s2592-03 etc kspd1003j

Siフォトダイオード
S2592/S3477 シリーズ
紫外~近赤外域の微弱光計測用、
電子冷却型フォトダイオード
S2592/S3477シリーズは紫外~近赤外域用Siフォトダイオードと電子冷却素子を一体化した受光素子です。Siチップの温度は、内
蔵のサーミスタで検知されるため、長時間の安定した測定を行うことができ、高いS/Nが求められる微弱光計測に適しています。
S2592シリーズはTO-8パッケージに、S3477シリーズはTO-66パッケージに封止されています。なお、温度コントローラ C110304、放熱器 A3179 (S2592シリーズ用)も用意しています (別売)。
特長
用途
高S/N
微弱光検出
紫外域で高感度
サーミスタ内蔵により高安定化が容易
構成
項目
内蔵フォトダイオード
窓材
受光面サイズ
パッケージ
S2592-03
S3477-03
S2592-04
S1336シリーズ
サファイア
2.4 × 2.4
TO-8
S3477-04
5.8 × 5.8
TO-66
TO-8
単位
mm
TO-66
絶対最大定格
項目
逆電圧
動作温度
保存温度
電子冷却素子許容電流
サーミスタ許容損失
記号
VR
Topr
Tstg
Ite
Pth
定格値
5
-40 ~ +70
-55 ~ +85
1.5
0.2
単位
V
°C
°C
A
mW
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
電気的および光学的特性 (Typ. Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
受光感度
短絡電流
暗電流
暗電流の温度係数
上昇時間
端子間容量
並列抵抗
雑音等価電力
冷却温度
記号
λ
λp
S
Isc
ID
TCID
tr
Ct
Rsh
NEP
∆T
条件
λ=λp
100 lx, 2856 K
VR=10 mV
S2592-03
S3477-03
S2592-04
190 ~ 1100
960
0.5
5
10
S3477-04
28
25
1.15
VR=0 V, RL=1 kΩ
VR=0 V
VR=10 mV
VR=0 V, λ=λp
0.2
65
1
8.1 × 10-15
1
380
0.4
1.3 × 10-14
35
浜松ホトニクス株式会社
単位
nm
nm
A/W
μA
pA
倍/°C
μs
pF
GΩ
W/Hz1/2
°C
1
S2592/S3477シリーズ
Siフォトダイオード
分光感度特性
感度の温度特性
(Typ. Ta=25 °C)
0.7
(Typ. )
+1.5
0.6
+1.0
‫أ‬ഽ߸ତ (%/°C)
਋࢕ۜഽ (A/W)
0.5
0.4
0.3
0.2
+0.5
0
0.1
190 300 400 500
-0.5
190 300 400 500
600 700 800 900 1000 1100
෨ಿ (nm)
600 700 800 900 1000 1100
෨ಿ (nm)
KSPDB0182JB
KSPDB0053JC
並列抵抗-素子温度
電子冷却型素子の冷却特性
(Typ. VR=10 mV)
1 TΩ
(Typ. Ta=25 °C, ༶෎‫͈ܕ‬෎೷ࢯ=3 °C/W)
40
100 GΩ
20
10 GΩ
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
S2592-03, S3477-03
໼Ⴅ೷ࢯ
1 GΩ
100 MΩ
S2592-04, S3477-04
10 MΩ
1 MΩ
0
S2592ΏςȜΒ
-20
S3477ΏςȜΒ
-40
100 kΩ
10 kΩ
-20
0
20
40
60
80
-60
0
0.4
0.8
1.2
1.6
ഩၠ (A)
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
KSPDB0183JA
KSPDB0184JA
2
S2592/S3477シリーズ
Siフォトダイオード
電子冷却素子の電流-電圧特性
サーミスタの温度特性
(Typ. Ta=25 °C, ༶෎‫͈ܕ‬෎೷ࢯ=3 °C/W)
1.6
(Typ.)
6
10
1.4
1.2
105
೷ࢯ౵ (Ω)
0.8
0.6
104
0.4
0.2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
103
-40
1.2
-30
-20
-10
0
10
20
30
ளঊ‫أ‬ഽ (°C)
ഩգ (V)
KSPDB0185JC
KIRDB0116JB
外形寸法図 (単位: mm)
S2592シリーズ
ɸ15.3 ± 0.2
6.4 ± 0.2
12 min.
වৣௗ
ɸ10 ± 0.2
2.0 ± 0.2
ɸ14 ± 0.2
਋࢕࿂
ɸ0.45
ςȜΡ
10.2 ± 0.2
5.1 ± 0.2
ഩၠ (A)
1.0
࠿੄ளঊ (ͺΦȜΡ)
࠿੄ளঊ (΃ΕȜΡ)
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (-)
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (+)
΍ȜηΑΗ
5.1 ± 0.2
KSPDA0133JB
3
S2592/S3477シリーズ
Siフォトダイオード
S3477シリーズ
32 max.
ɸ14 ± 0.1
වৣௗ
ɸ10 ± 0.1
20 ± 1
਋࢕࿂
8.6 ± 0.2
ɸ3.7
4.1 ± 0.2
17 ± 0.4
24.4 ± 0.1
ɸ9.3
ȁȁ΍ȜηΑΗ
ȁȁ΍ȜηΑΗ
ȁȁ࠿੄ளঊ (ͺΦȜΡ)
ȁȁ࠿੄ளঊ (΃ΕȜΡ)
ȁȁഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (-)
ȁȁഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ (+)
KSPDA0134JC
4
S2592/S3477シリーズ
Siフォトダイオード
電子冷却型用温度コントローラ C1103-04
C1103-04は1段および2段電子冷却型のパッケージ内の電子冷却素子に流す電流を調整
することによって、温度を一定に保ちます。温度調整つまみにより、素子温度を設定す
ることが可能です。
付属品
取扱説明書
A4372-05*1
4芯ケーブル (コネクタ付き, 3 m)
電源ケーブル
仕様
設定素子温度
-30~+20 °C
対応製品*2
1段/2段電子冷却型
温度安定度
±0.1 °C以内
制御出力電流
1.1 A min., 1.2 A typ., 1.3 A max.
電源
100 V ± 10%・50/60 Hz*3
消費電力
30 W
外形寸法/質量
107 (W) × 84 (H) × 190 (D) mm/約1.9 kg
動作温度
+10~+40 °C
動作湿度
90%以下*4
保存温度
+20~+40 °C
放熱器
シリーズと組み合わせて使う場合には、
*1:
A3179
A3179シリーズ付属の4芯ケー
ブルは使わないでA4372-05を使ってください。
*2: 電子冷却型アンプ付赤外検出モジュールには対応していません。本製品は複数の電
子冷却素子の温度設定をすることはできません。
*3: 外部電源入力は出荷時に100 V、115 V、あるいは230 Vに変更することができます。
*4: 結露なきこと
ブロック図
C1103-04
ഩঊ႖‫߿ݕ‬
࠿੄ளঊ
΍ȜηΑΗ
๤‫ڛ‬ٝႹ
௩໙ٝႹ
ഩၠٝႹ
ഩঊ႖‫ݕ‬ளঊ
ഩ࡙
ACවႁ
KACCC0143JA
5
S2592/S3477シリーズ
Siフォトダイオード
電子冷却型用放熱器 (TO-8パッケージ専用) A3179
6ピンTO-8パッケージの電子冷却型用に設計された放熱器です。A3179は、周囲温度 25 °Cに対しては約35 °Cの冷却が可能です。
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±0.3)
ϕ32
3
3
ϕ46
0.4 ± 0.3*2 ਋࢕࿂*3
࠿੄ளঊ
ιΗσΩΛΉȜΐ
ϕ26.0 ± 0.2
*1
32
(4 ×) ϕ3.5
ϕ40
60°
32.6
ৗၾ: ࿩50 g
*1: ࠿੄ளঊιΗσΩΛΉȜΐ͈ೲ࿂ (‫ܖ‬੔࿂)
*2: ளঊͬழ̧͙ࣺ̺͈ͭ͂଱༹
*3: ঀဥ̳ͥளঊ̮͂ͅ਋࢕࿂͈պ౾̦։̳̈́ͤ͘ȃ
મळ͉ঀဥ̳ͥளঊ͈‫ࠁٸ‬଱༹଎ͬ४ચ̱̩̺̯̞̀ȃ
KIRDA0018JD
6
Siフォトダイオード
S2592/S3477シリーズ
紫外線照射時の注意
・紫外線照射により、製品の紫外感度の低下、暗電流の増加といった特性の劣化が生じることがあります。この現象は、照射量・照射
強度・使用時間・使用環境によって異なり、製品種によっても違います。製品を採用する前に、使用する紫外線環境下で耐性確認を
することを推奨します。
・紫外線の照射により、製品の構成材料の接着に使用されている樹脂からガスが発生して特性が劣化する場合があります。このためア
パーチャなどを用いて紫外線を樹脂へ直接照射することを避け、受光部の内側にだけ紫外線を照射することを推奨します。
関連情報
http://www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・製品に関する注意事項とお願い
・メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
技術情報
・Siフォトダイオード/技術資料
・Siフォトダイオード/用語の説明
・Siフォトダイオード/信頼性
・Siフォトダイオード/応用回路例
本資料の記載内容は、平成27年10月現在のものです。
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ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ
ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı
ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı
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Cat. No. KSPD1003J09 Oct. 2015 DN
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