复合沟道 MOSFET ELM34608AA-N ■概要 ■特点 ELM34608AA-N 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=60V P 沟道 ·Vds=-60V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=4.5A ·Id=-3.5A ·Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 90mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 85mΩ(Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 135mΩ(Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流(定常) 漏极电流(脉冲) Id Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj,Tstg 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 60 -60 V ±20 4.5 4.0 ±20 -3.5 -3.0 V 20 2.0 1.3 -20 2.0 1.3 A -55 ~ 150 -55 ~ 150 A 1 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 沟道 N Rθja P 典型值 最大值 62.5 单位 ℃/W 62.5 ℃/W 备注 备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 2. 占空比≤1%。 ■引脚配置图 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 SOURCE1 2 3 4 GATE1 SOURCE2 GATE2 5 6 7 DRAIN2 DRAIN2 DRAIN1 8 DRAIN1 ·N 沟道 ·P 沟道 D1 G1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM34608AA-N ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=40V, Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 备注: V Vds=48V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 60 1.0 20 Vgs=10V, Id=4.5A Vgs=4.5V, Id=4A Vds=10V, Id=4.5A 1.5 42 55 14 If=Is=1.3A, Vgs=0V μA ±100 nA 2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 1 1.3 V A 1 2.6 A 3 58 85 650 80 pF pF Crss 35 pF Qg 12.0 Qgs Qgd Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz Vgs=10V, Vds=30V, Id=4.5A td(on) tr Vgs=10V, Vds=30V, Id=1A td(off) Rgen=6Ω tf 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 16.0 2.4 2.6 nC 2 nC nC 2 2 11 8 19 20 18 35 ns ns ns 2 2 2 6 15 ns 2 NIKO-SEM P5806NVG N- & P-Channel Enhancement Mode 复合沟道 MOSFET Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free ELM34608AA-N ■标准特性曲线 (N 沟道 ) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V Is - Reverse Drain Current(A) 10 T A = 125° C 1 25° C 0.1 -55° C 0.01 0.001 0.0001 0 0.6 0.2 0.4 0.8 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.0 1.2 7-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 4 Oct-01-2004 NIKO-SEM 复合沟道 MOSFET Mode N- & P-Channel Enhancement Field Effect Transistor ELM34608AA-N 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P5806NVG SOP-8 Lead-Free 复合沟道 MOSFET ELM34608AA-N ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 備考 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-40V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is 脉冲电流 Ism 动态特性 输入电容 输出电容 Ciss Coss 反馈电容 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 备注: -1.0 -20 Vgs=-10V, Id=-3.5A Vgs=-4.5V, Id=-3A Vds=-5V, Id=-3.5A Qgs Qgd -1.5 70 100 9 If=Is=-1.3A, Vgs=0V Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz Crss Qg V Vds=-48V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -60 Vgs=-10V, Vds=-30V Id=-3.5A td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-30V td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf 1.脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒, 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 μA ±100 nA -2.5 V A 1 mΩ 1 S 1 -1 -1.3 V A 1 -2.6 A 3 90 135 630 81 pF pF 33 pF 11.0 15.0 2.1 2.5 nC 2 nC nC 2 2 6 8 17 13 18 31 ns ns ns 2 2 2 11 20 ns 2 NIKO-SEM P5806NVG N- & P-Channel Enhancement Mode 复合沟道 MOSFET Field Effect Transistor SOP-8 Lead-Free ELM34608AA-N ■标准特性曲线 (P 沟道 ) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 -Is - Reverse Drain Current(A) V GS = 0V 10 1 T A = 125° C 0.1 25° C -55° C 0.01 0.001 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.2 1.4 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 6 Oct-01-2004 NIKO-SEM 复合沟道Enhancement MOSFET Mode N- & P-Channel ELM34608AA-N Field Effect Transistor P5806NVG SOP-8 Lead-Free 7-7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 7 Oct-01-2004