elm17413fa

单 P 沟道 MOSFET
ELM17413FA-S
■概要
■特点
ELM17413FA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压，
低导通电阻的大电流 MOSFET。另外、此芯片还内
·Vds=-20V
·Id=-1.4A (Vgs=-10V)
·Rds(on) < 113mΩ (Vgs=-10V)
藏 ESD 保护电路。
·Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-4.5V)
·Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-2.5V)
·ESD 规格∶ 2000V HBM
■绝对最大额定值
项目
漏极 - 源极电压
记号
Vds
规格范围
-20
单位
V
栅极 - 源极电压
Vgs
±1.2
-1.4
V
漏极电流（定常）
Ta=25℃
Id
Ta=70℃
漏极电流（脉冲）
容许功耗
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
结合部温度及保存温度范围
A
-1.2
-13
0.35
Pd
Tj, Tstg
备注
0.22
-55 ~ 150
A
3
W
2
℃
■热特性
项目
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 环境热阻
最大结合部 - 引脚架热阻
记号
典型值
最大值
单位
备注
t≤10s
稳定状态
Rθja
300
350
360
425
℃/W
℃/W
1
1, 4
稳定状态
Rθjl
280
320
℃/W
■引脚配置图
■电路图
D
SC-70(俯视图)
引脚编号
引脚名称
1
2
3
GATE
SOURCE
DRAIN
G
S
5-1
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
单 P 沟道 MOSFET
ELM17413FA-S
■电特性
项目
记号
Ta=25℃
最小值 典型值 最大值 单位
条件
静态特性
漏极 - 源极击穿电压
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
μA
±10
μA
-0.85
-1.20
V
A
94
113
Vgs=-4.5V, Id=-1.3A
130
111
160
135
Vgs=-2.5V, Id=-1.1A
Vds=-5V, Id=-1.4A
Is=-1A, Vgs=0V
150
5
-0.76
180
Idss
Vds=-20V, Vgs=0V
栅极漏电电流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
正向跨导
二极管正向压降
寄生二极管最大连续电流
Rds(on)
Gfs
Vsd
-0.50
-13
Ta=125℃
Is
动态特性
输入电容
Ciss
输出电容
反馈电容
栅极电阻
Coss
Crss
Rg
开关特性
总栅极电荷
栅极 - 源极电荷
栅极 - 漏极电荷
Qg
Qgs
导通延迟时间
Qgd
td(on)
导通上升时间
关闭延迟时间
tr
td(off)
关闭下降时间
tf
寄生二极管反向恢复时间
寄生二极管反向恢复电荷
备注：
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Vgs=-10V, Id=-1.4A
漏极 - 源极导通电阻
V
-1
-5
栅极接地时漏极电流
栅极阈值电压
导通时漏极电流
-20
trr
Qrr
mΩ
-1.00
S
V
-1
A
250
325
400
pF
40
22
63
37
11.2
85
52
17.0
pF
pF
Ω
3.2
0.6
4.5
nC
nC
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
Id=-1.4A
Vgs=-10V, Vds=-10V
RL=7.1Ω, Rgen=3Ω
If=-1.4A, dl/dt=100A/μs
If=-1.4A, dl/dt=100A/μs
0.9
11.0
nC
ns
5.5
22.0
ns
ns
8.0
ns
6.1
1.4
ns
nC
1．Rθja 值是在 Ta=25℃、使用设置于 1in2、2 盎司 FR-4 铜箔板上的装置测试所得到的结果。此外，实际应用
值还受到使用者电路板设计的影响而改变；
2. 功耗 Pd 值是在 Tj（max.）=150℃，并且依存于电流定格小于 10s 的结合部 - 环境热阻值；
3. 脉冲宽度受结合部温度 Tj（max.）=150℃的控制。作为最初的规格值 Tj=25℃是由低频率和占空比决定的。
4. Rθja为结合部 - 引脚架热阻与结合部 - 环境热阻的总和。
5. 标准特性图 1 ～ 6 是在脉冲为 300μs、占空比最大为 0.5% 的条件下取得的。
6. 这些曲线是基于结合部 - 环境热阻、并将 IC 设置于 1in2、2 盎司 FR-4 铜箔板上的装置测试所得到的参数。
铜的部分是假设结合部温度为 Tj（max.）=150℃。SOA 曲线是根据单个脉冲规格来表示的。
5-2
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
AO7413
单 P 沟道 MOSFET
ELM17413FA-S
■标准特性和热特性曲线
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
25
-5V
-9V
20
VDS=-5V
-4V
-8V
8
-3.5V
-7V
15
6
-6V
-ID(A)
-ID (A)
10
-10V
-3V
10
-2.5V
5
VGS=-1.5V
0
1
2
3
125�C
2
-2V
0
4
4
0
0
5
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
180
VGS=-2.5V
140
Normalized On-Resistance
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1
2
3
-VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
4
1.60
160
VGS=-4.5V
120
VGS=-10V
100
ID=-1.1A, VGS=-2.5V
1.40
ID=-1.3A, VGS=-4.5V
1.20
ID=-1.4A, VGS=-10V
1.00
0.80
80
0
0
2
3
4
-ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
360
1.0E+01
ID=-1.4A
320
1.0E+00
280
1.0E-01
240
-IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
25�C
200
125�C
160
125�C
25�C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
120
25�C
1.0E-05
80
0
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
2
4
6
8
-VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
0.2
5-3
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AO7413
单 P 沟道 MOSFET
ELM17413FA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
600
5
VDS=-10V
ID=-1.4A
450
Capacitance (pF)
-VGS (Volts)
4
3
2
Ciss
300
150
1
0
1
2
3
4
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
5
100.0
5
10
15
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
20
1000
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
10µs
RDS(ON)
limited
100
100µs
Power (W)
10.0
-ID (Amps)
Crss
0
0
1ms
1.0
10ms
DC
0.1
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
0.0
0.01
10
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
Coss
100ms
10s
10
1
0.1
0.1
1
10
-VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
0.00001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note F)
100
0.001
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=425�C/W
1
0.1
PD
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
5-4
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
T
100
1000
单 P 沟道 MOSFET
ELM17413FA-S
AO7413
■测试电路和波形
AO7413
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
-
+
VDC
-
Qgd
Qgs
Vds
+
VDC
DUT
Vgs
Ig
Charge
R esistive S w itching Test C ircuit & W aveform s
RL
V ds
Vgs
V DC
td(o n)
t d(o ff)
tr
tf
90%
V dd
+
DUT
Vgs
-
Rg
t o ff
to n
V gs
10%
V ds
D iode R e covery T e st C ircuit & W aveform s
Q rr = -
V ds +
DUT
Vds -
Isd
V gs
Ig
Idt
V gs
-Isd
L
+ V dd
VDC
-
-I F
t rr
dI/dt
-I R M
-Vds
5-5
如需确认语言的准确性 , 请参考 ELM 的英文版或日文版。
V dd