复合沟道 MOSFET ELM35601KA-S ■概要 ■特点 ELM35601KA-S 是低输入电容、低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5.5A ·Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 48mΩ(Vgs=-10V) ·Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） Id Idm Tc=25℃ 容许功耗 Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Pd Tj,Tstg ·Rds(on) < 85mΩ(Vgs=-5V) 如没有特别注明时, Ta=25℃ N 沟道 ( 最大值 ) P 沟道 ( 最大值 ) 单位 备注 40 -40 V ±20 ±20 V 7.0 -5.5 6.0 50 3.0 -4.5 -50 3.0 2.1 -55 ~ 150 2.1 -55 ~ 150 A A 1 W ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 封装热阻 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja Rθjc 沟道 N N Rθja 最大结合部 - 封装热阻 Rθjc 典型值 最大值 42 6 单位 ℃/W ℃/W P 42 ℃/W P 6 ℃/W 备注 备注 : 1. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 2. 占空比≤1%。 ■引脚配置图 ■电路图 TO-252-4(俯视图) TAB 1 2 3 4 ·N 沟道 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE1 GATE1 3 4 TAB SOURCE2 GATE2 DRAIN1/DRAIN2 ·P 沟道 D1 G1 7-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D2 G2 S1 S2 复合沟道 MOSFET ELM35601KA-S ■电特性 (N 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 备注 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 40 V Vds=32V, Vgs=0V 1 Vds=30V, Vgs=0V, Ta=55℃ 10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=10V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs Vgs=10V, Id=7A Vgs=5V, Id=6A Vds=10V, Id=7A 二极管正向压降 动态特性 Vsd If=7A, Vgs=0V 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Crss 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd 1.2 50 Vgs=0V, Vds=10V, f=1MHz μA ±100 nA 3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 1.2 V 1 530 662 pF 118 44 165 66 pF pF 2.0 24 38 19 28 49 Vgs=10V, Vds=20V, Id=7A 12.8 2.0 1.7 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vgs=10V, Vds=20V, Id=1A 1.8 6.0 3.5 12.0 ns ns 2 2 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) Rgen=6Ω tf trr If=8A, dlf/dt=100A/μs 8.2 3.0 42 15.1 5.9 ns ns ns 2 2 寄生二极管反向恢复电荷 备注： Qrr 30 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 nC nC nC 2 2 2 nC NIKO-SEM P2804ND5G N- & P-Channel Enhancement 复合沟道 MOSFETMode Field Effect Transistor ELM35601KA-S TO-252-5 Lead-Free ■标准特性曲线 (N 沟道 ) Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature 100 V GS = 0V T A = 125°C Is - Reverse Drain Current(A) 10 25°C 1 -55°C 0.1 0.01 0.001 0 0.2 0.6 0.8 1.0 0.4 VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 7 - 34 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 1.4 SEP-16-2005 NIKO-SEM 复合沟道 MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode ELM35601KA-S Field Effect Transistor 5 7-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2804ND5G TO-252-5 Lead-Free SEP-16-2005 复合沟道 MOSFET ELM35601KA-S ■电特性 (P 沟道 ) 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 備考 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -40 V Vds=-32V, Vgs=0V -1 Vds=-30V, Vgs=0V, Ta=55℃ -10 Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) 正向跨导 Gfs Vgs=-10V, Id=-5.5A Vgs=-5V, Id=-4.5A Vds=-10V, Id=-5.5A 二极管正向压降 动态特性 Vsd If=-5.5A, Vgs=0V 输入电容 Ciss 输出电容 反馈电容 开关特性 Coss Crss 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Qgd -1.2 -50 Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz Vgs=-10V, Vds=-20V Id=-5.5A μA ±100 nA -3.0 V A 1 mΩ 1 S 1 -1.2 V 1 690 863 pF 310 75 430 113 pF pF -2.0 37 56 11 48 85 14.0 2.2 1.9 nC nC nC 2 2 2 导通延迟时间 导通上升时间 td(on) tr Vgs=-10V, Vds=-20V 6.7 9.7 13.4 19.4 ns ns 2 2 关闭延迟时间 关闭下降时间 寄生二极管反向恢复时间 td(off) Id=-1A, Rgen=6Ω tf trr If=-7A, dlf/dt=100A/μs 19.8 12.3 55 35.6 22.2 ns ns ns 2 2 寄生二极管反向恢复电荷 备注： Qrr 52 1．脉冲测试∶脉冲宽度≤300μ秒， 占空比≤2%。 2. 独立于工作温度。 3. 脉冲宽度受最大结合部温度的限制。 7-5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 nC NIKO-SEM P2804ND5G N- & P-Channel Enhancement Mode 复合沟道 MOSFET Field Effect Transistor ELM35601KA-S TO-252-5 Lead-Free ■标准特性曲线 (P 沟道 ) -Is - Reverse Drain Current(A) 100 V GS = 0V 10 1 T A = 125° C 25° C -55° C 0.1 0.01 0.001 0 0.2 0.6 0.8 1.0 1.2 0.4 -VSD - Body Diode Forward Voltage(V) 1.4 7-6 如需确认语言的准确性 , 请参考6 ELM 的英文版或日文版。 SEP-16-2005 NIKO-SEM 复合沟道 MOSFET N- & P-Channel Enhancement Mode FieldELM35601KA-S Effect Transistor 7-7 7 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 P2804ND5G TO-252-5 Lead-Free SEP-16-2005