V ● 基準電圧 動作周囲温度 出力電流 Reference Operating Output Voltage Ambient Current Temperature 出力段 パッケージ MOSFET Package Output MOSFET 1 2.5 - 18V 50k - 1MHz 0.88V -30 − +85℃ − − TSSOP-8 1 2.5 - 18V 50k - 1MHz 0.88V -30 − +85℃ − − TSSOP-8 2 2.5 - 28V 50k - 1MHz 1.0V -30 − +85℃ − − TSSOP-16 SOP-16 2 2.5 - 18V 50k - 1MHz 1.0V -30 − +85℃ − − TSSOP-16 1.0V FA7703V ● ● ● FA7704V ● ● ● FA3687V ● ● ● ● 2 2.5 - 18V 300k - 1.5MHz -40 − +85℃ − − TSSOP-16 FA7711V ● ● ● ● 3 4.5 - 28V 200k - 800kHz Adjustable -20 − +85℃ − − TSSOP-24 1 9 - 45V FA7764AN/P ● ● 30k - 400kHz 1.0V -20 − +85℃ 1.5A 内蔵 SOP-8E Built-In DC/DC制御IC系列（MOSFET外付け） DC/DC Power Supply control ICs (without MOSFET) DCDCコンバータ DCDCコンバータ（MOSFET外付け） DCDC converter (without MOSFET) 2 ch 1 ch Vcc: 2.5 to 18V Vcc: 2.5 to 28V 3 ch Vcc: 2.5 to 18V Vcc: 4.5 to 28V 昇圧/Boost フライバック /Flyback 降圧/Buck 降圧/Buck 昇圧/Boost 反転/Invert フライバック /Flyback 降圧/Buck 昇圧/Boost フライバック /Flyback 降圧/Buck 昇圧/Boost 反転/Invert フライバック /Flyback 降圧/Buck 昇圧/Boost 反転/Invert フライバック /Flyback FA7700V FA7701V FA7703V FA7704V FA3687V FA7711V 27 集積回路/Integrated Circuits 2 DC/DC制御IC系列（MOSFET内蔵） DC/DC Power Supply control ICs (included MOSFET) DCDCコンバータ（MOSFET内蔵） DCDC converter (included MOSFET) 1ch Pch内蔵 Vcc: 9 to 45V 降圧/Buck FA7764AN/P DC/DC制御IC代表型式ブロック図 Block diagram of DC/DC Power Supply control ICs（main model） FA7711V FA7764AN/P ⑯ 㻃CS3 ⑭㻃CS2 ⑪ CS1 ④ 㻃 VREF ⑱ VCC Reference voltge 57 UVLO 9 6RIW 6WDUW Soft start (1% 9&& &ORFN &RXQWHU &RPSHQVDWLRQ 26& 89/2 212)) 7KHPDO 6KXWGRZQ 5HIHUHQFH 9ROWDJH &5(* PVCC ② RT 9%,$6 ⑰ 㻃PVCC Er. Amp.1 䟽 ⑦ IN1- 䟿 ⑳ IN2- 䟽 P ch drive 䟿 23 22 ⑫㻃 OUT1 Comp.2 N/P ch drive 䟽 Er. Amp.3 IN3- 䟿 Comp.3 27$ 6 5 4 287 ⑤ 㻃SEL2 PVCC 䟽 N/P ch drive 䟿 FB3 PGND 㻷㼌㼐㼈㼕 㼏㼄㼗㼆㼋 ① 㻃CP ⑮㻃 OUT3 ⑨ 㻃GND 'LRGHRSHQ GHWHFW ③ 㻃SEL3 *1' 䐟㻃㻃㻳㻪㻱㻧 PGND FB voltage dtection 'ULYHU 3:0B &203 ⑬㻃 OUT2 2YHU &XUUHQW 'HWHFWLRQ ,1 PGND 䟽 5 4 6 ,1 PVCC 䟿 䟿 IN3+ 28 7LPHU/DWFKIRU 6KRUW&LUFXLW3URWHFWLRQ PGND Er. Amp.2 䟽 ⑲ FB2 24 JP ё Comp.1 ⑧ FB1 IN2+ 9ROWDJH 5HJXODWRU Oscillator ⑥ IN1+ 21 89/2 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ Super J-MOSTMシリーズの特長 Features of the Super J-MOSTM series ■コンセプト Concept スーパージャンクション技術により、従来のパワー MOSFET に比べ、素 子耐圧とオン抵抗（Ron・A) のトレードオフを大幅に改善し、ターンオフ 損失とターンオフ dV/dt とのトレードオフ特性を従来のパワー MOSFET と同等レベルにする事で、低損失と低ノイズ特性を両立し電源の高効率化、 小型化をサポートします。 Source Lower RDS(on) characteristic • Ron • A is reduced by about 75% compared to the conventional MOSFET Maintains both low turn-off loss and low noise • Same level with conventional MOSFET Guarantee of avalanche robustness Narrow band of the gate threshold voltage ( 3.0 ± 0.5V) Small Package with Same RDS(on) • ex) 600V/0.28ohm/TO-3P → 600V/0.28ohm/TO-220 Source n+ p+ n+ p Gate n+ p+ n+ p n p n+ p+ n+ n p n n 㻤㼕㼈㼄㻐㼖㼓㼈㼆㼌㼉㼌㼆㻃㼒㼑㻐㼕㼈㼖㼌㼖㼗㼄㼑㼆㼈㻃㻾䂿㼐㼐㻕㼀 低オン抵抗特性 ・従来 (Super FAP-E3) 比で Ron・A 約 75％低減 低ターンオフ損失特性と低ノイズ特性の両立 ( 従来と同等レベル） アバランシェ耐量保証 ゲートしきい値電圧 3.0±0.5V 保証 低オン抵抗化によるパッケージ小型化 ・ex) 600V/0.28ohm/TO-3P → 600V/0.28ohm/TO-220 Gate n+ p+ n+ We have improved dramatically the trade-off characteristics between the on-resistance and the breakdown voltage with the Superjunction technology. We offer the Super J-MOS which made the low loss and the low noize compatible by making the trade-off characteristic between a turn-off loss and turn-off dV/dt into a level equivalent to the conventional MOSFET, As a result, It contributes to the efficiency increase of a power supply and a miniaturization of it. ■特長 Features Super J-MOSTM Conventional MOSFET n+ n+ Drain Drain 㻔㻓 㻔㻓 㻜 㻛 㻚 㻙 T FE OS lM a n tio en nv Co r) ga tna ha B . it im 1 M n l D'9 S ico Sil f. ISP (re 㻘 㻗 㻖 㻕 TM Super J-MOS 㻔㻔 㻗㻘㻓 㻘㻓㻓 㻘㻘㻓 㻙㻓㻓 㻙㻘㻓 㻥㻹㻧㻶㻶㻃㻾㻹㼀 㻚㻓㻓 㻚㻘㻓 ■用途 Applications サーバ、PC、太陽光、UPS、液晶テレビ、照明、標準電源などの PFC 回路・ PWM コンバータ PFC or PWM converter for Server, PC, Solar, UPS, LCD-TV, Lighting and Standard power supply TM は、富士電機の登録商標です。 TM is registered trademarks of Fuji Electric. Super J-MOS Super J-MOS 29 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ Super FAP-E3, E3Sシリーズの特長 Features of the Super FAP-E3, E3S series ■コンセプト Concept 第二世代擬平面接合技術により、 “低損失、低ノイズ特性”と“使い易さ” を両立し、電源セットの設計から製品までのトータル性能向上をサポー トします。 We offer a higher performance and easy-to-use, easy-to-design planer type power MOSFET achieved by the second generation "Quasi-PlaneJunction" Technology. As a result, it contributes to the ecology electronics by the performance improving efficiency. ■特長 Features 低損失特性と低ノイズ特性の両立 低オン抵抗特性 スイッチング時 dv/dt のゲート抵抗制御性が良い スイッチング時の VGS のリンギングが小さい ゲートしきい値電圧幅 ±0.5V アバランシェ耐量が高く壊れにくいい E3コンセプト概念図 Concept 使いやすさ 低損失・低ノイズ Lower Emission (power loss, EMI noise) Easy to Design Easy to use Ecology エコロジー Maintains both low power loss and low noise Lower RDS(on) characteristic More controllable switching dv/dt by gate resistance Smaller VGS ringing waveform during switching Narrow band of the gate threshold voltage ( 3.0 ± 0.5V) High avalanche durability ■ Super FAP-Gシリーズの特長 Features of the Super FAP-G series 擬平面接合技術により、低 Qgd によるスイッチング損失と低オン抵抗特性を実現しました。 We achieved low RDS(on) characteristic and Low Switching loss(Low Qgd) by applying "Quasi-Plane-Junction" Technology. ■特長 Features ターンオフ損失の低減 ・従来比較 約 75% 低減 低ゲートチャージ ・従来比較 約 60% 低減 高アバランシェ耐量 低オン抵抗化によりパッケージの小型化 ・500V/0.4Ω/TO-3P → 500V/0.38Ω/TO-220 系 Low Turn-Off Loss · 75% lower Eoff compared with Conventional type Low Gate Charge · 60% lower Qg compared with Conventional type High Avalanche durability · Improved Avalanche durability high temp. Small Package with Same RDS(on) · ex) 500V/0.4ohm/TO-3P → 500V/0.38ohm/TO-220 30 擬平面接合セル Quasi-Plane-Junction (QPJ) 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■系列マップ Series map 3 Super J-MOS & Super FAP-G series 3S Super FAP-E & FAP-E 100 series 30 最大連続ドレイン電流 ID Maximum Continuous Drain Current ID (A) 最大連続ドレイン電流 ID Maximum Continuous Drain Current ID (A) 25 10 20 15 10 5 0 1 100 200 300 400 500 600 700 800 900 400 1000 500 Super FAP-G 600 700 800 900 1000 最大ドレインソース間電圧 VDSS Maximum Drain-Source Voltage VDSS (V) 最大ドレインソース間電圧 VDSS Maximum Drain-Source Voltage VDSS (V) Super FAP-E3 Super J-MOS Super FAP-E3S ■ 型式の見方 Naming System for Fuji Power MOSFET Products F M V 20 N 60 S1 社名 機種コード Device code パッケージコード Package type 定格電流 Current 極性 Polarity 定格電圧 Voltage シリーズ Series Company Fuji M S1 Super J-MOSTM (1G) D2-pack E Super FAP-E3 C T-pack(S) ES Super FAP-E3S H TO-3P I T-pack(L) P TO-220 R TO-3PF V TO-220F(SLS) W TO-247 A TO-220F B TM は、富士電機の登録商標です。 TM is registered trademarks of Fuji Electric. Super J-MOS Super J-MOS MOSFET ×1 N N-ch × 1/10 31 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs TM ■ Super J-MOS TM シリーズ Super J-MOS series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss 型 式 Device type ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ ▲ FMP07N60S1 FMV07N60S1 FMB07N60S1 FMP08N60S1 FMV08N60S1 FMB08N60S1 FMP10N60S1 FMV10N60S1 FMB10N60S1 FMP13N60S1 FMV13N60S1 FMB13N60S1 FMP20N60S1 FMV20N60S1 FMH20N60S1 FMW20N60S1 FMB20N60S1 FMP30N60S1 FMV30N60S1 FMH30N60S1 FMW30N60S1 FMB30N60S1 FMH47N60S1 FMW47N60S1 FMW79N60S1 ▲ 開発中 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 6.5 6.5 6.5 8 8 8 10 10 10 13 13 13 20 20 20 20 20 30 30 30 30 30 47 47 68 Amps. 19.5 19.5 19.5 24 24 24 30 30 30 39 39 39 60 60 60 60 60 90 90 90 90 90 141 141 204 Under development RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.58 0.58 0.58 0.47 0.47 0.47 0.38 0.38 0.38 0.28 0.28 0.28 0.19 0.19 0.19 0.19 0.19 0.125 0.125 0.125 0.125 0.125 0.07 0.07 0.04 PD VGS VGS (th) Watts 60 21 (60) 70 25 (70) 90 32 (90) 120 43 (120) 150 60 130 130 (150) 250 90 220 220 (250) 390 390 545 Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 Qg typ. nC (22) (22) (22) (25) (25) (25) 28 28 28 35 35 35 48 48 48 48 48 73 73 73 73 73 125 125 203 パッケージ Package TO-220AB TO-220F(SLS) D2-Pack TO-220AB TO-220F(SLS) D2-Pack TO-220AB TO-220F(SLS) D2-Pack TO-220AB TO-220F(SLS) D2-Pack TO-220AB TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 D2-Pack TO-220AB TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-247-P2 D2-Pack TO-3P(Q) TO-247-P2 TO-247-P2 TM Super J-MOS Super J-MOS TM 質 量 Net mass Grams 2.0 2.0 (1.6) 2.0 2.0 (1.6) 2.0 2.0 (1.6) 2.0 2.0 (1.6) 2.0 2.0 5.0 6.0 (1.6) 2.0 2.0 5.0 6.0 (1.6) 5.0 6.0 6.0 は、富士電機の登録商標です。 is registered trademarks of Fuji Electric. TM Super J-MOS シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 TM The Super J-MOS series products satisfies the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 32 パワーMOSFET/Power MOSFETs 3 ■ Super FAP-E3シリーズ Super FAP-E3 series 低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise 型 式 Device type FMP05N50E FMV05N50E FMI05N50E FMC05N50E FMP07N50E FMV07N50E FMI07N50E FMC07N50E FMP08N50E FMV08N50E FMP12N50E FMV12N50E FMI12N50E FMC12N50E FMP16N50E FMV16N50E FMI16N50E FMC16N50E FMH16N50E FMP20N50E FMV20N50E FMI20N50E FMC20N50E FMH20N50E FMV23N50E FMH23N50E FMR23N50E FMH28N50E FMR28N50E FMP03N60E FMV03N60E FMI03N60E FMC03N60E FMP05N60E FMV05N60E FMI05N60E FMC05N60E FMP06N60E FMV06N60E FMP10N60E FMV10N60E FMI10N60E FMC10N60E ＊1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 5 5 5 5 6.5 6.5 6.5 6.5 7.5 7.5 12 12 12 12 16 16 16 16 16 20 20 20 20 20 23 23 23 28 28 3 3 3 3 5.5 5.5 5.5 5.5 6 6 10 10 10 10 Amps. 20 20 20 20 26 26 26 26 30 30 48 48 48 48 64 64 64 64 64 80 80 80 80 80 92 92 92 112 112 12 12 12 12 22 22 22 22 24 24 40 40 40 40 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 1.5 1.5 1.5 1.5 0.85 0.85 0.85 0.85 0.79 0.79 0.52 0.52 0.52 0.52 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.31 0.31 0.31 0.31 0.31 0.245 0.245 0.245 0.19 0.19 2.3 2.3 2.3 2.3 1.3 1.3 1.3 1.3 1.2 1.2 0.79 0.79 0.79 0.79 PD ＊2 Watts 60 21 60 60 90 32 90 90 105 37 165 60 165 165 225 80 225 225 195 270 95 270 270 235 130 315 150 400 200 60 21 60 60 90 32 90 90 105 37 165 60 165 165 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 Qg Typ. nC 21 21 21 21 32 32 32 32 35 35 60 60 60 60 60 60 60 60 60 77 77 77 77 77 93 93 93 130 130 21.5 21.5 21.5 21.5 33 33 33 33 35 35 47 47 47 47 パッケージ Package TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.7 5.1 6.0 5.1 6.0 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 1.6 PD: TC=25°C 記号 Letter symbols VDSS: ドレイン・ソース電圧 ドレイン電流 ID : ID(pulse): パルスドレイン電流 RDS(on): ドレイン・ソース オン抵抗 Drain-source voltage Continuous drain current Pulsed drain current Drain-source on-state resistance Maximum power dissipation 許容損失電力 PD: VGS: ゲート・ソース電圧 Gate-source voltage VGS(th): ゲートしきい値電圧 Gate threshold voltage Qg: トータルゲートチャージ量 Total gate charge SuperFAP-E3 シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合 わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The Super FAP-E3 series products satisfies the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 33 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ Super FAP-E3シリーズ Super FAP-E3 series 低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise（Continued） 型 式 Device type FMP11N60E FMV11N60E FMI11N60E FMC11N60E FMP13N60E FMV13N60E FMI13N60E FMC13N60E FMP16N60E FMV16N60E FMI16N60E FMC16N60E FMV19N60E FMH19N60E FMR19N60E FMH23N60E FMR23N60E FMV07N65E FMV09N65E FMV07N70E FMH07N70E FMV09N70E FMH09N70E FMV11N70E FMH11N70E FMV15N70E FMV06N80E FMH06N80E FMI06N80E FMC06N80E FMV08N80E FMH08N80E FMI08N80E FMC08N80E FMV10N80E FMH10N80E FMV13N80E FMH13N80E ＊1 34 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 650 650 700 700 700 700 700 700 700 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 800 Amps. 11 11 11 11 13 13 13 13 16 16 16 16 19 19 19 23 23 7 9 7 7 9 9 11 11 15 6 6 6 6 8 8 8 8 10 10 13 13 Amps. 44 44 44 44 52 52 52 52 64 64 64 64 76 76 76 92 92 28 36 28 28 36 36 44 44 60 24 24 24 24 32 32 32 32 40 40 52 52 PD: TC=25°C RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.75 0.75 0.75 0.75 0.58 0.58 0.58 0.58 0.47 0.47 0.47 0.47 0.365 0.365 0.365 0.28 0.28 1.47 0.97 1.5 1.5 1.2 1.2 0.85 0.85 0.59 2.0 2.0 2.0 2.0 1.6 1.6 1.6 1.6 1.1 1.1 0.78 0.78 PD ＊2 Watts 180 65 180 180 225 80 225 225 270 95 270 270 130 315 150 400 200 37 60 48 115 60 145 85 205 120 48 115 135 135 60 145 165 165 85 205 120 285 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 3±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 Qg Typ. nC 48.5 48.5 48.5 48.5 60 60 60 60 76 76 76 76 105 105 105 130 130 35 47 32 32 38 38 50 50 66 32 32 32 32 38 38 38 38 50 50 66 66 パッケージ Package TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-220F(SLS) TO-220F(SLS) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3P(Q) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 1.7 5.1 6.0 5.1 6.0 1.7 1.7 1.7 5.1 1.7 5.1 1.7 5.1 1.7 1.7 5.1 1.6 1.6 1.7 5.1 1.6 1.6 1.7 5.1 1.7 5.1 パワーMOSFET/Power MOSFETs 3 ■ Super FAP-E3 シリーズ Super FAP-E3 series 低オン抵抗、低ノイズ Low-on resistance and low switching noise（Continued） 型 式 Device type FMH06N90E FMV06N90E FMZ06N90E FMI06N90E FMC06N90E FMA06N90E FMH07N90E FMV07N90E FMI07N90E FMC07N90E FMH09N90E FMV09N90E FMR09N90E FMH11N90E FMV11N90E FMR11N90E ＊1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 Amps. 6 6 6 6 6 6 7 7 7 7 9 9 9 11 11 11 Amps. 24 24 24 24 24 24 28 28 28 28 36 36 36 44 44 44 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.0 2.0 2.0 2.0 1.4 1.4 1.4 1.0 1.0 1.0 PD ＊2 Watts 115 48 135 135 135 48 145 60 165 165 205 85 100 285 120 135 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 4±0.5 Qg Typ. nC 33 33 33 33 33 33 39 39 39 39 50 50 50 60 60 60 パッケージ Package TO-3P(Q) TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220F TO-3P(Q) TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF 質 量 Net mass Grams 5.1 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 5.1 1.7 1.6 1.6 5.1 1.7 6.0 5.1 1.7 6.0 PD: TC=25°C 35 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ Super FAP-E3S 低Qgシリーズ Super FAP-E3S Low Qg series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss 型 式 Device type FMP12N50ES FMV12N50ES FMI12N50ES FMC12N50ES FML12N50ES FMP16N50ES FMV16N50ES FMI16N50ES FMC16N50ES FMH16N50ES FML16N50ES FMP20N50ES FMV20N50ES FMI20N50ES FMC20N50ES FMH20N50ES FML20N50ES FMV21N50ES FMR21N50ES FMH21N50ES FMV23N50ES FMR23N50ES FMH23N50ES FMR28N50ES FMH28N50ES FMP06N60ES FMV06N60ES FMI06N60ES FMC06N60ES FMP12N60ES FMV12N60ES FMI12N60ES FMC12N60ES FML12N60ES FMP13N60ES FMI13N60ES FMC13N60ES FMH13N60ES FML13N60ES FMP16N60ES FMV16N60ES FMI16N60ES FMC16N60ES FMH16N60ES FML16N60ES FMV17N60ES FMR17N60ES FMH17N60ES FMV19N60ES FMR19N60ES FMH19N60ES FMR23N60ES FMH23N60ES ＊1 VDSS ID ID (pulse) Volts 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 Amps. 12 12 12 12 12 16 16 16 16 16 16 20 20 20 20 20 20 21 21 21 23 23 23 28 28 6 6 6 6 12 12 12 12 12 13 13 13 13 13 16 16 16 16 16 16 17 17 17 19 19 19 23 23 Amps. 48 48 48 48 48 64 64 64 64 64 64 80 80 80 80 80 80 84 84 84 92 92 92 112 112 24 24 24 24 48 48 48 48 48 48 48 48 48 48 64 64 64 64 64 64 68 68 68 76 76 76 92 92 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.31 0.31 0.31 0.31 0.31 0.31 0.27 0.27 0.27 0.245 0.245 0.245 0.19 0.19 1.2 1.2 1.2 1.2 0.75 0.75 0.75 0.75 0.75 0.58 0.58 0.58 0.58 1.58 0.47 0.47 0.47 0.47 0.47 0.47 0.4 0.4 0.4 0.365 0.365 0.365 0.28 0.28 PD ＊2 Watts 180 65 180 180 180 225 80 225 225 195 225 270 95 270 270 235 270 120 135 285 130 150 315 200 400 105 37 105 105 180 65 180 180 180 225 225 225 195 225 270 95 270 270 235 270 120 135 285 130 150 315 200 400 VGS VGS (th) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 Volts 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 3.7±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 Qg Typ. nC 41 41 41 41 41 52 52 52 52 52 52 57 57 57 57 57 57 67 67 67 74 74 74 92 92 31 31 31 31 37 37 37 37 37 48 48 48 48 48 56 56 56 56 56 56 68 68 68 74 74 74 92 92 パッケージ Package TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TFP TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TFP TO-220AB T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220AB TO-220F(SLS) T-Pack(L) T-Pack(S) TO-3P(Q) TFP TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-220F(SLS) TO-3PF TO-3P(Q) TO-3PF TO-3P(Q) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 1.7 6.0 5.1 1.7 6.0 5.1 6.0 5.1 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 1.6 2.0 1.6 1.6 5.1 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 5.1 1.6 1.7 6.0 5.1 1.7 6.0 5.1 6.0 5.1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 PD: TC=25°C SuperFAP-E3S シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い 合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The Super FAP-E3Sseries products satisfies the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 36 パワーMOSFET/Power MOSFETs 3 ■ Super FAP-Gシリーズ Super FAP-G series 低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge 型 式 Device type 2SK3598-01 2SK3599-01MR 2SK3600-01L, S 2SK3601-01 2SK3771-01MR 2SK3644-01 2SK3645-01MR 2SK3646-01L, S 2SK3647-01 2SK3586-01 2SK3587-01MR 2SK3588-01L, S 2SK3589-01 2SK3770-01MR 2SK3920-01 2SK3886-01MR 2SK3921-01L, S 2SK3922-01 2SK3602-01 2SK3603-01MR 2SK3604-01L, S 2SK3605-01 2SK3769-01MR 2SK3648-01 2SK3649-01MR 2SK3650-01L, S 2SK3474-01 2SK3537-01MR 2SK3590-01 2SK3591-01MR 2SK3592-01L, S 2SK3593-01 2SK3788-01 2SK3789-01R 2SK3882-01 2SK3606-01 2SK3607-01MR 2SK3608-01L, S 2SK3609-01 2SK3594-01 2SK3595-01MR 2SK3596-01L, S 2SK3597-01 2SK3780-01 2SK3781-01R 2SK3883-01 ＊1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 120 120 120 120 120 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 Amps. 29 29 29 29 29 41 41 41 41 73 73 73 73 26 67 67 67 67 23 23 23 23 23 33 33 33 33 33 57 57 57 57 92 92 100 18 18 18 18 45 45 45 45 73 73 100 Amps. 116 116 116 116 116 164 164 164 164 292 292 292 292 104 268 268 268 268 92 92 92 92 92 132 132 132 132 132 228 228 228 228 368 368 400 72 72 72 72 180 180 180 180 292 292 400 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.062 0.062 0.062 0.062 0.059 0.044 0.044 0.044 0.044 0.025 0.025 0.025 0.025 0.078 0.03 0.03 0.03 0.03 0.105 0.105 0.105 0.105 0.1 0.07 0.07 0.07 0.07 0.07 0.041 0.041 0.041 0.041 0.026 0.026 0.016 0.17 0.17 0.17 0.17 0.066 0.066 0.066 0.066 0.036 0.036 0.02 PD ＊2 Watts 105 37 105 105 37 150 53 150 150 270 95 270 270 37 270 95 270 270 105 37 105 105 37 150 53 150 150 53 270 95 270 270 410 210 600 105 37 105 105 270 95 270 270 410 210 600 VGS Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±20 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 VGS (th) Qg Typ. Volts nC 3 to 5 22 3 to 5 22 3 to 5 22 3 to 5 22 3 to 5 23 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 26 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 23 3 to 5 34 3 to 5 34 3 to 5 34 3 to 5 34 1 to 2.5 46 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 52 3 to 5 80 3 to 5 80 3 to 5 140 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 51 3 to 5 51 3 to 5 51 3 to 5 51 3 to 5 80 3 to 5 80 3 to 5 140 パッケージ Package TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-247 TO-3PF TO-247 TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-247 TO-3PF TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 4.9 6.0 4.9 2.0 1.7 1.6 0.8 2.0 1.7 1.6 0.8 4.9 6.0 4.9 PD: TC=25°C Super FAP-G シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問い合 わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The Super FAP-G series products satisfies the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 37 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ Super FAP-Gシリーズ Super FAP-G series 低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued） 型 式 Device type 2SK3870-01 2SK3871-01MR 2SK3872-01L, S 2SK3610-01 2SK3611-01MR 2SK3612-01L, S 2SK3613-01 FMA18N25G FMV24N25G 2SK3554-01 2SK3555-01MR 2SK3556-01L, S 2SK3535-01 2SK3651-01R 2SK3778-01 2SK3779-01R 2SK3884-01 2SK3873-01 2SK3874-01R 2SK3580-01MR 2SK3772-01 2SK3773-01MR 2SK3774-01L, S 2SK3775-01 2SK3776-01 2SK3777-01R 2SK3885-01 2SK3725-01 2SK3726-01MR 2SK3916-01 2SK3917-01MR 2SK3914-01 2SK3915-01MR 2SK3514-01 2SK3515-01MR 2SK3516-01L, S 2SK3692-01 2SK3693-01MR 2SK3694-01L, S 2SK4040-01 ＊1 38 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 230 230 230 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 250 280 280 300 300 300 300 300 300 300 300 450 450 450 450 450 450 450 450 450 450 450 450 450 Amps. 40 40 40 14 14 14 14 18 24 37 37 37 37 37 59 59 96 56 56 15 32 32 32 32 53 53 86 3 3 4.3 4.3 6 6 10 10 10 17 17 17 17 Amps. 160 160 160 56 56 56 56 72 96 148 148 148 148 148 236 236 400 224 224 60 128 128 128 128 212 212 344 12 12 17.2 17.2 24 24 40 40 40 68 68 68 68 PD: TC=25°C RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.076 0.076 0.076 0.26 0.26 0.26 0.26 0.19 0.13 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 0.053 0.053 0.03 0.061 0.061 0.28 0.13 0.13 0.13 0.13 0.072 0.072 0.04 2.5 2.5 1.6 1.6 1.2 1.2 0.65 0.65 0.65 0.38 0.38 0.38 0.38 PD ＊2 Watts 270 270 270 105 37 105 105 48 65 270 95 270 270 115 410 210 600 410 210 48 270 95 270 270 410 210 600 50 17 21 21 90 32 135 48 135 225 80 225 225 VGS Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 VGS (th) Qg Typ. Volts nC 42 3 to 5 42 3 to 5 42 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 21 3 to 5 3 to 5 26 3 to 5 36 44 3 to 5 44 3 to 5 44 3 to 5 44 3 to 5 44 3 to 5 80 3 to 5 80 3 to 5 140 3 to 5 80 3 to 5 80 3 to 5 3.5 to 4.5 23 3 to 5 44.5 44.5 3 to 5 44.5 3 to 5 44.5 3 to 5 80 3 to 5 80 3 to 5 140 3 to 5 3 to 5 10.5 3 to 5 10.5 3 to 5 13 3 to 5 13 3 to 5 15.5 3 to 5 15.5 22 3 to 5 22 3 to 5 22 3 to 5 3 to 5 33 3 to 5 33 3 to 5 33 3 to 5 33 パッケージ Package TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-220F TO-220F(SLS) TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-3PF TO-247 TO-3PF TO-247 TO-247 TO-3PF TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TFP TO-247 TO-3PF TO-247 TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TFP 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 0.8 1.7 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 6.0 4.9 6.0 4.9 4.9 6.0 1.7 2.0 1.7 1.6 0.8 4.9 6.0 4.9 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 0.8 パワーMOSFET/Power MOSFETs 3 ■ Super FAP-Gシリーズ Super FAP-G series 低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued） 型 式 Device type 2SK3985-01 2SK3986-01MR 2SK3987-01L, S 2SK3517-01 2SK3518-01MR 2SK3519-01 2SK3520-01MR 2SK4004-01MR 2SK3521-01L, S 2SK3931-01 2SK3932-01MR 2SK3933-01L, S 2SK3468-01 2SK3469-01MR 2SK3512-01L, S 2SK3504-01 2SK3505-01MR 2SK3581-01L, S 2SK3682-01 2SK3683-01MR 2SK3684-01L, S 2SK3685-01 FML19N50G 2SK3522-01 2SK3523-01R 2SK3680-01 2SK3988-01 2SK3989-01MR 2SK3990-01L, S ＊1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 500 600 600 600 Amps. 3.6 3.6 3.6 6 6 9 9 9 9 11 11 11 14 14 14 16 16 16 19 19 19 19 19 25 25 51 3 3 3 Amps. 14.4 14.4 14.4 24 24 36 36 36 36 44 44 44 56 56 56 64 64 64 76 76 76 76 76 100 100 208 12 12 12 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 2.3 2.3 2.3 1.5 1.5 0.85 0.85 0.85 0.85 0.70 0.70 0.70 0.52 0.52 0.52 0.46 0.46 0.46 0.38 0.38 0.38 0.38 0.38 0.26 0.26 0.11 3.3 3.3 3.3 PD ＊2 Watts 60 21 60 90 32 135 48 48 135 165 60 165 195 70 195 225 80 225 270 95 270 235 270 335 160 600 60 21 60 VGS Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 VGS (th) Qg Typ. Volts nC 3 to 5 13 3 to 5 13 3 to 5 13 15 3 to 5 15 3 to 5 20 3 to 5 20 3 to 5 2.5 to 3.5 24 20 3 to 5 25 3 to 5 25 3 to 5 25 3 to 5 30 3 to 5 30 3 to 5 30 3 to 5 33 3 to 5 33 3 to 5 33 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 32 3 to 5 3 to 5 32 54 3 to 5 54 3 to 5 118 3 to 5 3 to 5 13 3 to 5 13 3 to 5 13 パッケージ Package TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-247 TFP TO-247 TO-3PF TO-247 TO-220AB TO-220F T-pack 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 4.9 0.8 4.9 6.0 4.9 2.0 1.7 1.6 PD: TC=25°C 39 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ Super FAP-Gシリーズ Super FAP-G series 低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued） 型 式 Device type 2SK3690-01 2SK3691-01MR 2SK3524-01 2SK3525-01MR 2SK3526-01L, S 2SK3887-01 2SK3888-01MR 2SK3889-01L, S 2SK3501-01 2SK3502-01MR 2SK3513-01L, S 2SK3450-01 2SK3451-01MR 2SK3753-01R 2SK3686-01 2SK3687-01MR 2SK3688-01L, S 2SK3689-01 2SK3527-01 2SK3528-01R 2SK3681-01 2SK3673-01MR 2SK3677-01MR 2SK3891-01R 2SK3529-01 2SK3530-01MR ＊1 40 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 600 700 700 700 800 800 Amps. 4.5 4.5 8 8 8 9 9 9 12 12 12 13 13 13 16 16 16 16 21 21 43 10 12 17 7 7 Amps. 18 18 32 32 32 36 36 36 48 48 48 52 52 52 64 64 64 64 84 84 172 40 48 68 28 28 PD: TC=25°C RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 2.3 2.3 1.2 1.2 1.2 1.0 1.0 1.0 0.75 0.75 0.75 0.65 0.65 0.65 0.57 0.57 0.57 0.57 0.37 0.37 0.16 1.18 0.93 0.6 1.9 1.9 PD ＊2 Watts 80 28 135 48 135 165 60 165 195 70 195 225 80 95 270 97 270 235 335 160 600 80 95 170 195 70 VGS VGS (th) Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 Volts 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 Qg Typ. nC 15 15 20 20 20 25 25 25 30 30 30 34 34 34 33 33 33 33 54 54 118 25 31 46 21.5 21.5 パッケージ Package TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F TO-3PF TO-220AB TO-220F T-pack TO-247 TO-247 TO-3PF TO-247 TO-220F TO-220F TO-3PF TO-220AB TO-220F 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 6.0 2.0 1.7 1.6 4.9 4.9 6.0 4.9 1.7 1.7 6.0 2.0 1.7 パワーMOSFET/Power MOSFETs 3 ■ Super FAP-Gシリーズ Super FAP-G series 低オン抵抗、低ゲート容量 Low-on resistance and low gate charge（Continued） 型 式 Device type 2SK3727-01 2SK3728-01MR 2SK3981-01 2SK3982-01MR 2SK3983-01L, S 2SK3698-01 2SK3699-01MR 2SK3531-01 2SK3532-01MR 2SK3676-01L, S 2SK4005-01MR 2SK3533-01 2SK3534-01MR 2SK3674-01L, S 2SK3675-01 2SK3678-01 2SK3679-01MR 2SK4006-01L, S 2SK3549-01 2SK3550-01R 2SK3875-01 2SK3876-01R ＊1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 900 Amps. 2.2 2.2 2.6 2.6 2.6 3.7 3.7 6 6 6 6 7 7 7 7 9 9 9 10 10 13 13 Amps. 8.8 8.8 10.4 10.4 10.4 14.8 14.8 24 24 24 24 28 28 28 28 36 36 36 40 40 52 52 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 8.0 8.0 6.4 6.4 6.4 4.3 4.3 2.5 2.5 2.5 2.5 2.0 2.0 2.0 2.0 1.58 1.58 1.58 1.4 1.4 1.0 1.0 PD RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.28 0.28 0.28 0.11 0.11 0.11 0.55 0.55 0.8 0.8 0.8 0.17 PD ＊2 Watts 75 26 90 32 90 120 43 195 70 195 70 225 80 225 195 270 95 270 270 130 355 170 VGS VGS (th) Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 Volts 3.5 to 4.5 3.5 to 4.5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3.5 to 4.5 3.5 to 4.5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 2.5 to 3.5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 3 to 3 to 3 to 5 5 5 5 Qg Typ. nC 8.3 8 13 13 13 13 13 21.5 21.5 21.5 25 25 25 25 25 31 31 31 34.5 37 46 46 パッケージ Package Qg Typ. nC 22 22 22 56 56 56 28 28 30 30 30 105 パッケージ Package TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TO-247 TO-220AB TO-220F T-pack TO-247 TO-3PF TO-247 TO-3PF 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 1.7 2.0 1.7 1.6 4.9 2.0 1.7 1.6 4.9 6.0 4.9 6.0 PD: TC=25°C 高速ダイオード内蔵 Built-in FRED 型 式 Device type 2SK3913-01MR 2SK3923-01 2SK3924-01L, S 2SK3925-01 2SK3926-01MR 2SK3927-01L, S 2SK3695-01 2SK3696-01MR 2SK3928-01 2SK3929-01MR 2SK3930-01L, S 2SK3697-01 ＊1 RDS (on): VGS=10V, ＊2 VDSS ID ID (pulse) Volts 250 250 250 250 250 250 500 500 600 600 600 600 Amps. 14 14 14 34 34 34 13 13 11 11 11 42 Amps. 56 56 56 136 136 136 52 52 44 44 44 168 ＊2 Watts 37 105 105 270 95 270 195 70 195 70 195 600 VGS VGS (th) Volts ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 ±30 Volts 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 3 to 5 TO-220F TO-220AB T-pack TO-220AB TO-220F T-pack TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F T-pack TO-247 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 2.0 1.7 1.6 2.0 1.7 2.0 1.7 1.6 4.9 PD: TC=25°C 41 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 中耐圧トレンチ シリーズ Trench Power MOSFET 低オン抵抗、高ゲート耐圧 Low-on resistance and high gate capability 型 式 Device type FMP80N10T2 FMA80N10T2 FMI80N10T2 FMC80N10T2 FMP65N15T2 FMA65N15T2 FMI65N15T2 FMC65N15T2 FMP49N20T2 FMA49N20T2 FMI49N20T2 FMC49N20T2 ＊1 RDS (on): VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts 100 100 100 100 150 150 150 150 200 200 200 200 Amps. 80 80 80 80 65 65 65 65 49 49 49 49 Amps. 320 320 320 320 260 260 260 260 196 196 196 196 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.0128 0.0128 0.0128 0.0128 0.0245 0.0245 0.0245 0.0245 0.047 0.047 0.047 0.047 PD ＊2 Watts 270 95 270 270 270 95 270 270 270 95 270 270 VGS Volts +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 VGS (th) typ. Volts 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 2 to 4 パッケージ Package TO-220AB TO-220F T-pack(L) T-pack(S) TO-220AB TO-220F T-pack(L) T-pack(S) TO-220AB TO-220F T-pack(L) T-pack(S) 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 2.0 1.7 1.6 1.6 PD: TC=25°C 中耐圧トレンチ シリーズは、一般民生用向けの品質保証製品であります。車載用、医療機器など高度な信頼性を要求される機器へ適用される場合には、弊社にお問 い合わせください。また、航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 The Trench Power MOSFET series products satisfies the quality assurance level of general consumer use. If you intend to use the products for equipment requiring higher reliability, such as equipment for automobiles and medical equipment, please contact Fuji Electric. Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 42 パワーMOSFET/Power MOSFETs 3 ■ FAP-III シリーズ（Pチャネル） FAP-III series (P channel) アバランシェ耐量保証 Avalanche rated 型 式 Device type 2SJ472-01L, S 2SJ314-01L, S 2SJ473-01L, S 2SJ474-01L, S 2SJ475-01 2SJ476-01L, S 2SJ477-01MR ＊1 RDS (on): VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts -30 -60 -60 -60 -60 -60 -60 Amps. -5 -5 -7 -7 -25 -25 -25 Amps. -20 -20 -28 -28 -100 -100 -100 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.4 0.3 0.2 0.2 0.06 0.06 0.06 PD ＊2 Watts 15 20 20 20 50 50 40 VGS Volts ±16 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 ±20 VGS (th) typ. Volts -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 パッケージ Package VGS (th) typ. Volts 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 1.5 3.0 3.0 3.0 1.5 1.5 3.0 3.0 3.0 1.5 1.5 3.0 1.5 1.5 3.0 3.0 パッケージ Package K-pack K-pack K-pack T-pack TO-220AB T-pack TO-220F 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 0.6 1.6 2.0 1.6 1.7 PD: TC=25°C ■ FAP-IIIB シリーズ FAP-IIIB series 超低オン抵抗・高アバランシェ耐量 Ultra low on-state resistance 型 式 Device type 2SK2806-01 2SK2807-01L, S 2SK2808-01MR 2SK2687-01 2SK2688-01L, S 2SK2689-01MR 2SK3363-01 2SK2890-01MR 2SK2892-01R 2SK2891-01 2SK2893-01 2SK2894-01R 2SK2895-01 2SK2896-01L, S 2SK2897-01MR 2SK2900-01 2SK2901-01L, S 2SK2902-01MR 2SK3362-01 2SK2809-01MR 2SK3364-01 2SK2903-01MR 2SK2905-01R 2SK2691-01R 2SK2690-01 2SK2904-01 2SK2898-01 2SK2899-01R 2SK2906-01 2SK2907-01R ＊1 RDS (on): VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 30 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 60 Amps. 35 35 35 50 50 50 50 50 90 100 100 100 45 45 45 45 45 45 50 50 50 50 70 70 80 80 100 100 100 100 Amps. 140 140 140 200 200 200 200 200 360 400 400 400 180 180 180 180 180 180 200 200 200 200 280 280 320 400 400 400 400 400 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.02 0.02 0.02 0.01 0.01 0.01 0.0068 0.0068 0.0055 0.0055 0.004 0.004 0.012 0.012 0.012 0.015 0.015 0.015 0.01 0.01 0.012 0.012 0.012 0.01 0.01 0.012 0.007 0.007 0.008 0.008 PD ＊2 Watts 60 60 40 60 60 40 80 80 100 125 150 125 60 60 40 60 60 40 80 50 80 80 100 100 125 125 150 125 150 125 VGS Volts ±16 ±16 ±16 ±16 ±16 ±16 ±20 ±16 ±16 ±16 ±16 ±16 ±20 ±20 ±20 ±30 ±30 ±30 ±20 ±20 ±30 ±30 ±30 ±20 ±20 ±30 ±20 ±20 ±30 ±30 TO-220AB T-pack TO-220F TO-220AB T-pack TO-220F TO-220AB TO-220F TO-3PF TO-3P TO-3P TO-3PF TO-220AB T-pack TO-220F TO-220AB T-pack TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-3PF TO-3PF TO-3P TO-3P TO-3P TO-3PF TO-3P TO-3PF 質 量 Net mass Grams 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.7 6.0 5.5 5.5 6.0 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 6.0 6.0 5.5 5.5 5.5 6.0 5.5 6.0 PD: TC=25°C 43 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用トレンチMOSFET Automotive Trench Power MOSFET 型 式 Device type 2SK3273-01MR 2SK3270-01 2SK3272-01L, S 2SK3272-01SJ 2SK3271-01 2SK3730-01MR 2SK3804-01S 2SK4068-01 2SK4047-01S FMC80N10R6 FMY100N10R6 ＊ VDSS ID ID (pulse) Volts 60 60 60 60 60 75 75 40 60 100 100 Amps. 70 80 80 80 100 70 70 70 80 80 100 Amps. 280 320 320 320 400 280 280 280 320 320 400 RDS (on) Max. ＊ Ohms (Ω) 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0065 0.0079 0.0085 0.006 0.0065 0.0067 0.0067 PD Watts 70 135 135 135 155 70 162 115 195 180 280 VGS Volts +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 ±20 ±20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 +30/-20 VGS (th) typ. Volts 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 3.0 パッケージ Package TO-220F TO-220AB T-pack D2-pack TO-3P TO-220F T-pack TO-247 T-pack T-Pack TO-247 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.6 5.5 1.7 1.6 4.9 1.6 1.6 6.3 RDS (on): VGS=10V ■ 自動車用Super FAP-E3S 低Qgシリーズ Automotive Super FAP-E3S Low Qg series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss 型 式 Device type FMY50N30ES FMY72N30ES FMY24N60ES FMY31N60ES FMY36N60ES ＊1 RDS (on): VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts 300 300 600 600 600 Amps. 50 72 24 31 36 Amps. 200 288 96 124 144 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.072 0.045 0.280 0.200 0.160 PD ＊2 VGS Watts 400 570 400 495 570 Volts +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 VGS (th) typ. Volts 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 4.2±0.5 Qg Typ. nC 97 155 95 125 155 パッケージ Package TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 PD: TC=25°C 自動車用Super FAP-E3S 低Qgシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 3S The Automotive Super FAP-E Low Qg series of products satisfies the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. ■ 自動車用Super FAP-E3S 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズ Automotive Super FAP-E3S Low Qg Built-in FRED series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss 型 式 Device type FMY47N30ESF FMY67N30ESF FMY22N60ESF FMY30N60ESF FMY35N60ESF ＊1 RDS (on): VGS=10V, VDSS ID ID (pulse) Volts 300 300 600 600 600 Amps. 47 67 22 30 35 Amps. 188 268 88 120 140 ＊2 RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.085 0.053 0.290 0.210 0.170 PD ＊2 VGS Watts 400 570 400 495 570 Volts +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 +30/-30 VGS (th) typ. Volts 4.2±1.0 4.2±1.0 4.2±1.0 4.2±1.0 4.2±1.0 Qg Typ. nC 96 155 95 125 155 パッケージ Package TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 6.4 6.4 6.4 6.4 6.4 PD: TC=25°C 3S 自動車用Super FAP-E 低Qg 高速ダイオード内蔵シリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 3S Automotive Super FAP-E Low Qg Built-in FRED series of products satisfies the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. 44 3 パワーMOSFET/Power MOSFETs ■ 自動車用Super J-MOSTM シリーズ Automotive Super J-MOSTM series 低オン抵抗、低ノイズ、低スイッチング損失 Low-on resistance, low switching noise and low switching loss 型 式 Device type ▲ ▲ ▲ FMY47N60S1 FMY53N60S1 FMY79N60S1 ▲ 開発中 VDSS ID ID (pulse) Volts 600 600 600 Amps. 47 53 68 Amps. 141 159 204 RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.07 0.062 0.04 PD VGS Watts 390 480 545 Volts 30 30 30 VGS (th) typ. Volts 3.0±0.5 3.0±0.5 3.0±0.5 Qg Typ. nC 125 164 203 TM Under development Super J-MOS Super J-MOS 自動車用Super J-MOSTMシリーズは、一般車載用向けの品質保証(AEC-Q101準拠)製品であります。 航空宇宙用など高度な信頼性を要求される機器への適用は行わないでください。 TM パッケージ Package TO-247 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 6.4 6.4 6.4 は、富士電機の登録商標です。 is registered trademarks of Fuji Electric. TM Automotive Super J-MOS series of products satisfies the quality assurance level of general automobile use (conforms to AEC-Q101). Do not use the products for equipment requiring strict reliability such as aerospace equipment. ■ 自動車用高機能パワーMOSFET Automotive Intelligent Power MOSFET 型 式 Device type F5018 F5019 F5020 F5033 F5041 F5042 F5043 F5048 F5055 ＊1 VDSS ID ID (pulse) Volts 40 40 40 40 40 40 40 80 40 Amps. 8 12 3 1 1 8 12 15 5.9 Amps. 27 - ＊2 RDS (on): VGS=5V RDS (on) Max. ＊1 Ohms (Ω) 0.14 0.14 0.40 0.60 0.60 0.14 0.14 0.125 0.14 PD VGS Watts 15 30 10 1.5 1.5 15 30 43 7.8 Volts - VGS (th) typ. Volts - パッケージ Package K-pack T-pack K-pack SOP-8＊2 SOP-8＊2 K-pack T-pack T-pack SSOP-20＊2 質 量 Net mass Grams 0.6 1.6 0.6 0.2 0.2 0.6 1.6 1.6 0.3 2ch入り Contains 2 channels ■ 自動車用 IPS シリーズ（インテリジェントパワースイッチ）Automotive IPS series ( Intelligent Power Switches ) 自己保護機能・診断機能内蔵 Self protection and safety check 型 式 Device type F5044H F5045P F5062H F5063L ＊1 VDSS ID ID (pulse) Volts 50 50 35 40 Amps. 2.5 1 50 1.9 Amps. - ＊2 RDS (on): VCC=12V RDS (on): VIN=5V ＊3 RDS (on) Max. Ohms (Ω) 0.12＊1 0.60＊1 0.008＊1 0.14＊2 PD Watts 1.5 1.5 114 1.75 VGS Volts - VGS (th) typ. Volts - パッケージ Package SOP-8 SOP-8 PSOP-12 SOP-8＊3 質 量 Net mass Grams 0.2 0.2 0.4 0.2 2ch入り Contains 2 channels 45 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ SBD, LLD の特長 Features of the SBD, LLD SBD (Shottoky-Barrier Diode) Ultra Low-IR SBD ■特長 Features ・接合部温度Ｔｊ =175℃保証を実現 ⇒ 従来品に対して高温側の動作限界温度を向上 ・従来の低 IR シリーズに対して、VF は同等で IR は 1/10 以下に低減 ⇒ 熱暴走のリスクを軽減し、高温での高信頼性を実現 ・従来の LLD に対し、VF は 10% 低減、IR も 1/10 以下に低減 ⇒ 従来の LLD からの置き換え、もしくは低い耐圧の SBD が使用 可能 ■汎用電源における超低 IR-SBD の温度低減 Temperature reduction effect of Ultra Low-IR SBD on standard power supply. 㻷㼈㼐㼓㼈㼕㼄㼗㼘㼕㼈㻃㼕㼌㼖㼈㻃䏊㻷㻋䉔䟻 · Junction temperature (Tj) of 175°C is guaranteed ⇒ Able to operate at a higher temperature than conventional products. · Compared with the conventional low IR series, offers equivalent VF while IR is reduced to 1/10 or less. ⇒ Reduced risk of thermal runaway and enhanced reliability at higher temperatures. · Compared with conventional LLD, VF is reduced by 10%, while IR is reduced to 1/10 or less. ⇒ Can be used to replace existing LLD or lower voltage class SBD. 㻜㻘 㻜㻓 㻛㻘 n ow d 6°C 㻛㻓 . 15 㻚㻘 㻚㻓 㻙㻘 UL-IR-SBD (150V/20A) LLD (200V/20A) Condition : 75W standard power supply, AC100V f=125kHz Super LLD series for PFC circuit ■特長 Features Super LLD-3（電流連続モード PFC 用） ・従来の Super LLD 系列の VF-trr トレードオフラインの改善 ・従来の電流連続モード用 Super LLD-1 に対して、更なる高速 化と同時に低ＶＦ化を達成し、MOSFET+DIODE の温度低減 と低損失化が可能 ■ Super LLD 系列の VF-trr 特性 VF-trr characteristics of Super LLD Series trr (ns) 10A,-100A/us,100℃ LLD (Low Loss Diode) Super LLD-2, 2A（臨界モード PFC 用） ・DCM-PFC 用に最適化した低 VF 特性による低損失化 ・ソフトリカバリー性による低ノイズ Super LLD-3 for CCM-PFC · Improvement in the VF-trr trade off line of the conventional type. · As a result of having balanced shorter trr with a lower VF than the conventional Super LLD-1 for CCM-PFC, Super LLD series, the restraint of the temperature rise and low loss of MOSFET + Diode and the high efficiency of the were made possible. 㻔㻗㻓 㻔㻖㻘 㻔㻖㻓 㻔㻕㻘 㻔㻕㻓 㻔㻔㻘 㻔㻔㻓 㻔㻓㻘 㻔㻓㻓 㻜㻘 㻜㻓 㻛㻘 㻛㻓 㻚㻘 㻚㻓 㻙㻘 㻙㻓 㻘㻘 㻘㻓 㻔㻑㻓 SuperLLD2 SuperLLD1 SuperLLD3 㻔㻑㻕 㻔㻑㻗 㻔㻑㻙 㻔㻑㻛 㻕㻑㻕 㻕㻑㻗 㻕㻑㻙 㻕㻑㻛 㻖㻑㻓 ■ CCM-PFC における Super LLD-3 の温度低減 Temperature reduction effect of Super LLD-3 on CCM-PFC 㻚㻓 DIODE⊿T (℃) MOSFET⊿T (℃) 㻷㼈㼐㼓㼈㼕㼄㼗㼘㼕㼈㻃㼕㼌㼖㼈㻃䏊㻷㻋䉔䟻 㻙㻓 Super LLD-2, 2A for DCM-PFC · Low power loss is achieved by optimization of DCM-PFC of low VF. · Low noise depend on soft recovery characteristic. 㻕㻑㻓 VF (V) 10A,100℃ E MOSF 㻘㻓 T: 2.0 °C do wn 㻗㻓 㻖㻓 㻕㻓 8°C : 8. n dow DE DIO 㻔㻓 㻓 SuperLLD-3 (600V/10A) 46 SuperLLD-1 (600V/10A) Condition : 400W PC Server supply, AC100V f=68.7kHz 整流ダイオード/Rectifier Diodes 4 ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD) シングル 1 in one-package 型式 Device type SD882-02 SD883-02 SD832-03 CB803-03 SD833-03 SD834-03 ERA82-004 ERA81-004 ERA83-004 SC802-04 SD832-04 SD862-04 ERB83-004 ERB81-004 SD883-04 SD863-04 SD833-04 ERC81-004 SD834-04 ERC81S-004 ERA83-006 SC802-06 ERB83-006 CB863-06 SD863-06 SD833-06 ERC81-006 ERA85-009 SC802-09 ERA84-009 ERB84-009 SD833-09 ERC84-009 SD863-10 CB863-12 FD867-12 FD868-12 CB863-15 FD867-15 FD868-15 SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. SMD 20 2.0 (Tl=96°C) SMD 20 3.0 (Tl=103°C) SMD 30 2.0 (Tl=124°C) 30 2.0 (Tl=133°C) SMD 30 3.0 (Tl=127°C) SMD 30 4.0 (Tl=100°C) 40 0.6 (Ta=45°C) 40 1.0 (Ta=25°C) 40 1.0 (Tl=136°C) SMD 40 1.0 (Tl=136°C)＊4 SMD 40 2.0 (Tl=120°C) SMD 40 2.0 (Tl=125°C) 40 2.0 (Tl=130°C) 40 2.0 (Tl=130°C) SMD 40 3.0 (Tl=100°C) SMD 40 3.0(Tl=116°C) SMD 40 3.0 (Tl=122°C) 40 3.0 (Tl=130°C) SMD 40 4.0 (Tl=96°C) 40 5.0 (Tl=108°C) 60 1.0 (Tl=136°C) SMD 60 1.0 (Tl=136°C)＊4 60 2.0 (Tl=130°C) 60 2.0 (Tl=131°C) SMD 60 3.0 (Tl=115°C) SMD 60 3.0 (Tl=121°C) 60 3.0 (Tl=131°C) 90 1.0 (Tl=131°C) SMD 90 1.0 (Tl=131°C)＊4 90 1.0 (Tl=131°C)＊5 90 2.0 (Ta=50°C)＊6 SMD 90 3.0 (Tl=112°C) 90 3.0 (Tl=122°C) SMD 100 3.0 (Tl=105°C) 120 2.0 (Tl=124°C) 120 3.0 (Tl=115°C) 120 4.0 (Tl=106°C) 150 2.0 (Tl=116°C) 150 3.0 (Tl=113°C) 150 4.0 (Tl=102°C) ( ) 条件 ＊1 抵抗負荷 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊4 ガラスエポキシ基板に装着,ランド寸法15x15mm ＊5 プリント板取り付け (ランド10x10mm) ＊6 20x20mm銅フィンを両側につける場合 記号 Letter symbols VRRM ピーク繰返し逆電圧 VRSM ピーク非繰返し逆電圧 平均出力電流 IO サージ電流 IFSM 接合温度 Tj 周囲温度 Ta ケース温度 Tc 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 70 -55 to +125 70 -40 to +125 70 -55 to +150 80 -40 to +150 70 -40 to +150 70 -55 to +150 25 -40 to +150 50 -40 to +150 50 -40 to +150 40 -40 to +150 70 -55 to +150 80 -55 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 70 -40 to +125 110 -55 to +150 70 -40 to +150 120 -40 to +150 70 -55 to +150 140 -40 to +150 30 -40 to +150 F 30 -40 to +150 60 -40 to +150 90 -40 to +150 60 -55 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 30 -40 to +150 30 -40 to +150 30 -40 to +150 60 -40 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 60 -55 to +150 70 -40 to +150 100 -40 to +150 120 -40 to +150 60 -40 to +150 90 -40 to +150 110 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.mA 0.39 (IF=2.0A) 2 0.39 (IF=3.0A) 2 0.46 (IF=2.0A) 1 5 0.47 (IF=1.5A) 0.46 (IF=3.0A) 1 1 0.46 (IF=4.0A) 0.55 (IF=0.6A) 1 2 0.55 (IF=1.0A) 0.55 (IF=1.0A) 2 0.55 (IF=1.0A) 2 0.51 (IF=2.0A) 1 0.59 (IF=2.0A) 0.1 0.55 (IF=2.0A) 5 0.55 (IF=2.0A) 5 1 0.45 (IF=3.0A) 0.59 (IF=3.0A) 0.1 1 0.51 (IF=3.0A) 0.55 (IF=3.0A) 5 1 0.51 (IF=4.0A) 0.55 (IF=5.0A) 5 2 0.58 (IF=1.0A) 0.58 (IF=1.0A) 2 0.58 (IF=2.0A) 5 0.62 (IF=2.0A) 0.1 0.62 (IF=3.0A) 0.1 1 0.58 (IF=2.5A) 0.58 (IF=3.0A) 5 1 0.82 (IF=1.0A) 0.85 (IF=1.0A) 1 0.90 (IF=1.0A) 1 0.90 (IF=2.0A) 2 0.85 (IF=3.0A) 1 0.80 (IF=3.0A) 5 0.84 (IF=3.0A) 0.1 0.08 0.88 (IF=2.0A) 0.88 (IF=3.0A) 0.12 0.15 0.88 (IF=4.0A) 0.90 (IF=2.0A) 0.08 0.12 0.90 (IF=3.0A) 0.90 (IF=4.0A) 0.15 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 18.0 18.0 18.0 10.0 18.0 18.0 10.0 15.0 10.0 15.0 18.0 18.0 10.0 12.0 18.0 18.0 18.0 8.0 18.0 8.0 10.0 15.0 10.0 10.0 18.0 18.0 8.0 10.0 15.0 15.0 12.0 18.0 8.0 18.0 10.0 8.0 8.0 10.0 8.0 8.0 SD SD SD Lead-3 SD SD Lead-1 Lead-2 Lead-1 SC SD SD Lead-3 Lead-4 SD SD SD Lead-7 SD Lead-7 Lead-1 SC Lead-3 Lead-3 SD SD Lead-7 Lead-1 SC Lead-2 Lead-4 SD Lead-7 SD Lead-3 Lead-7 Lead-7 Lead-3 Lead-7 Lead-7 質 量 Net mass Grams 0.035 0.035 0.035 0.3 0.035 0.035 0.18 0.22 0.18 0.06 0.035 0.035 0.3 0.5 0.035 0.035 0.035 1.2 0.035 1.2 0.18 0.06 0.3 0.3 0.035 0.035 1.2 0.18 0.06 0.22 0.5 0.035 1.2 0.035 0.3 1.2 1.2 0.3 1.2 1.2 ( ) Conditions Resistive load ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM ＊4 Mounted to fabric base epoxy resin printed circuits (land 15×15mm) ＊5 P.C board mounting (land 10×10mm) ＊6 Mounted Cu fins (20×20mm) on the both lead ＊1 Repetitive peak reverse voltage Non-repetitive peak reverse voltage Average output current Surge current Junction temperature Ambient temperature Case temperature Tstg VFM IRRM trr Rthj-c Tl IF(AV) 保存温度 順電圧 逆電流 逆回復時間 熱抵抗 ( 接合ケース間 ) リード温度 平均順電流 Storage temperature Forward voltage Reverse current Reverse recovery time Thermal resistance (Junction to case) Lead temperature Average forward current 47 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes(SBD) シングル 1 in one-package 型式 Device type KS826S04 YG811S04R YG812S04R YG811S06R YG804S06R YG811S09R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. SMD 40 5.0 (Tc=110℃) 40 5.0 (Tc=122℃) 45 10 (Tc=124℃) 60 5.0 (Tc=127℃) 60 15 (Tc=99℃) 90 5.0 (Tc=116℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 V =V R RRM 記号 Letter symbols VRRM ピーク繰返し逆電圧 VRSM ピーク非繰返し逆電圧 平均出力電流 IO サージ電流 IFSM 接合温度 Tj 周囲温度 Ta ケース温度 Tc 48 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 80 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 80 -40 to +150 120 -40 to +150 80 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Rth (j-c) Max. Volts Max.mA ℃/W 0.55 (IF=5.0A) 5 10 5 5.0 0.55 (IF=5.0A) 0.6 (IF=10A) 2 2.5 5 5.0 0.59 (IF=5.0A) 0.63 (IF=15A) 20 2.2 5 5.0 0.9 (IF=4.0A) パッケージ Package K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 V =V R RRM Repetitive peak reverse voltage Non-repetitive peak reverse voltage Average output current Surge current Junction temperature Ambient temperature Case temperature Tstg VFM IRRM trr Rthj-c Tl IF(AV) 保存温度 順電圧 逆電流 逆回復時間 熱抵抗 ( 接合ケース間 ) リード温度 平均順電流 Storage temperature Forward voltage Reverse current Reverse recovery time Thermal resistance (Junction to case) Lead temperature Average forward current 質 量 Net mass Grams 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 整流ダイオード/Rectifier Diodes 4 ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD) デュアル 2 in one-package 型式 Device type KP883C02 KS883C02 YG881C02R YG882C02R YG885C02R KP823C03 KS823C03 YG831C03R YG802C03R YG832C03R YG835C03R YG838C03R KP823C04 KS823C04 YG801C04R YG831C04R YG802C04R YG832C04R YG803C04R YG805C04R YG835C04R YG838C04R MS838C04 YG801C06R YG802C06R YG803C06R YG805C06R MS808C06 KP823C09 KS823C09 YG801C09R YG802C09R YG801C10R YG802C10R YG805C10R YG808C10R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 20 7.0 (Tc=89℃) SMD 20 7.0 (Tc=89℃) 20 8.0 (Tc=103℃) 20 16 (Tc=94℃) 20 30 (Tc=81℃) 30 5.0 (Tc=117℃) SMD 30 5.0 (Tc=117℃) 30 6.0 (Tc=127℃) 30 10 (Tc=126℃) 30 12 (Tc=118℃) 30 25 (Tc=99℃) 30 38 (Tc=85℃) 40 5.0 (Tc=107℃) SMD 40 5.0 (Tc=107℃) 40 5.0 (Tc=125℃) 40 6.0 (Tc=122℃) 40 10 (Tc=110℃) 40 12 (Tc=112℃) 40 15 (Tc=92℃) 40 20 (Tc=100℃) 40 22 (Tc=96℃) 40 30 (Tc=85℃) SMD 40 30 (Tc=111℃) 60 5.0 (Tc=125℃) 60 10 (Tc=118℃) 60 15 (Tc=94℃) 60 20 (Tc=108℃) SMD 60 30 (Tc=118℃) 90 5.0 (Tc=100℃) SMD 90 5.0 (Tc=100℃) 90 5.0 (Tc=117℃) 90 10 (Tc=102℃) 100 5.0 (Tc=117℃) 100 10 (Tc=102℃) 100 20 (Tc=91℃) 100 30 (Tc=80℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. １チップあたり ＊3 １チップあたり ＊4 V =V R RRM １チップあたり 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 60 -40 to +125 60 -40 to +125 80 -40 to +125 120 -40 to +125 120 -40 to +125 60 -40 to +150 60 -40 to +150 90 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 200 -40 to +150 60 -40 to +150 60 -40 to +150 100 -40 to +150 80 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 180 -40 to +150 180 -40 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 80 -40 to +150 150 -40 to +150 60 -40 to +150 60 -40 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 60 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 180 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.mA 10 0.39 (IF=2.5A) 0.39 (IF=2.5A) 10 10 0.39 (IF=2.0A) 10 0.39 (IF=4.0A) 30 0.39 (IF=8.0A) 5 0.47 (IF=2.5A) 0.47 (IF=2.5A) 5 0.45 (IF=2.0A) 5 5 0.47 (IF=4.0A) 5 0.45 (IF=4.0A) 15 0.45 (IF=6.0A) 10 0.45 (IF=12.5A) 0.55 (IF=2.5A) 5 5 0.55 (IF=2.5A) 5 0.55 (IF=2.0A) 2 0.53 (IF=2.0A) 0.55 (IF=4.0A) 5 0.53 (IF=4.0A) 3 3 0.55 (IF=7.0A) 15 0.6 (IF=10A) 0.53 (IF=8.0A) 6 8 0.53 (IF=12.5A) 0.53 (IF=12.5A) 8 0.58 (IF=2.0A) 5 0.58 (IF=4.0A) 5 0.58 (IF=6.0A) 5 0.58 (IF=8.0A) 15 0.58 (IF=12.5A) 3 0.9 (IF=2.0A) 5 0.9 (IF=2.5A) 5 0.9 (IF=2.0A) 2 0.9 (IF=4.0A) 5 0.8 (IF=1.5A) 0.7 0.8 (IF=3.0A) 1.2 0.8 (IF=5.0A) 2.5 0.8 (IF=10A) 20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 5.0 3.5 2.5 10.0 10.0 5.0 3.5 3.5 2.5 2.0 10.0 10.0 5.0 5.0 3.5 3.5 3.5 2.5 2.5 2.0 1.2 5.0 3.5 3.0 2.5 1.2 10.0 10.0 5.0 3.5 5.0 3.5 2.5 2.0 K-pack(P) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F K-pack(P) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F K-pack(P) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TFP TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TFP K-pack(P) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 0.8 1.7 1.7 1.7 1.7 0.8 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 1.7 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 per element ＊4 V =V R RRM per element 49 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 超低 IR ショットキーバリアダイオード Ultra Low IR Schottky-Barrier Diodes デュアル 2 in one-package 型式 Device type YG872C10R YA872C10R YG875C10R YA875C10R YG878C10R YA878C10R YG872C12R YA872C12R YG875C12R YA875C12R YG878C12R YA878C12R YG872C15R YA872C15R YG875C15R YA875C15R YG878C15R YA878C15R YG872C20R YA872C20R YG875C20R YA875C20R YG878C20R YA878C20R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 100 10 (Tc=146℃) 100 10 (Tc=158℃) 100 20 (Tc=131℃) 100 20 (Tc=144℃) 100 30 (Tc=122℃) 100 30 (Tc=142℃) 120 10 (Tc=143℃) 120 10 (Tc=158℃) 120 20 (Tc=127℃) 120 20 (Tc=144℃) 120 30 (Tc=116℃) 120 30 (Tc=141℃) 150 10 (Tc=144℃) 150 10 (Tc=157℃) 150 20 (Tc=130℃) 150 20 (Tc=143℃) 150 30 (Tc=120℃) 150 30 (Tc=140℃) 200 10 (Tc=143℃) 200 10 (Tc=157℃) 200 20 (Tc=127℃) 200 20 (Tc=141℃) 200 30 (Tc=116℃) 200 30 (Tc=138℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. １チップあたり ＊3 I =0.5Io １チップあたり F ＊4 V =V R RRM １チップあたり 50 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 125 -40 to +175 125 -40 to +175 145 -40 to +175 145 -40 to +175 160 -40 to +175 160 -40 to +175 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ Characteristics Package IRRM＊4 Rth (j-c) VFM＊3 Max. Volts Max.mA ℃/W 0.82 3.5 TO-220F 0.015 0.82 0.015 2.0 TO-220AB 0.86 0.020 2.5 TO-220F 0.86 0.020 1.75 TO-220AB 0.86 0.030 2.0 TO-220F 0.86 0.030 1.25 TO-220AB 0.84 0.015 3.5 TO-220F 0.84 0.015 2.0 TO-220AB 0.88 0.020 2.5 TO-220F 0.88 0.020 1.75 TO-220AB 0.88 0.030 2.0 TO-220F 0.88 0.030 1.25 TO-220AB 0.86 0.015 3.5 TO-220F 0.86 0.015 2.0 TO-220AB 0.89 0.020 2.5 TO-220F 0.89 0.020 1.75 TO-220AB 0.89 0.030 2.0 TO-220F 0.89 0.030 1.25 TO-220AB 0.89 0.015 3.5 TO-220F 0.89 0.015 2.0 TO-220AB 0.93 0.020 2.5 TO-220F 0.93 0.020 1.75 TO-220AB 0.93 0.030 2.0 TO-220F 0.93 0.030 1.25 TO-220AB ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 I =0.5Io per element F ＊4 V =V R RRM per element 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 整流ダイオード/Rectifier Diodes 4 ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes シングル 1 in one-package 型式 Device type YG864S06R YG861S12R YG861S15R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 60 15 (Tc=101℃) 120 5 (Tc=104℃) 150 5 (Tc=94℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 I =Io F 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 160 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 Rth (j-c) VFM＊3 Max. Volts Max.mA ℃/W 0.74 0.20 3.5 0.88 0.15 5.0 0.90 0.15 5.0 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 I =Io F パッケージ Package TO-220F TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 1.7 1.7 1.7 ＊1 ＊4 VR=VRRM ＊4 VR=VRRM デュアル 2 in one-package 型式 Device type YG862C04R YA862C04R TS862C04R YG865C04R YA865C04R TS865C04R MS865C04 YG868C04R YA868C04R TS868C04R MS868C04 YG869C04R YA869C04R TP869C04R YG862C06R YA862C06R TS862C06R YG865C06R YA865C06R TS865C06R YG868C06R YA868C06R TS868C06R YG869C06R YA869C06R TP869C06R YG862C08R YA862C08R TS862C08R MS862C08 YG865C08R YA865C08R TS865C08R MS865C08 YG868C08R YA868C08R TS868C08R YG869C08R YA869C08R TP869C08R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 45 10 (Tc=129℃) 45 10 (Tc=138℃) SMD 45 10 (Tc=138℃) 45 20 (Tc=115℃) 45 20 (Tc=126℃) SMD 45 20 (Tc=126℃) SMD 45 20 (Tc=125℃) 45 30 (Tc=105℃) 45 30 (Tc=122℃) SMD 45 30 (Tc=122℃) SMD 45 30 (Tc=122℃) 45 40 (Tc=112℃) 45 40 (Tc=120℃) 45 40 (Tc=120℃) 60 10 (Tc=124℃) 60 10 (Tc=136℃) SMD 60 10 (Tc=136℃) 60 20 (Tc=109℃) 60 20 (Tc=122℃) SMD 60 20 (Tc=122℃) 60 30 (Tc=101℃) 60 30 (Tc=119℃) SMD 60 30 (Tc=119℃) 60 40 (Tc=105℃) 60 40 (Tc=114℃) 60 40 (Tc=114℃) 80 10 (Tc=109℃) 80 10 (Tc=126℃) SMD 80 10 (Tc=126℃) SMD 80 10 (Tc=115℃) 80 20 (Tc=89℃) 80 20 (Tc=107℃) SMD 80 20 (Tc=107℃) SMD 80 20 (Tc=108℃) 80 30 (Tc=72℃) 80 30 (Tc=105℃) SMD 80 30 (Tc=105℃) 80 40 (Tc=86℃) 80 40 (Tc=98℃) 80 40 (Tc=98℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.mA 0.61 0.15 0.61 0.15 0.61 0.15 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.175 0.63 0.20 0.63 0.20 0.63 0.20 0.63 0.20 0.61 0.20 0.61 0.20 0.61 0.20 0.68 0.15 0.68 0.15 0.68 0.15 0.74 0.175 0.74 0.175 0.74 0.175 0.74 0.20 0.74 0.20 0.74 0.20 0.70 0.20 0.70 0.20 0.70 0.20 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.15 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.175 0.76 0.20 0.76 0.20 0.76 0.20 0.71 0.20 0.71 0.20 0.71 0.20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 3.5 2.0 2.0 3.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.2 1.0 1.0 TO-220F TO220AB T-pack(S) TO-220F TO220AB T-pack(S) TFP TO-220F TO220AB T-pack(S) TFP TO-220F TO220AB T-pack(P) TO-220F TO220AB T-pack(S) TO-220F TO220AB T-pack(S) TO-220F TO220AB T-pack(S) TO-220F TO220AB T-pack(P) TO-220F TO-220AB T-pack(S) TFP TO-220F TO-220AB T-pack(S) TFP TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO220AB T-pack(P) ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 ＊1 ＊2 51 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes デュアル 2 in one-package 型式 Device type YG862C10R YA862C10R TS862C10R YG865C10R YA865C10R TS865C10R MS865C10 YG868C10R YA868C10R TS868C10R TP868C10R MS868C10 PA868C10R YG869C10R YA869C10R TP869C10R YG852C12R YA852C12R YG862C12R YA862C12R TP862C12R TS862C12R YG855C12R YA855C12R YG865C12R YA865C12R PH865C12 TP865C12R TS865C12R MS865C12 YG858C12R YA858C12R TP858C12R YG868C12R YA868C12R PH868C12 TS868C12R MS868C12 YG869C12R YA869C12R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 100 10 (Tc=118℃) 100 10 (Tc=132℃) SMD 100 10 (Tc=132℃) 100 20 (Tc=103℃) 100 20 (Tc=117℃) SMD 100 20 (Tc=117℃) SMD 100 20 (Tc=117℃) 100 30 (Tc=91℃) 100 30 (Tc=113℃) SMD 100 30 (Tc=113℃) 100 30 (Tc=113℃) SMD 100 30 (Tc=114℃) 100 30 (Tc=107℃) 100 40 (Tc=94℃) 100 40 (Tc=105℃) 100 40 (Tc=105℃) 120 10 (Tc=113℃) 120 10 (Tc=128℃) 120 10 (Tc=122℃) 120 10 (Tc=137℃) 120 10 (Tc=137℃) SMD 120 10 (Tc=137℃) 120 20 (Tc=94℃) 120 20 (Tc=111℃) 120 20 (Tc=116℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) 120 20 (Tc=126℃) SMD 120 20 (Tc=126℃) SMD 120 20 (Tc=126℃) 120 30 (Tc=80℃) 120 30 (Tc=106℃) 120 30 (Tc=106℃) 120 30 (Tc=116℃) 120 30 (Tc=122℃) 120 30 (Tc=122℃) SMD 120 30 (Tc=122℃) SMD 120 30 (Tc=115℃) 120 40 (Tc=95℃) 120 40 (Tc=104℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり 52 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 145 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 160 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 55 -40 to +150 55 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 95 -40 to +150 95 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.mA 0.86 0.15 0.86 0.15 0.86 0.15 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.175 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.86 0.20 0.82 0.20 0.82 0.20 0.82 0.20 0.93 0.15 0.93 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.98 0.175 0.98 0.175 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 0.88 0.15 1.01 0.2 1.01 0.2 1.01 0.2 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.88 0.20 0.95 0.20 0.95 0.20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3.5 2.0 2.0 2.5 1.75 1.75 1.75 2.0 1.25 1.25 1.25 1.2 1.5 1.2 1.0 1.0 3.5 2 3.00 1.20 1.50 1.50 2.5 1.75 1.75 1.25 1.50 1.25 1.25 1.25 2 1.25 1.25 1.20 1.00 1.20 1.00 1.20 1.20 1.00 TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-220AB T-pack(S) TFP TO-220F TO-220AB T-pack(S) T-pack(P) TFP TO-3P(Q) TO-220F TO-220AB T-pack(P) TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB T-pack(P) T-pack(S) TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-247 T-pack(P) T-pack(S) TFP TO-220F TO-220AB T-pack(P) TO-220F TO-220AB TO-247 T-pack(S) TFP TO-220F TO-220AB ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.6 0.8 5.1 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 2.0 1.7 2.0 4.9 1.6 1.6 0.8 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 4.9 1.6 0.8 1.7 2.0 整流ダイオード/Rectifier Diodes 4 ■ 低 IR ショットキーバリアダイオード Low IR Schottky-Barrier Diodes デュアル 2 in one-package 型式 Device type YG852C15R YA852C15R YG862C15R YA862C15R TP862C15R TS862C15R YG855C15R YA855C15R YG865C15R PH865C15 PG865C15R YA865C15R TP865C15R TS865C15R MS865C15 YG858C15R YA858C15R YG868C15R YA868C15R TS868C15R MS868C15 PA868C15R PH868C15 YG869C15R YA869C15R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 150 10 (Tc=104℃) 150 10 (Tc=124℃) 150 10 (Tc=117℃) 150 10 (Tc=134℃) 150 10 (Tc=134℃) SMD 150 10 (Tc=134℃) 150 20 (Tc=86℃) 150 20 (Tc=105℃) 150 20 (Tc=101℃) 150 20 (Tc=109℃) 150 20 (Tc=80℃) 150 20 (Tc=115℃) 150 20 (Tc=115℃) SMD 150 20 (Tc=115℃) SMD 150 20 (Tc=115℃) 150 30 (Tc=61℃) 150 30 (Tc=94℃) 150 30 (Tc=113℃) 150 30 (Tc=119℃) SMD 150 30 (Tc=119℃) SMD 150 30 (Tc=113℃) 150 30 (Tc=129℃) 150 30 (Tc=129℃) 150 40 (Tc=90℃) 150 40 (Tc=100℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 55 -40 to +150 55 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 75 -40 to +150 95 -40 to +150 95 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 190 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.mA 0.96 0.15 0.96 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 1.01 0.175 1.01 0.175 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 0.90 0.15 1.13 0.2 1.13 0.2 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.90 0.20 0.97 0.20 0.97 0.20 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3.5 2 3.00 1.50 1.50 1.50 2.5 1.75 1.75 1.50 2.50 1.25 1.25 1.25 1.25 2 1.25 1.20 1.00 1.00 1.20 1.20 1.20 1.20 1.00 TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB T-pack(P) T-pack(S) TO-220F TO-220AB TO-220F TO-247 TO-3PF TO-220AB T-pack(P) T-pack(S) TFP TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB T-pack(S) TFP TO-3P TO-247 TO-220F TO-220AB 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.7 2.0 1.6 1.6 1.7 2.0 1.7 4.9 6.0 2.0 1.6 1.6 0.8 1.7 2.0 1.7 2.0 1.6 0.8 5.5 4.9 1.7 2.0 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊1 ＊2 53 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ スーパー LLD II ( 臨界モード PFC 回路用 ) Super LLD II (Critical mode PFC) シングル 1 in one-package 型式 Device type YA951S6R YG951S6R YA971S6R YG971S6R YA952S6R YG952S6R YA972S6R YG972S6R YG971S8R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 IFSM＊2 Volts Amps. Amps. 600 45 5 (Tc=95℃) 600 45 5 (Tc=80℃) 600 70 8 (Tc=116℃) 600 70 8 (Tc=89℃) 600 80 10 (Tc=90℃) 600 80 10 (Tc=75℃) 600 10 (Tc=115℃) 100 600 100 10 (Tc=89℃) 800 60 5 (Tc=93℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 V =V R RRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 1.45 (IF=5A) 8 1.45 (IF=5A) 8 1.55 (IF=8A) 10 1.55 (IF=8A) 10 1.45 (IF=10A) 10 1.45 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 2.2 (IF=5A) 10 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.065 0.065 0.05 0.05 0.07 0.07 0.05 0.05 0.05 Rth (j-c) ℃/W 7.0 9.0 2.5 4.5 4.0 5.0 2.0 3.5 4.5 TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 2.0 1.7 1.7 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 V =V R RRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F デュアル 2 in one-package 型式 Device type YA952C6R TS952C6R YG952C6R YA955C6R TS955C6R YG955C6R PA955C6R YA975C6R YG975C6R PH975C6 SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 IFSM＊2 Volts Amps. Amps. 600 45 10 (Tc=103℃) SMD 600 45 10 (Tc=103℃) 600 45 10 (Tc=80℃) 600 80 20 (Tc=97℃) SMD 600 80 20 (Tc=97℃) 600 80 20 (Tc=60℃) 600 80 20 (Tc=84℃) 600 20 (Tc=106℃) 100 600 100 20 (Tc=89℃) 600 100 20 (Tc=97℃) ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 V =V R RRM 1チップあたり ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 54 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 1.45 (IF=5A) 8 1.45 (IF=5A) 8 1.45 (IF=5A) 8 1.45 (IF=10A) 10 1.45 (IF=10A) 10 1.45 (IF=10A) 10 1.45 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 1.55 (IF=10A) 10 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.065 0.065 0.065 0.07 0.07 0.07 0.07 0.05 0.05 0.05 Rth (j-c) ℃/W 3.0 3.0 4.5 1.75 1.75 3.0 2.2 1.25 1.75 1.5 TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-3P(Q) TO-220AB TO-220F TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 5.1 2.0 1.7 4.9 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 V =V R RRM per element ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ スーパー LLD III ( 連続モード PFC 回路用 ) Super LLD III (Continuous mode PFC) シングル 1 in one-package 型式 Device type YA981S6R YG981S6R YA982S6R YG982S6R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 600 8 (Tc=99℃) 600 8 (Tc=58℃) 600 10 (Tc=99℃) 600 10 (Tc=60℃) IFSM＊2 Amps. 40 40 50 50 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 3.0 (IF=8A) 25 25 3.0 (IF=8A) 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) 30 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.026 0.026 0.028 0.028 Rth (j-c) ℃/W 2.5 4.5 2.0 3.5 TO-220AB TO-220F TO-220AB TO-220F 質 量 Net mass Grams 2.0 1.7 2.0 1.7 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 V =V R RRM ＊4 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F デュアル 2 in one-package 型式 Device type YA982C6R TS982C6R YG982C6R YA985C6R TS985C6R YG985C6R PH985C6 PG985C6R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 600 16 (Tc=88℃) SMD 600 16 (Tc=88℃) 600 16 (Tc=68℃) 600 20 (Tc=86℃) SMD 600 20 (Tc=86℃) 600 20 (Tc=60℃) 600 20 (Tc=73℃) 600 20 (Tc=47℃) IFSM＊2 Amps. 40 40 40 50 50 50 50 50 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 V =V R RRM 1チップあたり ＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 接合、保存温度 Thermal rating Tj and Tstg ℃ -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics VFM IRRM＊3 Max. Volts Max.μA 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 3.0 (IF=8A) 25 30 3.0 (IF=10A) 3.0 (IF=10A) 30 30 3.0 (IF=10A) 3.0 (IF=10A) 30 3.0 (IF=10A) 30 パッケージ Package trr＊4 μsec. 0.026 0.026 0.026 0.028 0.028 0.028 0.028 0.028 Rth (j-c) ℃/W 1.5 1.5 2 1.25 1.25 1.75 1.5 2.0 TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-247 TO-3PF 質 量 Net mass Grams 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 1.7 4.9 6.0 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty 1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 V =V R RRM per element ＊4 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F 55 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) シングル 1 in one-package 型式 Device type ERA91-02 ERA92-02 SC902-2 ERB91-02 ERB93-02 ERC91-02 型式 Device type KP926S2 KS926S2 YG911S2R YG912S2R YG911S3R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 0.5 (Ta=60°C) 200 1.0 (Ta=25°C) SMD 200 1.0 (Ta=25°C) 200 1.0 (Ta=50°C) 200 1.5 (Ta=40°C) 200 3.0 (Ta=25°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 10 -40 to +150 25 -40 to +150 25 -40 to +150 20 -40 to +150 25 -40 to +150 50 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.μA 0.95 50 1.05 50 1.05 50 0.95 50 0.95 100 0.95 100 SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 5 (Tc=106℃) SMD 200 5 (Tc=106℃) 200 5 (Tc=134℃) 200 10 (Tc=116℃) 300 5 (Tc=128℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 70 -40 to +150 70 -40 to +150 50 -40 to +150 80 -40 to +150 40 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.μA 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.98 200 1.2 100 パッケージ Package Lead-1 Lead-1 SC Lead-3 Lead-6 Lead-7 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 3.5 3.5 3.5 trr＊5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty 1/2 ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io ＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 I =Io ＊4 V =V F R RRM ＊5 I =0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A F Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 15.0 10.0 10.0 8.0 trr＊5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 ＊4 K-pack(P) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F 質 量 Net mass Grams 0.18 0.18 0.06 0.22 0.4 1.2 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 VR=VRRM デュアル 2 in one-package 型式 Device type KP923C2 KS923C2 YG901C2R YG902C2R YG906C2R MS906C2 YG901C3R YG902C3R YG906C3R TS906C3R MS906C3 SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 5 (Tc=103℃) SMD 200 5 (Tc=103℃) 200 5 (Tc=120℃) 200 10 (Tc=115℃) 200 20 (Tc=102℃) SMD 200 20 (Tc=105℃) 300 5 (Tc=105℃) 300 10 (Tc=101℃) 300 20 (Tc=109℃) SMD 300 20 (Tc=123℃) SMD 300 20 (Tc=95℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 50 -40 to +150 50 -40 to +150 25 -40 to +150 50 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 25 -40 to +150 40 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 56 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.μA 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.95 100 0.98 200 0.98 200 1.2 100 1.2 100 1.2 200 1.2 200 1.2 200 パッケージ Package trr＊5 μsec. 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 0.035 Rth (j-c) ℃/W 10.0 10.0 5.0 3.5 2.5 2.0 5.0 3.5 1.5 1.0 2.0 K-pack(P) K-pack(S) TO-220F TO-220F TO-220F TFP TO-220F TO-220F TO-220F T-pack(S) TFP 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 1.7 1.7 1.7 0.8 1.7 1.7 1.7 1.6 0.8 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低損失超高速低ノイズダイオード Low-Loss Fast Soft Recovery Diodes (LLD) シングル 1 in one-package 型式 Device type KS986S3 KS986S4 SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. SMD 300 5 (Tc=128℃) SMD 400 5 (Tc=125℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 90 -40 to +150 80 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 1.3 20 0.04 1.45 20 0.05 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 ＊3 I =Io per element Sine wave, 10ms F ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 I =Io ＊4 V =V F R RRM ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3.5 3.5 K-pack(S) K-pack(S) 質 量 Net mass Grams 0.6 0.6 ＊1 ＊2 ＊4 VR=VRRM デュアル 2 in one-package 型式 Device type YG982C3R YA982C3R TS982C3R YG985C3R YA985C3R TS985C3R MS985C3 PG985C3R YG982C4R YA982C4R TS982C4R YG985C4R YA985C4R TS985C4R MS985C4 PG985C4R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 300 10 (Tc=112℃) 300 10 (Tc=128℃) SMD 300 10 (Tc=128℃) 300 20 (Tc=105℃) 300 20 (Tc=118℃) SMD 300 20 (Tc=118℃) SMD 300 20 (Tc=118℃) 300 20 (Tc=73℃) 400 10 (Tc=107℃) 400 10 (Tc=125℃) SMD 400 10 (Tc=125℃) 400 20 (Tc=100℃) 400 20 (Tc=114℃) SMD 400 20 (Tc=114℃) SMD 400 20 (Tc=114℃) 400 20 (Tc=64℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 90 -40 to +150 90 -40 to +150 90 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 110 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5Io 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 1.3 20 0.04 1.3 20 0.04 1.3 20 0.04 1.3 35 0.04 1.3 35 0.04 1.3 35 0.04 1.3 35 0.04 1.3 35 0.04 1.45 20 0.05 1.45 20 0.05 1.45 20 0.05 1.45 35 0.05 1.45 35 0.05 1.45 35 0.05 1.45 35 0.05 1.45 35 0.05 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 3 1.75 1.75 1.75 1.25 1.25 1.25 3 3 1.75 1.75 1.75 1.25 1.25 1.25 3 TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-220AB T-pack(S) TFP TO-3PF TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-220F TO-220AB T-pack(S) TFP TO-3PF 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 6.0 1.7 2.0 1.6 1.7 2.0 1.6 0.8 6.0 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 IF=0.5Io per element ＊4 V =V R RRM per element ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A F 57 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ ショットキーバリアダイオード Schottky-Barrier Diodes (SBD) シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package 型式 Device type ERC80-004R ＊ 5 PA886C02R ESAB82-004R TP802C04R TS802C04R ESAC82-004R TS805C04R ESAC83-004R ESAD83M-004RR ESAD83-004R ESAC63-004R ESAC83M-006RR ESAC63-006R ESAD83M-006RR TS808C06R ESAD83-006R TS802C09R ESAC85-009R ESAD85M-009RR ESAD85-009R SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 40 5 (Tc=122℃) 20 30 (Tc=105℃) 40 5 (Tc=126℃) 40 10 (Tc=116℃) SMD 40 10 (Tc=116℃) 40 10 (Tc=116℃) SMD 40 20 (Tc=110℃) 40 20 (Tc=119℃) 40 30 (Tc=105℃) 40 30 (Tc=118℃) 45 20 (Tc=109℃) 60 20 (Tc=108℃) 60 20 (Tc=118℃) 60 30 (Tc=106℃) SMD 60 30 (Tc=115℃) 60 30 (Tc=119℃) SMD 90 10 (Tc=109℃) 90 10 (Tc=109℃) 90 25 (Tc=105℃) 90 25 (Tc=118℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 120 -40 to +150 150 -40 to +125 100 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 150 -40 to +150 150 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics IRRM＊4 VFM＊3 Max. Volts Max.mA 0.55 (IF=5.0A) 5 0.4 (IF=12.5A) 50 5 0.55 (IF=2.0A) 0.55 (IF=4.0A) 5 5 0.55 (IF=4.0A) 0.55 (IF=4.0A) 5 15 0.6 (IF=10A) 0.55 (IF=8.0A) 15 20 0.55 (IF=12.5A) 0.55 (IF=12.5A) 20 15 0.6 (IF=10A) 0.58 (IF=8.0A) 15 15 0.58 (IF=8.0A) 0.58 (IF=12.5A) 20 0.58 (IF=12.5A) 20 20 0.58 (IF=12.5A) 5 0.9 (IF=4.0A) 5 0.9 (IF=4.0A) 0.9 (IF=10A) 15 20 0.9 (IF=10A) パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 5.0 1.2 5.0 3.0 3.0 3.0 2.0 1.5 1.7 1.2 2.0 2.5 2.0 1.7 1.2 1.2 3.0 3.0 1.7 1.2 質 量 Net mass Grams 2.0 5.5 2.0 1.6 1.6 2.0 1.6 5.5 6.0 5.5 2.0 6.0 2.0 6.0 1.6 5.5 1.6 2.0 6.0 5.5 TO-220AB TO-3P TO-220AB T-pack(P) T-pack(S) TO-220AB T-pack(S) TO-3P TO-3PF TO-3P TO-220AB TO-3PF TO-220AB TO-3PF T-pack(S) TO-3P T-pack(S) TO-220AB TO-3PF TO-3P ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 per element ＊4 V =V ＊5 1 in one-package R RRM per element ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊4 V =V ＊5 シングル品 R RRM 1チップあたり ■ 低損失超高速ダイオード Low-Loss Fast Recovery Diodes (LLD) シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package 型式 Device type ESAB92-02R TP901C2R TP902C2R TS902C2R ESAC92-02R ESAC93-02R ESAC93M-02RR ESAD92M-02RR TP906C2R TS906C2R ESAD92-02R TP902C3R TS902C3R ESAC93M-03RR ESAD92-03R ESAD92M-03RR PA905C4R PG905C4RR YG912S6RR ＊ 6 PA905C6RR SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 5 (Tc=120℃) 200 5 (Tc=120℃) 200 10 (Tc=125℃) SMD 200 10 (Tc=125℃) 200 10 (Tc=125℃) 200 12 (Tc=123℃) 200 12 (Tc=116℃) 200 20 (Tc=108℃) 200 20 (Tc=110℃) SMD 200 20 (Tc=110℃) 200 20 (Tc=115℃) 300 10 (Tc=115℃) SMD 300 10 (Tc=115℃) 300 12 (Tc=104℃) 300 20 (Tc=110℃) 300 20 (Tc=96℃) 400 20 (Tc=107℃) 400 20 (Tc=93℃) 600 10 (Tc=93℃) 600 20 (Tc=106℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 25 -40 to +150 25 -40 to +150 50 -40 to +150 50 -40 to +150 50 -40 to +150 60 -40 to +150 60 -40 to +150 100 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 100 -40 to +150 40 -40 to +150 40 -40 to +150 50 -40 to +150 80 -40 to +150 80 -40 to +150 70 -40 to +150 70 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊4 V =V ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A R RRM 1チップあたり F ＊6 シングル品 58 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 0.95 (IF=5A) 100 0.035 0.95 (IF=5A) 100 0.035 0.95 (IF=5A) 100 0.035 0.95 (IF=6A) 100 0.035 0.95 (IF=6A) 100 0.035 200 0.04 0.95 (IF=10A) 0.98 (IF=10A) 200 0.035 0.98 (IF=10A) 200 0.035 0.95 (IF=10A) 200 0.04 100 0.035 1.2 (IF=5A) 1.2 (IF=5A) 100 0.035 100 0.035 1.2 (IF=6A) 1.2 (IF=10A) 200 0.04 1.2 (IF=10A) 200 0.04 500 0.05 1.5 (IF=10A) 1.5 (IF=10A) 500 0.05 1.7 (IF=10A) 100 0.05 1.7 (IF=10A) 100 0.05 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 5.0 5.0 2.5 2.5 2.5 2.2 2.7 2.0 2.0 2.0 1.5 2.5 2.5 2.7 1.5 2.0 1.5 2.0 3.5 1.2 TO-220AB T-pack(P) T-pack(P) T-pack(S) TO-220AB TO-3P TO-3PF TO-3PF T-pack(P) T-pack(S) TO-3P T-pack(P) T-pack(S) TO-3PF TO-3P TO-3PF TO-3P TO-3PF TO-220F TO-3P 質 量 Net mass Grams 2.0 1.6 1.6 1.6 2.0 5.5 6.0 6.0 1.6 1.6 5.5 1.6 1.6 6.0 5.5 6.0 5.5 6.0 1.7 5.5 ( ) Conditions ＊1 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) ＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 per element ＊4 V =V ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A R RRM per element ＊6 1 in one-package 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 低 IR 高速ダイオード Low-IR Fast Recovery Diodes デュアル 2 in one-package 型式 Device type FDLA20C20 FDLP20C20 FDLC20C20 FDLH20C20 FDLR20C20 SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 200 20 (Tc=117℃) 200 20 (Tc=126℃) SMD 200 20 (Tc=126℃) 200 20 (Tc=122℃) 200 20 (Tc=112℃) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 100 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊4 V =V ＊5 I =0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A R RRM 1チップあたり F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 20 0.045 0.98 (IF=10A) 0.98 (IF=10A) 20 0.045 0.98 (IF=10A) 20 0.045 0.98 (IF=10A) 20 0.045 0.98 (IF=10A) 20 0.045 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 1.75 1.25 1.25 1.5 2.0 TO-220F TO-220AB T-pack(S) TO-3P(Q) TO-3PF 質 量 Net mass Grams 1.7 2.0 1.6 5.1 6.0 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 (Average forward current of centertap full wave connection) Sine wave, 10ms per element ＊3 per element ＊4 V =V ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A R RRM per element ＊1 ＊2 59 4 整流ダイオード/Rectifier Diodes ■ 600V 超高速ダイオード Ultra Fast Recovery Diodes シングル 1 in one-package 型式 Device type FDRP15S60L FDRW15S60L FDRP25S60L FDRW25S60L FDRW35S60L SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 600 15 (Tc=98°C) 600 15 (Tc=85°C) 600 25 (Tc=86°C) 600 25 (Tc=86°C) 600 35 (Tc=91°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 110 -40 to +150 110 -40 to +150 125 -40 to +150 125 -40 to +150 140 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. 1 パルス ＊3 I =Io F ＊4 V =V ＊5 V =30V, I =0.1 Io, -di/dt=200A/us R RRM R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.6 250 0.031 2.6 250 0.031 2.6 250 0.033 2.6 250 0.033 2.6 250 0.036 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 1.6 2.0 1.2 1.2 0.8 TO-220AB TO-247 TO-220AB TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 4.9 2.0 4.9 4.9 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 ＊3 I =Io Sine wave, 10ms 1shot F ＊4 V =V ＊5 V =30V, I =0.1 Io, -di/dt=200A/us R RRM R F ＊1 ＊2 デュアル 2 in one-package 型式 Device type FDRW50C60L FDRW70C60L SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 600 50 (Tc=86°C) 600 70 (Tc=91°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 125 -40 to +150 140 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5 Io, 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり ＊5 V =30V, I =0.05 Io, -di/dt=200A/us, 1 チップあたり R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.6 250 0.033 2.6 250 0.036 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 0.6 0.4 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 4.9 4.9 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2, Output Current of center tap full wave connection ＊3 I =0.5 Io, Rating per element Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element F ＊4 V =V R RRM, Rating per element ＊5 V =30V, I =0.05 Io, -di/dt=200A/us, Rating per element R F ＊1 ＊2 ■ 1200V 低ノイズ高速ダイオード Soft Recovery Fast Recovery Diodes シングル 1 in one-package 型式 Device type FDRP12S120J FDRW12S120J FDRP20S120J FDRW20S120J FDRW30S120J SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 1200 12 (Tc=100°C) 1200 12 (Tc=97°C) 1200 20 (Tc=98°C) 1200 20 (Tc=88°C) 1200 30 (Tc=89°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 100 -40 to +150 100 -40 to +150 120 -40 to +150 120 -40 to +150 150 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊2 正弦波 10ms. 1 パルス ＊3 I =Io F ＊4 V =V ＊5 V =30V, I =0.1 Io, -di/dt=200A/us R RRM R F 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.8 250 0.042 2.8 250 0.042 2.8 250 0.055 2.8 250 0.055 2.8 250 0.063 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 1.5 1.6 1.0 1.2 0.781 TO-220AB TO-247 TO-220AB TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 2.0 4.9 2.0 4.9 4.9 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2 ＊3 I =Io Sine wave, 10ms 1shot F ＊4 V =V ＊5 V =30V, I =0.1 Io, -di/dt=200A/us R RRM R F ＊1 ＊2 デュアル 2 in one-package 型式 Device type FDRW40C120J FDRW60C120J SMD 絶対最大定格 対応品 Maximum rating VRRM IO＊1 Volts Amps. 1200 40 (Tc=98°C) 1200 60 (Tc=87°C) 接合、保存温度 Thermal rating IFSM＊2 Tj and Tstg Amps. ℃ 120 -40 to +150 150 -40 to +150 ( ) 条件 ＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 I =0.5 Io, 1チップあたり F ＊4 V =V R RRM 1チップあたり ＊5 V =30V, I =0.05 Io, -di/dt=200A/us, 1 チップあたり R F 60 電気的特性(Ta=25℃) Characteristics (Ta=25℃) IRRM＊4 trr＊5 VFM＊3 Max. Volts Max.μA μsec. 2.8 250 0.055 2.8 250 0.063 パッケージ Package Rth (j-c) ℃/W 0.5 0.397 TO-247 TO-247 質 量 Net mass Grams 4.9 4.9 ( ) Conditions 50Hz Square wave duty=1/2, Output Current of center tap full wave connection ＊3 I =0.5 Io, Rating per element Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element F ＊4 V =V R RRM, Rating per element ＊5 V =30V, I =0.05 Io, -di/dt=200A/us, Rating per element R F ＊1 ＊2 5 圧力センサ/Pressure Sensors ■ 圧力センサ Pressure Sensors 特長 ・絶対圧測定 ・デジタルトリミングによる高精度保証 ・広範囲な圧力範囲に対応、フルスケール 100kPa ∼ 300kPa ・センサチップに過電圧保護回路、電磁波遮断回路、サージ 保護回路を備えており、特にサージに関しては、世界的な 国際基準である ISO7637-level 4 をクリア ・Vcc、Vout、GND 配線が断線した場合のダイアグ自己 検出機能搭載 ・EPROM の冗長性による高信頼性を確保 Direct mounting type Features • • • • Absolute pressure measurement High accuracy with digital trimming Wide pressure range, full scale of 100kPa to 300kPa Provided with overvoltage protection circuit, EMC filter, and surge protective device in the sensor chip • Surge protection conforms to ISO7637-level 4 for automotive components • Diagnostic self-detecting function in the event of a wire opened among Vcc, Vout and GND terminals • High reliability ensured by EPROM bit redundancy 主な製品 Products 型 式 Device type 最大印加圧力 Max. applied voltage 許容電圧 Allowable voltage 使用温度 Operating temperature 使用圧力 Operating pressure 使用電圧 Operating voltage 出力電圧範囲 Output Voltage range (kPa.abs) EPL4PC-R3S EPL6GC-R3S 500 500 (V) 7 7 (℃) -40 to 125 -40 to 125 (kPa.abs) 20 to 106.7 25 to 242 (V) 5.0±0.25 5.0±0.25 (V) 0.789 to 4.211 0.5 to 4.5 絶対圧・ 相対圧 パッケージ Package 絶対圧 絶対圧 外装 外装 外形寸法 Dimensions, mm 12.1 ±0.2 20.6 ±0.5 9.28 ±0.1 0° ) (ø5) (4 (2.47) 2.47 ±0.1 8.6 ±0.1 4 ±0.15 3 (ø8.49) 1. Vout 2. Vcc 3. GND 33.3 ±0.5 43.7 ±0.3 2 1 8.85 ±0.1 0.15 ±0.1 0.15 ±0.1 16.6 ±0.1 17.5 ±0.2 ø6.7 ±0.1 Direct mounting type 10.19 ±0.1 12.47 ±0.1 8.7 ±0.2 25.2 61 外形図/Dimensions mm < 集積回路 / ディスクリートデバイス Integrated circuits / Discrete devices> 0°~10° Pin1 Indicator 4.9±0.15 0.20±0.05 0.10 0.40±0.1 1.27 0.4±0.1 (0.65±0.25) 0.65±0.25 0.1±0.1 1.27 0°~10° 3.9±0.15 6.0±0.2 3.9±0.2 6.0±0.3 1.8 Max 0.2±0.1 Pin1 Indicator 5.0±0.25 SOP-8E 1.7max 0.18max SOP-8*1 0.25 M (3.10) 0.25 M 6.3 ±0.1 5 3.9 ±0.15 2.5 ±0.15 0.5±0.1 0.8 ±0.1 7.6 2.54×3=7.62 DIP-16 SOP-16(M) 0.15±0.05 16 9 0.1 0.08 0.40±0.05 7.6±0.2 0°~15° +0.65 SSOP-20 0.6-0.19 +0.1 +0.2 6-0.2 +0.1 3.9-0.1 9.96-0.16 1.27 0.10±0.10 0.3± 0.5 ±0.2 0.5±0.1 10 °–0 ° 8 1.5±0.3 17.78±0.3 SOP-16(N) 10.2±0.1 1.80±0.05 1 4.0±0.3 2.54 TYP 0.75±0.1 8 19.4±0.3 7.3±0.5 3.4±0.1 1 7.8±0.2 5.3±0.1 9 6.5±0.2 16 4.1 ±0.1 0.3 +0.075 -0.025 0.4 ±0.13 7.8 ±0.1 10.3 ±0.3 5.15 ±0.3 1 2.6max 0.25±0.1 2.54 5° ~1 0° 2.45max 3.4±0.2 1.5±0.3 7.5 ±0.1 4 4.5 Max 9.4±0.3 3.5 Max 1 5.1 ±0.1 1.6 6.5-0.5 +0.3 8 +0.15 -0.1 PSOP-12 DIP-8 0.3 ±0.15 (2.41) 0.10 +4.0 4°-4.0 0.25 M +0.05 0.2-0.03 0.8 0.35 ±0.05 +0.2 7.85 ±0.08 1.4-0.2 1.6-0.25 +0.15 1.27 0.35–0.51 Pin1 Indicator 3.6 0.10 N *1）代表型式（FA8AxxN) のパッケージサイズです。他の IC については 個別アプリケーションノート（仕様書）を参照ください。 62 *1) This is the package size for the representative device type (FA8AxxN). For other ICs, please refer to the separate application note (specifications). 外形図/Dimensions mm 5.0±0.1 10°–0° 0.5±0.2 0.22±0.1 TSSOP-24 0.15±0.1 0.65 0.65 1.10 Max 3.1±0.3 0.1±0.05 1.30 Max 0.575 TYP 6.4±0.1 4.40±0.05 6.4±0.3 TSSOP-16 4.4±0.2 TSSOP-8 7.8±0.1 5.6±0.1 7.6±0.2 24 Lead-1 0.17 0.27±0.02 1.0±0.1 1.20 Max 0.65 12 10±0.05 #1 Lead-2 Lead-3 Lead-4 Lead-6 Lead-7 SC SD 63 外形図/Dimensions mm K-pack(L)/I-pack: Power MOSFET K-pack(P)/I-pack: Diode T-pack(S) T-pack(L): Power MOSFET T-pack(P): Diode 9.5 +0.3 −0.5 K-pack(S)/D-pack 2.69±0.1 +0.15 0.1-0.1 2.54［BSC］ 64 1.3±0.1 0.84±0.1 2.54［BSC］ 0.25［BSC］ （10.16） （6.6） （1.27） 4.57±0.2 （1.27） 2.3±0.3 （1.75max.） 10.16±0.2 1.27±0.15 D2-Pack 9.15±0.2 15.1±0.5 TFP （8.0） 外形図/Dimensions mm TO-220AB TO-220F (SLS) 2Max 14.8Max TO-220F 0.5 ±0.15 TO-247-P2 ±0.15 ±0.15 15.9 ±0.19 2.23 φ3.61±0.1 5.03 ±0.15 1.98 1.2 ±0.254 5.45 20.17 ±0.18 ＋0.4 2.03 −0.13 4.32 ＋0.4 3 −0.13 ±0.15 ±0.29 3.71 ±0.15 6.17 ±0.15 20.95 5.62 TO-247 +0.2 0 ±0.13 ±0.254 5.45 ＋0.09 0.6 −0.05 2.4 ±0.15 FWD 1. Anode 2. Cathode 3. Anode 65 外形図/Dimensions mm TO-3P TO-3PL 66 TO-3P(Q) TO-3PF 外形図/Dimensions mm Power devices> M138 4-φ6.5 29 62 20 13 21 29 4-φ6.5 62 80 20 48 24 20 M127 20 < パワーデバイス 93 93 110 108 2-M6 Depth 13mm min. 7 25 6 25 2-M8 Depth 13.5 mm min. 35 2-M4 Depth 7.5 mm min. 35 2-M4 Depth 7mm min. M151 M152 130 114 61.5 18 190 171 61.5 29.5 61.5 29.5 57 13 15 20 40 40 20 45.2 6-φ7 20.25 41.25 79.4 M153 3-M4 Screwing depth 8 max. 6-M8 Screwing depth 16 max. 5 28 5 38 10 3-M4 Screwing depth 8 max. 4-M8 Screwing depth 16 max. 38 28 M155 130 114 61.5 18 20 4-φ6.5 29 40 15 40 C 20 E 20 G 45.2 48 62 20 C E 29.5 20 24 140 124 93 108 4-M8 Screwing depth 16 max. 36 25.7 6 10 2-M6 2-M4 Depth 7mm min. Depth 13mm min. 10.35 6-φ7 3-M4 Screwing depth 8 max. 5 10.55 48.8 38 28 10 140 124 15 10.35 10.55 48.8 40 20 40 45.2 20 140 124 20 20 8-ø7 67 外形図/Dimensions mm M156 M232 190 171 61.5 61.5 29.5 57 13 8-ø7 23 2-φ5.5 4 17 34 4 20 40 15 40 20 45.2 140 124 20 23 80 92 20.25 41.25 Tab type terminals (AMP No.110 equivalen) 6 5 30 22.3 8 3-M5 Depth 9.5 mm min. 6-M8 Screwing depth 16 max. 38 28 10 79.4 3-M4 Screwing depth 8 max. M234 28 4-φ6.5 23 28 21 6 17 6 25 5 45 80 92 62 23 5 2-φ5.5 48 M233 93 108 3-M6 Depth 10.5 mm min. Tab type terminals (AMP No.110 equivalen) Tab type terminals (AMP No.110 equivalen) 22.4 8 30 22 6 6 30 8 3-M5 Depth 10 mm min. M235 M247 110 93 25 4-φ6.5 25 25 25 14 21.5 14 23.5 80 62 18 8.5 Tab type terminals (AMP No.110 equivalen) 21.2 1 30 7 68 18 3-M6 Depth 10.5 mm min. Tab type terminals (AMP No.110 equivalen) 22.4 8 6 30 18 6 E1 G1 93 108 3-M6 Depth 10.5 mm min. 15 G2 E2 62 48 6 15 6 6 4-φ6.5 14 外形図/Dimensions mm M249 28 14 28 14 M250 21 150 137 110 14 4-M6 Depth 9.8 mm min. 6 4-φ6.5 G2 22 50 62 17 48 62 E2 E1 25 93 108 25 94.5 4- φ5.5 17 23 6.5 8 30 22.4 8 Tab type terminals (AMP No.110 equivalen) 0.5 3-M6 Depth 10.5 mm min. 3.7 25 6 G1 M254 M256 130 114 29.5 55.2 150 137 110 5 20 35 140 124 30 15 P 22 50 62 N 20 4-M6 Depth 10.0 min. 4-φ5.5 14 11.5 94.5 16 18 40 53 40 57 6-M4 Screwing depth 8 max. 6-φ7 5 28 38 6.5 17 20.5 10 4-M8 Screwing depth 16 max. M259 M260 21 G2 E2 62 48 C2E1 E2 C1 G1 E1 22 50 62 28 150 137 110 6 17 6 28 4-φ6.5 0.1min. 94.5 93 108 Tab type terminals (AMP No.110 equivalent) 6.5 17 23 0.5 3.7 22.4 8 6 30 3-M6 Depth 10.5mm min. 4-φ5.5 4-M6 Depth 10min 69 外形図/Dimensions mm M262 M263 94 80 94 80 2-φ6.5 2-φ6.5 23 E1 G1 4 17 4 34 C1 23 2.7max. 23 0.5 30 6 6 0.5 Tab type terminals (AMP No.110 equivalent) 3-M5 Depth 9.5 mm min 22.3 8 30 3-M5 Tab type terminals Depth 9.5 mm min (AMP No.110 equivalent) 23 22.3 8 E2 4 17 4 34 G2 E2 C2E1 M272 3 4 39 7 39 14 2 2 1 3 4 39 39 14-φ5.5 M8 Screwing depth max. 16 7 9 8 10 6 11 5 39 18 M4 Screwing depth max.8 37 37 53 37 4 37 37 37 38 25.5 38 25.5 18 12.5 12.5 5 M4 Screwing depth max.8 250 39 39 11 14 39 67 1211 8 6 11 39 11 10-φ5.5 M8 Screwing depth max. 16 89 73 21 1 39 14 11 89 73 21 2 172 39 53 2.5 21.5 24.5 39 11 2.5 21.5 24.5 M271 M274 M275 92 80 23 25 23 23.5 25 4-φ6.5 17 5 2-φ5.5 C1 G2 E2 25 45 E2 C2E1 E2 C1 E1 G1 E1 48 62 C2E1 E2 6 15 6 G2 5 G1 93 108 70 3-M6 Depth 10.5min. Tab type terminals (DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent) 6 30.9 30.5 Tab type terminals (DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent) 6 22.5 7.5 30 3-M5 Depth 10mm min. 外形図/Dimensions mm M277 E2 25 20 G2 E2 62 48 C1 E1 G1 C2E1 25 E2 4-φ6.5 21.5 C1 G2 E2 80 62 C2E1 28 6 15 6 28 4-φ6.5 E1 G1 93 108 6 15 6 M276 93 110 Tab type terminals (DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent) 21.2 8.5 30 6 7 30.5 Tab Type Terminals (DIN 46244-A2.8 0.5BZ equivalent) 3-M6 Depth 10.5min. 4 30.9 3-M6 Depth 10.5min. M278 M403 130 114 29.5 110 93 M P G ET3 G E T2 G T1 E T4 62 80 10 N C 35 20 140 124 30 15 5 20 U 4-φ6.5 55 9 5 9 5 55.2 14 11.5 G 6-φ7 4-M8 Screwing depth 16 max. 4-M5 Depth:10.5min 30 5 28 38 Tab type terminals (AMP No.110 equivalent) 21.2 8.5 48 57 10 6-M4 Screwing depth 8 max. 19 9.59.5 19 18 10.2 8.5 7 16 40 53 16 71 外形図/Dimensions mm M633 M629 （30.11） 122 110 8-R2.25 94.5 57.5 39.9 50 62 4-φ5.5 M636 1 1.5 6.5 2.5 17 20.5 (3.5) 99.6 M647 107.5 4-φ6.1 93 2-φ5.5 1.5 2.5 6.5 1 (4.3) 21.3 72 17 27.6 69.6 外形図/Dimensions mm M648 M711 122 110 107.5 2-φ5.5 93 11 27.6 4-φ6.1 32 45 57.5 39.9 94.5 50 62 8-R2.25 4-φ5.5 93 6.5 17 2.9 20.5 1 1 1.1 1.5 2.5 6.5 21.3 (4.3) 17 99.6 69.6 M712 M719 122 110 8-R2.25 94.5 4-φ5.5 4-φ6.1 2-φ5.5 57.5 39.9 50 1.1 6.5 1 2.9 17 20.5 3.5 62 99.6 M720 M721 107.5 4-φ5.5 93 4-φ6.1 2-φ5.5 27.6 1 32 1.5 2.5 6.5 (4.3) 21.3 17 1 1.5 2.5 (3.5) 45 69.6 73 外形図/Dimensions mm M722 122 110 8-R2.25 94.5 4-φ5.5 M726 62.8 53 48 42.5 99.6 28.1 33.8 57.5 39.9 62 50 2-4.5×5.0 12 16.4 21.3 17 2.5 6.5 1 (4.3) 1.5 4-φ2.3 3UHVVILWSLQV M728 56.7 M727 62.8 53 48 42.5 51 28.1 33.8 48 42.5 53 62.8 2-4.5×5.0 4-φ2.3 15.5 12 3UHVVILWSLQV M1202 56.7 122 39.9 50 62 6ROGHUSLQV 1 1.5 21.3 (4.3) 17 2-4.5×5.0 12 15.5 94.5 99.6 4-φ2.3 74 110 8-R2.25 4-φ5.5 42.5 48 53 62.8 51 2.5 6.5 M729 6ROGHUSLQV 57.5 16.4 12 2-4.5×5.0 4-φ2.3 外形図/Dimensions mm M1203 P401 102 88 77 5.5 4-φ5.5 4-φ5.5 100 86 6-M5 P N 7 M VL 1 47.3 29 25 9.5 1 1.5 2.5 P626 87 77 66 1 70 64 57.6 0.5 9 5 P629 4-φ2 13 19 1 4 P 10 7 15 2-φ4.5 31.5 47.3 49.5 60 20.8 39 50.2 15.24 15.24 4-φ2 2-φ4.5 0.5 (3.5) 2-φ2.5 N 0.8 P W U 6.77 4.1 12.3 15.24 15.24 15.24 13.8 13.8 20.5 0.7 2 4.4 18 9.5 2.5 18 2.5 3 9.5 0.7 N W V 0.8 V U P630 P631 128.5 142 136 121 67.4 1.5 119.5 107.4 1.5 2-φ2.5 4-φ5.5 5 9 13 19 1 N P1 110 95 46 B 21 23 84 P2 23 2-φ4.5 21 19 24.5 14.3 1 24.5 1.85 4.5 2-φ2.5 P 2 25 U 22 V 22 W 22 N2 U 0.5 18.35 N1 B 25 1.5 34.5 V 26 W 26 116 0.64 6-M5 Depth 9mm min. 9 10.9 5.9 14 9 7 0.64 38.5 27 11.5 24 9.5 6-M4 Depth 8.5mm min. 125 75 外形図/Dimensions mm A 29.4 3.2 18x1.778 (=32.004) 0.4 P633 14.7 14 1.6 4.2 Insulated Metal Substrate 0.15 3.7 14x2.54 (=35.56) 9.5 43 35 14 Solder Plating Insulated Metal Substrate 0.5 4.3 13 26 13 2.5 1.2 15.2 30.4 A 29.4 3.2 18x1.778 (=32.004) 0.4 P633A DETAIL A 14.7 14 1.6 4.2 Insulated Metal Substrate 0.15 3.7 14x2.54 (=35.56) 43 35 14 9.5 Solder Plating Insulated Metal Substrate 0.5 4.3 13 26 13 2.5 1.2 15.2 30.4 76 DETAIL A 注文単位/Order Quantity ・Product supplied as per minimum quantity or in multiples of minimum quantity. ・下記一覧表は単品（テーピング品を除く）に適用します。 ・This table applies to untaped products. ・テーピング品については、仕様により異なりますのでお問い合わせ下さい。 ・For taping specifications, contact FUJI. ・ご注文は最小注文単位以上、かつその整数倍にてお願いいたします。 種 類 Description 型 式 Type number 最小注文単位 Min. quantity per order ショットキーバリアダイオード φ2.5×3ℓ ﾘｰﾄﾞﾀｲﾌﾟ φ3×5ℓ ERA82-□□□, ERA83-□□□, ERA85-□□□ 1,000 ERA81-□□□, ERA84-□□□, ERB83-□□□ 500 Schottky-barrier diodes φ4×7.5ℓ Axial lead types φ6.4×7.5ℓ ERB81-□□□, ERB84-□□□ 500 ERC81-□□□, ERC84-□□□ 200 低損失超高速ダイオード ﾘｰﾄﾞﾀｲﾌﾟ φ2.5×3ℓ ERA91-□□, ERA92-□□ 1,000 φ3×5ℓ CB903-□□, ERB91-□□ 500 Low-loss fast recovery diodes パッケージ Package φ4×7.5ℓ ERB93-□□ 500 φ6.4×7.5ℓ ERC91-□□ 200 TO-220AB 全型式 All types 100 Axial lead types ダイオード パワーMOSFET TO-220F 100 TFP 1,500 TO-247 100 Diodes TO-3P, TO-3P(Q) 100 Power MOSFETs TO-3PF 100 TO-3PL 50 K-pack（S） 3,000 T-pack（S） 1,000 K-pack（L, P） 500 T-pack（L, P） ディスクリートIGBT 100 SD 3,000 SC 1,500 TO-247-P2 全型式 All types 600 Discrete IGBTs 集積回路 ICs 下記を除く全型式 All types (except for below types) 2,000 FA8A-□□ 3,000 FA564□ 3,000 FA5680, FA5681 3,000 FA5760 3,000 77 型式索引 /Type Number Index Page Page Page 1MBI50U4F-120L-50 1MBI75U4F-120L-50 1MBI100U4F-120L-50 1MBI200HH-120L-50 1MBI200U4H-120L-50 1MBI300HH-120L-50 11 11 11 8 11 8 2MBI100VA-170-50 2MBI150HH-120-50 2MBI150U2A-060-50 2MBI150U4A-120-50 2MBI150U4H-170-50 2MBI150VA-060-50 6 8 10 10 10 6 2MBI600VG-120P 2MBI600VG-170E 2MBI600VJ-120-50 2MBI600VN-120-50 2MBI600VT-170E 2MBI600VXA-120E-50 6 6 6 6 6 7 1MBI300U2H-060L-50 1MBI300U4-120 1MBI400HH-120L-50 1MBI400U4-120 1MBI400V-120-50 1MBI400VF-120-50 11 11 8 11 7 7 2MBI150VA-120-50 2MBI150VB-120-50 2MBI150VH-170-50 2MBI200HH-120-50 2MBI200U2A-060-50 2MBI200U4B-120-50 6 6 6 8 10 10 2MBI600VXA-120E-54 2MBI650VXA-170E-50 2MBI650VXA-170E-54 2MBI800U4G-120 2MBI800U4G-170 2MBI800VG-120P 1MBI600U4-120 1MBI600V-120-50 1MBI600VF-120-50 1MBI650VXA-170EH-50 1MBI650VXA-170EH-54 1MBI650VXA-170EL-50 11 7 7 8 8 8 2MBI200U4H-120-50 2MBI200U4H-170-50 2MBI200VA-060-50 2MBI200VB-120-50 2MBI200VH-120-50 2MBI200VH-170-50 10 10 6 6 6 6 1MBI650VXA-170EL-54 1MBI800U4B-120 1MBI800UG-330 1MBI900V-120-50 1MBI1000UG-330 1MBI1000VXB-170EH-50 8 11 11 7 11 8 2MBI225U4J-120-50 2MBI225U4N-120-50 2MBI225U4N-170-50 2MBI225VJ-120-50 2MBI225VN-120-50 2MBI300U2B-060-50 1MBI1000VXB-170EH-54 1MBI1000VXB-170EL-50 1MBI1000VXB-170EL-54 1MBI1200U4C-120 1MBI1200U4C-170 1MBI1200UE-330 8 8 8 11 11 11 1MBI1200VC-120P 1MBI1200VC-170E 1MBI1200VR-170E 1MBI1400VXB-120PH-54 1MBI1400VXB-120PL-54 1MBI1500UE-330 Page Page Page 2SK2904-01 2SK2905-01R 2SK2906-01 2SK2907-01R 2SK3270-01 2SK3271-01 43 43 43 43 44 44 2SK3595-01MR 2SK3596-01L, S 2SK3597-01 2SK3598-01 2SK3599-01MR 2SK3600-01L, S 37 37 37 37 37 37 2SK3771-01MR 2SK3772-01 2SK3773-01MR 2SK3774-01L, S 2SK3775-01 2SK3776-01 37 38 38 38 38 38 7 7 7 10 10 6 2SK3272-01L, S 2SK3272-01SJ 2SK3273-01MR 2SK3362-01 2SK3363-01 2SK3364-01 44 44 44 43 43 43 2SK3601-01 2SK3602-01 2SK3603-01MR 2SK3604-01L, S 2SK3605-01 2SK3606-01 37 37 37 37 37 37 2SK3777-01R 2SK3778-01 2SK3779-01R 2SK3780-01 2SK3781-01R 2SK3788-01 38 38 38 37 37 37 2MBI800VG-170E 2MBI800VT-170E 2MBI900VXA-120E-50 2MBI900VXA-120E-54 2MBI900VXA-120P-50 2MBI900VXA-120P-54 6 6 7 7 7 7 2SK3450-01 2SK3451-01MR 2SK3468-01 2SK3469-01MR 2SK3474-01 2SK3501-01 40 40 39 39 37 40 2SK3607-01MR 2SK3608-01L, S 2SK3609-01 2SK3610-01 2SK3611-01MR 2SK3612-01L, S 37 37 37 38 38 38 2SK3789-01R 2SK3804-01S 2SK3870-01 2SK3871-01MR 2SK3872-01L, S 2SK3873-01 37 44 38 38 38 38 10 10 10 6 6 10 2MBI1000VXB-170E-50 2MBI1000VXB-170E-54 2MBI1200U4G-120 2MBI1200U4G-170 2MBI1200VG-120P 2MBI1200VG-170E 7 7 10 10 6 6 2SK3502-01MR 2SK3504-01 2SK3505-01MR 2SK3512-01L, S 2SK3513-01L, S 2SK3514-01 40 39 39 39 40 38 2SK3613-01 2SK3644-01 2SK3645-01MR 2SK3646-01L, S 2SK3647-01 2SK3648-01 38 37 37 37 37 37 2SK3874-01R 2SK3875-01 2SK3876-01R 2SK3882-01 2SK3883-01 2SK3884-01 38 41 41 37 37 38 2MBI300U4D-120-50 2MBI300U4E-120 2MBI300U4H-120-50 2MBI300U4H-170-50 2MBI300U4J-120-50 2MBI300U4N-120-50 10 10 10 10 10 10 2MBI1200VT-170E 2MBI1400VXB-120P-50 2MBI1400VXB-120P-54 2MBI1400VXB-170E-50 2MBI1400VXB-170E-54 2MBI1400VXB-170P-50 6 7 7 7 7 7 2SK3515-01MR 2SK3516-01L, S 2SK3517-01 2SK3518-01MR 2SK3519-01 2SK3520-01MR 38 38 39 39 39 39 2SK3649-01MR 2SK3650-01L, S 2SK3651-01R 2SK3673-01MR 2SK3674-01L, S 2SK3675-01 37 37 38 40 41 41 2SK3885-01 2SK3886-01MR 2SK3887-01 2SK3888-01MR 2SK3889-01L, S 2SK3891-01R 38 37 40 40 40 40 7 7 7 8 8 11 2MBI300U4N-170-50 2MBI300VB-060-50 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・下記記載の機種は保守品移行機種です。 ・新規設計には使用されないようお願いいたします。 機種 Description パワーデバイス Power Devices 82 型式 Type number 1MBI600PX-120 1MBI600PX-140 2MBI100PC-140 2MBI100SC-120 2MBI150PC-140 2MBI150SC-120 2MBI200PB-140 2MBI200S-120 2MBI300P-140 2MBI300S-120 2MBI50P-140 2MBI75P-140 6MBI100S-060 6MBI100S-120 6MBI100S-140 6MBI10S-120 6MBI15S-120 6MBI25S-120 6MBI35S-120 6MBI35S-140 6MBI50S-060 6MBI50S-120 6MBI50S-140 6MBI75S-060 6MBI75S-120 6MBI75S-140 6MBP100RA060 6MBP100RA120 6MBP100RTB060 6MBP100RTJ060 6MBP100TEA060-50 6MBP150RA060 6MBP150RA120 6MBP150RTB060 6MBP150RTJ060 6MBP150TEA060-50 6MBP15RA120 6MBP15RH060-50 6MBP200RA060 6MBP20RH060-50 6MBP20RTA060 6MBP25RA120 6MBP25RJ120 6MBP25RU2A120 6MBP25TEA120-50 6MBP300RA060 6MBP30RH060-50 6MBP50RA060 6MBP50RA120 6MBP50RJ120 6MBP50RTB060 6MBP50RTJ060 6MBP50RU2A120 6MBP50TEA060-50 6MBP50TEA120-50 6MBP75RA060 6MBP75RA120 6MBP75RJ120 6MBP75RTB060 6MBP75RTJ060 6MBP75RU2A120 6MBP75TEA060-50 6MBP75TEA120-50 7MBP100RA060 7MBP100RA120 7MBP100RTB060 7MBP100RTJ060 機種 Description パワーデバイス Power Devices パワー MOSFET Power MOSFET 型式 Type number 7MBP100TEA060-50 7MBP150RA060 7MBP150RA120 7MBP150RTB060 7MBP150RTJ060 7MBP150TEA060-50 7MBP200RA060 7MBP25RA120 7MBP25RJ120 7MBP25RU2A120 7MBP25TEA120-50 7MBP300RA060 7MBP50RA060 7MBP50RA120 7MBP50RJ120 7MBP50RTB060 7MBP50RTJ060 7MBP50RU2A120 7MBP50TEA060-50 7MBP50TEA120-50 7MBP75RA060 7MBP75RA120 7MBP75RJ120 7MBP75RTB060 7MBP75RTJ060 7MBP75RU2A120 7MBP75TEA060-50 7MBP75TEA120-50 7MBR100SB060 7MBR100SD060 7MBR10SA120 7MBR10SA140 7MBR10SC120 7MBR10UF120 7MBR15SA120 7MBR15SA140 7MBR15SC120 7MBR15UF060 7MBR15UF120 7MBR20SC060 7MBR20UF060 7MBR25SA120 7MBR25SA140 7MBR25SC120 7MBR30SA060 7MBR30SC060 7MBR30UF060 7MBR35SB120 7MBR35SB140 7MBR35SD120 7MBR50SA060 7MBR50SB060 7MBR50SB120 7MBR50SB140 7MBR50SC060 7MBR50SD120 7MBR75SB060 7MBR75SD060 2SK1006-01MR 2SK1007-01 2SK1008-01 2SK1009-01 2SK1010-01 2SK1018-01 2SK1019 2SK1020 2SK1021 ・Models listed below are for maintenance products only. ・Do not use them for new designing 機種 Description パワー MOSFET Power MOSFET 型式 Type number 2SK1022 2SK1023-01 2SK1081-01 2SK1082-01 2SK1101-01MR 2SK1102-01MR 2SK1212-01R 2SK1217-01R 2SK1384-01R 2SK1385-01R 2SK1503-01 2SK1504-01L,S 2SK1507-01MR 2SK1507A-01MR 2SK1512-01 2SK1512A-01 2SK1545-MR 2SK1549-R 2SK1818-MR 2SK1819-01MR 2SK1820-01L,S 2SK1876-01 2SK1937-01 2SK1938-01R 2SK1941-01R 2SK1943-01 2SK1944-01 2SK1945-01L,S 2SK1981-01 2SK1983-01 2SK1984-01MR 2SK1985-01MR 2SK2003-01MR 2SK2021-01 2SK2022-01MR 2SK2025-01 2SK2027-01 2SK2028-01MR 2SK2072-01L,S 2SK2079-01MR 2SK2082-01 2SK2098-01MR 2SK2100-01MR 2SK2101-01MR 2SK2147-01R 2SK2209-01R 2SK2213-01L,S 2SK2215-01L,S 2SK2255-01MR 2SK2257-01 2SK2272-01R 2SK2397-01MR 2SK2447-01 2SK2448-01 2SK2521-01 2SK2522-01MR 2SK2562-01R 2SK2638-01MR 2SK2640-01MR 2SK2642-01MR 2SK2644-01 2SK2645-01MR 2SK2646-01 2SK2648-01 2SK2649-01R 2SK2650-01 2SK2651-01MR 機種 Description パワー MOSFET Power MOSFET 整流ダイオード Rectifier Diodes 型式 Type number 2SK2652-01 2SK2653-01R 2SK2654-01 2SK2655-01R 2SK2694-01 2SK2695-01 2SK2696-01MR 2SK2754-01L,S 2SK2757-01 2SK2758-01L,S 2SK2761-01MR 2SK2765-01 2SK2766-01R 2SK2771-01R 2SK2827-01 2SK2849-01L,S 2SK2850-01 2SK2871-01 2SK2872-01MR 2SK2874-01L,S 2SK2875-01 2SK2876-01MR 2SK2879-01 2SK2908-01L,S 2SK3052-01L,S 2SK3216-01 2SK3217-01MR 2SK3218-01 2SK3219-01MR 2SK3264-01MR 2SK3303-01 2SK3338-01 2SK3339-01 2SK3340-01 2SK3341-01 2SK3382-01L,S 2SK3729-01L,S 2SK725 2SK725A 2SK727-01 2SK899 2SK900 2SK904 2SK947-MR 2SK951-01MR 2SK952-01 2SK955-01 2SK956-01 2SK957-MR 2SK958 2SK961 2SK962-01 FMW23N40 PA905C6R PH965C6 PH967C6 TS965C6R TS967C6R YA961S6R YA962S6R YA963S6R YG912S6R YG961S6R YG962S6R YG963S6R YG965C6R YG967C6R 廃型機種 / Discontinued products ・下記記載の機種は廃型機種です。 ・新規設計には使用されないようお願いいたします。 ・Models listed below are for discontinued products only. ・Do not use them for new designing 機種 Description 型式 Type number 機種 Description 型式 Type number パワーデバイス Power Devices 1MBI150NH-060 1MBI150NK-060 1MBI200N-120 1MBI200NH-060 1MBI200NK-060 1MBI300N-120 1MBI300NN-120 1MBI300NP-120 1MBI400N-120 1MBI400NN-120 1MBI400NP-120 1MBI600NN-060 1MBI600NP-060 2MBI100N-060 2MBI100N-120 2MBI100NB-120 2MBI100NC-120 2MBI150N-060 2MBI150N-120 2MBI150NB-120 2MBI150NC-060 2MBI150NC-120 2MBI200N-060 2MBI200N-060-03 2MBI200N-120 2MBI200NB-120 2MBI200NB-120-01 2MBI300N-060 2MBI300N-060-04 2MBI300N-120 2MBI300N-120-01 2MBI300NB-060 2MBI300NB-060-01 2MBI400N-060 2MBI400N-060-01 2MBI50N-060 2MBI50N-120 2MBI600NT-060 2MBI75N-060 2MBI75N-120 4MBI75T-060 4MBI100T-060 4MBI150T-060 4MBI200T-060 集積回路 Integrated Circuits FA3675F-H1 FA7709R-H1 FA7716R-H4 FA7723R-H4 FA7724R-H4 FA7724AR-H4 FA7728F-D1 FA7729R-H1 FA7730F-D1 FA7731F-D1 FA7743N-D1 IGBT ドライブ用 ハイブリッド IC Hybrid ICs for IGBT Drive EXB840 EXB841 機種 Description 型式 Type number IPS F5016H （インテリジェントパワースイッチ） F5017H IPS F5021H (Intelligent Power switch) F5022 F5038H 83 お知らせ/Information 半導体グローバル Web サイトの立上げについて 2009年9月に「半導体グローバルWebサイト」を立ち上げました。世界の販売拠点のローカ ルサイトを加えるとともに、弊社の半導体製品に関する新しい情報（新製品情報、弊社半導体 製品（廃型含む）の検索、展示会出展情報他）を世界中のお客様に一斉にご活用いただけるよ う更に内容を充実させてまいります。 お客様におかれましては、広くご活用いただけますようお願い申し上げます。 半導体グローバルWebサイト 日本語： www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/ 英語： www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 中国語： www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/ Launch of global semiconductor website With the launch of our global semiconductor website in September 2009, this renewal featured local sales sites being added to facilitate worldwide access, as well as providing new information on our semiconductor products (new product data, a search function for our semiconductor products (including discontinued components), and information about exhibitions, etc.) for our customers all over the world. We hope it will be of much use to our customers. Thank you. Global semiconductor websites Japanese: www.fujielectric.co.jp/products/semiconductor/ English: Chinese: www.fujielectric.com/products/semiconductor/ www.fujielectric.com.cn/products/semiconductor/ 今後とも当社半導体製品の相変わりませずご愛顧と引き続き倍旧のご厚情を賜りたく、重ねて お願い申し上げます。 We would like to thank you again in advance for your continued patronage and further support for our semiconductor products. 84 ご 注意 1. このカタログの内容（製品の仕様、特性、データ、材料、構造など）は 2012 年 11 月現在のものです。 この内容は製品の仕様変更のため、または他の理由により事前の予告なく変更されることがあります。このカタログに記載されて いる製品を使用される場合には、その製品の最新版の仕様書を入手して、データを確認してください。 2. 本カタログに記載してある応用例は、富士電機の半導体製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、本カタログによっ て工業所有権、その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 3. 富士電機（株）は絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品はある確率で故障する可能性があります。 富士電機の半導体製品の故障が、結果として人身事故，火災等による財産に対する損害や、社会的な損害を起こさぬように冗長設 計、延焼防止設計、誤動作防止設計など安全確保のための手段を講じてください。 4. 本カタログに記載している製品は、普通の信頼度が要求される下記のような電子機器や電気機器に使用されることを意図して造ら れています。 ・コンピュータ ・OA 機器 ・通信機器（端末） ・計測機器 ・工作機械 ・オーディオビジュアル機器 ・家庭用電気製品 ・パーソナル機器 ・産業用ロボット など 5. 本カタログに記載の製品を、下記のような特に高い信頼度を持つ必要がある機器に使用をご予定のお客様は、事前に富士電機（株） へ必ず連絡の上、了解を得てください。このカタログの製品をこれらの機器に使用するには、そこに組み込まれた富士電機の半導 体製品が故障しても、機器が誤動作しないように、バックアップ・システムなど、安全維持のための適切な手段を講じることが必 要です。 ・輸送機器（車載、舶用など） ・幹線用通信機器 ・交通信号機器 ・ガス漏れ検知及び遮断機 ・防災／防犯装置 ・安全確保のための各種装置 ・医療機器 6. 極めて高い信頼性を要求される下記のような機器及び戦略物資に該当する機器には、本カタログに記載の製品を使用しないでくだ さい。 ・宇宙機器 ・航空機搭載用機器 ・原子力制御機器 ・海底中継機器 7. 本カタログの一部または全部の転載複製については、文書による当社の承諾が必要です。 8. このカタログの内容にご不明の点がありましたら、製品を使用する前に富士電機（株）または、その販売店へ質問してください。 本注意書きの指示に従わないために生じたいかなる損害も富士電機（株）とその販売店は責任を負うものではありません。 WARNING 1. This Catalog contains the product specifications, characteristics, data, materials, and structures as of November 2012. The contents are subject to change without notice for specification changes or other reasons. When using a product listed in this Catalog, be sure to obtain the latest specifications. 2. All applications described in this Catalog exemplify the use of Fuji's products for your reference only. No right or license, either express or implied, under any patent, copyright, trade secret or other intellectual property right owned by Fuji Electric Co., Ltd. is (or shall be deemed) granted. Fuji Electric Co., Ltd. makes no representation or warranty, whether express or implied, relating to the infringement or alleged infringement of other's intellectual property rights which may arise from the use of the applications described herein. 3. Although Fuji Electric Co., Ltd. is enhancing product quality and reliability, a small percentage of semiconductor products may become faulty. When using Fuji Electric semiconductor products in your equipment, you are requested to take adequate safety measures to prevent the equipment from causing a physical injury, fire, or other problem if any of the products become faulty. It is recommended to make your design fail-safe, flame retardant, and free of malfunction. 4. The products introduced in this Catalog are intended for use in the following electronic and electrical equipment which has normal reliability requirements. • Computers • OA equipment • Communications equipment (terminal devices) • Measurement equipment • Machine tools • Audiovisual equipment • Electrical home appliances • Personal equipment • Industrial robots etc. 5. If you need to use a product in this Catalog for equipment requiring higher reliability than normal, such as for the equipment listed below, it is imperative to contact Fuji Electric Co., Ltd. to obtain prior approval. When using these products for such equipment, take adequate measures such as a backup system to prevent the equipment from malfunctioning even if a Fuji's product incorporated in the equipment becomes faulty. • Transportation equipment (mounted on cars and ships) • Trunk communications equipment • Traffic-signal control equipment • Gas leakage detectors with an auto-shut-off feature • Emergency equipment for responding to disasters and anti-burglary devices • Safety devices • Medical equipment 6. Do not use products in this Catalog for the equipment requiring strict reliability such as the following and equivalents to strategic equipment (without limitation). • Space equipment • Aeronautic equipment • Nuclear control equipment • Submarine repeater equipment 7. Copyright ©1996-2012 by Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. No part of this Catalog may be reproduced in any form or by any means without the express permission of Fuji Electric Co., Ltd. 8. If you have any question about any portion in this Catalog, ask Fuji Electric Co., Ltd. or its sales agents before using the product. Neither Fuji Electric Co., Ltd. nor its agents shall be liable for any injury caused by any use of the products not in accordance with instructions set forth herein. 安全に関するご注意 ＊ご使用の前に，「取扱説明書」や「仕様書」などをよくお読みいただくか，当社またはお買上の販売店にご相談のうえ，正しくご使用ください。 ＊取扱いは当該分野の専門の技術を有する人が行ってください。 輸出に関してのお願い：本品のうちで，戦略物資(または役務)に該当するものを輸出される場合は， 外国為替および外国貿易管理法に基づく輸出許可が必要です。 85/KWWSZZZIXMLHOHFWULFFRMSSURGXFWVVHPLFRQGXFWRU 本社 （営業本部） ☎（03）5435-7156 〒141-0032 東京都品川区大崎1-11-2（ゲートシティ大崎イーストタワー） 中部支社 ☎（052）746-1023 〒460-0007 愛知県名古屋市中区新栄1-5-8（広小路アクアプレイス） 関西支社 ☎（06）6455-3871 〒553-0002 大阪府大阪市福島区鷺洲1-11-19（富士電機大阪ビル）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● 特約店 本資料の内容は製品改良などのために変更することがありますのでご了承ください。 ,QIRUPDWLRQLQWKLVFDWDORJLVVXEMHFWWRFKDQJHZLWKRXWQRWLFH /)2/63ULQWHGLQ-DSDQ