SOT-23 MULTILED®, Diffused LU S250, LV S260, LW S260 Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse extrem weitwinklig als optischer Indikator einsetzbar für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet beide Farben getrennt ansteuerbar gegurtet (8-mm-Filmgurt) Störimpulsfest nach DIN 40838 VS006723 ● ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● ● colored, diffused package extreme wide-angle LED for use as optical indicator suitable for all SMT assembly and soldering methods both colors can be controlled separately available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 10 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LU S250-DO super-red/green colorless diffused ≥ 0.4 Q62703-Q1642 LV S260-DO super-red/ super-red red diffused ≥ 0.4 Q62703-Q2067 LW S260-DO green/green green diffused ≥ 0.4 Q62703-Q1038 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 1 11.96 LU S250, LV S260, LW S260 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 … + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 0.5 A Sperrspannung Reverse voltage VR 5 V Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot 100 mW Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Luft Junction / air 1) Rth JA 750 K/W 1) 1) Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2. Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2. Notes Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip. The stated maximum ratings refer to one chip. Semiconductor Group 2 LU S250, LV S260, LW S260 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values super-red green Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 635 565 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 628 570 nm Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 45 25 nm 2ϕ 140 140 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 10 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 5 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 µA µA (typ.) C0 12 15 pF (typ.) tr (typ.) tf 300 150 450 200 ns ns Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % IV Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω Semiconductor Group 3 LU S250, LV S260, LW S260 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 4 LU S250, LV S260, LW S260 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Semiconductor Group 5 LU S250, LV S260, LW S260 Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission λpeak = f (TA), IF = 20 mA Dominantwellenlänge Dominant wavelength λdom = f (TA), IF = 20 mA Durchlaßspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 10 mA Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LU S250, LV S260, LW S260 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GSO06866 Maßzeichnung Package Outlines Anschlußbelegung: Pin configuration: Semiconductor Group (Draufsicht) (top view) 7