双 N 沟道 MOSFET ELM14812AA-N ■概要 ■特点 ELM14812AA-N 是 N 沟道低输入电容、低工作电压、 ·Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=6.9A (Vgs=10V) ·Rds(on) < 28mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 42mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 30 V ±20 6.9 Id Ta=70℃ 漏极电流（脉冲） 5.8 Idm Tc=25℃ 容许功耗 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg V 30 2.00 A 1 A 2 W 1.44 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 最大值 单位 48.0 62.5 ℃/W 74.0 35.0 110.0 40.0 ℃/W ℃/W 备注 1 3 ■电路图 SOP-8(俯视图) 1 8 2 7 3 6 4 5 引脚编号 引脚名称 1 SOURCE2 2 3 4 GATE2 SOURCE1 GATE1 5 6 7 DRAIN1 DRAIN1 DRAIN2 8 DRAIN2 D2 D1 G2 G1 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 S1 S2 双 N 沟道 MOSFET ELM14812AA-N ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V，Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±20V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 30 0.004 Ta=55℃ Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) Vgs=10V，Id=6.9A 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 栅极电阻 开关特性 总栅极电荷 (10V) 总栅极电荷 (4.5V) 栅极 - 源极电荷 Gfs Vsd 1.0 20 Ta=125℃ Vds=5V, Id=6.9A Is=1A 10.0 Crss Rg Qg Qg μA 100 nA 1.9 3.0 V A 22.5 31.3 34.5 28.0 38.0 42.0 15.4 0.76 Is Ciss Coss 1.000 5.000 Vgs=4.5V, Id=5A 正向跨导 二极管正向压降 V mΩ 1.00 S V 3 A 820 pF pF Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz 680 102 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz 77 3.0 3.6 pF Ω 13.84 6.74 17.00 8.10 nC nC 1.82 3.20 4.6 7.0 nC nC ns 4.1 20.6 5.2 6.2 30.0 7.5 ns ns ns Vgs=10V, Vds=15V, Id=6.9A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=15V td(off) RL=2.2Ω, Rgen=3Ω tf 寄生二极管反向恢复时间 trr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 16.5 20.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=6.9A, dlf/dt=100A/μs 7.8 10.0 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻和结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs，最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 双 N 沟道 MOSFET ELM14812AA-N ■标准特性和热特性曲线 10V 25 20 6V 5V 4.5V Id (A) 20 15 3.5V 10 12 8 125°C 4 Vgs=3V 5 Vds=5V 16 4V Id (A) 30 25°C 0 0 0 1 2 3 4 0 5 0.5 Normalized On-Resistance 50 Rds(on) (m� ) 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 1.6 60 Vgs=4.5V 40 30 20 Vgs=10V 1.5 Vgs=10V Id=5A 1.4 Vgs=4.5V 1.3 1.2 1.1 1 0.9 0.8 10 0 5 10 15 0 20 50 100 150 200 Temperature ( °C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature Id (Amps) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 1.0E+01 70 60 1.0E+00 Id=5A 50 Is Amps Rds(on) (m� ) 1 Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 125°C 40 1.0E-01 1.0E-02 125°C 1.0E-03 30 25°C 20 25°C 1.0E-04 1.0E-05 0.0 10 2 4 6 8 10 Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 Vsd (Volts) Figure 6: Body diode characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.0 双 N 沟道 MOSFET ELM14812AA-N 10 f=1MHz Vgs=0V 900 800 Capacitance (pF) 8 Vgs (Volts) 1000 Vds=15V Id=6.9A 6 4 2 700 Ciss 600 500 400 300 200 Coss 100 0 0 2 4 6 8 10 12 Crss 0 14 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge characteristics 100 10ms 1s DC 0.1 1 10 Z� ja Normalized Transient Thermal Resistance 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=62.5°C/W 30 20 0 0.001 100 Vds (Volts) 10 25 10 10s 0.1 20 Tj(max)=150°C Ta=25°C 30 10�s 0.1s 1 15 40 Power W Id (Amps) 100�s 1ms 10 10 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C Rds(on) limited 5 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 0.1 Pd Ton Single Pulse 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000