s11151-2048 kmpd1119j

CCDリニアイメージセンサ
S11151-2048
紫外域で高感度を実現した表面入射型CCD
S11151-2048は、表面入射型CCDでありながら、紫外域 (200 nm)において裏面入射型CCDと同等の感度を実現したCCD
リニアイメージセンサです。
特長
用途
紫外域で高感度 (感度波長範囲: 200～1000 nm)
分光器
読み残し: 0.1% typ.
低暗電流
低価格
構成
項目
画素サイズ (H × V)
画素数
有効画素数
イメージサイズ (H × V)
水平クロック
出力回路
パッケージ
窓材
仕様
14 × 200 μm
2056
2048
28.672 × 0.200 mm
2相
段
2 MOSFETソースフォロア
24ピンセラミックDIP (外形寸法図を参照)
石英ガラス*1
*1: 樹脂封止
絶対最大定格 (指定のない場合はTa=25 °C)
項目
動作温度*2 *3
保存温度*3
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
垂直入力ソース電圧
水平入力ソース電圧
テストポイント
垂直入力ゲート電圧
水平入力ゲート電圧
サミングゲート電圧
出力ゲート電圧
リセッ ト ゲ ー ト 電 圧
トランスファーゲート電圧
水平シフトレジスタクロック電圧
記号
Topr
Tstg
VOD
VRD
VISV
VISH
VIGV
VIGH
VSG
VOG
VRG
VTG
VP1H, VP2H
Min.
-50
-50
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-10
-10
-10
-10
-10
-10
-10
Typ.
-
Max.
+55
+70
+25
+18
+18
+18
+15
+15
+15
+15
+15
+15
+15
単位
°C
°C
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
*2: パッケージ温度
*3: 結露なきこと
浜松ホトニクス株式会社
1
S11151-2048
CCDリニアイメージセンサ
動作条件 (Ta=25 °C)
項目
出力トランジスタドレイン電圧
リセットドレイン電圧
垂直入力ソース電圧
水平入力ソース電圧
テストポイント
垂直入力ゲート電圧
水平入力ゲート電圧
High
サミングゲート電圧
Low
出力ゲート電圧
基板電圧
High
リセットゲート電圧
Low
High
トランスファーゲート電圧
Low
High
水平シフトレジスタクロック電圧
Low
外部負荷抵抗
Min.
12
10.5
-5
-5
4
-5
2
4
-5
7
-5
4
-5
2.0
記号
VOD
VRD
VISV
VISH
VIGV
VIGH
VSGH
VSGL
VOG
VSS
VRGH
VRGL
VTGH
VTGL
VP1HH, VP2HH
VP1HL, VP2HL
RL
Typ.
13
11
VRD
VRD
-4
-4
5
-4
3
0
5
-4
8
-4
5
-4
2.2
Max.
14
11.5
6
-3
4
6
-3
9
-3
6
-3
2.4
単位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
kΩ
電気的特性 (指定のない場合は Ta=25 °C, 動作条件: Typ.)
項目
出力信号周波数*4
ラインレート
水平シフトレジスタ容量
サミングゲート容量
リセットゲート容量
トランスファーゲート容量
電荷転送効率*5
DC出力レベル*4
出力インピーダンス*4
消費電力*4 *6
Min.
0.99995
-
記号
fc
LR
CP1H, CP2H
CSG
CRG
CTG
CTE
Vout
Zo
P
Typ.
1
0.48
220
10
10
110
0.99999
8.5
220
65
Max.
5
2.37
-
単位
MHz
kHz
pF
pF
pF
pF
V
Ω
mW
*4: 負荷抵抗により変わります。
*5: 飽和出力の半分のときに測定したCCDシフトレジスタ1画素当たりの転送効率
*6: オンチップアンプと負荷抵抗を合わせた消費電力
電気的および光学的特性 (指定のない場合は Ta=25 °C, 動作条件: Typ.)
項目
記号
Vsat
Fw
Sv
飽和出力電圧
飽和電荷量
CCD変換効率
全有効画素の平均値
DSave
全有効画素の最大値
DSmax
暗電流*7
読み出しノイズ*8
ダイナミックレンジ*9
感度波長範囲
感度不均一性*10 *11
読み残し*10
Nr
DR
λ
PRNU
L
Min.
150
5
3000
-
Typ.
Fw × Sv
200
6
700
4
3500
20
25
8000
200 ～ 1000
±3
0.1
Max.
7
3500
20
17500
100
50
±10
1
単位
V
keμV/ee /pixel/s
pA/cm2
e-/pixel/s
pA/cm2
e- rms
nm
%
%
*7: 暗電流は5～7 °Cの冷却で1/2になります。
*8: 読み出し周波数 1 MHz
*9: ダイナミックレンジ = 飽和電荷量／読み出しノイズ
*10: LED光 (ピーク波長: 660 nm)を用いて飽和出力の半分のときに測定
īIJIJĻġۜഽະ޳֚଻ =
ࡥ೰ΩΗȜϋΦͼΒ (peak to peak)
૞࣢
× 100 [%]
2
S11151-2048
CCDリニアイメージセンサ
分光感度特性 (窓なし時, 代表例)*12
窓材の分光透過特性
(Ta=25 °C)
100
(Typ. Ta=25 °C)
100
90
80
80
ၾঊ࢘ၚ (%)
70
൫ًၚ (%)
60
50
40
60
40
30
20
20
10
0
200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KMPDB0372JA
KMPDB0303JA
*12: 石英ガラスの透過率特性により分光感度は低下します。
デバイス構造 (外形寸法図において上面からみたCCDチップ概念図)
22
21
20
19
18
17
16
S2039
S2040
S2041
S2042
S2043
S2044
S2045
S2046
S2047
S2048
23
έ΁ΠΘͼ΂ȜΡ S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 S10
24
CCDକ໹ΏέΠτΐΑΗ
D1 D2 D3 D4
D5 D6 D7 D8
15
14
13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
৭࢕໐
KMPDC0341JB
3
S11151-2048
CCDリニアイメージセンサ
タイミングチャート
1ρͼϋ੄ႁ‫( ۼܢ‬ಇୟশ‫)ۼ‬
Tpwv
TG
Tovr
Tpwh, Tpws
1
P1H
2
3...2055
2056
P2H
SG
Tpwr
RG
OS
D1
D2
D7
D3, D4, S1...S2048, D5, D6
೒ુ͈උ͙੄̱‫ۼܢ‬
D8
ߗඋ͙੄̱‫*ۼܢ‬
* ಇୟশ‫ͬۼ‬೒ુ͈උ͙੄̱‫ͤ͜͢ۼܢ‬ಿ̩̳ͥાࣣ͉Ȃକ໹ΏέΠτΐΑΉอ୆̳ͥճഩၠͬ௉̧੄̳̹͛ͅȂ
೒ુ͈උ͙੄̱‫ͅࢃ͈ۼܢ‬ΠρϋΑέ͹ȜΊȜΠΩσΑͬၛ̻ષ̬ͥೄஜ́͘ߗඋ͙੄̱࣐̩̺̯̞ͬ̽̀ȃ
KMPDC0342JC
TG
P1H, P2H*13
SG
RG
TG - P1H
項目
パルス幅
上昇／下降時間
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
デューティ比
パルス幅
上昇／下降時間
オーバーラップ時間
記号
Tpwv
Tprv, Tpfv
Tpwh
Tprh, Tpfh
Tpws
Tprs, Tpfs
Tpwr
Tprr, Tpfr
Tovr
Min.
6
20
100
10
40
100
10
40
10
5
1
Typ.
8
500
50
500
50
100
2
Max.
60
60
-
単位
μs
ns
ns
ns
%
ns
ns
%
ns
ns
μs
*13: 最大パルス振幅の50%のところに対称クロックパルスをオーバーラップさせてください。
4
S11151-2048
CCDリニアイメージセンサ
外形寸法図 (単位: mm, 指示なき公差: ±0.1 )
0.5 ± 0.05*3
13
10.03 ± 0.25
24
਋࢕࿂
1
10.16 ± 0.25
਋࢕໐ 28.672 × 0.200
0.25 -0.03
1.65 ± 0.2*2
+0.05
1.115 ± 0.1*1
41.6 ± 0.42
12
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
2.54 ± 0.13
0.5 ± 0.05
27.94 ± 0.3
3.0 ± 0.2
ͼϋΟΛ·ΑζȜ·
3.0 ± 0.03
*1: ΄ρΑນ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘଱༹
*2: ΩΛΉȜΐೲ࿂̥ͣ਋࢕࿂͈́͘଱༹
*3: ௗ͈࢚̯
ಕ) ུୋ຦͉‫ྟܨ‬໑গ̯̞̞̹ͦ̀̈́͛Ȃ൫৔଻̦̜̳ͤ͘ȃ‫أ̈́ࠣݢ‬৔ഽ་‫́ޏ۪̜͈ͥا‬༗‫ۯ‬Ȇঀဥ̳ͥ͂Ȃ
ΩΛΉȜΐඤ໐ࠫͅႺ̦อ୆̳ͥાࣣ̦̜̹ͥ͛Ȃ๰̫̩̺̯̞̀ȃ
KMPDA0261JC
ピン接続
ピンNo.
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
記号
OS
OD
OG
SG
SS
RD
P2H
P1H
IGH
IGV
ISV
ISH
SS
RD
TG
RG
機能
出力トランジスタソース
出力トランジスタドレイン
出力ゲート
サミングゲート
基板
リセットドレイン
備考 (標準動作)
RL=2.2 kΩ
+13 V
+3 V
P2Hと同タイミング
GND
+11 V
CCD水平レジスタ クロック-2
CCD水平レジスタ クロック-1
+5/-4 V
+5/-4 V
テストポイント (水平入力ゲート)
テストポイント (垂直入力ゲート)
テストポイント (垂直入力ソース)
テストポイント (水平入力ソース)
-4 V
-4 V
RDに接続
RDに接続
基板
リセットドレイン
GND
+11 V
トランスファーゲート
リセットゲート
+8/-4 V
+5/-4 V
5
CCDリニアイメージセンサ
S11151-2048
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・ 注意事項とお願い
・ イメージセンサ／使用上の注意
技術情報　・ イメージセンサ／用語の説明
本資料の記載内容は、平成24年11月現在のものです。
ୋ຦͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུ঩ၳ͉ୃ‫̹̳͛ͥܢͬږ‬૥ਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ
̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋ຦ͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ੥̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮ͬ‫̞̯̺̩෇ږ‬ȃ
ොවॽအ੥̹͉͘΍ϋίσ೹‫̞̤̀ͅރ‬Ȃ߿ྴ͈ྎ๶ͅॻ೰ॽအͬփྙ̳ͥĩřĪȂ‫ٳ‬อॽအͬփྙ̳ͥĩśĪ̦ັ̩ાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃ
ུୋ຦͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤͅ᜺᝿̦อࡉ̯ͦḀ̑̾໺২ͅ೒౶̯̹ͦાࣣȂུୋ຦͈ਘၑ̹͉͘య຦͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બ‫ۼܢ‬ඤ̜́̽̀͜Ȃ
ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ‫͉̞̀̾ͅٺ‬Ȃ໺২̷͉͈ୣͬ໅̵̞ͭ͘ȃ
ུ঩ၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ໺২͈‫ݺ‬ౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭ͥ͂ͬ޺̲̳͘ȃ
ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ
୵ర‫ުא‬ਫ਼
ಆ෨‫ުא‬ਫ਼
൐‫ުאނ‬ਫ਼
ಎ໐‫ުא‬ਫ਼
ఱि‫ުא‬ਫ਼
ୌ඾ུ‫ުא‬ਫ਼
ɧĺĹıĮııIJIJ
ɧĴıĶĮıĹIJĸ
ɧIJıĶĮıııIJ
ɧĵĴıĮĹĶĹĸ
ɧĶĵIJĮııĶij
ɧĹIJijĮııIJĴ
୵రঌ୒ဩߊષ଩IJĮķĮIJIJġĩ඾ུ୆ྵ୵ర࢙൚రΫσij‫ٴ‬Ī
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໛‫ؖ‬ঌฎఉߊฎఉ‫פ‬൐IJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶ‫ٴ‬Ī
ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ
ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ
ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı
ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı
ࡥఘ‫ުא‬ଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌ൐ߊঌ࿤಴IJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ
Cat. No. KMPD1119J04 Nov. 2012 DN
6