单 N 沟道 MOSFET ELM14404AA-N ■概要 ■特点 ELM14404AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=8.5A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 24mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 30mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 48mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流（定常） 30 ±12 8.5 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 7.1 Idm Tc=25℃ 容许功耗 60 3.0 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 V V 1 A 2 W 2.1 - 55 ~ 150 Tj, Tstg A ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 t≤10s 稳定状态 稳定状态 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 备注 31 59 16 40 75 24 ℃/W ℃/W ℃/W 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 1 2 引脚名称 SOURCE SOURCE 3 4 5 SOURCE GATE DRAIN 6 7 8 DRAIN DRAIN DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 D G S 单 N 沟道 MOSFET ELM14404AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 30 0.002 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA 0.7 导通时漏极电流 Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 40 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Ta=125℃ Vgs=4.5V, Id=8.5A Vgs=2.5V, Id=5A Vds=5V, Id=5A 1.4 μA nA V A 20.5 24.0 30.0 36.0 25.0 40.0 16 30.0 48.0 0.71 1.00 4.3 V A 1030 pF pF Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 动态特性 Vsd Is 输入电容 输出电容 Ciss Coss Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 857 97 反馈电容 栅极电阻 Crss Rg Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 71 1.4 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=8.5A 9.70 1.63 栅极 - 漏极电荷 10 1.0 正向跨导 Is=1A, Vgs=0V 1.000 5.000 100 栅极阈值电压 Vgs=10V Id=8.5A V mΩ S 3.6 12.00 pF Ω nC nC 导通延迟时间 导通上升时间 Qgd td(on) tr Vgs=10V, Vds=15V 3.10 3.3 4.7 5.0 7.0 nC ns ns 关闭延迟时间 关闭下降时间 td(off) RL=1.8Ω, Rgen=6Ω tf 26.0 4.1 39.0 6.2 ns ns 15.0 8.6 20.0 12.0 ns nC 寄生二极管反向恢复时间 寄生二极管反向恢复电荷 trr Qrr If=5A, dlf/dt=100A/μs If=5A, dlf/dt=100A/μs 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM14404AA-N ■标准特性和热特性曲线 30 20 10V 3V 25 2.5V Id(A) 20 Id (A) Vds=5V 16 4.5V 15 12 125°C 8 10 25°C 2V 4 5 Vgs=1.5V 0 0 0 1 2 3 4 5 0 Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 1.5 2 2.5 3 Normalized On-Resistance 1.8 50 Rds(on) (m� ) 1 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 60 Vgs=2.5V 40 30 Vgs=4.5V 20 Vgs=10V 10 1.6 Vgs=4.5V 1.4 Vgs=10V 1.2 Vgs=2.5V 1 0.8 0 5 10 15 20 0 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 1.0E+01 90 1.0E+00 80 70 25 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 100 Id=5A 1.0E-01 125°C 60 Is (A) Rds(on) (m� ) 0.5 50 125°C 1.0E-02 1.0E-03 25°C 40 THIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER 1.0E-04 MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN 30 25°C 1.0E-05 THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN, OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES 20 FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 1.0E-06 10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 0 2 4 6 8 10 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM14404AA-N 5 1200 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 1400 Vds=15V Id=8.5A 3 2 1000 600 400 1 0 2 4 6 8 10 0 12 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics Power (W) 10ms 0.1s 1.0 1s 10s DC 1 10 Z�ϕα Normalized Transient Thermal Resistance 30 30 20 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=40°C/W 25 Tj(max)=150°C Ta=25°C 0 0.001 100 Vds (Volts) 10 20 10 0.1 0.1 15 40 1ms 10.0 10 50 Tj(max)=150°C Ta=25°C 100�s 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 Rds(on) limited Crss Coss 200 0 Id (Amps) Ciss 800 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 THIS PRODUCT OR USES AS CRITICAL D 0.1 HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET.PAPPLICATIONS COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISIN TonIMPROVE PRODUCT DESIGN, OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO T Single Pulse FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE. 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。