HHBY THB6064H THB6064H大功率、高细分两相混合式 步进电机芯片式驱动器 一、特性 ● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.4Ω（上桥+下桥） ● 最高最耐压50VDC，峰值电流4.5A ；工作电压≤42V，工作电流 ≤ 3.5A ● 多种细分可选（1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64） ● 自动半流锁定功能 ● 衰减方式连续可调 ● 内置温度保护及过流保护 重量： 9.86 g (typ.) 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -1- 2008 年 12 月 HHBY THB6064H 二、框图 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -2- 2008 年 12 月 HHBY THB6064H 三、管脚说明 管脚 输入/ 编号 输出 符号 功 能 描 述 1 输出 ALERT 温度保护及过流保护输出端（常态为1，过流保护时为0） 2 — SGND 信号地外部与电源地相连 3 — OSC1B B相斩波频率控制端 4 输入 PFD 衰减方式控制端 5 输入 Vref 电流设定端（0—3V） 6 输入 VMB 电机驱动电源 B相电源与A相电源相连 7 输入 M1 细分数选择端（详见附表） 8 输入 M2 细分数选择端（详见附表） 9 输入 M3 细分数选择端（详见附表） 10 输出 OUT2B 11 — NFB 12 输出 OUT1B B相功率桥输出端1 13 — PGNDB B相驱动电源地与A相电源地及信号地相连 14 输出 OUT2A A相功率桥输出端2 15 — NFA 16 输出 OUT1A A相功率桥输出端1 17 — PGNDA 驱动电源地线 18 输入 ENABLE 使能端ENABLE＝0所有输出为0，ENABLE=1正常工作 19 输入 RESET 20 输入 VMA A相电机驱动电源与A相电源相连 21 输入 CLK 脉冲输入端 22 输入 23 — OSC1A 24 输入 VDD 25 输出 DOWN B相功率桥输出端2 B相电流检测端应连接大功率检测电阻，典型值0.25Ω/2W A相电流检测端应连接大功率检测电阻，典型值0.25Ω/2W 上电复位端 CW/CCW 电机正反转控制端 A相斩波频率控制端 5V电源芯片工作电源要求稳压 半流锁定控制端 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -3- 2008 年 12 月 HHBY THB6064H 四、电器参数 最高额定值 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) 参数 符号 额定值 VDD 6 VMA/B 50 IO(PEAK) 4.5(Note 1) 每相 最高芯片工作电压 VIN 5.5 V 工作温度范围 Topr -30 to 85 °C 储存温度范围 Tstg -55 to 150 °C 最高电源电压 最大输出电流 单位 V 正常运行参数范围 Operating Range (Ta = 30 to 85°C) 参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 VDD — 4.5 5.0 5.5 V 电源电压 VMA/B VMA/B≥VDD 4.5 — 42 V 输出电流 IOUT — — — 4 A 输入端口电压 VIN — 0 — 5.5 电流设定端 Vref — 0.5 — 3 输入脉冲 fCLK — — — 100 芯片工作电压 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -4- V kHz 2008 年 12 月 HHBY THB6064H 电器特性 Electrical Characteristics (Ta = 25°C, VDD = 5 V, VM = 24 V 参数 符号 高 VIN(H) 低 VIN(L) 输入电压 测试条件 M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, 最小 典型 最大 2.0 — VDD −0.2 — 0.8 — 55 (80) — — 1 — 3 （7） 单位 V RESET, ENABLE M1, M2, M3, CW/CCW, CLK, IIN(H) 输入电流 RESET, ENABLE uA VIN = 5.0 V IIN(L) VIN = 0 V 输出开路, IDD1 静态功耗 RESET: H, ENABLE: H M1:L, mA M2:L, M3:L (半步模式) IDD2 IDD3 RESET: L ENABLE: H RESET: L, ENABLE: L — — 2 2 IM1 RESET: H/L, ENABLE: L — 0.5 IM2 RESET: H/L, ENABLE: H — 1 慢衰减模式 3.5 — VDD (0.9) 1.1 (3.3) — — 0.8 tW(CLK) — 10 — μs 温度保护 TSD — 170 — ℃ 关断时间 TOFF1A TOFF1B 16 23 35 μsec (0.75) 1.5 (3.0) Hz VM supply current （7） （7） mA V 衰减方式 VPFD 输入电压范围 混合式衰减模式 快衰减模式 最小脉冲宽度 COSC1A,COSC1B = 1000 pF 半流锁定时间典型值 输出参数 Output Block 参数 输出电阻 符号 RonH + RonL tr 开关特性 tf 北京博远鼎盛电子科技有限公司 测试条件 IOUT = 4 A RL = 2 Ω, VNF = 0 V, CL = 15 pF -5- 最小 典型 最大 单位 ― 0.4 (0.6) Ω ― 0.1 ― ― 0.1 ― μs 2008 年 12 月 HHBY THB6064H 五、使用说明 1．M1、M2、M3可选择八种不同细分状态 M1 0 0 0 0 1 1 1 1 M2 0 0 1 1 0 0 1 1 M3 0 1 0 1 0 1 0 1 细分数 1/2 1/8 1/10 1/16 1/20 1/32 1/40 1/64 2．PFD：为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获 得更好的驱动效果： VPFD 衰减方式 3.5<VPFD<VDD 慢衰减 1.1V<VPFD<3.1V 混合式衰减 VPFD<0.8V 快衰减 3．Vref：电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值 Io（100%）=Vref *（1/3）*（1/Rs） Vref取值范围：0.5V—3.0V 【Rs为检测电阻】 推荐值为0.25Ω/2W 4．Down：半流锁定控制，电机锁定时降低功耗的功能（参见原理图） 当CLK小于1.5Hz时，DOWN输出为0； 当CLK大于1.5Hz时，DOWN输出为1； DOWN常态为1此时Vref电压由R1和R2分压决定形成设定电流，当启动 半流锁定功能时，DOWN=0，Rdown参与R1、R2分压，从而降低了Vref,也就 减小了设定电流，Rdown的阻值决定电流下降的幅度。从而降低了 VREF，也就减少了设定电流R1的阻值决定电流下降的幅度。 即：改变锁定电阻Rdown的阻值，可获得不同的锁定电流值。 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -6- 2008 年 12 月 HHBY THB6064H DOWN输出端原理图 5．ALERT ：过流及过温保护输出端 正常状态下，ALERT=1； 当有过流或过温现象时，此端输出为0 6. CLK：脉冲输入端（参见表一） -0.2V—VDD方波，脉冲频率最高100KHz，脉冲宽度最小4μS 7. CW/CCW：电机正反转控制端（参见表一） CW/CCW为0时，电机正转 CW/CCW为1时，电机反转 8. RESTER：上电复位端（参见表一） 为1时，芯片工作 9. ENABLE：使能端（参见表一） 为0时，芯片输出为0 CLK X X 输入端 CW/CCW RESET L H H H X L X X 表一 北京博远鼎盛电子科技有限公司 ENABLE H H H L -7- 输出模式 正转 反转 初始模式 Z 2008 年 12 月 HHBY THB6064H 六、参考电路图 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -8- 2008 年 12 月 HHBY 封装尺寸 THB6064H Package Dimensions Weight: 9.86 g (typ.) 详细使用说明及采购请咨询： 北京博远鼎盛电子科技有限公司 李先生：13520810011；010-81677185 邮箱：[email protected] QQ：120088312 江先生：13911123317；010-68933631 邮箱：[email protected] QQ：8874072 北京博远鼎盛电子科技有限公司 -9- 2008 年 12 月