超高速MSMフォトディテクタ G4176シリーズ（GaAs） 超高速応答を実現した受光素子 ■特長 ●超高速応答 *1 tr , tf = 30 ps（Typ.） ●低暗電流 100 pA (Ta=25 ℃) ●大受光面積 200 mm□ *1 光源、バイアス・ティ、アッセンブリ回路、オシロスコープの 応答特性を含まない設計値。 ■用途 G4176-03 G4176-01 ●高速波形計測 ●光通信 ■概要 MSM(Metal-Semiconductor-Metal)フォトディテクタは、超高速応答を実現した受光素子です。 GaAs-MSMフォトディテクタ G4176-03は、上昇時間 tr、下降時間 tfともに30 ps(設計値)の超高速応答と、 100 pA (Ta=25 ℃)の低暗電流を特長としています。 MSMフォトディテクタの受光部は、くし形のショットキ電極を左右対称に形成することにより作製されています。 超高速素子としては受光面サイズを大きくとれるため、光学系との結合が容易で、高速波形計測のほか、光通信 用受光素子としても大きな可能性を持っています。 また、正負いずれのバイアス電圧も印加可能で、それに応じた極性のパルス出力が得られます。 *2 G4176シリーズには、SMAコネクタへの接続が容易な同軸型メタルパッケ−ジ タイプのG4176-03(バイアス･ ティ必要)と、汎用性の高いTO-18メタルパッケ−ジタイプのG4176-01の2タイプを用意しております。 なお、光ファイバ入力型または光コネクタ入力型も供給可能ですので、お問い合わせください。 *2 日本特許第2070802号 超高速MSMフォトディテクタ G4176シリーズ（GaAs） ■特性（Ta=25 ℃, Vb=7 V） ■絶対最大定格（温度項目以外は Ta=25 ℃） 記号 条件 最大定格 単位 印加電圧 Vb - ±10 V ピーク入射光量 F パルス幅≦1 ns 項目 項目 50 *2 パルス幅＞1 ns 5 *2 動作温度範囲 Top(a) - −40∼+85 ℃ NEP 保存温度範囲 Tstg - −40∼+100 ℃ G4176-03 *1 0.3 - A/W mW 暗電流 Id - - 100 300 pA - λ= 850 nm 0.2×10-15 3×10-15 - W/Hz1/2 0.2×10-15 4×10-15 - *3 G4176-01 端子間容量 記号 条件 仕様 単位 感度波長範囲 λ Vb = 7 V 450∼870 nm 最大感度波長 λp Vb = 7 V 850 nm 有効受光面積 A - 0.2×0.2 mm2 チップ寸法 - - 1×1 mm2 パッケージ TO-5 G4176-01 TO-18 単位 Max. 0.2 G4176-03 (SMAコネクタ適合タイプ) Typ. λ= 850 nm ■一般仕様（Ta=25 ℃） - Min. S □ - 定格 放射感度 *1 デューティ比 50 %以下。(パルス幅≦1 nsであってもデューティ比＞50 %ならばパルス幅＞1 nsの条件を適用。) G4176-03 条件 mW *2 受光面積(200 mm )全体に均一に照射された場合。 照射面積が受光面積以下の場合は、照射面積に比例して小さくなります。 項目 記号 - *4 Ct - 0.3 0.4 - 0.5 0.6 10 ∼ 90 % (設計値) *5 - 30 - - 50 - 90 ∼ 10 % (設計値) *5 - 30 - - 50 - - G4176-01 上昇時間 G4176-03 tr G4176-01 G4176-03 tf G4176-01 *3 等価雑音電力 *4 チップのみの数値 *5 光源、バイアス・ティ、アッセンブリ回路、オシロスコープの応答特性を含まない設計値 ■G4176-03 ■G4176-01 （波形は光源、バイアス・ティ、オシロスコープの応答特性を含んだもの） 0.9 出 力（arb. unit） 出 力（arb. unit） 1.0 0.9 0.7 0.6 0.5 0.4 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0 0 時 間 (0.1 ns/div) 時 間 (0.1 ns/div) 図2 分光感度特性 (Vb = 7 V) 100 10−1 10−2 10−3 300 (Vb = 7 V) 1.1 1.0 0.3 放射感度 (A/W) (波形は光源、アッセンブリ回路、オシロスコープの応答特性を含んだもの) (Vb = 7 V) 0.8 400 500 600 700 波 長 (nm) 800 900 1000 ps 下降時間 図1 パルス応答波形例 1.1 pF ps 超高速MSMフォトディテクタ G4176シリーズ（GaAs） ■測定回路例 G4176-01 G4176-03 出力側 光入力 電気出力 ∼100 9 BIAS TEE ケースリード 電気出力 光入力 G4176-03 BIAS CASE 同軸コネクタ G4176-01 10 nF バイアス側 10 k9 電源 電源 ー (or ＋) + (or ー) + (or ー) ー (or ＋) ■外形寸法図（単位：mm） G4176-03 G4176-01 チップ チップ 10 12 min. 9.6 3.0 2.0 2.3 受光面 3.6 φ4.7 1.2 φ5.4 φ8.2 受光面 1/4-36UNS-2B φ7.9 φ0.45リード ケース バイアス*（または 出力） 出力（または バイアス*） 出力／バイアス* ケース （底面図） （底面図） *バイアス電圧は正負いずれの極性も印加可能 ●本資料の記載内容は平成25年3月現在のものです。 製品の仕様は、改良等のため予告なく変更することがあります。 WEB SITE www.hamamatsu.com □仙台営業所 □筑波営業所 □東京営業所 □中部営業所 □大阪営業所 □西日本営業所 〒980-0011 〒305-0817 〒105-0001 〒430-8587 〒541-0052 〒812-0013 仙台市青葉区上杉1-6-11（日本生命仙台勾当台ビル2階） TEL つくば市研究学園D6街区8画地（研究学園スクウェアビル7階） TEL 東京都港区虎ノ門3-8-21（虎ノ門33森ビル5階） TEL 浜松市中区砂山町325-6（日本生命浜松駅前ビル4階） TEL 大阪市中央区安土町2-3-13（大阪国際ビル10階） TEL 福岡市博多区博多駅東1-13-6（竹山博多ビル5階） TEL (022)267-0121 (029)848-5080 (03)3436-0491 (053)459-1112 (06)6271-0441 (092)482-0390 FAX FAX FAX FAX FAX FAX (022)267-0135 (029)855-1135 (03)3433-6997 (053)459-1114 (06)6271-0450 (092)482-0550 □レーザー営業推進グループ 〒431-2103 浜松市北区新都田1-8-3 TEL (053)484-1301 FAX (053)484-1302 Cat. No. LPRD1022J05 MAR. 2013