デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14800AA-N ■概要 ■特長 ELM14800AA-N は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=6.9A (Vgs=10V) MOSFET です。 ・ Rds(on) < 27mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、 Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs Ta=25℃ 連続ドレイン電流 30 ±12 6.9 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 5.8 40 Idm Tc=25℃ 最大許容損失 Pd Tc=70℃ 接続温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg V V 2.00 A 1 A 2 W 1.44 -55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 定常状態 Rθja 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl ■端子配列図 Max. 62.5 110.0 単位 ℃/W ℃/W 備考 35.0 40.0 ℃/W 3 1 ■回路 SOP-8(TOP VIEW) � � � � � � � Typ. 48.0 74.0 � 端子番号 1 端子記号 SOURCE2 2 3 4 GATE2 SOURCE1 GATE1 5 6 7 DRAIN1 DRAIN1 DRAIN2 8 DRAIN2 4-1 �� �� �� �� �� �� デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14800AA-N ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 0.002 1.000 μA 5.000 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.7 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 25 Vgs=10V, Id=6.9A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=6A Vgs=2.5V, Id=5A Vds=5V, Id=5A Is=1A Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz V 12 1.0 100 nA 1.4 V A 22.6 33.0 27.0 40.0 27.0 42.0 16 32.0 50.0 0.71 1.00 3 V A 858 1050 pF 3.60 pF pF Ω mΩ S Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 110 80 1.24 Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=6.9A 9.60 12.00 nC 1.65 nC ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 3.00 3.2 4.1 4.8 6.2 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf trr If=5A, dlf/dt=100A/μs 26.3 3.7 15.5 40.0 5.5 20.0 ns ns ns 7.9 12.0 nC 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=5A, dlf/dt=100A/μs 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14800AA-N ■標準特性と熱特性曲線 30 20 10V 3V 25 2.5V Id (A) Id (A) 20 Vds=5V 16 4.5V 15 10 Vgs=2V 12 8 125°C 4 5 25°C 0 0 0 1 2 3 4 0 5 0.5 60 2 2.5 3 1.7 Normalized On-Resistance Vgs=2.5V 50 Rds(on) (m� ) 1.5 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 40 Vgs=4.5V 30 20 Vgs=10V 10 0 5 10 15 1.6 Id=5A 1.5 Vgs=10V Vgs=4.5V 1.4 1.3 Vgs=2.5V 1.2 1.1 1 0.9 0.8 20 0 Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 70 60 1.0E+00 Id=5A 125°C 40 125°C 1.0E-01 50 Is Amps Rds(on) (m� ) 1 1.0E-02 1.0E-03 1.0E-04 30 10 0 2 4 6 25°C 1.0E-05 25°C 20 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0E-06 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics 1.50 デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM14800AA-N 5 f=1MHz Vgs=0V 1250 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 1500 Vds=15V Id=6.9A 3 2 Ciss 1000 1 750 500 Coss 250 0 0 2 4 6 8 10 0 12 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics 100.0 Power W Id (Amps) 10ms 1s DC 1 0.1 10 30 20 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 25 Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 100 Vds (Volts) 10 20 10 10s 0.1 15 30 0.1s 1.0 10 40 100�s 1ms 10.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 Pd Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000