3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Besondere Merkmale ● ● ● ● ● eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 ● ● ● ● ● VEX06710 Features colored, diffused package for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package LR 3360-DG LR 3360-F LR 3360-G LR 3360-FJ red red diffused LS 3360-HL LS 3360-K LS 3360-L LS 3360-KN super-red LO 3360-HL LO 3360-K LO 3360-L LO 3360-JM Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) 0.4 … 1.0 … 1.6 … 1.0 … Bestellnummer Ordering Code 3.2 2.0 3.2 8.0 Q62703-Q1316 Q62703-Q1317 Q62703-Q1318 Q62703-Q1319 red diffused 2.5 … 20.0 6.3 … 12.5 10.0 … 20.0 6.3 … 50.0 Q62703-Q1320 Q62703-Q1321 Q62703-Q1322 Q62703-Q1323 orange orange diffused 2.5 ... 20.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 4.0 ... 32.0 Q62703-Q1887 Q62703-Q2400 Q62703-Q2596 Q62703-Q2410 LY 3360-HL LY 3360-K LY 3360-L LY 3360-KN yellow yellow diffused 2.5 ... 20.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 6.3 ... 50.0 Q62703-Q1324 Q62703-Q1325 Q62703-Q1326 Q62703-Q1998 LG 3360-HL LG 3360-J LG 3360-K LG 3360-L LG 3360-KN green green diffused 2.5 ... 20.0 4.0 ... 8.0 6.3 ... 12.5 10.0 ... 20.0 6.3 ... 50.0 Q62703-Q3818 Q62703-Q1865 Q62703-Q2008 Q62703-Q3507 Q62703-Q3819 LP 3360-GK LP 3360-H LP 3360-J LP 3360-HL pure green green diffused 1.6 ... 12.5 2.5 ... 5.0 4.0 ... 8.0 2.5 ... 20.0 Q62703-Q2467 Q62703-Q2914 Q62703-Q2915 Q62703-Q3213 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LS, LO, LY, LG LR Einheit Unit LP Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 °C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 °C Durchlaßstrom Forward current IF Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 °C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air Rth JA Semiconductor Group 40 140 45 100 400 3 30 100 mA mW K/W 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LR LS LO LY LG LP Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) λpeak Wavelength at peak emission(typ.) IF = 20 mA 660 635 610 586 565 557 nm λdom 645 628 605 590 570 560 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.) IF = 20 mA 35 45 40 45 25 22 nm Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV 2ϕ 70 70 70 70 70 70 Grad deg. Durchlaßspannung(typ.) Forward voltage(max.) IF = 10 mA VF VF 1.6 2.0 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom(typ.) Reverse current(max.) VR = 5 V IR IR 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA 10 10 10 10 10 10 µA Kapazität(typ.) Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz C0 25 12 8 10 15 15 pF tr tf 120 50 300 150 300 150 300 150 450 200 450 200 ns ns Dominantwellenlänge(typ.) Dominant wavelength(typ.) IF = 20 mA Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 %(typ.) IV from 90 % to 10 %(typ.) IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 4 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL01698 100 % Ι rel 80 Vλ hyper-red red super-red orange blue 40 yellow pure-green green 60 20 0 400 450 500 550 600 650 nm 700 λ Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 °C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 °C OHL02146 10 1 ΙV Ι V (10 mA) 10 0 5 10 -1 5 green red yellow super-red orange pure-green 10 -2 5 10 -3 10 -1 5 10 0 5 10 1 mA 10 2 ΙF Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C LS, LO, LY, LG Semiconductor Group Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C LR 6 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C LP Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL01686 10 3 tP ΙF D= mA tP ΙF T T D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 2 0.2 5 0.5 DC 10 1 -5 10 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s 10 1 tp Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 20 mA Semiconductor Group Dominantwellenlänge λdom = f (TA) Dominant wavelength IF = 20 mA 7 1998-07-13 LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 4.8 4.4 2.7 2.1 0.7 0.4 0.8 0.4 1.1 0.9 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 1.8 1.2 29.0 27.0 Semiconductor Group 3.4 3.1 0.6 0.4 Chip position Collector/ Cathode Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: 3.7 3.5 6.1 5.7 ø2.9 ø2.7 Maßzeichnung Package Outlines Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA GEX06710 Kürzerer Lötspieß Short solder lead 8 1998-07-13