单 N 沟道 MOSFET ELM529977A-S ■概要 ■特点 ELM529977A-S 是 N 沟道低输入电容,低工作电压, ·Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=12A ·Rds(on) = 118mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) = 130mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目 漏极 - 源极电压 记号 Vds 栅极 - 源极电压 Vgs Ta=25℃ 漏极电流(定常) Id Ta=70℃ 漏极电流(脉冲) 崩溃电流 如没有特别注明时, Ta=25℃ 规格范围 单位 60 V ±20 12 Tc=25℃ Pd Tc=70℃ 结合部温度及保存温度范围 Tj, Tstg A 8 Idm Ias 容许功耗 V 30 15 A A 40 W 15 - 55 ~ 150 ℃ ■热特性 项目 最大结合部 - 环境热阻 记号 典型值 Rθja ■引脚配置图 最大值 单位 62.5 ℃/W ■电路图 D TO-252-3(俯视图) TAB 1 2 3 引脚编号 引脚名称 1 2 3 GATE DRAIN SOURCE 5- 1 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 G S 单 N 沟道 MOSFET ELM529977A-S ■电特性 项目 记号 条件 如没有特别注明时, Ta=25℃ 最小值 典型值 最大值 单位 静态特性 漏极 - 源极击穿电压 BVdss Id=250μA, Vgs=0V 栅极接地时漏极电流 Idss 栅极漏电电流 Igss 1 Vds=60V,Vgs=0V, Ta=85℃ 5 Vds=0V, Vgs=±20V Vgs(th) Vds=Vgs, Id=250μA Id(on) Vgs=4.5V, Vds=5V 漏极 - 源极导通电阻 Rds(on) Gfs 二极管正向压降 寄生二极管最大连续电流 Vsd Is V Vds=60V,Vgs=0V 栅极阈值电压 导通时漏极电流 正向跨导 60 0.7 30 Vgs=10V, Id=8A Vgs=4.5V, Id=6A Vds=15V, Id=5.3A 12 Is=2A, Vgs=0V 0.8 Vgs=0V, Vds=25V, f=1MHz 480 50 35 μA ±100 nA 2.5 V A 118 130 mΩ S 1.2 12 V A 动态特性 输入电容 输出电容 反馈电容 Ciss Coss Crss 开关特性 总栅极电荷 栅极 - 源极电荷 栅极 - 漏极电荷 Qg Qgs Vgs=4.5V, Vds=48V, Id=5A 6 2 pF pF pF 12 nC nC 导通延迟时间 Qgd td(on) 3 6 12 nC ns 导通上升时间 关闭延迟时间 关闭下降时间 tr Vgs=10V, Vds=30V , RL=6Ω td(off) Id=5A, Rgen=3.3Ω tf 6 12 4 12 20 10 ns ns ns 5- 2 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology单 N 沟道 MOSFET Enhancement Mode MOSFET ELM529977A-S Typical Characteristics ■标准特性和热特性曲线 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jul. 2012 www.alfa-mos.com Page 3 5- 3 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET ELM529977A-S Typical Characteristics ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jul. 2012 www.alfa-mos.com Page 4 5- 4 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。 AFN9977 Alfa-MOS 60V N-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET 单 N 沟道 MOSFET ELM529977A-S Typical Characteristics ■测试电路和波形 ©Alfa-MOS Technology Corp. Rev.A Jul. 2012 www.alfa-mos.com Page 5 5- 5 如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。