单 P 沟道 MOSFET ELM53403CA-S ■概要 ■特点 ELM53403CA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， ·Vds=-60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-3.6A ·Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值 项目 记号 Vds Vgs 漏极 - 源极电压 栅极 - 源极电压 Ta=25℃ Ta=70℃ 漏极电流（定常） 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 -60 V ±20 V -3.6 -2.6 Id 漏极电流（脉冲） Idm Tc=25℃ 容许功耗 -15 1.25 Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A A W 0.80 -55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 Rθja 稳定状态 ■引脚配置图 典型值 最大值 120 ■电路图 D SOT-23(俯视图) 3 1 单位 ℃/W 2 引脚编号 1 2 引脚名称 GATE SOURCE 3 DRAIN G S 5- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 单 P 沟道 MOSFET ELM53403CA-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Vgs=0V, Id=-250μA 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss -1 Vds=-48V, Vgs=0V, Ta=85℃ -30 Vds=0V, Vgs=±12V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA Id(on) Vgs=-10V, Vds=-5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=-48V, Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 -60 -1.0 -6 Vgs=-10V, Id=-3.6A Vgs=-4.5V, Id=-2.6A Vds=-15V, Id=-2.2A Is=-1.5A, Vgs=0V μA ±100 nA -2.0 V A 120 128 5 135 150 -0.75 -1.30 -1.5 mΩ S V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=0V, Vds=-30V, f=1MHz Vgs=-4.5V, Vds=-30V Id=-2.2A 导通延迟时间 Qgd td(on) 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr RL=16.7Ω, Id=-1.8A td(off) Rgen=1Ω tf Vgs=-10V, Vds=-30V 5- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 410 45 20 5.0 1.5 pF pF pF 10.0 nC nC 2.5 5 10 nC ns 15 20 10 25 35 20 ns ns ns AFP2379 Alfa-MOS 60V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 P 沟道 MOSFET ELM53403CA-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Alfa-MOS 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology 单 P 沟道 MOSFET Typical Characteristics ELM53403CA-S ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 Alfa-MOS 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Technology 单 P 沟道 MOSFET Typical Characteristics ELM53403CA-S ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Mar. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5- 5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。