elm17413fa

シングル P チャンネル MOSFET
ELM17413FA-S
■概要
■特長
ELM17413FA-S は低入力容量、 低電圧駆動、 低
・ Vds=-20V
・ Id=-1.4A (Vgs=-10V)
ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。
また、 保護回路によって ESD 耐性があります。
・ Rds(on) < 113mΩ (Vgs=-10V)
・ Rds(on) < 135mΩ (Vgs=-4.5V)
・ Rds(on) < 180mΩ (Vgs=-2.5V)
・ ESD Rating : 2000V HBM
■絶対最大定格値
項目
ドレイン - ソース電圧
ゲート - ソース電圧
記号
Vds
規格値
-20
単位
V
Vgs
±12
V
Id
-1.4
-1.2
A
Ta=25℃
Ta=70℃
連続ドレイン電流
パルス ・ ドレイン電流
Idm
Tc=25℃
Tc=70℃
最大許容損失
接合温度範囲及び保存温度範囲
-13
0.35
0.22
Pd
Tj, Tstg
-55 to 150
備考
A
3
W
2
℃
■熱特性
項目
最大接合部 - 周囲温度
記号
t≦10s
最大接合部 - 周囲温度
最大接合部 - リード
定常状態
定常状態
Rθja
Rθjl
■端子配列図
Typ.
300
Max.
360
単位
℃/W
備考
1
350
280
425
320
℃/W
℃/W
1, 4
■回路
D
SC-70(TOP VIEW)
端子番号
1
2
端子記号
GATE
SOURCE
3
DRAIN
G
S
5-1
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17413FA-S
■電気的特性
項目
記号
条件
Min.
Typ.
Ta=25℃
Max. 単位
静的特性
ドレイン - ソース降伏電圧
BVdss Id=-250μA, Vgs=0V
Idss
Vds=-20V
Vgs=0V
ゲート漏れ電流
Igss
Vds=0V, Vgs=±12V
ドレイン - ソースオン状態抵抗
順方向相互コンダクタンス
ダイオード順方向電圧
Ta=55℃
Vgs(th) Vds=Vgs, Id=-250μA
Id(on) Vgs=-4.5V, Vds=-5V
Rds(on)
Gfs
Vsd
最大寄生ダイオード連続電流
動的特性
入力容量
Ciss
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ゲート抵抗
Rg
スイッチング特性
総ゲート電荷
Qg
V
-1
ゼロ ・ ゲート電圧ドレイン電流
ゲート ・ スレッシュホールド電圧
オン状態ドレイン電流
-20
-5
±10
-0.50 -0.85 -1.20
-13
94
130
111
Vgs=-10V
Id=-1.4A
Ta=125℃
Vgs=-4.5V, Id=-1.3A
Vgs=-2.5V, Id=-1.1A
Vds=-5V, Id=-1.4A
Is=-1A, Vgs=0V
150 180
5
-0.76 -1.00
Is
Vgs=0V, Vds=-10V, f=1MHz
Vgs=0V, Vds=0V, f=1MHz
Vgs=-4.5V, Vds=-10V
113
160
135
μA
μA
V
A
mΩ
S
V
-1
A
250
325
400
pF
40
22
63
37
85
52
pF
pF
11.2
17.0
Ω
3.2
4.5
nC
ゲート - ソース電荷
ゲート - ドレイン電荷
ターン ・ オン遅延時間
Qgs
Id=-1.4A
Qgd
td(on)
0.6
0.9
11.0
nC
nC
ns
ターン ・ オン立ち上がり時間
ターン ・ オフ遅延時間
ターン ・ オフ立ち下がり時間
tr
Vgs=-10V, Vds=-10V
td(off) Rl=7.1Ω, Rgen=3Ω
tf
5.5
22.0
8.0
ns
ns
ns
6.1
1.4
ns
nC
寄生ダイオード逆回復時間
寄生ダイオード逆回復電荷量
trr
Qrr
If=-1.4A, dl/dt=100A/μs
If=-1.4A, dl/dt=100A/μs
備考 :
1. Rθja の値は Ta＝25℃、1 平方インチ 2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウントされたデバイスを使用して測定されてい
ます。 アプリケーションに付与される値は使用者のボードデザインによって変わります。
2. 消費電力 Pd は Tj(max.)=150℃、 10s 以下の接合部 - 周囲間熱抵抗値に基づきます。
3. パルス幅は接合部温度 Tj(max.)=150℃によって制限されます。 定格は、 初期 Tj＝25℃として、 低周波数およびデュー
ティ ・ サイクルによって決まります。
4. Rθja は接合部 - リード間と接合部 - 周囲間の熱インピーダンスの合計です。
5. 標準特性図 1 ～ 6 は 300μsパルス・デューティー比最大0.5％条件下で得られます。
6. これらの特性は、 接合部 - 周囲間の熱インピーダンスに基づいて、 1 平方インチ 2 オンス銅箔付き FR-4 基板上にマウ
ントされたデバイスを使用して測定されています。 銅の部分は、 最大接合部温度 Tj(max.)=150℃と仮定してます。 SOA
のグラフはシングルパルス定格によって示されます。
5-2
AO7413
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17413FA-S
■標準特性と熱特性曲線
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
25
-5V
-9V
20
VDS=-5V
-4V
-8V
8
-3.5V
-7V
15
6
-6V
-ID(A)
-ID (A)
10
-10V
-3V
10
-2.5V
5
VGS=-1.5V
0
1
2
3
125�C
2
-2V
0
4
4
0
0
5
-VDS (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)
180
VGS=-2.5V
140
Normalized On-Resistance
RDS(ON) (mΩ
Ω)
1
2
3
-VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
4
1.60
160
VGS=-4.5V
120
VGS=-10V
100
ID=-1.1A, VGS=-2.5V
1.40
ID=-1.3A, VGS=-4.5V
1.20
ID=-1.4A, VGS=-10V
1.00
0.80
80
0
0
2
3
4
-ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
1
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
(Note E)
360
1.0E+01
ID=-1.4A
320
1.0E+00
280
1.0E-01
240
-IS (A)
RDS(ON) (mΩ
Ω)
25�C
200
125�C
160
125�C
25�C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
120
25�C
1.0E-05
80
0
0.0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
2
4
6
8
-VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
5-3
0.2
AO7413
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17413FA-S
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
600
5
VDS=-10V
ID=-1.4A
450
Capacitance (pF)
-VGS (Volts)
4
3
2
Ciss
300
150
1
0
1
2
3
4
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
0
5
100.0
5
10
15
-VDS (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
20
1000
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
10µs
RDS(ON)
limited
100
100µs
Power (W)
10.0
-ID (Amps)
Crss
0
0
1ms
1.0
10ms
DC
0.1
TJ(Max)=150�C
TA=25�C
0.0
0.01
10
Zθ JA Normalized Transient
Thermal Resistance
Coss
100ms
10s
10
1
0.1
0.1
1
10
-VDS (Volts)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
D=Ton/T
TJ,PK=TA+PDM.ZθJA.RθJA
0.00001
0.1
10
1000
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-toAmbient (Note F)
100
0.001
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
RθJA=425�C/W
1
0.1
PD
Ton
Single Pulse
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
5-4
T
100
1000
シングル P チャンネル MOSFET
ELM17413FA-S
AO7413
■テスト回路と波形
AO7413
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
-10V
-
+
VDC
-
Qgd
Qgs
Vds
+
VDC
DUT
Vgs
Ig
Charge
R esistive S w itching Test C ircuit & W aveform s
RL
V ds
Vgs
V DC
td(o n)
t d(o ff)
tr
tf
90%
V dd
+
DUT
Vgs
-
Rg
t o ff
to n
V gs
10%
V ds
D iode R e covery T e st C ircuit & W aveform s
Q rr = -
V ds +
DUT
Vds -
Isd
V gs
Ig
Idt
V gs
-Isd
L
+ V dd
VDC
-
-I F
t rr
dI/dt
-I R M
-Vds
5-5
V dd