シングル P チャンネル MOSFET ELM13409CA-S ■概要 ■特長 ELM13409CA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-2.6A (Vgs=-10V) オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 200mΩ (Vgs=-4.5V) ■絶対最大定格値 項目 記号 Vds Vgs ドレイン - ソース電圧 ゲート - ソース電圧 Ta=25℃ 連続ドレイン電流 特に指定なき場合、Ta=25℃ 規格値 単位 備考 -30 V ±20 V -2.6 Id Ta=70℃ パルス ・ ドレイン電流 -2.2 -20 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 最大許容損失 Pd 接合温度範囲及び保存温度範囲 Tj, Tstg 1.4 1.0 -55 ～ 150 A 1 A 2 W 1 ℃ ■熱特性 項目 最大接合部 - 周囲温度 最大接合部 - 周囲温度 記号 t≦10s 定常状態 Rθja 最大接合部 - リード 定常状態 Rθjl Typ. 70 100 Max. 90 125 単位 ℃/W ℃/W 備考 63 80 ℃/W 3 ■回路 ■端子配列図 � SOT-23(TOP VIEW) � � 1 � 端子番号 端子記号 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN � � 4-1 シングル P チャンネル MOSFET ELM13409CA-S ■電気的特性 項目 記号 特に指定なき場合、 Ta=25℃ Min. Typ. Max. 単位 条件 静的特性 ドレイン - ソース降伏電圧 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流 Idss Vds=-24V Vgs=0V ゲート漏れ電流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V -30 Ta=55℃ ゲート ・ スレッシュホールド電圧 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA -1.0 オン状態ドレイン電流 Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V -5 ドレイン - ソースオン状態抵抗 順方向相互コンダクタンス ダイオード順方向電圧 Vgs=-10V Rds(on) Id=-2.6A Gfs Vsd 最大寄生ダイオード連続電流 動的特性 入力容量 Ciss 出力容量 Coss 帰還容量 ゲート抵抗 スイッチング特性 Crss Rg 総ゲート電荷 (10V) 総ゲート電荷 (4.5V) ゲート - ソース電荷 Qg Qg Qgs V 3.0 μA ±100 nA -3.0 V A 97 135 Ta=125℃ Vgs=-4.5V, Id=-2A Vds=-5V, Id=-2.5A Is=-1A, Vgs=0V -1.9 -1 -5 130 150 166 200 3.8 -0.82 -1.00 Is -2 mΩ S V A 302.0 370.0 pF Vgs=0V, Vds=-15V, f=1MHz 50.3 pF Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 37.8 12 pF Ω Vgs=-10V, Vds=-15V Id=-2.6A 6.80 2.40 1.60 ゲート - ドレイン電荷 ターン ・ オン遅延時間 ターン ・ オン立ち上がり時間 Qgd td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-15V 0.95 7.5 3.2 nC ns ns ターン ・ オフ遅延時間 ターン ・ オフ立ち下がり時間 寄生ダイオード逆回復時間 td(off) RL=5.8Ω, Rgen=3Ω tf trr If=-2.6A, dlf/dt=100A/μs Qrr 17.0 6.8 16.8 ns ns ns 寄生ダイオード逆回復電荷量 10.0 18 9.00 22.0 nC nC nC nC 備考 : 1. Rθja の値は Ta＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 ま たアプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインに依存し、 電流定格は t≦10sの熱抵抗定格に基 づいています。 2. 接合部温度は反復定格及びパルス幅を制限します。 3. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の温度インピーダンスの合計です。 4. 標準特性図 1 ～ 6 は 80μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。 5. これらの値はTa＝25℃、2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされた装置を使用して測定されています。 SOA のグラフはパルス定格を規定しています。 4-2 シングル P チャンネル MOSFET ELM13409CA-S ■標準特性と熱特性曲線 10 20 -8V Vds=-5V 8 15 -6V 10 -5.5V -5V 25°C -Id (A) -Id (A) -10V Vgs=-4.5V -4V 5 -3.0V 0 1 2 3 4 125°C 4 2 -3.5V 0 6 0 5 1 2 5 6 370 250 1.6 Normalized On-Resistance Rds(on) (m� ) 4 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 200 150 Vgs=-4.5V 100 Vgs=-10V 50 18 Vgs=-10V 1.4 9 Vgs=-4.5V 1.2 Id=-2A 1 0.8 0 1 2 3 4 5 6 0 25 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 300 1.0E+01 250 1.0E+00 200 75 100 125 22 150 175 1.0E-01 -Is (A) 125°C 150 100 50 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id=-2A Rds(on) (m� ) 3 25°C 1.0E-02 125°C 1.0E-03 25°C 1.0E-04 50 1.0E-05 1.0E-06 0 3 4 5 6 7 8 9 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 1.2 シングル P チャンネル MOSFET ELM13409CA-S 10 500 Vds=-15V Id=-2.6A 9 8 400 Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 7 6 5 4 3 2 Ciss 300 200 Coss 100 1 0 0 1 2 3 4 5 6 Crss 0 7 0 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 20 Rds(on) limited 100�s 10ms 10s 0.1 1 DC Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 30 Tj(max)=150°C 18 Ta=25°C 9 10 -Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W 0.01 0.1 1 10 100 22 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) 10 25 5 1s 0.1 20 15 10�s 1ms 0.1s 1.0 15 370 Tj(max)=150°C Ta=25°C 10.0 10 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Power (W) -Id (Amps) 100.0 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 100 1000