elm32422la

シングル N チャンネル MOSFET
ELM32422LA-S
■概要
■特長
ELM32422LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=25V
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
・ Id=60A
・ Rds(on) < 13.8mΩ (Vgs=10V)
・ Rds(on) < 17.8mΩ (Vgs=7V)
■絶対最大定格値
項目
特に指定なき場合、Ta=25℃
規格値
単位
備考
±20
V
記号
Vgs
ゲート - ソース電圧
Ta=25℃
Ta=100℃
パルス ・ ドレイン電流
Idm
60
36
140
アバランシェ電流
アバランシェエネルギー
アバランシェエネルギー ( 繰り返し)
Iar
Eas
Ear
20
140
5.6
連続ドレイン電流
Id
L=0.1mH
L=0.05mH
Tc=25℃
Tc=100℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
Pd
Tj, Tstg
A
60
38
- 55 ~ 150
A
3
A
mJ
mJ
4
W
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - ケース
最大接合部 - 周囲温度
記号
定常状態
定常状態
熱抵抗(ケース- ヒートシンク )
Typ.
Rθjc
Rθja
Rθcs
■端子配列図
Max.
単位
3.0
70.0
℃/W
℃/W
0.7
備考
℃/W
■回路
�
TO-252-3(TOP VIEW)
���
端子番号
1
端子記号
GATE
2
3
DRAIN
SOURCE
�
�
�
4-1
�
�
シングル N チャンネル MOSFET
ELM32422LA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
特に指定なき場合、 Ta=25℃
Min. Typ. Max. 単位 備考
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
BVdss Id=250μA, Vgs=0V
Idss
25
Vds=20V, Vgs=0V
Ta=125℃
250
Igss Vds=0V, Vgs=±20V
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA
Id(on) Vgs=10V, Vds=10V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
Rds(on)
Vgs=10V, Id=22A
Vgs=7V, Id=20A
順方向相互コンダクタンス
Gfs
Vds=15V, Id=30A
ダイオード順方向電圧
最大寄生ダイオード連続電流
Vsd
Is
If=Is, Vgs=0V
ダイオード パルス電流
動的特性
入力容量
Ism
総ゲート電荷
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復ピーク電流
寄生ダイオード逆回復電荷量
Ciss
Vgs=0V, Vds=15V
Coss
f=1MHz
Crss
Qg
Qgs
Qgd
V
Vds=20V, Vgs=0V
ゲート漏れ電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
出力容量
帰還容量
スイッチング特性
25
Vgs=10V, Vds=10V
Id=22A
td(on)
Vgs=10V, Vds=15V
tr
Id=30A, RL=1Ω
td(off)
Rgen=2.5Ω
tf
trr
Irm(rec) If=Is, dIf/dt=100A/μs
Qrr
備考 :
1. パルステスト : パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2%
2. 動作温度は独立しています
3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています
4. デューティーサイクル≦1%
4-2
0.8
60
1.2
μA
±250 nA
2.5
V
A
10.5 13.8
mΩ
13.5 17.8
16
1
1
S
1
1.3
60
V
A
1
140
A
3
600
pF
290
100
pF
pF
30.0
nC
2
2.9
7.0
nC
nC
2
2
7
7
24
ns
ns
ns
2
2
2
6
ns
2
37
200
0.043
ns
A
μC
NIKO-SEM
N-Channel
Level Enhancement
シングル Logic
N チャンネル
MOSFET
Mode Field Effect Transistor
ELM32422LA-S
P60N03LDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
■標準特性と熱特性曲線
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITHSOURCE CURRENT AND TEMPERATURE
3
4-3
OCT-27-2005
NIKO-SEM
シングル
N チャンネル MOSFET
N-Channel Logic Level Enhancement
ModeELM32422LA-S
Field Effect Transistor
4
4-4
P60N03LDG
TO-252 (DPAK)
Lead-Free
OCT-27-2005