シングル N チャンネル MOSFET ELM322806A-S ■概要 ■特長 ELM322806A-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=60V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=30A ・ Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 38mΩ (Vgs=4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 Vds Vgs Ta=25℃ 連続ドレイン電流 Ta=100℃ パルス ・ ドレイン電流 アバランシェ電流 アバランシェエネルギー L=0.1mH Tc=25℃ Tc=100℃ 最大許容損失 接合温度範囲及び保存温度範囲 60 ±20 30 Id V V A 19 Idm Ias 100 30 A A Eas 43 50 20 mJ - 55 ～ 150 ℃ Pd Tj, Tstg 3 W ■熱特性 項目 記号 Typ. Max. 単位 最大接合部 - ケース 定常状態 Rθjc 2.5 ℃/W 最大接合部 - 周囲温度 定常状態 Rθja 40.0 ℃/W ■端子配列図 備考 ■回路 � TO-252-3(TOP VIEW) ��� 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE � � � 4-1 � � シングル N チャンネル MOSFET ELM322806A-S ■電気的特性 項目 記号 条件 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 備考 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=48V, Vgs=0V Vds=40V, Vgs=0V, Ta=125℃ ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=10V, Vds=10V Vgs=10V, Id=20A ドレイン - ソースオン状態抵抗 Rds(on) Vgs=4.5V, Id=12A 順方向相互コンダクタンス Gfs Vds=5V, Id=20A ダイオード順方向電圧 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 出力容量 帰還容量 Vsd 60 V 1 10 ±250 nA 1.0 100 1.5 Rg Qg ゲート - ソース電荷 Qgs Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=30V, Id=20A V A 1 mΩ 1 S 1 1.3 V 1 30 A 28.0 38.0 25 Is ゲート抵抗 スイッチング特性 総ゲート電荷 3.0 22.3 28.0 If=20A, Vgs=0V Ciss Coss Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Crss μA 1500 168 106 pF pF pF 1.3 Ω 27.4 nC 2 6.1 nC 2 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 Qgd td(on) 5.8 8 nC ns 2 2 ターン ・ オン立ち上がり時間 ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 tr Vgs=10V, Vds=30V td(off) Id=20A, Rgen=6Ω tf 6 29 6 ns ns ns 2 2 2 41 ns 46 nC 寄生ダイオード逆回復時間 trr 寄生ダイオード逆回復電荷量 Qrr If=20A, dIf/dt=100A/μs 備考 : 1. パルステスト ： パルス幅≦300μ秒、デューティーサイクル≦2％ 2. 動作温度は独立しています 3. パルス幅は最大接合温度によって制限されています 4-2 シングル N チャンネル MOSFET ELM322806A-S ■標準特性と熱特性曲線 � � � � � � � � � � � � � � � 4-3 シングル N チャンネル MOSFET ELM322806A-S � �� �� �� �� 4-4