单 P 沟道 MOSFET ELM13413CA-S ■概要 ■特点 ELM13413CA-S 是 P 沟道低输入电容,低工作电 ·Vds=-20V 压,低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-3A (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 97mΩ (Vgs=-4.5V) ·Rds(on) < 130mΩ (Vgs=-2.5V) ·Rds(on) < 190mΩ (Vgs=-1.8V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 记号 漏极 - 源极电压 Vds Vgs 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ 漏极电流(定常) -20 ±8 -3.0 Id Ta=70℃ 漏极电流(脉冲) -2.4 -15 Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 1.4 0.9 - 55 ~ 150 Pd 结合部温度及保存温度范围 V V Tj, Tstg A 1 A 2 W 1 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 Rθja 稳定状态 Rθjl ■引脚配置图 典型值 70 100 最大值 90 125 单位 ℃/W ℃/W 备注 63 80 ℃/W 3 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 2 引脚编号 引脚名称 1 2 GATE SOURCE 3 DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 1 单 P 沟道 MOSFET ELM13413CA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=-250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=-16V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±8V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Ta=55℃ V A 146 7 190 Is=-1A, Vgs=0V Coss Crss Rg -0.30 -0.55 -1.00 -15 Ta=125℃ Vgs=-2.5V, Id=-2.6A Vsd 输出电容 反馈电容 栅极电阻 nA 97 135 130 二极管正向压降 4 -2 Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg mΩ S -0.78 -1.00 Is Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz μA ±100 81 111 108 Gfs Ciss -5 Vgs=-4.5V Id=-3A 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 V -1 Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V Vgs=-1.8V, Id=-1A Vds=-5V, Id=-3A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 -20 V A 540 pF 72 49 12 pF pF Ω 6.1 nC Vgs=-4.5V, Vds=-10V, Id=-3A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 0.6 1.6 10 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=-4.5V, Vds=-10V RL=3.3Ω, Rgen=3Ω 12 44 22 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=-3A, dlf/dt=100A/μs 21.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=-3A, dlf/dt=100A/μs 7.5 nC 备注: 1.Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外,实际阻值还受到 电路板设计的影响,并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ~ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃,将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM13413CA-S ■标准特性和热特性曲线 6 15 -4.5V -3.0V Vds=-5V -2.5V -8V 4 10 -Id (A) -Id (A) -2.0V 2 5 125°C Vgs=-1.5V 25°C 0 0 1 2 3 4 -Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 0 5 0 200 1 1.5 -Vgs (Volts) Figure 2: Transfer Characteristics 2 1.8 Vgs=-2.5V Normalized On-Resistance Vgs=-1.8V Rds(on) (m� ) 0.5 150 Vgs=-2.5V 100 Vgs=-4.5V 50 0 2 4 1.6 Vgs=-1.8V 1.4 Vgs=-4.5V 1.2 1 0.8 6 0 -Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 25 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 200 1E+01 1E+00 1E-01 -Is (A) Rds(on) (m� ) Id=-4A 150 125°C 100 25°C 125°C 1E-02 25°C 1E-03 1E-04 1E-05 50 0 2 4 6 8 1E-06 0.0 -Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 -Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 P 沟道 MOSFET ELM13413CA-S 800 5 Vds=-10V Id=-3A Capacitance (pF) -Vgs (Volts) 4 3 2 1 0 0 2 4 6 Ciss 600 400 Crss 200 Coss 0 8 0 5 -Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 20 100�s 10.0 10�s 1ms Rds(on) limited 0.1s 10ms 10s DC 1 10 100 10 0.01 1 10 100 1000 In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=90°C/W Pd 0.1 0.01 0.00001 0.1 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) -Vds (Volts) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 10 0 0.001 0.1 1 Tj(max)=150°C Ta=25°C 5 1s 0.1 20 15 Power (W) -Id (Amps) Tj(max)=150°C Ta=25°C 15 -Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics 100.0 1.0 10 Ton Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 T 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000