单 N 沟道 MOSFET ELM17400FA-S ■概要 ■特点 ELM17400FA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电 ·Vds=30V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=1.7A (Vgs=10V) ·Rds(on) ＜ 85mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) ＜ 100mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) ＜ 140mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Vds Vgs 30 ±12 V V Id 1.7 1.3 A 1 A 2 W 1 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 备注 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ Tc=70℃ 容许功耗 10 0.35 0.22 Pd 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 环境热阻 最大结合部 - 引脚架热阻 记号 t≦10s 稳定状态 稳定状态 Rθja Rθjl ■引脚配置图 典型值 300 最大值 360 单位 ℃/W 340 280 425 320 ℃/W ℃/W ■电路图 D SC-70(俯视图) 3 1 2 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE SOURCE DRAIN 4-1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 备注 1 3 单 N 沟道 MOSFET ELM17400FA-S ■电特性 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 条件 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss Vds=24V Vgs=0V 栅极漏电电流 Igss Vds=0V, Vgs=±12V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 漏极 - 源极导通电阻 1 Ta=55℃ 1.4 V A Vgs=4.5V, Id=1.5A 70 100 81 85 125 100 114 4 140 0.81 1.00 V 0.5 A Vgs=10V Id=1.5A Gfs 二极管正向压降 Vsd Is=1A, Vgs=0V Ciss 输出电容 反馈电容 栅极电阻 Coss Crss Rg μA 1.0 正向跨导 寄生二极管最大连续电流 动态特性 输入电容 5 nA Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V Rds(on) V 100 Vgs=2.5V, Id=1A Vds=5V, Id=1.5A 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 30 0.6 10 Ta=125℃ Is Vgs=0V, Vds=15V, f=1MHz Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz Qg mΩ S 390.0 pF 54.5 41.0 3 pF pF Ω 4.82 nC Vgs=4.5V, Vds=15V, Id=1.7A 栅极 - 漏极电荷 导通延迟时间 Qgs Qgd td(on) 0.62 1.58 2.5 nC nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr td(off) tf Vgs=10V, Vds=15V RL=10Ω, Rgen=3Ω 2.3 22.0 3.0 ns ns ns 寄生二极管反向恢复时间 trr If=1.7A, dlf/dt=100A/μs 10.0 ns 寄生二极管反向恢复电荷 Qrr If=1.7A, dlf/dt=100A/μs 3.6 nC 备注： 1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 2 盎司 FR-4 履铜板上的装置测试所得到的结果。此外，实际阻值还受到 电路板设计的影响，并且电流定格依存于 t ≤ 10s 时的热阻定格值。 2. 重复速率和脉冲宽度受结合部温度的控制。 3. Rθja 是结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的和。 4. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 80μs、最大占空比为 0.5% 的条件下得到的。 5. 参数是在 Ta=25℃，将 IC 设置于 2 盎司 FR-4 履铜板的测试结果。SOA 曲线决定脉冲的定格。 4-2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 N 沟道 MOSFET ELM17400FA-S ■标准特性和热特性曲线 10 10 10V 3V Vds=5V 8 4.5V 6 2.5V 4 2 6 Id(A) Id (A) 8 4 125°C 2 Vgs=2V 25°C 0 0 0 1 2 3 4 5 0 0.5 1.5 2 2.5 3 3.5 Vgs(Volts) Figure 2: Transfer Characteristics Vds (Volts) Fig 1: On-Region Characteristics 200 1.6 Vgs=2.5V 150 125 Vgs=4.5V 100 75 Id=1A Normalized On-Resistance 175 Rds(on) (m� ) 1 Vgs=10V Vgs=4.5V 1.4 Vgs=10V 1.2 Vgs=2.5V 1 50 0.8 0 2 4 6 8 10 0 25 Id (A) Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 50 75 100 125 150 175 Temperature (°C) Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature 1.0E+01 200 1.0E+00 1.0E-01 150 Is (A) Rds(on) (m� ) Id=1A 125°C 125°C 1.0E-02 1.0E-03 100 25°C 25°C 1.0E-04 1.0E-05 50 0 2 4 6 8 0.0 10 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vsd (Volts) Figure 6: Body-Diode Characteristics Vgs (Volts) Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage 4-3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 1.2 单 N 沟道 MOSFET ELM17400FA-S 5 500 Capacitance (pF) 4 Vgs (Volts) 600 Vds=15V Id=1.7A 3 2 1 Ciss 400 300 200 Coss 100 0 0 1 2 3 4 5 0 6 0 Qg (nC) Figure 7: Gate-Charge Characteristics 100 10ms 1s 25 30 Tj(max)=150°C Ta=25°C 8 6 4 10s 2 DC 0.01 1 Vds (Volts) 10 0 0.001 100 D=Ton/T Tj,pk=Ta+Pdm.Z�ja.R�ja R�ja=360°C/W 0.01 0.1 1 10 100 1000 Pulse Width (s) Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note 5) Figure 9: Maximum Forward Biased Safe Operating Area (Note 5) Z�ja Normalized Transient Thermal Resistance 20 10 10�s Power (W) Id (Amps) 100�s 1ms 0.1s 10 15 12 Rds(on) limited 0.1 10 14 10 0.1 5 Vds (Volts) Figure 8: Capacitance Characteristics Tj(max)=150°C Ta=25°C 1 Crss In descending order D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse 1 Pd 0.1 0.01 0.00001 Ton T Single Pulse 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 Pulse Width (s) Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance 4-4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 100 1000