g6854-01 kird1013j

PHOTODIODE
InGaAs PINフォトダイオード
G6854-01
ファイバ結合が容易な球レンズ付パッケージを採用
特長
用途
l 光軸合わせが容易
l 高カップリング効率
l CDパッケージ
ベースの位置精度が高いため、位置決めがしやすい。
l パッケージのYAG溶接が可能
l ARコート球レンズ付パッケージのため低戻り光
l 光ファイバ通信
■ 絶対最大定格 (Ta=25 °C)
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
記号
定格値
単位
VR Max.
Topr
Tstg
20
-40 ~ +85
-55 ~ +125
V
°C
°C
■ 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
記号
λ
λp
受光感度
S
暗電流
ID
遮断周波数
fc
端子間容量
並列抵抗
比検出能力
雑音等価電力
条件
Ct
Rsh
D*
NEP
λ=1.3 µm
λ=1.55 µm
VR=5 V
VR=5 V, RL=50 Ω
λ=1.3 µm, -3 dB
VR=5 V, f=1 MHz
VR=10 mV
λ=λp
λ=λp
単位
1.55
0.9
0.95
80
Max.
400
1
2
-
GHz
-
1
8
5 × 1012
2 × 10-15
1.5
-
pF
GΩ
cm・Hz1/2/W
Min.
0.8
0.85
-
Typ.
0.9 ~ 1.7
µm
µm
A/W
A/W
pA
W/Hz1/2
G6854-01 は静電気によって破壊または劣化する危険性があります。使用に際してはご注意ください。
1
InGaAs PINフォトダイオード
フォトダイオード
■ 分光感度特性
■ 暗電流-逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C)
1
■ 端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C, f=1 MHz)
(Typ. Ta=25 ˚C)
10 nA
100 pF
端子間容量
10 pF
100 pA
暗電流
受光感度 (A/W)
1 nA
0.5
10 pA
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
100 fA
0.01
2.0
0.1
1
波 長 (µm)
10
100 fF
1 fF
0.01
100
0.1
■ 周波数特性
10
100
KIRDB0152JA
■ ファイバ結合特性 (X, Y軸)
(Typ. Ta=25 ˚C, λ=1.3 µm, RL=50 Ω, VR =5 V)
1
逆電圧 (V)
逆電圧 (V)
KIRDB0002JB
10
1 pF
10 fF
1 pA
0
0.6
G6854-01
■ ファイバ結合特性 (Z軸)
(Typ. Ta=25 ˚C)
1.0
KIRDB0153JA
(Typ.)
1.0
0.9
0.8
0
-5
-10
0.9
0.7
受光感度 (A/W)
受光感度 (A/W)
相対出力 (dB)
5
0.6
0.5
0.4
0.8
0.7
0.3
0.2
-15
0.6
0.1
-20
10 MHz
100 MHz
1 GHz
0
-300
10 GHz
周波数
-200
-100
0
100
200
300
レンズ中心からのズレ X, Y (µm)
+0
800
1000
1200
1400
1600
1800
レンズとファイバ端の距離 Z (µm)
KIRDB0156JA
光ファイバ
(GI 50)
Y
光ファイバ
(GI 50)
Y
5.6 -0.03
600
KIRDB0155JA
KIRDB0154JA
■ 外形寸法図 (単位: mm)
0.5
400
4.3 ± 0.1
3.8 ± 0.1
X
X
Z
Z
1.5 ± 0.1
λ=1.3 µm
X, Y=0 mm
λ=1.3 µm
Z=1 mm
3.55 ± 0.2
0.45
リード線
1.2 ± 0.1
受光面
0.08
11 MIN.
KIRDC0042JA
ケース
2.5 ± 0.2
2
KIRDA0063JC
KIRDC0043JA
フォトダイオード
InGaAs PINフォトダイオード
G6854-01
本資料の記載内容は、平成22年10月現在のものです。製品の仕様は、改良等のため予告なく変更することがあります。製品を使用する際には、仕様書をご用命の上、
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Oct. 2010 DN
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