シングル N チャンネル MOSFET ELM13406CA-S ■概要 ■特長 ELM13406CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=3.6A (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 65mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 105mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 30 V Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 ±20 3.6 2.9 15 Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg V 1.4 0.9 - 55 ~ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t ≦ 10s 定常状態 Rθja 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl ■端子配列図 Typ. 70 100 Max. 90 125 単位 ℃/W ℃/W 備考 63 80 ℃/W 3 ■回路 D SOT-23(TOP VIEW) � � 1 � 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 SOURCE DRAIN G S 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM13406CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=24V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 15 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Rds(on) Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs Vgs=10V, Id=3.6A V Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=2.8A Vds=5V, Id=3.6A Is=1A 1.9 1 5 μA 100 nA 3.0 V A 50 74 65 100 75 7 0.79 105 Is 288 mΩ 1.00 S V 2.5 A 375 pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 57 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 39 3 pF Ω Vgs=10V, Vds=15V Id=3.6A 6.5 3.1 1.2 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 1.6 4.6 1.9 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf trr If=3.6A, dlf/dt=100A/μs 20.1 2.6 10.2 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=3.6A, dlf/dt=100A/μs 3.5 6 8.5 4.0 14.0 nC nC nC nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ~ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5%条件下で得られます。 5. これらの値はTa=25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13406CA-S ■標準特性と熱特性曲線 15 10 10V 4.5V 6V 8 4V 9 Id(A) Id (A) 12 3.5V 6 Vds=5V 6 4 125°C Vgs=3V 3 2 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 1.5 2 3 100 4 4.5 5 1.8 Normalized On-Resistance 90 Vgs=4.5V 80 70 60 50 Vgs=10V 40 Id=3.6A 1.6 Vgs=4.5V Vgs=10V 1.4 1.2 1 0.8 0 2 4 6 8 10 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 Id=3.6A 1.0E+00 125° 150 1.0E-01 100 Is (A) Rds(on) (m� ) 3.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Rds(on) (m� ) 2.5 125°C 1.0E-02 25° 1.0E-03 50 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0 2 4 6 8 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13406CA-S 10 Ciss Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 400 Vds=15V Id=3.6A 6 4 2 300 200 Coss 0 0 1 2 3 4 5 6 0 7 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 1ms 0.1s 10ms 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 5 10s DC 0.1 1 10 0 0.001 100 Vds (Volts) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 1s 10 15 15 10�s 100�s Power (W) Id (Amps) Rds(on) limited 0.1 10 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 1.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 10.0 Crss 100 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000