データシート

PHOTODIODE
InGaAs APD
G8931-04
SONET、G/GE-PONに対応した応答特性
SONET、G/GE-PONなどの幹線系光ファイバ通信に必要な2.5 Gbpsの高速応答を実現しています。
特長
用途
l 高速応答: 2.5 Gbps
l 低暗電流
l 低容量
l 受光面サイズ: φ0.04 mm
l 高感度
l 光ファイバ通信
l 高速データリンク
■ 一般定格
項目
受光面サイズ
■ 絶対最大定格
順電流
逆電流
動作温度
保存温度
項目
記号
-
定格値
φ0.04
単位
mm
記号
IF
IR
Topr
Tstg
定格値
2
2
-40 ~ +85
-55 ~ +125
単位
mA
mA
°C
°C
■ 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
降伏電圧
降伏電圧の温度係数
暗電流
遮断周波数
記号
λ
λp
S
VBR
Γ
ID
fc
端子間容量
λ=1.55 µm, M=1
ID=100 µA
-40 ~ +85 °C
VR=VBR × 0.9
M=10
VR=VBR × 0.9
f=1 MHz
Ct
■ 分光感度特性
条件
Typ.
0.95 ~ 1.7
1.55
0.9
0.11
40
4
Max.
60
0.16
65
-
単位
µm
µm
A/W
V
V/°C
nA
GHz
-
0.35
0.45
pF
■ 暗電流-逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C, M=1)
1.0
Min.
0.8
40
3
(Typ. Ta=25 ˚C)
1 mA
100 µA
光電流
10 µA
1 µA
暗電流、光電流
受光感度 (A/W)
0.8
0.6
0.4
100 nA
10 nA
暗電流
1 nA
100 pA
0.2
10 pA
0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
波 長 (µm)
1 pA
0
10
20
30
40
50
逆電圧 (V)
KAPDB0120JA
KAPDB0123JA
1
InGaAs APD
G8931-04
■ 外形寸法図 (単位: mm)
■ 端子間容量-逆電圧
(Typ. Ta=25 ˚C)
3.0
5.4 ± 0.2
受光面
0.45
リード
1.0
3.7 ± 0.2
13 Min.
端子間容量 (pF)
2.0
2.7 ± 0.2
4.7 ± 0.1
入射窓
3.0 ± 0.1
2.5 ± 0.2
0
0
10
20
30
40
50
逆電圧 (V)
KAPDB0124JA
ケース
KAPDA0034JA
■ APDの周辺回路例
バイアス電源 (温度補償)
電源制限抵抗
0.1 µF以上
(APDの近くに)
過電圧保護回路
APD
+
高速オペアンプ
読み出し回路
KAPDC0005JC
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2
Cat. No. KAPD1018J03
Oct. 2010 DN
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