シングル N チャンネル MOSFET ELM32422LA-S ■概要 ■特長 ELM32422LA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=60A ・ Rds(on) < 13.8mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 17.8mΩ (Vgs=7V) ■絶対最大定格値 項目 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 ±20 V 記号 Vgs ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 Idm 60 36 140 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー アバランシェエネルギー ( 繰り返し） Iar Eas Ear 20 140 5.6 連続ドレイン電流 Id L=0.1mH L=0.05mH Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 Pd Tj, Tstg A 60 38 - 55 ～ 150 A 3 A mJ mJ 4 W ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - ケース 最大接合部 - 周囲温度 記号 定常状態 定常状態 熱抵抗(ケース- ヒートシンク ) Typ. Rθjc Rθja Rθcs ■端子配列図 Max. 単位 3.0 70.0 ℃/W ℃/W 0.7 備考 ℃/W ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 1 端子記号 GATE 2 3 DRAIN SOURCE � � � 4-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM32422LA-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 BVdss Id=250μA, Vgs=0V Idss 25 Vds=20V, Vgs=0V Ta=125℃ 250 Igss Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=10V ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=10V, Id=22A Vgs=7V, Id=20A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=15V, Id=30A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 Vsd Is If=Is, Vgs=0V ダイオード パルス電流 動的特性 入力容量 Ism 総ゲート電荷 ゲート - ソース電荷 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 寄生ダイオード逆回復ピーク電流 寄生ダイオード逆回復電荷量 Ciss Vgs=0V, Vds=15V Coss f=1MHz Crss Qg Qgs Qgd V Vds=20V, Vgs=0V ゲート漏れ電流 ゲート ・ スレッシュホールド電圧 オン状態ドレイン電流 出力容量 帰還容量 スイッチング特性 25 Vgs=10V, Vds=10V Id=22A td(on) Vgs=10V, Vds=15V tr Id=30A, RL=1Ω td(off) Rgen=2.5Ω tf trr Irm(rec) If=Is, dIf/dt=100A/μs Qrr 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4. デューティーサイクル≦1％ 4-2 0.8 60 1.2 μA ±250 nA 2.5 V A 10.5 13.8 mΩ 13.5 17.8 16 1 1 S 1 1.3 60 V A 1 140 A 3 600 pF 290 100 pF pF 30.0 nC 2 2.9 7.0 nC nC 2 2 7 7 24 ns ns ns 2 2 2 6 ns 2 37 200 0.043 ns A μC NIKO-SEM N-Channel Level Enhancement シングル Logic N チャンネル MOSFET Mode Field Effect Transistor ELM32422LA-S P60N03LDG TO-252 (DPAK) Lead-Free ■標準特性と熱特性曲線 BODY DIODE FORWARD VOLTAGE VARIATION WITHSOURCE CURRENT AND TEMPERATURE 3 4-3 OCT-27-2005 NIKO-SEM シングル N チャンネル MOSFET N-Channel Logic Level Enhancement ModeELM32422LA-S Field Effect Transistor 4 4-4 P60N03LDG TO-252 (DPAK) Lead-Free OCT-27-2005