MAXIM MAX4531

19-1162; Rev 0; 12/96
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
概要 ___________________________________
特長 ___________________________________
◆ 74HC4351/74HC4352/74HC4353と
ピンコンパチブル
◆ 電源：±2.0V∼±6Vデュアル
+2.0V∼+12V単一
◆ 信号経路：75Ω（±5V電源）
150Ω（+5V電源）
◆ 電源電圧範囲の信号に対応
◆ tONは150ns及びtOFFは120ns（±4.5V時）
MAX4530/MAX4531/MAX4532は、+2V∼+12Vの
単一電源又は±2V∼±6Vのデュアル電源で動作しま
す。オン抵抗は150Ω(max)、スイッチ間のオン抵抗
マッチングは8Ω(max)です。各スイッチは、レイルトゥ
レイルアナログ信号を処理できます。オフリーク電流
は+25℃で僅か1nA、+85℃で50nAとなっています。
◆ 消費電力：1µW以下
◆ ESD保護：2kV以上（3015.7法）
◆ 入力：TTL/CMOSコンパチブル
◆ パッケージ：小型20ピンSSOP/SOP/DIP
±5V又は+5V単一電源動作時における全てのディジ
タル入力のロジックスレッショルドが0.8Vと2.4Vであ
るため、TTL及びCMOSロジック信号とのコンパチビリ
ティが保証されています。
型番 ___________________________________
アプリケーション _______________________
バッテリ駆動機器
ネットワーク
データ収集
ATE機器
試験機器
オーディオ信号配線
PART
TEMP. RANGE
MAX4530CPP
0°C to +70°C
20 Plastic DIP
PIN-PACKAGE
MAX4530CWP
0°C to +70°C
20 SO
MAX4530CAP
0°C to +70°C
20 SSOP
MAX4530C/D
0°C to +70°C
Dice*
Ordering Information continued on last page.
* Contact factory for availability.
レイルトゥレイルは日本モトローラの登録商標です。
航空電子
ピン配置 __________________________________________________________________________
TOP VIEW
NO1 1
20 V+
NO0B 1
20 V+
NOB 1
20 V+
NO3 2
19 NO2
NO1B 2
19 NO1A
NCB 2
19 COMB
N.C. 3
18 NO4
N.C. 3
18 NO2A
N.C. 3
18 COMC
COM 4
17 NO0
COMB 4
17 COMA
NOA 4
17 NOC
NO7 5
16 NO6
NO3B 5
16 NO0A
COMA 5
16 NCC
NO5 6
15 ADDC
NO2B 6
15 NO3A
NCA 6
15 ADDC
EN1 7
14 N.C.
EN1 7
14 N.C.
EN1 7
14 N.C.
EN2 8
13 ADDB
EN2 8
13 ADDB
EN2 8
13 ADDB
V- 9
12 ADDA
V- 9
12 ADDA
V- 9
12 ADDA
GND 10
LOGIC
MAX4530
11 LE
NARROW DIP/WIDE SO
GND 10
LOGIC
MAX4531
11 LE
NARROW DIP/WIDE SO
GND 10
LOGIC
MAX4532
11 LE
NARROW DIP/WIDE SO
N.C. = NOT CONNECTED
Truth Table appears at end of data sheet.
________________________________________________________________ Maxim Integrated Products
1
MAX4530/MAX4531/MAX4532
MAX4530/MAX4531/MAX4532は、8チャネルマルチ
プレクサ（MAX4530）、2個の4チャネルマルチプレ
ク サ（ M A X 4 5 3 1 ）及 び 3 個 の 単 極 / 双 投 ス イ ッ チ
（MAX4532）として構成された低電圧CMOSアナログ
ICです。これらの素子は、工業標準ICである
74HC4351、74HC4352及び74HC4353とそれぞれ
ピンコンパチブルです。各ICには、2個のコンプリメン
タリスイッチイネーブル入力及びラッチ付アドレスが
付いています。
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Voltages Referenced to VV+ .............................................................................-0.3 to +13V
Voltage into Any Terminal (Note 1)
or ±20mA (whichever occurs first) ..............-0.3 to (V+ + 0.3V)
Continuous Current into Any Terminal..............................±20mA
Peak Current, NO, NC, or COM_
(pulsed at 1ms, 10% duty cycle)...................................±40mA
ESD per Method 3015.7 ..................................................>2000V
Continuous Power Dissipation (TA = +70°C)
Plastic DIP (derate 11.11mW/°C above +70°C) ...........889mW
SO (derate 10.00mW/°C above +70°C) ........................800mW
SSOP (derate 8.00mW/°C above +70°C) .....................640mW
Operating Temperature Ranges
MAX453_C_P .......................................................0°C to +70°C
MAX453_E_P ....................................................-40°C to +85°C
Storage Temperature Range .............................-65°C to +150°C
Lead Temperature (soldering, 10sec) .............................+300°C
Note 1: Voltages exceeding V+ or V- on any signal terminal are clamped by internal diodes. Limit forward-diode current to
maximum current rating.
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Dual Supplies
(V+ = +5V ±10%, V- = -5V ±10%, GND = 0V, VADD_H = VEN_H = V LE = 2.4V, VADD_L = VEN_L = 0.8V, TA = TMIN to TMAX, unless
otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
(Note 2)
UNITS
SWITCH
Analog-Signal Range
Channel On-Resistance
On-Resistance Matching
Between Channels (Note 4)
VCOM, VNO,
(Note 3)
VNC_
V-
RON
INO = 2mA, VCOM = ±3.5V,
V+ = +4.5V, V- = -4.5V
TA = +25°C
∆RON
INO = 2mA, VCOM = ±4.5V,
V+ = +4.5V, V- = -4.5V
TA = +25°C
On-Resistance Flatness
(Note 5)
RFLAT(ON)
NO-Off Leakage Current
(Note 6)
INO(OFF)
V+
45
TA = TMIN to TMAX
INO = 2mA; VCOM = -3V, 0V, +3V; TA = +25°C
V+ = 5V; V- = -5V
TA = TMIN to TMAX
VNO = ±4.5V, VCOM = 4.5V, TA = +25°C
V+ = 5.5V, V- = -5.5V
TA = TMIN to TMAX
VCOM = ±4.5V,
TA = +25°C
MAX4530
VNO = 4.5V,
TA = TMIN to TMAX
V+ = 5.5V, V- = -5.5V
75
100
1
TA = TMIN to TMAX
±
8
12
4
10
13
-1
0.01
-10
-2
1
10
0.01
V
Ω
Ω
Ω
nA
2
±
COM-Off Leakage Current
(Note 6)
-100
100
ICOM(OFF)
nA
VCOM = ±4.5V,
T = +25°C
MAX4531/ A
VNO = 4.5V,
MAX4532
TA = TMIN to TMAX
V+ = 5.5V, V- = -5.5V
-1
0.01
1
±
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
COM-On Leakage Current
(Note 6)
2
ICOM(ON)
VCOM = ±4.5V,
V+ = 5.5V,
V- = -5.5V
MAX4530
TA = +25°C
TA = TMIN to TMAX
MAX4531 TA = +25°C
MAX4531/
MAX4532 TA = TMIN to TMAX
-50
-2
50
0.01
-100
-1
2
100
0.01
-50
_______________________________________________________________________________________
1
50
nA
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
(V+ = +5V ±10%, V- = -5V ±10%, GND = 0V, VADD_H = VEN_H = V LE = 2.4V, VADD_L = VEN_L = 0.8V, TA = TMIN to TMAX, unless
otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
(Note 2)
UNITS
DIGITAL LOGIC INPUT
Logic High Threshold
VADD_H, VEN_H,
V LE
TA = TMIN to TMAX
Logic Low Threshold
VADD_L, VEN_L,
V LE
TA = TMIN to TMAX
Input Current with
Input Voltage High
IADD_H, IEN_H,
I LE
Input Current with
Input Voltage Low
IADD_L, IEN_L,
I LE
1.5
0.8
1.5
VADD_H = 2.4V, VADD_L = 0.8V
-0.1
0.01
VADD_H = 2.4V, VADD_L = 0.8V
-0.1
2.4
V
V
0.1
µA
0.1
µA
±6
V
SUPPLY
Power-Supply Range
V+, V-
±2.0
TA = +25°C
-1
TA = TMIN to TMAX
-10
0.001
1
Positive Supply Current
I+
VEN_ = VADD_ = V LE = 0V/V+,
V+ = 5.5V, V- = -5.5V
Negative Supply
Current
I-
VEN_ = VADD_ = V LE = 0V/V+,
V+ = 5.5V, V- = -5.5V
TA = +25°C
-1
TA = TMIN to TMAX
-10
IGND
VEN_ = VADD_ = V LE = 0V/V+,
V+ = 5.5V, V- = -5.5V
TA = +25°C
-1
1
TA = TMIN to TMAX
-10
10
IGND Supply Current
10
0.001
1
10
µA
µA
µA
DYNAMIC
Transition Time
tTRANS
Figure 1
tBBM
Figure 3
Enable Turn-On Time
tON(EN)
Figure 2
Enable Turn-Off Time
tOFF(EN)
Figure 2
Setup Time, Channel
Select to Latch Enable
tS
Figure 4
Hold Time, Latch Enable
to Channel Select
tH
Figure 6
tMPW
Figure 5
Break-Before-Make
Interval
Pulse Width,
Latch Enable
Charge Injection
(Note 3)
Q
TA = +25°C
60
TA = TMIN to TMAX
TA = +25°C
150
250
4
TA = +25°C
10
10
TA = TMIN to TMAX
ns
150
250
TA = +25°C
40
TA = TMIN to TMAX
100
150
TA = +25°C
50
TA = TMIN to TMAX
60
TA = +25°C
0
TA = TMIN to TMAX
0
TA = +25°C
60
TA = TMIN to TMAX
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CL = 1nF, VNO = 0V, Figure 6
TA = +25°C
1.5
5
pC
Off Isolation (Note 7)
VISO
VEN2 = 0V, RL = 1kΩ,
f = 1MHz
TA = +25°C
-65
dB
Crosstalk Between
Channels
VCT
V EN1 = 0V, VEN2 = 2.4V,
f = 1MHz, VGEN = 1Vp-p,
RL = 1kΩ
TA = +25°C
-92
dB
_______________________________________________________________________________________
3
MAX4530/MAX4531/MAX4532
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Dual Supplies (continued)
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Dual Supplies (continued)
(V+ = +5V ±10%, V- = -5V ±10%, GND = 0V, VADD_H = VEN_H = V LE = 2.4V, VADD_L = VEN_L = 0.8V, TA = TMIN to TMAX, unless
otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
CONDITIONS
CONDITIONS
Distortion, THD
Logic Input
Capacitance
CIN
f = 1MHz
NO-Off Capacitance
CNO(OFF)
f = 1MHz, VEN = VCOM = 0V
COM-On Capacitance
CCOM(OFF)
CCOM(ON)
f = 1MHz,
VEN2 = VCOM = 0V
f = 1MHz,
VEN1 = VCOM = 0V,
VEN2 = 2.4V
MAX4531
0.025
TA = +25°C
3
pF
3
pF
TA = +25°C
15
TA = +25°C
9
MAX4532
pF
6
MAX4530
MAX4531
UNITS
TA = +25°C
MAX4530
COM-Off Capacitance
TYP
MAX
(Note 2)
26
TA = +25°C
pF
20
MAX4532
17
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Single +5V Supply
(V+ = +5V ±10%, V- = 0V, GND = 0V, VADD_H = VEN_H = V LE = 2.4V, VADD_L = VEN_L = 0.8V, TA = TMIN to TMAX, unless
otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
CONDITIONS
TYP
MAX
(Note 2)
UNITS
SWITCH
Analog Signal Range
VCOM, VNO
(Note 3)
0
RON
INO = 1mA, VCOM = 3.5V,
V+ = 4.5V
On-Resistance
Matching Between
Channels (Notes 3, 4)
∆RON
INO = 1mA, VCOM = 3.5V,
V+ = 4.5V
On-Resistance Flatness
RFLAT
INO = 1mA; VCOM = 3V, 2V, 1V;
V+ = 5V
INO(OFF)
VNO = 4.5V; VCOM = 4.5V, 1V;
V+ = 5.5V
On-Resistance
NO-Off Leakage
Current (Note 8)
COM-Off Leakage
Current (Note 8)
ICOM(OFF)
VCOM = 4.5V, 1V;
VNO = 1V, 4.5V;
V+ = 5.5V
MAX4530
MAX4531/
MAX4532
MAX4530
COM-On Leakage
Current (Note 8)
4
ICOM(ON)
MAX4531
MAX4531/
MAX4532
TA = +25°C
80
TA = TMIN to TMAX
V+
V
150
Ω
200
TA = +25°C
2
TA = TMIN to TMAX
15
TA = +25°C
Ω
10
TA = +25°C
-1
1
TA = TMIN to TMAX
-10
10
TA = +25°C
-2
2
-100
100
TA = +25°C
-1
1
TA = TMIN to TMAX
-50
50
TA = +25°C
-2
2
-100
100
TA = +25°C
-1
1
TA = TMIN to TMAX
-50
50
TA = TMIN to TMAX
TA = TMIN to TMAX
Ω
20
_______________________________________________________________________________________
nA
nA
nA
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
(V+ = +5V ±10%, V- = 0V, GND = 0V, VADD_H = VEN_H = V LE = 2.4V, VADD_L = VEN_L = 0.8V, TA = TMIN to TMAX, unless
otherwise noted.)
PARAMETER
SYMBOL
MIN
CONDITIONS
TYP
MAX
(Note 2)
UNITS
DIGITAL LOGIC INPUT
Logic-High Threshold
VADD_H,
VEN_H, V LE
TA = TMIN to TMAX
Logic-Low Threshold
VADD_L,
VEN_L, V LE
TA = TMIN to TMAX
Input Current with
Input Voltage High
IADD_H,
IEN_H, I LE
VH = 2.4V, VL = 0.8V
-0.1
0.1
µA
Input Current with
Input Voltage Low
IADD_L,
IEN_L, I LE
VH = 2.4V, VL = 0.8V
-0.1
0.1
µA
V
1.5
0.8
2.4
1.5
V
V
SUPPLY
Power-Supply Range
2.0
12
TA = +25°C
-1.0
1.0
TA = TMIN to TMAX
-10
10
Positive Supply Current
I+
VEN_ = VADD = V LE = 0V, V+;
V+ = 5.5V; V- = 0V
Negative Supply
Current
I-
VEN_ = VADD = V LE = 0V, V+;
V+ = 5.5V; V- = 0V
TA = +25°C
-1.0
1.0
TA = TMIN to TMAX
-10
10
IGND
VEN_ = VADD = V LE = 0V, V+;
V+ = 5.5V; V- = 0V
TA = +25°C
-1.0
1.0
TA = TMIN to TMAX
-10
10
IGND Supply Current
µA
µA
µA
DYNAMIC
Transition Time
tTRANS
Break-Before-Make
Interval
tBBM
Figure 1, VNO = 3V
Figure 3 (Note 3)
Enable Turn-On Time
(Note 3)
tON(EN)
Figure 2
Enable Turn-Off Time
(Note 3)
tOFF(EN)
Figure 3
Set-Up Time, Channel
Select to Latch Enable
tS
Figure 7
Hold Time, Latch Enable
to Channel Select
tH
Figure 7
tMPW
Figure 7
Pulse Width, Latch
Enable
Charge Injection
(Note 3)
Q
Figure 7, CL = 1nF, VNO = 0V
TA = +25°C
90
TA = TMIN to TMAX
TA = +25°C
10
TA = +25°C
20
250
100
TA = TMIN to TMAX
40
TA = TMIN to TMAX
200
100
125
TA = +25°C
50
TA = TMIN to TMAX
60
TA = +25°C
0
TA = TMIN to TMAX
0
TA = +25°C
60
TA = TMIN to TMAX
70
ns
ns
250
TA = +25°C
TA = +25°C
200
250
ns
ns
ns
ns
ns
1.5
5
pC
_______________________________________________________________________________________
5
MAX4530/MAX4531/MAX4532
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Single +5V Supply (continued)
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
ELECTRICAL CHARACTERISTICS—Single +3V Supply
(V+ = +2.7V to 3.6V, V- = 0V, GND = 0V, VADD_H = VEN_H = V LE = 2.4V, VADD_L = VEN_L = 0.5V, TA = TMIN to TMAX, unless
otherwise noted.)
MIN
TYP
MAX
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
UNITS
(Note 2)
SWITCH
Analog Signal Range
VANALOG
(Note 3)
0
TA = +25°C
V+
220
500
V
RON
INO = 1mA, VCOM = 1.5V,
V+ = 2.7V
Transition Time (Note 3)
tTRANS
Figure 1, VIN = 2.4V,
VNO1 = 1.5V, VNO8 = 0V
TA = +25°C
150
350
ns
Enable Turn-On Time
(Note 3)
tON(EN)
Figure 3, VINH = 2.4V,
VINL = 0V, VNO1 = 1.5V
TA = +25°C
150
350
ns
Enable Turn-Off Time
(Note 3)
tOFF(EN)
Figure 3, VINH = 2.4V,
VINL = 0V, VNO1 = 1.5V
TA = +25°C
60
150
ns
On-Resistance
TA = TMIN to TMAX
600
Ω
DYNAMIC
Set-Up Time, Channel
Select to Latch Enable)
tS
Note 3
TA = +25°C
100
ns
Hold Time, Latch Enable to
Channel Select
tH
Note 3
TA = +25°C
0
ns
Pulse Width, Latch Enable
tMPW
Note 3
TA = +25°C
120
ns
Note 2: The algebraic convention, where the most negative value is a minimum and the most positive value a maximum, is used in
this data sheet.
Note 3: Guaranteed by design.
Note 4: ∆RON = RON(max) - RON(min).
Note 5: Flatness is defined as the difference between the maximum and minimum value of on-resistance as measured over the
specified analog signal ranges, i.e., VNO = 3V to 0V and 0V to -3V.
Note 6: Leakage parameters are 100% tested at maximum rated hot operating temperature, and guaranteed by correlation at
TA = +25°C.
Note 7: Worst-case isolation is on channel 4 because of its proximity to the COM pin. Off isolation = 20log VCOM / VNO,
VCOM = output, VNO = input to off switch.
Note 8: Leakage testing at single supply is guaranteed by correlation testing with dual supplies.
6
_______________________________________________________________________________________
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
(TA = +25°C, unless otherwise noted.)
ON-RESISTANCE vs. VCOM
AND TEMPERATURE
(DUAL SUPPLIES)
V± = ±2.4V
100
V- = 0V
V+ = 2.4V
200
50
V± = ±5V
40
30
V± = ±6V
80
TA = +125°C
70
TA = +85°C
60
TA = +25°C
V+ = 3V
RON (Ω)
V± = ±3V
60
RON (Ω)
150
V+ = 5V
100
V+ = 10V
50
20
50
TA = -55°C
40
10
V+ = 12V
0
2
4
6
0
1
2
VCOM (V)
ON-RESISTANCE vs. VCOM
AND TEMPERATURE
(SINGLE SUPPLY)
OFF-LEAKAGE vs.
TEMPERATURE
V+ = 5V
V- = 0V
160
-5 -4 -3 -2 -1
VCOM (V)
1000
TA = +125°C
3
4
2
0
5
4
6
10
8
12
14
16
VCOM (V)
CHARGE INJECTION vs. VCOM
5
MAX4530/1/2-05
180
0
30
-2
-4
MAX4530/1/2-04
-6
V+ = 5.5V
V- = -5.5V
MAX4530/1/2-06
0
TA = +85°C
120
TA = +25°C
100
80
TA = -55°C
Qj (pC)
OFF-LEAKAGE (pA)
100
140
10
0
V+ = 5V
V- = 0V
V+ = 5V
V- = -5V
1
60
40
-5
0.1
3
4
5
-50
-25
VCOM (V)
0
25 50
75
TEMPERATURE (°C)
100
1
2
3
4
5
FREQUENCY RESPONSE
MAX4530/1/2-08
0
MAX4530/1/2-07
V+ = 5V
V- = -5V
VEN = VA = 0V, 5V
-10
-30
I-
180
140
INSERTION LOSS
-20
I+
1
0
VCOM (V)
SUPPLY CURRENT vs.
TEMPERATURE
10
-5 -4 -3 -2 -1
125
100
OFF ISOLATION
60
ON PHASE
20
-40
-50
-20
-60
-60
-70
-100
PHASE (DEGREES)
2
1
I+, I- (nA)
0
LOSS (dB)
RON (Ω)
250
90
70
RON (Ω)
V+ = 5V
V- = -5V
MAX4530/1/2-03
90
80
110
MAX4530/1/2-01
100
ON-RESISTANCE vs. VCOM
(SINGLE SUPPLY)
MAX4530/1/2-02
ON-RESISTANCE vs. VCOM
(DUAL SUPPLIES)
-140
-80
50Ω IN/OUT
-180
-90
0.1
-50
-25
0
25 50
75
TEMPERATURE (°C)
100
125
0.1
1
10
100
1000
FREQUENCY (MHz)
_______________________________________________________________________________________
7
MAX4530/MAX4531/MAX4532
標準動作特性 ______________________________________________________________________
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
端子説明 __________________________________________________________________________
端 子
名称
機 能
MAX4530
MAX4531
MAX4532
17, 1, 19, 2,
18, 6, 16, 5
—
—
NO0–NO7
—
1, 2, 6, 5
—
NO0B–NO3B
—
—
1
NOB
アナログスイッチBノーマリオープン入力
—
—
2
NCB
アナログスイッチBノーマリクローズ入力
3, 14
3, 14
3, 14
N.C.
内部接続されていません
4
—
—
COM
アナログスイッチコモン
—
4
19
COMB
—
—
4
NOA
—
17
5
COMA
—
—
6
NCA
アナログスイッチAノーマリクローズ入力
7
7
7
EN1
イネーブルロジック入力 #1（真理値表を参照）
8
8
8
EN2
イネーブルロジック入力 #2（真理値表を参照）
9
9
9
V-
負アナログ電源電圧入力。単一電源動作の場合
は、GNDに接続してください。
10
10
10
GND
負ディジタル電源電圧入力。ディジタルグランド
に接続してください（アナログ信号にはグランド
がありません）。
11
11
11
LE
アドレスラッチロジック入力（真理値表を参照）
12
12
12
ADDA
アドレスAロジック入力（真理値表を参照）
13
13
13
ADDB
アドレスBロジック入力（真理値表を参照）
15
—
15
ADDC
アドレスCロジック入力（真理値表を参照）
—
16, 19, 18, 15
—
NO0A–NO3A
—
—
16
NCC
アナログスイッチCノーマリクローズ入力
—
—
17
NOC
アナログスイッチCノーマリオープン入力
—
—
18
COMC
20
20
20
V+
アナログスイッチ入力0∼7
アナログスイッチB入力0∼3
アナログスイッチBコモン
アナログスイッチAノーマリオープン入力
アナログスイッチAコモン
アナログスイッチA入力0∼3
アナログスイッチCコモン
正アナログ及びディジタル電源入力
NO_、NC_及びCOM_ピンは同一で入替可能です。どちらも入力及び出力にすることが可能です。信号は、双方向とも良く通すこと
ができます。
8
_______________________________________________________________________________________
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
電源に関する考慮
概要
MAX4530/MAX4531/MAX4532は、CMOSアナログ
スイッチの標準的な構造になっています。V+、V-及び
GNDの3つの電源端子を備えています。V+及びV-は内部
CMOSスイッチを駆動し、個々のスイッチのアナログ
電圧範囲を制限しています。各アナログ信号ピンとV+
及びV-の間には、逆ESD保護ダイオードが内部接続さ
れています。任意のアナログ信号がV+又はV-を超える
と、これらのダイオード内の1つに電流が流れます。
通常動作中は、これら（及びその他）の逆バイアスESD
ダイオードのリークのみV+又はV-から消費される電流
となります。
事実上、全てのアナログリーク電流はESDダイオード
を通して生じます。1つの信号ピンに接続されている
2個のESDダイオードは互いに同一であるため、かなり
バランスがとれていますが、逆バイアスが異なってい
ます。それぞれ、V+又はV-とアナログ信号によって
バイアスされています。つまり、信号が異なるとリーク
電流も異なります。2個のダイオードのV+ピンとV-ピン
へのリーク電流の差が、アナログ信号経路リーク電流
となります。アナログリーク電流は全て各ピンと電源
端子の1つの間で流れ、他のスイッチ端子には流れま
せん。このため、1つのスイッチの両側のリーク電流の
極性は、同一又は反対になります。
アナログ信号経路とGNDの間は、接続されていません。
V+とGNDは内部ロジック及びロジックレベルトランス
レータを駆動し、入出力のロジック制限を設定します。
ロジックレベルトランスレータは、アナログスイッチ
のゲートを駆動するために、ロジックレベルをV+及び
V-にスイッチングされた信号に変換します。ロジック
電源及び信号とアナログ電源は、この駆動信号によっ
てのみ接続されます。V+及びV-とGNDの間には、ESD
保護ダイオードが接続されています。
V+が+5Vの場合のロジックレベルスレッショルドは、
CMOS及びTTLコンパチブルです。V+を上げるとスレッ
ショルドも僅かに上昇します。V+が+12Vに達すると、
スレッショルドは約3.1Vとなります。これはTTLで
保証されるハイレベル最低電圧の2.8Vよりは多少高く
なりますが、CMOS出力とはコンパチブルです。
バイポーラ電源
MAX4530/MAX4531/MAX4532は、±2.0V∼±6V
のバイポーラ電源で動作します。V+及びV-の電源は対
称的である必要はありませんが、合計電圧が最大定格
の+13Vを超えてはなりません。
単一電源
MAX4530/MAX4531/MAX4532は、V-をGNDに接
続すると、+2V∼+12Vの単一電源で動作します。バイ
ポーラの場合と同じ注意事項を守ってください。室温
では、+1.7V付近、あるいはそれ以下の単一電源でも
作動します。ただし、電源電圧が低下すると、スイッチ
オン抵抗及びスイッチング時間が著しく増加します。
高周波性能
50Ωシステムでは、信号周波数応答は50MHzまではか
なり平坦です（「標準動作特性」を参照）。20MHz以上で
はオン応答にいくつかの小さなピークが生じますが、
これらはレイアウトに大きく依存します。問題はスイッチ
をターンオンする場合でなく、ターンオフする場合に
生じます。オフ状態のスイッチはコンデンサのような
動作を示し、高周波はあまり減衰せずに通過します。
10MHzでは、オフアイソレーションが50Ωシステムで
約-65dBですが、周波数が増加するにつれて悪化しま
す（10倍毎に20dB）。回路のインピーダンスが高くな
ると、オフアイソレーションはさらに悪化します。隣
接チャネルの減衰は裸のICソケットより約3dB上で、
これは全て容量性カップリングに起因します。
_______________________________________________________________________________________
9
MAX4530/MAX4531/MAX4532
アプリケーション情報 ___________________
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
テスト回路/タイミング図____________________________________________________________
V+
VADD_
50Ω
LE
V+
V+
ADDC
NO0
ADDB
NO1–NO6
NO7
ADDA
+3V
50%
VADD_
0V
-3V
COM
VNO0
VOUT
90%
MAX4530
V+
300Ω
EN2
EN1
35pF
VOUT
0V
90%
V-
GND
VNO7
V-
tTRANS
tTRANS
V+
VADD_
LE
V+
V+
NO0
ADDA
50Ω
MAX4531
0V
-3V
COM
EN1
GND
VNO0
VOUT
300Ω
EN2
50%
VADD_
NO1_, NO2_
ADDB
NO3_
V+
+3V
35pF
90%
VOUT
0V
90%
VVNO3
V-
tTRANS
tTRANS
V+
VADD_
LE
V+
V+
NO_
ADD_
+3V
50%
VADD_
0V
50Ω
NC_
MAX4532
V+
COM
GND
VNC_
VOUT
300Ω
EN2
EN1
-3V
35pF
90%
VOUT
0V
90%
VVNO_
V-
tTRANS
図1. アドレス遷移時間
10
______________________________________________________________________________________
tTRANS
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
V+
V+
V+
LE
ADDC
NO0
ADDB
NO1–NO7
+3V
50%
VEN1
0V
ADDA
MAX4530
VEN1
COM
300Ω
EN1
V+
50Ω
EN2
GND
VNO0
VOUT
35pF
90%
VOUT
90%
V0V
V-
tON
tOFF
V+
LE
+3V
NO0_
MAX4531
0V
COM_
V+
300Ω
EN2
GND
VNO0
VOUT
EN1
50Ω
50%
VEN1
NO1_, N02_, NO3_
ADDB
VEN1
V+
V+
ADDA
35pF
90%
VOUT
90%
V0V
V-
tON
tOFF
V+
LE
V+
V+
NO_
ADD_
NC_
MAX4532
VEN1
EN2
COM_
VNC_
VOUT
300Ω
GND
0V
+3V
EN1
V+
50%
VEN1
35pF
90%
VOUT
90%
V-
50Ω
0V
V-
tON
tOFF
V- = 0V FOR SINGLE-SUPPLY OPERATION.
REPEAT TEST FOR EACH SECTION.
REPEAT TEST FOR EN2, WITH PULSE INVERTED
AND EN1 CONNECTED TO GND.
図2. イネーブルスイッチング時間
______________________________________________________________________________________
11
MAX4530/MAX4531/MAX4532
テスト回路/タイミング図(続き) ______________________________________________________
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
テスト回路/タイミング図(続き) ______________________________________________________
V+
VADD_
LE
V+
ADDC
50Ω
NO0–NO7
ADDB
+3V
ADDA
COM
MAX4530
V+
VOUT
300Ω
EN2
EN1
35pF
V-
GND
VV+
VADD_
LE
VADD_
ADDA
50Ω
NO0_–NO3_
ADDB
t F < 20ns
t R < 20ns
V+
V+
MAX4531
COM_
50%
0V
+3V
VNO_
VOUT
90%
VOUT
V+
300Ω
EN2
EN1
GND
35pF
V0V
V-
tBBM
V+
VADD_
LE
V+
NO_, NC_
ADD_
+3V
50Ω
MAX4532
V+
COM
300Ω
EN2
EN1
VOUT
GND
35pF
VV-
V- = 0V FOR SINGLE-SUPPLY OPERATION.
REPEAT TEST FOR EACH SECTION.
図3. ブレーク・ビフォ・メーク間隔
12
______________________________________________________________________________________
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
V+
LE
V+
V+
NO_
ADDC
CHANNEL
SELECT
VEN1
VNO = 0V
0V
ADDB
EN1
MAX4530
MAX4531
MAX4532
EN2
GND
ADDA
VEN1
V+
50Ω
VOUT
COM
C L = 1000pF
∆VOUT
VOUT
V∆VOUT IS THE MEASURED VOLTAGE DUE TO CHARGE-TRANSFER
ERROR Q WHEN THE CHANNEL TURNS OFF.
VV- = 0V FOR SINGLE-SUPPLY OPERATION.
REPEAT TEST FOR EACH SECTION.
Q = ∆VOUT x CL
図4. チャージインジェクション
V+
LE
V+
ADDC
NETWORK
ANALYZER
VIN
NO_
50Ω
CHANNEL
SELECT
OFF ISOLATION = 20log
VOUT
VIN
ON LOSS = 20log
VOUT
VIN
CROSSTALK = 20log
VOUT
VIN
50Ω
ADDB
ADDA
V+
EN2
EN1
MAX4530
MAX4531
MAX4532
MEASUREMENT
VOUT
50Ω
V-
GND
10nF
REF
COM_
50Ω
V-
MEASUREMENTS ARE STANDARDIZED AGAINST SHORT AT SOCKET TERMINALS.
OFF ISOLATION IS MEASURED BETWEEN COM_ AND OFF NO_ TERMINAL ON EACH SWITCH.
ON LOSS IS MEASURED BETWEEN COM_ AND ON TERMINAL ON EACH SWITCH.
CROSSTALK (MAX4531/MAX4532 IS MEASURED FROM ONE CHANNEL (A, B, C) TO ALL OTHER CHANNELS.
SIGNAL DIRECTION THROUGH SWITCH IS REVERSED; WORST VALUES ARE RECORDED.
図5. オフアイソレーション、オン損失及びクロストーク
V+
LE
V+
ADDC
CHANNEL
SELECT
ADDB
ADDA
V+
EN2
EN1
MAX4530
MAX4531
MAX4532
GND
NO_
NO_
COM
1MHz
CAPACITANCE
ANALYZER
VV-
図6. NO/COM容量
______________________________________________________________________________________
13
MAX4530/MAX4531/MAX4532
テスト回路/タイミング図(続き) ______________________________________________________
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
テスト回路/タイミング図(続き) ______________________________________________________
V+
EN2
VADD_
V+
ADDC
+3V
NO1–NO7
ADDB
50Ω
NO0
ADDA
MAX4530
VLE
LE
COM
VOUT
50Ω
EN1
GND
300Ω
V-
35pF
V-
V+
t MPW
3V
EN2
VADD_
VLE
V+
ADDA
tH
ADDB
50Ω
VADD_
MAX4531
LE
COM_
GND
300Ω
V-
50%
0V
VOUT
50Ω
EN1
tH
tS
3V
NO0_
VLE
50%
0V
+3V
NO1_, NO2_, NO3_
t ON, t OFF
3V
35pF
VOUT
V0V
V+
EN2
VADD_
V+
ADD_
NO_
50Ω
NC_
VLE
LE
MAX4532
+3V
COM_
50Ω
EN1
GND
V-
VOUT
300Ω
35pF
V-
V- = 0V FOR SINGLE-SUPPLY OPERATION.
REPEAT TEST FOR EACH SECTION.
図7. セットアップ及びホールド時間、最小LE幅
14
______________________________________________________________________________________
90%
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
ADDRESS BITS
ON SWITCHES
LE
EN2
EN1
ADDC*
ADDB
ADDA
0
1
0
X
X
X
Last address
Last address
Last address
X
0
X
X
X
X
All switches open
All switches open
All switches open
X
X
1
X
X
X
All switches open
All switches open
All switches open
1
1
0
0
0
0
COM–NO0
COMA–NO0A,
COMB–NO0B
COMA–NCA,
COMB–NCB,
COMC–NCC
1
1
0
0
0
1
COM–NO1
COMA–NO1A,
COMB–NO1B
COMA–NOA,
COMB–NCB,
COMC–NCC
1
1
0
0
1
0
COM–NO2
COMA–NO2A,
COMB–NO2B
COMA–NCA,
COMB–NOB,
COMC–NCC
1
1
0
0
1
1
COM–NO3
COMA–NO3A,
COMB–NO3B
COMA–NOA,
COMB–NOB,
COMC–NCC
1
1
0
1
0
0
COM–NO4
COMA–NO0A,
COMB–NO0B
COMA–NCA,
COMB–NCB,
COMC–NOC
1
1
0
1
0
1
COM–NO5
COMA–NO1A,
COMB–NO1B
COMA–NOA,
COMB–NCB,
COMC–NOC
1
1
0
1
1
0
COM–NO6
COMA–NO2A,
COMB–NO2B
1
1
0
1
1
1
COM–NO7
COMA–NO3A,
COMB–NO3B
MAX4530
MAX4531
MAX4532
COMA–NCA,
COMB–NOB,
COMC–NOC
COMA–NOA,
COMB–NOB,
COMC–NOC
X = 任意 *MAX4531にはADDCがありません。
注記：NO_、NC_及びCOM_ピンは同一で入替可能です。どちらも入力及び出力にできます。信号は双方向とも良く通すことができ
ます。LEは、EN1及びEN2から独立しています。
______________________________________________________________________________________
15
MAX4530/MAX4531/MAX4532
真理値表/スイッチプログラミング____________________________________________________
MAX4530/MAX4531/MAX4532
低電圧CMOSアナログマルチプレクサ/スイッチ
イネーブル入力及びアドレスラッチ付
型番(続き) _________________________________________________________________________
PART
TEMP. RANGE
PIN-PACKAGE
MAX4530EPP
-40°C to +85°C
20 Plastic DIP
MAX4532CPP
PART
TEMP. RANGE
0°C to +70°C
PIN-PACKAGE
20 Plastic DIP
MAX4530EWP
-40°C to +85°C
20 SO
MAX4532CWP
0°C to +70°C
20 SO
MAX4530EAP
-40°C to +85°C
20 SSOP
MAX4532CAP
0°C to +70°C
20 SSOP
MAX4531CPP
0°C to +70°C
20 Plastic DIP
MAX4532C/D
0°C to +70°C
Dice*
MAX4531CWP
0°C to +70°C
20 SO
MAX4532EPP
-40°C to +85°C
20 Plastic DIP
MAX4531CAP
0°C to +70°C
20 SSOP
MAX4532EWP
-40°C to +85°C
20 SO
MAX4531C/D
0°C to +70°C
Dice*
MAX4532EAP
-40°C to +85°C
20 SSOP
MAX4531EPP
-40°C to +85°C
20 Plastic DIP
MAX4531EWP
-40°C to +85°C
20 SO
MAX4531EAP
-40°C to +85°C
20 SSOP
* Contact factory for availability.
チップ構造図 ______________________________________________________________________
MAX4530/MAX4532
MAX4531
V+
NO3 (NCB)
NO1 (NOB)
V+
NO2B
NO2 (COMB)
NO2A
NO0B
NO4 (COMC)
COM
(NOA)
NO1A
COMB
N.C.
COMA
NO7
(COMA)
NO0 (NOC)
NO5
(NCA)
NO6 (NCC)
NO3B
0.081"
(2.06mm)
NO0A
NO1B
NO3A
ADDC
EN1
ADDB
EN2
0.081"
(2.06mm)
ADDB
EN1
N.C.
EN2
V- GND LE ADDA
V- GND LE ADDA
0.053"
(1.35mm)
0.053"
(1.35mm)
( ) ARE FOR MAX4532
TRANSISTOR COUNT: 255
SUBSTRATE CONNECTED TO V+
〒169 東京都新宿区西早稲田3-30-16（ホリゾン1ビル）
TEL. (03)3232-6141
FAX. (03)3232-6149
マキシム社では全体がマキシム社製品で実現されている回路以外の回路の使用については責任を持ちません。回路特許ライセンスは明言されていません。
マキシム社は随時予告なしに回路及び仕様を変更する権利を保留します。
16 __________________Maxim Integrated Products, 120 San Gabriel Drive, Sunnyvale, CA 94086 (408) 737-7600
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