シングル N チャンネル MOSFET ELM13414CA-S ■概要 ■特長 ELM13414CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=4.2A (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 63mΩ (Vgs=2.5V) ・ Rds(on) < 87mΩ (Vgs=1.8V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=70℃ 連続ドレイン電流 パルス ・ ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 20 V Vgs ±8 V Id 4.2 3.2 A 1 A 2 W 1 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 15 1.4 0.9 Pd Tj, Tstg - 55 ～ 150 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - リード 記号 t≦10s 定常状態 定常状態 Rθja Rθjl ■端子配列図 Typ. 70 Max. 90 単位 ℃/W 100 63 125 80 ℃/W ℃/W 1 3 ■回路 D SOT-23(TOP VIEW) � � 備考 � 端子番号 1 2 端子記号 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 4-1 シングル N チャンネル MOSFET ELM13414CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=16V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 20 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.4 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 15 ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) 順方向相互コンダクタンス Gfs ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 Vsd Is 入力容量 Ciss 出力容量 帰還容量 ゲート抵抗 Coss Crss Rg スイッチング特性 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 Qg Qgs Vgs=4.5V Id=4.2A Ta=125℃ Vgs=2.5V, Id=3.7A Vgs=1.8V, Id=3.2A Vds=5V, Id=4.2A Is=1A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=4.5V, Vds=10V Id=4.2A ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=5V, Vds=10V ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=2.7Ω, Rgen=6Ω tf trr If=4A, dlf/dt=100A/μs 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr V If=4A, dlf/dt=100A/μs 0.6 1 5 μA 100 nA 1.0 V A 41 58 50 70 52 67 11 63 87 0.76 1.00 2 mΩ S V A 436 pF 66 44 3 pF pF Ω 6.2 1.6 nC nC 0.5 5.5 6.3 nC ns ns 40.0 12.7 12.3 ns ns ns 3.5 nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM13414CA-S ■標準特性と熱特性曲線 16 10 8V Vds=5V 4.5V 8 2V 3V 2.5V 8 6 Id(A) Id (A) 12 4 4 Vgs=1.5V 125°C 2 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 100 2 2.5 1.8 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 1.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics Vgs=1.8V 80 Vgs=2.5V 60 40 Vgs=4.5V 20 Vgs=2.5V 1.6 Vgs=1.8V 1.4 Id=4.2A Vgs=4.5V 1.2 1 0.8 0 4 8 12 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 1E+01 90 1E+00 Id=4.2A 80 125°C 1E-01 70 Is (A) Rds(on) (m� ) 1 125°C 60 50 25°C 1E-03 25°C 40 1E-02 1E-04 30 1E-05 20 0 2 4 6 0.0 8 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.0 シングル N チャンネル MOSFET ELM13414CA-S 800 5 Vgs (Volts) Capacitance (pF) Vds=10V Id=4.2A 4 3 2 1 600 Ciss 400 Coss 200 0 0 0 2 4 6 0 8 10.0 15 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 100�s 15 Rds(on) limited 1.0 10�s 1ms 0.1s 10ms DC 0.1 0.1 1 Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 10 5 1s 10s Z� Jja Normalized Transient Thermal Resistance 10 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C Power (W) 100.0 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Id (Amps) Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 PD 0.1 0.01 0.00001 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000