デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14826AA-N ■概要 ■特長 ELM14826AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=6.3A (Vgs=10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 25mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 60 V ±20 V 6.3 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 5.0 40 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg 2.00 1.28 -55 ～ 150 A 1 A 2 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード Rθja 定常状態 定常状態 Rθjl ■端子配列図 Typ. 50.0 Max. 62.5 単位 ℃/W 73.0 31.0 110.0 40.0 ℃/W ℃/W 備考 1 3 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � � 端子番号 端子記号 1 2 3 SOURCE2 GATE2 SOURCE1 4 5 6 GATE1 DRAIN1 DRAIN1 7 8 DRAIN2 DRAIN2 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14826AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=48V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 60 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 40 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs Vgs=10V, Id=6.3A V Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=5.7A Vds=5V, Id=6.3A Is=1A, Vgs=0V 2.1 1 5 μA 100 nA 3.0 V A 20 34 25 42 22 27 0.74 30 Is mΩ 1.00 S V 3 A 1920 2300 pF Vgs=0V, Vds=30V, f=1MHz 155 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 116 0.65 pF Ω Vgs=10V, Vds=30V, Id=6.3A 47.6 24.2 6.0 0.80 58.0 30.0 nC nC nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V 14.4 7.6 5.0 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=4.7Ω, Rgen=3Ω tf trr If=6.3A, dlf/dt=100A/μs 28.9 5.5 33.2 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=6.3A, dlf/dt=100A/μs 43.0 40.0 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14826AA-N ■標準特性と熱特性曲線 40 30 10V 4V 25 4.5V 20 3.5V 125°C 15 10 10 25°C 5 Vgs=3V 0 0 1 2 3 4 0 5 1.5 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 2.5 3 3.5 4 22 Normalized On-Resistance 2.2 Vgs=4.5V 20 Vgs=10V 18 16 Vgs=10V 2 Id=6.3A 1.8 Vgs=4.5V 1.6 Id=5.7A 1.4 1.2 1 0.8 0 5 10 15 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 50 Id=6.3A 1.0E+00 40 125°C 125°C 1.0E-01 Is (A) Rds(on) (m� ) 2 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 24 Rds(on) (m� ) Vds=5V 20 Id (A) Id (A) 30 30 25°C 1.0E-02 25°C 1.0E-03 20 1.0E-04 1.0E-05 10 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14826AA-N 10 3000 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 3500 Vds=15V Id=6.3A 6 4 2 Ciss 2500 2000 1500 Coss 1000 Crss 500 0 0 10 20 30 40 0 50 0 5 15 20 25 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 40 Rds(on) limited 10�s 100�s 1ms 10.0 10ms 1s 1.0 0.1s 10s Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 10 100 Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 1 10 Tj(max)=150°C Ta=25°C DC 0.1 0.1 30 30 Power (W) Id (Amps) 100.0 10 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000