データシート

フロントエンドIC付光センサ
S13282-01CR
各種光量の検出に適した小型APD
Si APDとプリアンプを一体化した小型光デバイスです。外乱光の影響を低減するためのDCフィードバック回路を内蔵し
ています。また、優れたノイズ特性・周波数特性を実現しています。
特長
用途
高速応答: 200 MHz
距離計測
増倍率2段階切替機能
(Lowゲイン: シングル出力, Highゲイン: 差動出力)
外乱光の影響を低減
オプション
過大光照射時に波形の乱れが小さい
駆動回路
C13283-03
構成
項目
検出素子
受光面サイズ*1
パッケージ
記号
A
‐
仕様
Si APD
ϕ0.2
プラスチック
単位
mm
-
定格値
4.5
0 ~ VBR
0.2
10
Vcc + 0.7
Vcc + 0.7
-20 ~ +60
-40 ~ +80
ピーク温度 240 °C, 1回 (P.5参照)
単位
V
V
mA
mA
V
V
°C
°C
-
*1: 増倍作用が得られる範囲
絶対最大定格
項目
電源電圧 (プリアンプ用)
逆電圧 (APD用)
逆電流 (DC)
順電流
DCFB端子電圧
Gain端子電圧
動作温度
保存温度
はんだ付け条件*3
記号
条件
Vcc max
V_APD
IR max
IF
結露なきこと*2
Topr
結露なきこと*2
Tstg
-
*2: 高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。
*3: JEDEC level 5a
注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。
浜松ホトニクス株式会社
1
S13282-01CR
フロントエンドIC付光センサ
電気的および光学的特性 (Ta=25 °C)
項目
感度波長範囲
最大感度波長
記号
λ
λp
S
受光感度
量子効率
降伏電圧
降伏電圧の温度係数
暗電流
暗電流の温度係数
消費電流
低域遮断周波数
高域遮断周波数
入力換算雑音電力
出力電圧レベル
出力オフセット電圧
最大出力電圧振幅
電源電圧
QE
VBR
ΔTVBR
ID
ΔTID
Min.
条件
M=100
λ=900 nm, M=100,
Lowゲイン
λ=900 nm, M=100,
Highゲイン
λ=900 nm, M=1
ID=100 μA
Max.
-
Typ.
400 ~ 1150
840
0.1
0.2
0.4
2
4
8
120
10
17
20
120
100
0.6
0.7
3.135
70
160
1.1
100
1.1
25
28
0.01
0.5
50
65
0.9
1
-0.5
±0.7
3.3
200
1000
32
35
100
130
1.2
1.3
±100
3.465
単位
nm
nm
-
MV/W
M=100
λ=900 nm, M=100
Lowゲイン
Ic
Highゲイン
Lowゲイン
fcl
Highゲイン
Lowゲイン
fch
Highゲイン
f=10 MHz, M=100
en
f=100 MHz, M=100
Lowゲイン
Highゲイン
Voffset Highゲイン
Lowゲイン
Vp-p max
Highゲイン
Vcc1, Vcc2
分光感度特性
%
V
V/°C
pA
倍/°C
mA
MHz
MHz
fW/Hz1/2
V
mV
V
V
量子効率-波長
(Typ. Ta=25 °C, M=100)
60
(Typ. Ta=25 °C)
100
90
80
70
40
ၾঊ࢘ၚ (%)
਋࢕ۜഽ (A/W)
50
30
20
60
50
40
30
20
10
10
0
400
600
800
1000
1200
0
400
600
800
1000
1200
෨ಿ (nm)
෨ಿ (nm)
KPICB0187JB
KPICB0188JA
2
S13282-01CR
フロントエンドIC付光センサ
暗電流-逆電圧
増倍率-逆電圧
(Typ. Ta=25 °C)
100 μA
(Typ. λ=900 nm)
10000
10 μA
0 ˚C
1 μA
1000
20 ˚C
40 ˚C
60 ˚C
-10 ˚C
௩෼ၚ
ճഩၠ
100 nA
10 nA
100
1 nA
100 pA
10
10 pA
1 pA
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
1
100
120
140
160
180
200
220
‫ݙ‬ഩգ (V)
‫ݙ‬ഩգ (V)
KPICB0189JB
KPICB0191JA
周波数特性 (代表例)
(Ta=25 °C)
5
0
௖చ௩෼ၚ (dB)
Low
-5
-10
High
-15
-20
-25
0.1
1
10
100
1000
ਔ෨ତ (MHz)
KPICB0192JB
3
S13282-01CR
フロントエンドIC付光センサ
指向特性
(Typ. ࢕࡙: ΗϋΈΑΞϋρϋί)
20°
10°
0°
10°
20°
30°
30°
40°
40°
50°
50°
60°
60°
70°
70°
80°
80°
90°
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
90°
100
௖చۜഽ (%)
KPICB0193JA
真理値表
Gain選択
Gain選択
0
1
増倍率
Lowゲイン (× 1)
Highゲイン (× 20)
DCFB_dis選択
DCFB_dis選択
0
1
外乱光除去機能
ON
OFF
ブロック図
V_APD
APD
Vcc1
Vcc2
Rf
SW1
out1
SW2
TIA
VGA
out2
SW3
DCFB
DCFB
GND
Gain
DCFB (DCέͻȜΡΨΛ·)ٝႹ͉Ȃ࢕ഩၠ͈DC଼໦ͬ࠿੄̱Ȃओ൲ੜၑ໐̱ͬٚ̀
‫ٸ‬၄࢕͈‫ͬޣג‬೩ࡘ̱̳͘ȃ
KPICC0285JC
4
S13282-01CR
フロントエンドIC付光センサ
当社の実験用熱風リフロー炉を用いた温度プロファイルの実測値例
300 °C
240 °C max.
220 °C
‫أ‬ഽ
190 °C
170 °C
ထ๵‫ح‬෎
70ȡ90 s
ུ‫ح‬෎
40 s max.
শ‫ۼ‬
KPICB0171JA
・本製品は、鉛フリーはんだ付けに対応しています。なお、梱包開封後は、温度 30 °C以下、湿度 60%以下の環境で保管して 24時間以
内にはんだ付けをしてください。
・使用する基板・リフロー炉によって、リフローはんだ付け時に製品が受ける影響が異なります。リフローはんだ条件の設定時には、
あらかじめ実験を行って、製品に問題が発生しないことを確認してください。
外形寸法図 (単位: mm)
2.6
0.2
4.8
0.3
5.5
1.60
1.1
1.1
0.4
5.1
KPICC0286JC
1.0
2.7
0.60
0.6
࢖ओ̧̈́଱༹: ४ࣉ౵
(6 ×) P0.8=4.8
0.3
0.6
0.6
0.6
3.9
0.8
਋࢕࿂ ɸ0.2
推奨ランドパターン (単位: mm)
άϋNo. ‫ܥ‬ෝ άϋNo. ‫ܥ‬ෝ
NC
out2
NC
GND
GND
Gain
GND
Vcc2
DCFB
Vcc1
GND
NC
out1
V_APD
KPICA0100JC
5
フロントエンドIC付光センサ
S13282-01CR
接続例
Vcc1
V_APD
1 kΩ
0.047 μF/
630 V
Vcc2
L
L
10 μF
10 μF
0.1 μF
0.1 μF
L∙∙∙BLM18PG221SN1
Rf
APD
Out1
TIA
VGA
Out2
DCFB
200 Ω 200 Ω
DCFB
GND
Gain
KPICC0298JA
関連情報
www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html
注意事項
・製品に関する注意事項とお願い
・メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品/使用上の注意
・表面実装型製品/使用上の注意
本資料の記載内容は、平成28年6月現在のものです。
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ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ
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ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ
ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı
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Cat. No. KPIC1096J05 Jun. 2016 DN
6