－ 富士 IGBT モジュール V シリーズ 1700V 系列 － Rg と Cge による逆回復 dv/dt とスイッチング損失特性 測定素子： 2MBI550VN-170-50 条件： Vdc=900V, Ic, If=550A, Vge=+/-15V, Rg=vari., Cge=0, 47, 100nF Tj=25oC or 125oC If=550A Ic=550A Tj=25oC Tj=125oC (a) 逆回復 dv/dt の Rg 依存性 (b) ターンオン損失の Rg 依存性 If=550A Tj=125oC Ic=550A Tj=125oC (c) ターンオフ損失の Rg 依存性 (d) 逆回復損失の Rg 依存性 1 2014 年 1 月 技術資料: MT5F27843 Eon+Eoff+Err (mJ/pulse) 1200 0nF 47nF 100nF 1000 800 Rg=15Ω 600 400 Rg=6.8Ω Rg=3.3Ω Rg=1.8Ω IF 200 dv/dt 0V 0A VR 0 0 5 10 15 20 dv/dt at reverse recovery (kV/usec) スイッチング損失の総和逆回復 dv/dt の Cge、Rg 依存性から、Cies を付加することで損失総和と逆回復 時の dv/dt の関係性が改善されていることがわかります。 逆回復 dv/dt を低減させるためには、ゲート－エミッタ間に Cge を付加することが効果的です。しかし ながら Cge を付加することでスイッチング損失は増加するため、ゲート抵抗を低減する必要があります。 概ね同一のスイッチング損失を得るための Cge、Rg としては、Cge は仕様書記載の Cies の約 2 倍、Rg は適 用している Rg に対して約半分を適用いただきますと、概ね Cies 付加前の損失と同程度の総損失を得るこ とが可能となります。しかしながら詳細につきましては、実機にて確認いただきますようお願いいたしま す。 2 2014 年 1 月 技術資料: MT5F27843