AN738 Si4825/36-A 天 线 、 原 理 图 、 布 局 和 设 计 指 南 1. 引言 本文档提供了常规 Si4825/36-A 设计和 AM/FM/SW 天线选型指南，包括原理图、BOM 和 PCB 布局。所有用户均 应遵守第 2 和 3 节中的 Si4825/36-A 设计指南，并根据第 4 到 8 节的内容在具体的应用情况和所用设备的基础上选 择合适的天线。 AM Antenna FM Antenna Function AM Receiver SW Receiver Headphone Whip Ferrite Loop Air Loop Whip †General Description FM Receiver †Part Number SW Antenna Table 1. Part Selection Guide Si4825 Entry Level Wheel-tuned AM/FM/SW Receiver, Mono Audio † † † † † † † † Si4836 Wheel-tuned AM/FM/SW Receiver, Stereo Audio † † † † † † † † 本次对 AN738 的修订，旨在介绍 Si4825/36-A20 的支持信息，该型号由 Si4825/36-A10 衍生而来。Si4825/36-A20 与 Si4825/36-A10 相比，存在以下两点不同： BAND 11 和 BAND 12 的波段范围由 76-90 MHz 扩展至 76-95 MHz，详见第 2.1 节； 移除了音量/低音/高音设置的记忆与恢复功能，详见第 3.4 节。 在本文档中，如未特别指明，Si4825/36-A 指 Si4825/36 的所有 A 版本产品，包括 Si4825/36-A10 和 Si4825/36-A20。 修订版 0.3 3/16 版权所有 © 2016 Silicon Laboratories AN738 AN738 2. 波段组成和选择 Si4825/36-A 有十八个 FM 波段，五个 AM 波段和十八个 SW 波段。FM 波段部分还提供了两个去加重选项和两个立 体声 LED 指示阈值选项。SW 波段部分提供了 18 个宽波段或 18 个窄波段。本节详细介绍这些波段的组成和选择。 2.1. 波段组成 Si4825/36-A 中，FM 波段的组成包括频率范围、去加重和立体声 LED 指示阈值（仅限 Si4836-A）。客户应根据频 率范围以及去加重设置和立体声 LED 指示要求来选择波段。对于 AM 和 SW 波段，用户只需根据频率范围的需求 进行选择。 Table 2. Band Sequence Definition for Si4836-A 2 Band Number Band Name Band Frequency Range De-emphasis (FM) Channel Space (AM) Stereo LED on Conditions Total R to GND (kΩ, 1%) Band1 FM1 87–108 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 47 Band2 FM2 87–108 MHz 50 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 57 Band3 FM3 87–108 MHz 75 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 67 Band4 FM4 87–108 MHz 75 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 77 Band5 FM5 86.5–109 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 87 Band6 FM6 86.5–109 MHz 50 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 97 Band7 FM7 87.3–108.25 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 107 Band8 FM8 87.3–108.25 MHz 50 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 117 Band9 FM9 87.3–108.25 MHz 75 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 127 Band10 FM10 87.3–108.25 MHz 75 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 137 Band11 FM11 76–90 MHz (Si4836-A10) 76–95 MHz (Si4836-A20) 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 147 Band12 FM12 76–90 MHz (Si4836-A10) 76–95 MHz (Si4836-A20) 50 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 157 Band13 FM13 64–87 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 167 Band14 FM14 64–87 MHz 50 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 177 Band15 FM15 76–108 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 187 Band16 FM16 76–108 MHz 50 µs Separation = 12 dB, RSSI = 28 197 Band17 FM17 64–108 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 207 修订版 0.3 AN738 Table 2. Band Sequence Definition for Si4836-A（持续） Stereo LED on Conditions Total R to GND (kΩ, 1%) Band Number Band Name Band Frequency Range De-emphasis (FM) Channel Space (AM) Band18 FM18 64–108 MHz 50 µs Band19 AM1 520–1710 kHz 10 k 227 Band20 AM2 522–1620 kHz 9k 237 Band21 AM3 504–1665 kHz 9k 247 Band22 AM4 522–1728 kHz / 520–1730 kHz 9 k / 10 k 257 Band23 AM5 510–1750 kHz 10 k 267 Band24 SW1 Band25 SW Wide Band SW Narrow Band Separation = 12 dB, RSSI = 28 217 277 2.3–10.0 MHz 2.30–2.49 MHz SW2 3.2–7.6 MHz 3.20–3.40 MHz 287 Band26 SW3 3.2–10.0 MHz 3.90–4.00 MHz 297 Band27 SW4 3.7–12.5 MHz 4.75–5.06 MHz 307 Band28 SW5 3.9–7.5 MHz 5.6–6.4 MHz 317 Band29 SW6 5.6–22 MHz 5.95–6.2 MHz 327 Band30 SW7 5.8–12.1 MHz 6.8–7.6 MHz 337 Band31 SW8 5.9–9.50 MHz 7.1–7.6 MHz 347 Band32 SW9 5.9–18.0 MHz 9.2–10 MHz 357 Band33 SW10 7.0–16.0 MHz 11.45– 12.25 MHz 367 Band34 SW11 7.0– 23.0 MHz 11.6–12.2 MHz 377 Band35 SW12 9.0–16.0 MHz 13.4–14.2 MHz 387 Band36 SW13 9.0–22.0 MHz 13.57– 13.87 MHz 397 Band37 SW14 9.5–18.0 MHz 15–15.9 MHz 407 Band38 SW15 10.0–16.0 MHz 17.1–18 MHz 417 Band39 SW16 10.0–22.0 MHz 17.48–17.9 MHz 427 Band40 SW17 13.0–18.0 MHz 21.2–22 MHz 437 Band41 SW18 18.0–28.5 MHz 21.45– 21.85 MHz 447 修订版 0.3 3 AN738 Table 3. Band Sequence Definition for Si4825-A 4 Band Frequency Range De-emphasis (FM) Channel Space (AM) Total R to GND (kΩ, 1%) 87–108 MHz 50 µs 57 87–108 MHz 75 µs 77 86.5–109 MHz 50 µs 97 87.3–108.25 MHz 50 µs 117 87.3–108.25 MHz 75 µs 137 76–90 MHz (Si4825-A10) 76–95 MHz (Si4825-A20) 50 µs 157 64–87 MHz 50 µs 177 76–108 MHz 50 µs 197 64–108 MHz 50 µs 217 AM1 520–1710 kHz 10 K 227 Band20 AM2 522–1620 kHz 9K 237 Band21 AM3 504–1665 kHz 9K 247 Band22 AM4 522–1728 kHz / 520–1730 kHz 9 K/10 K 257 Band Number Band Name Band1 FM1 Band2 FM2 Band3 FM3 Band4 FM4 Band5 FM5 Band6 FM6 Band7 FM7 Band8 FM8 Band9 FM9 Band10 FM10 Band11 FM11 Band12 FM12 Band13 FM13 Band14 FM14 Band15 FM15 Band16 FM16 Band17 FM17 Band18 FM18 Band19 修订版 0.3 AN738 Table 3. Band Sequence Definition for Si4825-A（持续） Band Number Band Name Band Frequency Range De-emphasis (FM) Channel Space (AM) Total R to GND (kΩ, 1%) Band23 AM5 510–1750 kHz 10 K 267 Band24 SW1 Band25 SW Wide Band SW Narrow Band 2.3–10.0 MHz 2.30–2.49 MHz SW2 3.2–7.6 MHz 3.20–3.40 MHz 287 Band26 SW3 3.2–10.0 MHz 3.90–4.00 MHz 297 Band27 SW4 3.7–12.5 MHz 4.75–5.06 MHz 307 Band28 SW5 3.9–7.5 MHz 5.6–6.4 MHz 317 Band29 SW6 5.6–22 MHz 5.95–6.2 MHz 327 Band30 SW7 5.8–12.1 MHz 6.8–7.6 MHz 337 Band31 SW8 5.9–9.50 MHz 7.1–7.6 MHz 347 Band32 SW9 5.9–18.0 MHz 9.2–10 MHz 357 Band33 SW10 7.0–16.0 MHz 11.45–12.25 MHz 367 Band34 SW11 7.0–23.0 MHz 11.6–12.2 MHz 377 Band35 SW12 9.0–16.0 MHz 13.4–14.2 MHz 387 Band36 SW13 9.0–22.0 MHz 13.57–13.87 MHz 397 Band37 SW14 9.5–18.0 MHz 15–15.9 MHz 407 Band38 SW15 10.0–16.0 MHz 17.1–18 MHz 417 Band39 SW16 10.0–22.0 MHz 17.48–17.9 MHz 427 Band40 SW17 13.0–18.0 MHz 21.2–22 MHz 437 Band41 SW18 18.0–28.5 MHz 21.45–21.85 MHz 447 修订版 0.3 277 5 AN738 2.2. 波段选择 请见 图 1 了解波段选择电路。选定某个波段就确定了从该波段选择引脚到 GND 的电阻值。 要选择某个具体的波段，您需要保证以下两个方面： 1. 从 BAND 到 GND 的总电阻值等于 表 2 中的指定值。 2. 从 TUNE1 到 GND 的总电阻为 500 kΩ，容差为 1%。 下面的几节将说明一些常用波段及其相应的选择电路。 2.2.1. 典型 12 波段应用电路 表 4 和 图 1 说明了 Si4836-A 典型 12 波段应用电路的波段和电阻值详情。 Table 4. Typical 12-Band Selection Band Band Number Name Band Frequency Range De-emphasis (FM) Channel Space (AM) Stereo LED on Conditions (Only for Si4836-A) Total R to GND (KΩ, 1%) Band3 FM3 87–108 MHz 75 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 67 Band17 FM17 64–108 MHz 50 µs Separation = 6 dB, RSSI = 20 207 Band19 AM1 520–1710 kHz 10 k 227 Band20 AM2 522–1620 kHz 9k 237 Band25 SW2 SW Wide Band SW Narrow Band 3.2–7.6 MHz 3.20–3.40 MHz 287 Band26 SW3 3.2–10.0 MHz 3.90–4.00 MHz 297 Band32 SW9 5.9–18.0 MHz 9.2–10 MHz 357 Band33 SW10 7.0–16.0 MHz 11.45–12.25 MHz 367 Band34 SW11 7.0–23.0 MHz 377 Band36 SW13 9.0–22.0 MHz 13.57–13.87 MHz 397 Band37 SW14 9.5–18.0 MHz 15–15.9 MHz 407 Band39 SW16 17.48–17.9 MHz 427 6 10.0– 22.0 MHz 11.6–12.2 MHz 修订版 0.3 AN738 Figure 1. Typical 12-Band Selection Circuit 修订版 0.3 7 AN738 2.2.2. 典型欧洲 2 波段应用电路 表 5 和 图 2 说明了典型欧洲 2 波段应用电路的波段和电阻值。 Table 5. Typical European 2-Band Selection Band Number Band Name Band Frequency Range De-emphasis (FM) Channel Space (AM) Band2 FM2 87–108 MHz 50 µs Band20 AM2 522–1620 kHz 9k Stereo LED on Conditions (Only for Si4836-A) Separation = 12 dB, RSSI = 28 R3 263k, 1% S2 1 AM 2 3 R4 180k, 1% FM R5 57k, 1% Figure 2. Typical 2-Band Selection Circuit for Europe 8 修订版 0.3 57 237 TUNE1 BAND Total R to GND (kΩ, 1%) AN738 2.2.3. 典型美国 2 波段应用电路 表 6 和 图 3 说明了典型美国 2 波段应用电路的波段和电阻值。 Table 6. Typical U.S. 2-Band Selection Band Number Band Name Band Frequency Range De-emphasis Band4 FM4 87–108 MHz 75 µs Band19 AM1 520–1710 kHz 10 k Stereo LED on Threshold (Only for Si483x-A) Separation = 12 dB, RSSI = 28 Total R to GND (kΩ, 1%) 77 227 TUNE1 R3 263k, 1% S2 BAND 1 AM 2 3 R4 180k, 1% FM R5 57k, 1% Figure 3. Typical 2-Band Selection Circuit for US 修订版 0.3 9 AN738 3. Si4825/36-A SOIC 原理图和布局 本节说明实现 Si4825/36-A 的最佳性能所需的典型原理图和布局。 Si4825/36-A 可提供十八个宽 SW 波段或十八个窄 SW 波段。宽 /窄 SW 波段是通过外部引脚上/下拉电阻选择的， 如 图 4 所示。Si4825-A 将引脚 1 配置为宽 / 窄 SW 波段选择引脚。因为芯片为引脚 1 集成了约 50 kΩ 内部下拉电 阻，因此外部下拉电阻被忽略。Si4836-A 将引脚 11 配置为宽/窄 SW 波段选择引脚。 Figure 4. Si4825/36-A SW Wide/Narrow Band Selection 3.1. Si4825/36-A 基本应用电路 图 5 以及 图 6 是用于典型 12 波段 FM/AM/SW 电台的 Si4825/36-A 基本应用电路。 C16 和 C15 是 VDD 电源引脚 14 必需的旁路电容器。将 C16 和 C15 放到尽量靠近 VDD 引脚 14 的位置。这种放 置方式可减小旁路电容和布线路径造成的电流环路的大小，将旁路电容阻抗降到最低，并使所有电流返回 GND。 引脚 15 是芯片的 GND；它必须正确接到 PCB 上的电源 GND。 引脚 7 是芯片的 RFGND；它必须正确接到 PCB 上的电源 GND。 设计 PCB 布局时，请尽量在芯片下方和周围设计一个大 GND 层。将所有 GND（包括 RFGND）引脚引到 GND 层。 C4 和/或 C7 (4.7 µF) 是从引脚 1 和/或引脚 16 接收模拟音频输出的交流耦合电容。放大器 R（如耳机放大器）的输 入电阻和电容 C 将确定 公式 1 的高通滤波频率拐点。放置位置并不是关键。 1 f c = --------------2πRC Equation 1. 10 修订版 0.3 AN738 C2 和 C3 (22 pF) 是仅使用内部振荡器时必需的晶体负载电容。参考晶体数据表选择合适的负载电容值，并且确保 要把寄生电容考虑进去。C2 和 C3 电容要连接到相同的 GND（接地点），并且尽量保证晶体和负载电容构成的电 流环路面积最小。 Y1 (32.768 kHz) 为一种可选晶体，仅在使用内部振荡器功能时需要。晶体 Y1 尽可能靠近引脚 12 (XTALO) 和引脚 13 (XTALI) 以尽量减小电流环路。如果使用外部时钟 (32.768 kHz) 连接到 XTALI 时，XTALO 悬空。 不得靠近引脚 5 对数字信号布线或有参考时钟走线；不得对引脚 5 进行布线。此引脚必须悬空以保证正常操作。 引脚 10、11 是 Si4825-A 的音量控制引脚或 Si4836-A 的立体声/电台引脚，用于使用调谐器内部音量控制功能或立 体声/电台指示功能。 VR1 (100k /10%)、R27、C1、C13 组成调谐电路。推荐 VR1 使用容差为 10% 的 100K 电位器。 1P12T 开关 S2 和梯形电阻组成了波段选择电路。Si4825/36-A 包括 “2.1. 波段组成 ” 节中定义的所有 AM、FM 和 SW 波段。 Q1(2SC9018) 及其外设 B6、C30、31、33、36、R31、32、34、41 组成了所有 SW 波段的 LNA 电路。在 AM 和 FM 模式下，LNA 电路由芯片控制的 LNA_EN 信号进行关闭。 Figure 5. Si4825-A Basic Applications Circuit 修订版 0.3 11 AN738 Figure 6. Si4836-A Basic Applications Circuit 12 修订版 0.3 AN738 3.2. 通过 2 个按钮调整内部音量的 Si4825-A 应用电路 Si4825-A 支持通过两个按钮调整内部音量。图 7 是带有内部音量调整的 Si4825-A 应用电路。每按一次按钮 S3， 音量降低 2 dB ；每按一次按钮 S4，音量增加 2 dB。按钮音量控制一共有 32 个级别（每个级别 2 dB）。按住 S3 或 S4 会使调谐音量连续步进所有级别，直到相应地达到最大值或最小值。 芯片 Si4836-A 运行时无需内部音量调整。音量控制可在音频放大器电路阶段实现。 Figure 7. Si4825-A Applications Circuit with Internal Volume Adjustment 设备启动时，Si4825-A 将根据按钮配置设置默认输出音量，如 图 8 所示。Si4825-A 有四种默认的音量级别。给引 脚 10 和引脚 11 都增加下拉电阻将默认音量设置为最大，FM 通常为 80 mVrms，AM 为 60 mVrms。引脚 10 和 11 上拉/下拉电阻的各种组合可将默认音量设置为最大、最大-6 dB、最大-12 dB 或最大-18 dB。例如在 图 5 中，两个 下拉电阻连接到引脚 10 和引脚 11，设置默认音量为最大。 修订版 0.3 13 AN738 Figure 8. Si4825-A Default Volume Selection 3.3. 通过 1 个按钮进行高低音控制的 Si4836-A 应用电路 Si4836-A 还支持通过高低音控制获得卓越的音质。调谐器使用外部参考时钟 RCLK 时，引脚 12 可配置为使用按钮 在三个音级（低音 / 正常 / 高音）之间循环切换进行音调控制。如果用户不使用高低音控制，则引脚 12 必须连接到 56k 外部下拉电阻上。调谐器使用晶体时，用户将无法使用高低音控制。 图 8 是带高低音控制的 Si4836-A 应用电路。按钮 S3 控制着高低音效果。 14 修订版 0.3 AN738 Figure 9. Si4836-A Applications Circuit with Bass/Treble Control 修订版 0.3 15 AN738 3.4. 记录用户设置的应用电路 Si4825/36-A 嵌入了高保留性存储器 (HRM)，可以记住上次用户设置。 Si4825/36-A10 芯片可以记住上次用户对音量 / 低音 / 高音的设置，重新开机时，可以将音量和低音 / 高音的设置自 动恢复到上一次关机前的状态。如果用户不使用 HRM，则每次开机时调谐器将恢复默认的音量 / 低音 / 高音设置。 Si48325/36-A10 和 Si4825/36-A20 均可记住上次调谐的电台，重新开机时，在确认电源关闭期间 PVR 上的频段变 化不够大之后，将恢复上次调谐的电台。该恢复过程将改善重新开机前后的频道调谐一致性。 要记忆用户设置，引脚 14 VDD 必须一直供电。强制将引脚 9 RSTB 电压降到低于 0.3*VDD 可关闭 Si4825/36。 在 图 10 中，引脚 14 VDD 连接到电池 VBAT。推荐使用一个 2P2T 电源开关 S3，S3 短引脚 9 RSTB 的一个极点 连接到 GND 可以关闭调谐器。 Figure 10. Si4825-A Applications Circuit with User Setting Memory 16 修订版 0.3 AN738 3.5. Si4825/36-A 材料清单 3.5.1. Si4825-A 基本应用电路 BOM Table 7. Si4825-A Basic Applications Circuit BOM Component(s) Value/Description Supplier C4,C15 Capacitor 4.7 μF, ±20%, Z5U/X7R Murata C13 Capacitor 47 μF, ±20%, Z5U/X7R Murata C1,C6,C19 Supply bypass capacitor, 0.1 μF, ±20%, Z5U/X7R Murata C5,C36 Supply bypass capacitor, 0.47 μF, ±20%, Z5U/X7R Murata C34 RF coupling capacitors, 33 pF, ±5%, COG Murata C33 Capacitor capacitors,10 pF, ±5%, COG Murata C30,C31 Capacitor capacitors,33 nF, ±5%, COG Murata VR1 Variable resistor (POT), 100 kΩ , ±10% Changtaier U1 Si4825-A AM/FM/SW Analog Tune Analog Display Radio Tuner Silicon Laboratories R32 Resistor, 10 Ω, ±5% R27 Resistor, 100 Ω, ±5% Venkel R31 Resistor, 1 kΩ, ±5% Venkel R17 Resistor, 10 kΩ, ±5% Venkel R6,R34 Resistor, 100 kΩ, ±5% Venkel R41 Resistor, 120 kΩ, ±5% Venkel R7,R9,R11,R12,R15, R28 Band switching resistor, 10 kΩ, ±1% Venkel R43 Band switching resistor, 40 kΩ, ±1% Venkel R44 Band switching resistor, 47 kΩ, ±1% Venkel R36 Band switching resistor, 33 kΩ, ±1% Venkel R29 Band switching resistor, 140 kΩ, ±1% Venkel R10,R35 Band switching resistor, 20 kΩ, ±1% Venkel R8 Band switching resistor, 50 kΩ, ±1% Venkel 修订版 0.3 17 AN738 Table 7. Si4825-A Basic Applications Circuit BOM（持续） Component(s) Value/Description Supplier R14 Band switching resistor, 60 kΩ, ±1% Venkel R33 Band switching resistor, 30 kΩ, ±1% Venkel S2 Band switch Shengda J8 Slider switch Shengda B6 Ferrite bead,2.5K/100 MHz Murata Q1 RF transistor,2SC9018 ETC ANT2 Whip antenna Various ANT1 MW ferrite antenna 220 μH Jiaxin Electronics Optional C2, C3 Crystal load capacitors, 22 pF, ±5%, COG (Optional: for crystal oscillator option) Venkel Y1 32.768 kHz crystal (Optional: for crystal oscillator option) Epson 3.5.2. 带内部音量调整的 Si4825-A 应用电路附加 BOM Table 8. Additional BOM for Si4825-A Applications Circuit with Internal Volume Adjustment Component(s) R37, R38 S3, S4 Value/Description Supplier Resistor, 56 kΩ, ±5% Venkel Push button Various 3.5.3. 带用户设置存储的 Si4825-A 应用电路附加 BOM Table 9. Additional BOM for Si4825-A Applications Circuit with User Setting Memory Component(s) R37,R38 S3, S4 S1 18 Value/Description Supplier Resistor, 56 kΩ, ±5% Venkel Push button Various 2P2T slide switch Shengda R45 Resistor, 200 Ω, ±5% Venkel C14 Supply bypass electrolytic capacitor, 100 µF, 4V Various C39 Supply bypass capacitor, 0.1 µF, ±20%, Z5U/X7R Murata 修订版 0.3 AN738 3.5.3. Si4836-A 基本应用电路 BOM Table 10. Si4836-A Basic Applications Circuit BOM Component(s) Value/Description Supplier C4,C7,C15 Capacitor 4.7 µF, ±20%, Z5U/X7R Murata C13 Capacitor 47 µF, ±20%, Z5U/X7R Murata C1,C16,C19 Supply bypass capacitor, 0.1 µF, ±20%, Z5U/X7R Murata C5,C36 Supply bypass capacitor, 0.47 µF, ±20%, Z5U/X7R Murata C34 RF coupling capacitors, 33 pF, ±5%, COG Murata C33 Capacitor capacitors, 10 pF, ±5%, COG Murata C30,C31 Capacitor capacitors, 33 nF, ±5%, COG Murata VR1 Variable resistor (POT), 100 kΩ, ±10% Changtaier U1 Si4836-A AM/FM/SW Analog Tune Analog Display Radio Tuner Silicon Laboratories R32 Resistor, 10 Ω, ±5% Venkel R27 Resistor, 100 Ω, ±5% Venkel R31 Resistor, 1 kΩ, ±5% Venkel R6,R34 Resistor, 100 kΩ, ±5% Venkel R41 Resistor, 120 kΩ, ±5% Venkel R5,R21 Resistor, 200 Ω, ±5% Venkel R1,R2 Resistor, 56 kΩ, ±5% Venkel R7,R9,R11,R12,R15 Band switching resistor, 10 kΩ, ±1% Venkel R43 Band switching resistor, 40 kΩ, ±1% Venkel R44 Band switching resistor, 47 kΩ, ±1% Venkel R36 Band switching resistor, 33 kΩ, ±1% Venkel R29 Band switching resistor, 140 kΩ, ±1% Venkel R10,R28,R33,R35 Band switching resistor, 20 kΩ, ±1% Venkel R8 Band switching resistor, 50 kΩ, ±1% Venkel R14 Band switching resistor, 60 kΩ, ±1% Venkel S2 Band switch Shengda J7 Slide switch Shengda L2 Inductor 270 nH Murata 修订版 0.3 19 AN738 Table 10. Si4836-A Basic Applications Circuit BOM（持续） Component(s) Value/Description B6 Ferrite bead, 2.5k/100 MHz Q1 RF transistor, 2SC9018 Supplier Murata ETC D1,D3 Station and Stereo indicating LEDs Various ANT2 Whip antenna Various ANT1 MW ferrite antenna 220 µH Jiaxin Electronics Optional C2, C3 Y1 Crystal load capacitors, 22 pF, ±5%, COG(Optional: for crystal oscillator option) 32.768 kHz crystal (Optional: for crystal oscillator option) Venkel Epson or equivalent 3.5.4. 带高低音控制的 Si4836-A 应用电路附加 BOM Table 11. Additional BOM for Si4836-A Applications Circuit with Bass/Treble Control Component(s) 20 Value/Description Supplier R4 Resistor, 56 kΩ, ±5% Venkel C6 Capacitor, 0.1 µF, ±20%, Z5U/X7R Murata S3 Push button Various 修订版 0.3 AN738 3.6. Si4825/36-A PCB 布局指南 Si4825/36-A 对 使用单面 PCB GND 进行大平面布线 以走线布线的电源 器件使用 线宽为 0402 封装或者更大尺寸均可 10 mil 线间距为 20 mil 器件间距为 15 mil VDD 旁路电容 C16、C15 尽量靠近电源引脚（引脚 14）。 晶体尽量靠近 XTALO（引脚 12）和 XTALI（引脚 13）。 将所有 GND（包括 RFGND）布线到芯片下面的 GND 平面。在芯片下及其周围尽可能形成大面积 GND 层。 不得对引脚 5 布线。此引脚必须悬空以保证正常操作。 Tune1 和 Tune2 走线应远离引脚 5， Tune1 和 Tune2 走线应平行并以相同的方式进行。 将 C1、C13 尽可能靠近引脚 2 TUNE1。 设计 Si4825/36-A PCB 布局时请参考 Si4836-A 布局示例。 Figure 11. Si4836-A PCB Layout Example 修订版 0.3 21 AN738 4. 用于 FM 接收的耳机天线 Si4825/36-A FM 接收机器件支持通过 FMI 引脚连接耳机天线。长度为 1.1~1.45 m 米的耳机天线非常适合 FM 应 用，因为这个天线长度大概是 FM 波长的一半（FM 波长大概为 3 m）。 4.1. 耳机天线设计 典型的耳机线须包含有至少三根导线。左右声道由安装在左右音频线上的耳机放大器来驱动，而公共音频线可作为 音频返回通路和 FM 天线。耳机中的附加导线可以用于麦克风音频、开关或者其它功能。在某些应用中，FM 天线 是耳机线中一根独立的导线。图 12 为典型的应用情况。 Figure 12. Typical Headphone Antenna Application 22 修订版 0.3 AN738 4.2. 耳机天线原理图 Figure 13. Headphone Antenna Schematic 耳机天线的应用至少需要器件 LMATCH、C4、F1 和 F2。ESD 保护二级管和耳机放大器元件也是任何调谐器正常 工作所需要的元件。 选择的电感 LMATCH 在整个 FM 波段上获得最大的电压增益。选择的 LMATCH 在 100 MHz 时 Q 值应不小于 15 且 其直流阻抗尽量小。 C4 为交流耦合电容，在 FMI 输入上起到隔直的作用。电容器必须足够大以减少损耗，LNA 输入电容为 4~6 pF。推 荐值为 100 pF 到 1 nF。 磁珠 F1 和 F2 放在耳机放大器和耳机之间，提供低阻抗的音频通路和高阻抗的 RF 通路。除了 FMIP 之外，与节点 连接的各天线导线中都应放置磁珠，如左右音频、麦克风音频、开关等。如图 图 13 所示的例子中，这些节点是左 右音频线。应选用 100 MHz 时阻抗为 2.5 kΩ 或者更大的磁珠，比如 Murata BLM18BD252SN1。100 MHz 时的高 阻值磁珠可以最大化 RSHUNT 和 RP。请参阅 “AN383：Si47xx 天线、原理图、布局和设计指南 ”、附录 A - FM 接 收耳机天线接口模型来详细了解 RSHUNT、RP 等的说明。 如果设计要求超出了耳机放大器和 Si4825/36-A 的 ESD 级别，推荐使用 ESD 二极管 D1、D2 和 D3。应该选择寄 生电容不超过 1 pF 的二极管，比如 California Micro Devices CM1210。结电容值应尽量最小以降低 CSHUNT 和 CP。如 果 D1 和 D2 的 电 容 必 须 大 于 1 pF，需 要 将 其 放 置 在 磁 珠 F1/F2 和 耳 机 放 大 器 之 间，以 尽 量 减 小 CSHUNT。不过，这样会降低 ESD 保护设备的效率。二极管 D3 的位置不能改变，所以该二极管的结电容要小于 1 pF。请注意，每个二极管封装里都包括两个二极管，分别保护正负极 ESD 冲击。 C9、C10（125 uF）为交流耦合电容，为音频放大器没有普通模式输出电压且音频输出上下波动时所需要。 R5、R6 为可选的放电电阻，在耳机线拔出后，用来使交流耦合电容放电。 C5、C6 为可选的 RF 并联电容，可放置在耳机放大器输出的左右音频线上，减少传送到天线的数字噪声。其推荐 值为 100 pF 或者更大。设计者要确保耳机放大器有足够的驱动能力，能够驱动所选的并联电容。 图 13 中的原理图示例使用了 National Semiconductor LM4910 耳机放大器。LM4910 数据表中要求 LM4910 耳机 放大器使用无源元件 R1、R4 和 C7、C8。左右放大器的增益分别为 R3/R1 和 R4/R2。可以通过改变电阻 R3 和 R4 的阻值来调节增益。根据耳机元件的增益，通常推荐将耳机放大器的增益设置为 0.6 到 1.0 之间。电容 C7 和 C8 是 LM4910 接口必需的交流耦合电容。这些电容和电阻 R1、R2 组成可设置音频放大器的较低频率限值的高通 滤波器。左右放大器的高通拐点频率如下： 修订版 0.3 23 AN738 1 1 f CRIGHT = ----------------------------------- , ----------------------------------2π × R1 × C7 2π × R2 × C8 Equation 2. 使用指定的 BOM 元件，耳机放大器的拐点频率大概为 20 Hz。 电容 C1 是音频放大器的电源旁路电容。为第 3 引脚加逻辑低压也可以关闭 LM4910。最大逻辑低压为 0.4 V，最 小逻辑高压为 1.5 V。 图 13 中所示的典型应用原理图的材料清单请见 表 12。注意，对于电阻和电容而言制造商并不是很关键。 4.3. 耳机天线材料清单 Table 12. Headphone Antenna Bill of Materials 24 Designator Description LMATCH IND, 0603, SM, 270 nH, MURATA, LQW18ANR27J00D C4 AC coupling cap, SM, 0402, X7R, 100 pF D1, D2, D3 IC, SM, ESD DIODE, SOT23-3, California Micro Devices, CM1210-01ST U3 IC, SM, HEADPHONE AMP, National Semiconductor, LM4910MA R1, R2, R3, R4 RES, SM, 0603, 20 kΩ C7, C8 CAP, SM, 0603, 0.39 µF, X7R C5, C6 CAP, SM, 0402, C0G, 100 pF R5, R6 RES, SM, 0603, 100 kΩ F1, F2 FERRITE BEAD, SM, 0603, 2.5 kΩ, Murata, BLM18BD252SN1D C1 CAP, SM, 0402, X7R, 0.1 µF R7 RES, SM, 0402, 10 kΩ 修订版 0.3 AN738 4.4. 耳机天线布局 为最小化电感和电容耦合，电感 LMATCH 和耳机插口 J24 应放置在一起，同时应尽可能远离噪声源（例如时钟和 数字电路等）。LMATCH 应放在靠近耳机连接器的位置以避免芯片产生音频电流。 为了最小化 CSHUNT 和 CP，将磁珠 F1、 F2 尽可能靠近耳机插座。 ESD 二极管 D1、D2 和 D3 应尽可能靠近耳机插座，最大化 ESD 保护效果。如果 D1、D2 所需的电容大于 1 pF， 需要将其放置在 FB1/FB2 和耳机放大器之间来使 CSHUNT 最小化。 收音机芯片应尽可能靠近耳机插座，减少天线走线电容 CPCBANT。保持走线长度短而窄，并且尽可能远离参考平 面的上方，将走线限制为微带拓扑（只在 PCB 顶层或底层走线），使走线过孔最少，并减少走线层上的地线填 充。请注意将电容减到最小会使特性阻抗最大。不需要设计成 50 Ω 的传输线。 为了降低传到天线的数字噪声水平，RF 并联电容 C5 和 C6 可以放置在靠近耳机放大器输出引脚的左右音频线上。 其推荐值为 100 pF 或者更大；但是，设计者要确认耳机放大器能够驱动所选的并联电容。 4.5. 耳机天线设计检查明细 选择长度为 1.1 到 1.45 m 之间的天线。 选择匹配的电感 LMATCH，以最大化整个 FM 波段的信号强度。 选择匹配的电感 LMATCH，其在 100 MHz 时 Q 值不小于 15 且直流阻抗最小。 将电感 LMATCH 和耳机连接器放到一起，并尽可能远离可能的噪声源，以降低电容和电感耦合。 将芯片靠近耳机连接器以最小化天线走线长度。最小化走线长度可以减小 CP 和噪声源对天线产生的电感和 电容耦合的可能性。务必遵守此建议，以最优化设备性能。 选择磁珠 F1-F2，其在 100 MHz 时阻抗为 2.5 kΩ 或者阻抗更大，以最大化 RSHUNT 和 RP。 将磁珠 F1-F2 靠近耳机连接器。 ESD 二极管 D1-D3 应选用最小电容。 ESD 二极管 D1-D3 尽可能靠近耳机连接器，以最大化 ESD 效率。 将可选的 RF 并联电容放置在耳机放大器的左侧和右侧音频输出引脚附近，以降低传到天线的数字噪声水平。 修订版 0.3 25 AN738 5. 用于 FM 接收器的拉杆天线 拉杆天线是典型的单极天线。 5.1. FM 拉杆天线设计 拉杆天线是一种单极天线，有一根垂直安装的一端靠近接地面的坚硬而有弹性的线。 有各种类型的拉杆天线，包括不可伸缩的金属拉杆长天线、可伸缩的金属拉杆天线和橡胶拉杆天线。图 14 所示为 可伸缩的拉杆天线。 Figure 14. Telescopic Whip Antennas 拉杆天线是电容性的，其输出电容取决于天线的长度（最大长度为 56 cm）。长度为 56 cm 时，对于美国 FM 波 段，拉杆天线的电容范围为 18 到 32 pF。在美国 FM 波段 (98 MHz) 的中心点内天线电容大概为 22 pF。 5.2. FM 拉杆天线原理图 Figure 15. FM Whip Antenna Schematic L1 (56 nH) 是匹配电感。在 FM 波段，L1 结合天线阻抗和 FMI 阻抗产生谐振。 C5 (1 nF) 是连接到 FMI 引脚的交流耦合电容。 U3 是天线暴露在外所必须的一个 ESD 二极管。二极管的寄生电容值应不超过 1 pF，比如 California Micro Device CM1213。 26 修订版 0.3 AN738 5.3. FM 拉杆天线材料清单 Table 13. FM Whip Antenna Bill of Materials Designator Description WIP_ANTENNA Whip Antenna L1 Tuning Inductor, 0603, SM, 56 nH, MURATA, LQW18AN56nJ00D C5 AC coupling capacitor, 1 nF, 10%, COG U3 IC, SM, ESD DIODE, SOT23-3, California Micro Devices, CM1213-01ST 5.4. FM 拉杆天线布局 芯片尽可能靠近拉杆天线。这样可最小化设备和拉杆天线间的走线长度，也将最小化寄生电容和噪声耦合的可能 性。电感 L1 靠近天线连接座，并且远离可能存在的噪声源。将交流耦合电容 C5 尽可能靠近 FMI 引脚。ESD 保护 二极管 U3 尽量靠近天线输入插座，以提高 ESD 保护的效率。 5.5. FM 拉杆天线设计检查明细 为得到最佳接收性能，拉杆天线长度尽可能长。 选择匹配电感 电感 使 L1，其在 100 MHz 时 Q 值为 15 或更大且直流阻抗最小。 L1 取值时，应满足在 FM 频率 (64 MHz) 到 FM 频率 (109 MHz) 之内，谐振增益达到最大。 L1 和拉杆天线彼此靠近，并尽可能远离可能的噪声源，以减少电容和电感耦合。 将芯片尽可能靠近拉杆天线，最小化芯片和拉杆天线间的走线长度。这样可减少寄生电容从而减少噪声源 引起的在天线中的耦合。务必遵守此建议，以最优化设备性能。 ESD U3 尽可能靠近拉杆天线以最大化效率。 将 选择带最小电容的 将交流耦合电容 ESD 二极管 U3。 C5 尽可能靠近 FMI 引脚。 修订版 0.3 27 AN738 6. 用于 AM 接收的铁氧体磁棒天线 两种类型的天线最适合 AM 接收机：铁氧体磁棒天线和空心环形天线。铁氧体磁棒天线可以放置在设备内部，也可 以通过有线连接从外部连接到设备。当铁氧体磁棒天线放置在设备内部时，很容易接收到设备内部的任何噪声。当 铁氧体磁棒线放置在设备外部时，例如处于延长线的末端，相比较而言，不容易受到设备噪声活动的影响，有可能 得到更好的 AM 接收效果。 6.1. 铁氧体磁棒天线设计 下图所示为铁氧体磁棒天线的示例。左图是标准尺寸的铁氧体磁棒天线，常用在空间较大的产品中，如桌面收音机 等。右图是微型磁棒天线与美国 10 分硬币（角币）的对比。它常用在空间很小的产品中，如手机等。若可行，请 使用标准尺寸的铁氧体磁棒天线，因为与微型天线相比其具有更好的灵敏度。 Figure 16. Standard and Miniature Ferrite Loop Antennas 在 Si4825/36-A AM 接收机中，内置铁氧体磁棒天线应该被设计为电感值为 180 到 450 µH。 表 14 列出了为 Si4825/36-A AM 接收机推荐的铁氧体磁棒天线。 Table 14. Recommended Ferrite Loop Antenna Part # Diameter Length Turns Ui Type Application SL8X50MW70T 8 mm 50 mm 70 400 Mn-Zn Desktop Radios SL4X30MW100T 4 mm 30 mm 100 300 Ni-Zn Portable Radios (MP3, Cell, GPS) SL3X30MW105T 3 mm 30 mm 105 300 Ni-Zn SL3X25MW100T 3 mm 25 mm 110 300 Ni-An SL5X7X100MW70T 5x7 mm 100 mm 70 400 Mn-Zn 下面为铁氧体磁棒天线的供应商信息： Jiaxin Electronics（佳信电子） Shenzhen Sales Office（深圳销售部） 电子邮件： [email protected] 网站： 28 www.firstantenna.com 修订版 0.3 Desktop Radios AN738 6.2. 铁氧体磁棒天线原理图 Figure 17. AM Ferrite Loop Antenna Schematic C1 为连接到 AMI 引脚的交流耦合电容，其值为 0.47 µF。 D1 为可选的 ESD 二极管（若有连接 AMI 引脚的裸露导热垫）。 6.3. 铁氧体磁棒天线材料清单 Table 15. Ferrite Loop Antenna Bill of Materials Designator Description ANT1 Ferrite loop antenna, 180–450 µH C1 AC coupling capacitor, 0.47 µF, 10%, Z5U/X7R D1* ESD diode, IC, SM, SOT23-3, California Micro Devices, CM1213-01ST *Note: Optional; only needed if there is any exposed pad going to the AMI pin. 6.4. 铁氧体磁棒天线布局 芯片尽可能靠近铁氧体磁棒天线的馈线。这样可最小化连接到铁氧体天线的走线，也可最小化寄生电容和在走线中 发生噪声源耦合的可能性。 AM 天线的位置非常重要，因为 AM 很容易被 AM 波段内的噪声源干扰。噪声源可能来自于时钟信号、开关电源和 数字活动（例如 MCU）。若 AM 输入连接到铁氧体磁棒天线，则铁氧体磁棒天线的放置对最小化电感耦合至关重 要。铁氧体磁棒天线要尽可能远离干扰源。特别要远离 PCB 上的信号以及芯片的 I/O 信号。不要在铁氧体磁棒下或 其周围布任何信号线。将数字信号线布在接地面之间，以获得最佳性能。若不可行，请将数字信号线布在芯片的另 一侧。这样可以最小化平面和天线之间的电容性耦合。 为了能准确调谐，AMI 输入端的有效总电容要尽量小，要保持在特定值以下。这个可接受的总电容值取决于芯片在 AM 输入端的有效电感值。AM 输入端可接受电容可使用公式 公式 3 计算。 修订版 0.3 29 AN738 1 C Total = ------------------------------------------------2 ( 2πf max ) L effective Where: C Total = Total capacitance at the AMI input L effective = Effective inductance at the AMI input f max = Highest frequency in AM band Equation 3. Expected Total Capacitance at AMI 如果连接铁氧体磁棒天线，允许的总电容是来自于以下部分的有效电容：AMI 输入引脚、铁氧体磁棒天线的电容和 PCB 板的电容。这种情况下 AMI 端的有效电感值主要是铁氧体磁棒天线的电感值。如果使用空心环形天线，允许 的总电容是来自于以下部分的有效电容：AMI 输入引脚、PCB 板的电容、变压器的电容和空气回路天线的电容。这 种情况下的电感也要考虑到电路的所有因素。AMI 引脚的输入电容为 8 pF。如果 AM 波段使用 300 µH 铁氧体环状 天线，此波段的最高频率是 1750 kHz，根据 公式 3 中的公式可算出总电容为 28 pF。 6.5. 铁氧体磁棒天线设计检查明细 芯片尽可能靠近铁氧体磁棒天线的馈线，以最小化寄生电容和噪声耦合的可能性。 铁氧体磁棒天线远离任何干扰源，甚至要远离芯片的 I/O 信号。确保 AM 天线尽可能远离频率在 AM 波段 (504–1750 kHz) 内的开关电路。 推荐将 AM 铁氧体天线保持在离调谐器芯片至少 5 cm 的位置。 若天线裸露可使用可选组件 ESD D1。 二极管 D1 应选用最小电容。 如果铁氧体环棒天线安装在 PCB 板上，在铁氧体磁棒天线下不能有任何接地面。推荐的接地间距为 1/4 英 寸或者铁氧体的宽度。 C1 将铁氧体磁棒连接器连接到 AMI 输入，这样来自于走线和导热垫的电容能够最小 化。 使用交流耦合电容 30 修订版 0.3 AN738 7. 用于 AM 接收的空心环形天线 空心环形天线是用于家用音频设备的一种常见外部 AM 天线（因其尺寸大）。由于放置在设备外面，不容易被系统 噪声影响。其灵敏度高于铁氧体磁棒天线。 7.1. 空心环形天线设计 图 18 所示为空心环形天线。 Figure 18. Air Loop Antenna 空心环形天线和铁氧体磁棒天线不同，它没有铁氧体物质，所以等效电感较小。典型的电感值为 10 到 20 µH。为 了配合空心环形天线的使用，需要用变压器来增加其电感值到 180 到 450 µH。 T1 就是用于增加电感值的变压器，可在 180~450 µH的范围内增加电感值。可使用下面的简单公式： 2 L equivalent = N L AIRLOOP 对于 10 到 20 µH 的空气回路天线，常用变压器的匝数比为 1:5 到 1:7，这样可以增加电感值到 180 到 450 µH。 变压器选型时，需要选择高 Q 值的、耦合系数尽可能接近 1 的变压器，而且变压器绕组使用多股绞线，这样可以降 低趋附效应。所有这一些可确保降低变压器的损耗。 最后，还建议使用环形磁芯变压器或者带屏蔽罩的变压器，这样可以减少外界噪声的干扰。 表 16 列举了推荐使用的变压器。 修订版 0.3 31 AN738 Table 16. Recommended Transformers Transformer 1 Transformer 2 Transformer 3 Vendor Jiaxin Electronics UMEC UMEC Part Number SL9x5x4MWTF1 TG-UTB01527S TG-UTB01526 Surface Mount Surface Mount Through Hole Primary Coil Turns (L1) 12T 10T 10T Secondary Coil Turns (L2) 70T 55T 58T ULSA / 0.07 mm x 3 n/a n/a Type Wire Gauge Inductance (L2) 380 µH ±10% @ 796 kHz 184 µH min, 245 µH typ @ 179 µH min, 263 µH typ @ 100 kHz 100 kHz 下面为以上变压器的供应商信息： 供应商 #1： Jiaxin Electronics（佳信电子） Shenzhen Sales Office（深圳销售部） 电子邮件： [email protected] 网站： www.firstantenna.com 供应商 #2： UMEC USA, Inc. 网站： 32 www.umec-usa.com www.umec.com.tw 修订版 0.3 AN738 7.2. 空心环形天线原理图 Figure 19. AM Air Loop Antenna Schematic C1 为连接到 AMI 引脚的交流耦合电容，其值为 0.47 µF。 D1 是天线暴露在外所必须的一个 ESD 二极管。 7.3. 空心环形天线材料清单 Table 17. Air Loop Antenna Bill of Materials Designator Description LOOP_ANTENNA Air loop antenna T1 Transformer, 1:6 turns ratio C1 AC coupling capacitor, 0.47 µF, 10%, Z5U/X7R D1 ESD diode, IC, SM, SOT23-3, California Micro Devices, CM1213-01ST 7.4. 空心环形天线 将芯片和变压器尽可能靠近空心环形天线的馈线。这样可最小化连接到空心环形天线的走线，也最小化寄生电容和 噪声耦合的可能性。 Si4825/36-A 用到空心环形天线和变压器时，需要将变压器远离干扰源，以最小化电感耦合。使变压器远离 PCB 板 上的信号线和 Si4825/36-A 的 I/O 线。不要在变压器下或其周围布任何信号线。最好使用带屏蔽罩的变压器。 7.5. 空心环形天线设计检查明细 选用带屏蔽罩的变压器或者环形磁芯变压器，以阻止外界噪声的干扰 选用高 Q 值的、耦合系数尽可能接近 1 的变压器 选用变压器绕组为多股绞线的变压器 将变压器远离任何干扰源，特别要远离芯片上的 I/O 信号线。确保 AM 天线尽可能远离频率在 AM 波段 (504–1750 kHz) 内的开关。 使用交流耦合电容 ESD C1 将变压器连接到 AMI 输入，这样来自于走线和导热垫的电容能够最小化。 二极管 D1 应选用最小电容。 修订版 0.3 33 AN738 8. 用于 SW 接收器的拉杆天线 SW 接收通常使用和 FM 接收一样的拉杆天线。 8.1. SW 拉杆天线设计 拉杆天线是一种单极天线，有一根垂直安装的一端靠近接地面的坚硬而有弹性的线。 有各种类型的拉杆天线，包括不可伸缩的金属拉杆长天线、可伸缩的金属拉杆天线和橡胶拉杆天线。图 20 所示为 可伸缩的拉杆天线。 Figure 20. Telescopic Whip Antenna for SW 8.2. SW 拉杆天线原理图 Figure 21. SW Whip Antenna Schematic Q1 2SC9018 是低噪声 RF 晶体管，它组成了 SW 的 LNA 电路，放大由拉杆天线进来的短波信号。 C30 (33 nF) 是交流耦合电容，放置在拉杆天线和 LNA 的输入之间。 C33 (0.47 µF) 是交流耦合电容，连接到 AMI 引脚。 R31、R41 是晶体管的偏置电阻。 34 修订版 0.3 AN738 8.3. SW 拉杆天线材料清单 Table 18. SW Whip Antenna Bill of Materials Designator Description WHIP_ANTENNA Whip Antenna Q1 Low noise RF transistor, 2SC9018 C30 AC coupling capacitor, 33 nF, 10%, COG C33 Coupling capacitor, 0.47 µF, ±20%, Z5U/X7R R31 Resistor, 1 k, ±5% R41 Resistor, 200 k, ±5% 8.4. SW 拉杆天线布局 将芯片和 2SC9018 尽可能靠近拉杆天线的馈线。这样可最小化连接到拉杆天线的走线，也最小化寄生电容和在走 线中发生噪声源耦合的可能性。 8.5. SW 拉杆天线设计检查明细 为得到最佳接收效果，拉杆天线长度尽可能长。 使 Q1 和拉杆天线彼此靠近，并尽可能远离可能的噪声源，以减少电容和电感耦合。 将芯片尽可能靠近拉杆天线，以最小化天线走线长度。这样可减少寄生电容从而减少噪声源引起的天线中 的耦合。务必遵守此建议，以最优化设备性能。 C33 尽量靠近 FMI 引脚。 将交流耦合电容 修订版 0.3 35 AN738 文档更改列表 修订版 0.1 至修订版 0.2 为 Si4825-A 的波段定义新增表 3。 更新了所有的 Si4825 原理图及 BOM 表。 修订版 0.2 至修订版 0.3 更新了表 2 和 表 3 的波段定义以支持 Si4825/36-A20。 更新了第“3.4. 记录用户设置的应用电路”节以支持 Si4825/36-A20。 36 修订版 0.3