NJW4152ABT1

NJW4152-AB-T1
1A MOSFET 内蔵 降圧用 スイッチングレギュレータ IC
■概 要
NJW4152-AB は、40V, 1A のパワーMOSFET を内蔵した降圧用
スイッチングレギュレータ IC です。広動作電圧での高速発振、出
力セラミックコンデンサに対応し、最小限の外付け部品でアプリケ
ーションの小型化を実現します。
またソフトスタート機能による安定した回路起動が可能であり、
過電流・過熱保護機能で異常時の回路保護を行います。
■外 形
NJW4152GM1-AB-T1
NJW4152-AB は、3.6V∼40V の広範囲の電源電圧に対応し、動
作温度が+125℃まで拡大された T1 仕様をラインアップしていま
す。そのため、カーアクセサリ、OA 機器、産業機器などの高電圧
からロジック電圧の生成に最適です。
■特 徴
●最大定格電圧
45V
●広動作電圧範囲
3.6V to 40V (AB バージョン)
●スイッチング電流
1.4A min. (AB バージョン)
●動作温度範囲
-40℃ to +125℃
●PWM 制御方式
●広発振周波数
300kHz∼1MHz
●ソフトスタート機能
4ms typ.
●低電圧誤動作防止回路内蔵
●過電流・過熱保護機能
●スタンバイ機能
●外形
NJW4152GM1 : HSOP8
■製品分類
状況
製品名
バージョン 出力電流
スイッチング
電流制限 動作電圧範囲
(MIN.)
パッケージ
量産中 NJW4152GM1-A
A
1.0A
1.4A
4.6 to 40V
HSOP8
量産中 NJW4152GM1-A-T
A
1.0A
1.4A
4.6 to 40V
HSOP8
量産中 NJW4152GM1-A-T1
A
1.0A
1.4A
4.6 to 40V
HSOP8
量産中 NJW4152GM1-AB
AB
1.0A
1.4A
3.6 to 40V
HSOP8
量産中 NJW4152GM1-AB-T1
AB
1.0A
1.4A
3.6 to 40V
HSOP8
B
600mA
0.8A
4.6 to 40V
VSP8
BA
600mA
0.8A
4.4 to 40V
VSP8
量産中 NJW4152R-B
開発中 NJW4152R-BA-Z
動作温度範囲
一般仕様
-40 to +85C
T 仕様
-40 to +105C
T1 仕様
-40 to +125C
一般仕様
-40 to +85C
T1 仕様
-40 to+125C
一般仕様
-40 to +85C
Z 仕様
-40 to +125C
本データーシートは、
「NJW4152GM1-AB-T1」に適用されます。
他のバージョンについては、それぞれのデーターシートを参照してください。
Ver.J00
-1-
NJW4152-AB-T1
■端子配列
1
8
2
7
3
6
4
5
ピン配置
1. PV+
2. V+
3. ON/OFF
4. RT
5. IN6. FB
7. GND
8. SW
Exposed PAD on
backside connect to GND
NJW4152GM1-AB
■ブロック図
V
+
+
PV
Regulator
OCP
UVLO
ON/OFF
High: ON
Low : OFF
(Standby)
Pulse by Pulse
Standby
ON/OFF
Low Frequency
Control
480k
FB
PWM
OSC
ERAMP
Buffer
IN-
SW
Vref
Soft Start
TSD
0.8V
RT
-2-
GND
Ver.J00
NJW4152-AB-T1
■絶対最大定格 (Ta=25C)
項
目
入力電圧
（V+端子, PV+端子）
PV+−SW 端子間電圧
IN-端子電圧
ON/OFF 端子電圧
記 号
定
V+
PD
接合部温度範囲
動作温度範囲
保存温度範囲
Tj
Topr
Tstg
単 位
+45
VPV–SW
VINVON/OFF
消費電力
格
V
+45
-0.3 to+6
+45
HSOP8
V
V
V
790 (*1)
2,500 (*2)
-40 to +150
-40 to +125
-40 to +150
mW
C
C
C
(*1): 基板実装時 76.2mm×114.3mm×1.6mm(2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による
(*2): 基板実装時 76.2mm×114.3mm×1.6mm(4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による（４層基板内箔：74.2×74.2mm）
■推奨動作条件
項
電源電圧
出力電流 (*3)
タイミング抵抗
発振周波数
目
記 号
+
V
IOUT
RT
fOSC
最 小
標 準
最 大
単 位
3.6
−
18
300
−
−
27
700
40
1.0
68
1,000
V
A
k
kHz
(*3): 定常動作時
Ver.J00
-3-
NJW4152-AB-T1
■電気的特性 (V+=VON/OFF=12V, RT=27k, Ta=25C)
項
目
記 号
条
件
最小
標準
最大
単位
3.2
3.2
3.1
3.1
60
60
3.4
–
3.3
–
100
–
3.6
3.6
3.5
3.5
–
–
2
2
4
–
8
8
ms
Ta= -40C to +125C
630
630
700
–
770
770
kHz
VIN-=0.4V, VFB=0.55V
–
270
–
kHz
Ta= -40C to +125C
V+=4.6V to 40V
0.24
0.24
–
0.275
–
1
0.31
0.31
–
-1.0%
-2.0%
-0.1
-0.1
–
–
8
0.8
–
–
–
80
0.6
16
+1.0%
+2.0%
0.1
0.1
–
–
24
8
–
24
1
2
4
0.5
–
4.5
100
100
–
–
–
–
低電圧誤動作防止回路部
ON スレッシホールド電圧
VT_ON
OFF スレッシホールド電圧
VT_OFF
ヒステリシス幅
VHYS
V+= L → H
V+= L → H, Ta= -40C to +125C
V+= H → L
V+= H → L, Ta= -40C to +125C
Ta= -40C to +125C
V
V
mV
ソフトスタート部
ソフトスタート時間
TSS
VB=0.75V
VB=0.75V, Ta= -40C to +125C
発振器部
発振周波数
発振周波数
（低発振周波数コントロール時）
fOSC
fOSC_LOW
RT端子電圧
VRT
周波数電源電圧変動
fDV
V
%
誤差増幅器部
基準電圧
VB
入力バイアス電流
IB
開ループ利得
利得帯域幅積
AV
GB
出力ソース電流
IOM+
出力シンク電流
IOM-
Ta= -40C to +125C
Ta= -40C to +125C
VFB=1V, VIN-=0.7V
VFB=1V, VIN-=0.7V,
Ta= -40C to +125C
VFB=1V, VIN-=0.9V
VFB=1V, VIN-=0.9V,
Ta= -40C to +125C
V
A
dB
MHz
A
mA
PWM 比較器部
最大デューティーサイクル
-4-
MAXDUTY
VIN-=0.7V
VIN-=0.7V, Ta= -40C to +125C
%
Ver.J00
NJW4152-AB-T1
■電気的特性 (V+=VON/OFF=12V, RT=27k, Ta=25C)
項
目
出力部
出力 ON 抵抗
スイッチング電流制限
SW リーク電流
記 号
RON
ILIM
ILEAK
条
件
ISW=1A
VON/OFF=0V, V+=45V, VSW=0V
VON/OFF=0V, V+=45V, VSW=0V,
Ta= -40C to +125C
最小
標準
最大
単位
–
1.4
–
0.3
1.7
–
0.5
2.0
1

A
–
–
2
1.6
–
V+
1.6
–
V+
0
–
0.5
0
–
0.5
–
480
–
–
2.5
2.8
–
–
3.5
–
–
–
–
1
1
A
ON/OFF 制御部
ON 制御電圧
VON
OFF 制御電圧
VOFF
プルダウン抵抗
VON/OFF= L → H
VON/OFF= L → H,
Ta= -40C to +125C
VON/OFF= H → L
VON/OFF= H → L,
Ta= -40C to +125C
RPD
V
V
k
総合特性
消費電流
スタンバイ時消費電流
Ver.J00
IDD
IDD_STB
RL=無負荷, VIN-=0.7V, VFB=0.55V
RL=無負荷, VIN-=0.7V, VFB=0.55V,
Ta= -40C to +125C
VON/OFF=0V
VON/OFF=0V, Ta= -40C to +125C
mA
A
-5-
NJW4152-AB-T1
■アプリケーション回路例
CIN2
V IN
CIN1
ON/OFF
High: ON
Low: OFF
(Standby)
4
RT
3
2
ON/OFF V
RT
+
1
PV +
NJW4152
IN-
FB
GND
SW
5
6
7
8
L
SBD
RNF
CNF
COUT
V OUT
CFB
R2
RFB
R1
-6-
Ver.J00
NJW4152-AB-T1
■特性例
Timing Resistor vs. Oscillation Frequency
+
(V =12V, Ta=25°C)
Oscillation Frequency vs. Supply Voltage
(RT=27k, Ta=25°C)
1000
Oscillation Frequnecny fOSC (kHz)
Oscillation Frequnecny fOSC (kHz)
770
100
730
710
690
670
650
630
10
Timing Resistor RT (k)
100
0
10
20
30
Supply Voltage V+ (V)
Reference Voltage vs. Supply Voltage
(AB ver., Ta=25°C)
Output ON Resistance vs. Supply Voltage
(AB ver., Ta=25°C)
0.81
0.805
0.8
0.795
0.79
0.38
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.26
0.24
0.22
0.20
10
20
30
Supply Voltage V+ (V)
40
0
60
3
45
Voltage Gain Av (dB)
Quiescent Current IDD (mA)
4
1
0
180
135
Phase
Gain
30
90
15
45
0
0
10
20
30
Supply Voltage V+ (V)
40
40
Error Amplifier Block
Voltage Gain, Phase vs. Frequency
+
(V =12V, Gain=40dB, Ta=25°C)
Quiescent Current vs. Supply Voltage
(RT=27k, RL=no load, VIN-=0.7V, Ta=25°C)
2
10
20
30
+
Supply Voltage V (V)
10
100
1k
10k
100k
Frequency f (Hz)
1M
0
10M
-7-
Phase Φ (deg)
0
Ver.J00
40
0.40
Output ON Resistance RON ()
Reference Voltage VB (V)
750
NJW4152-AB-T1
■特性例
740
0.808
0.806
Reference Voltage VB (V)
Oscillation Frequency fosc (kHz)
Reference Voltage vs. Temperature
+
(V =12V)
Oscillation Frequency vs Temperature
(V+=12V, RT=27k)
720
700
680
0.804
0.802
0.800
0.798
0.796
0.794
660
0.792
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
-50
Limited Switching Current vs. Temperature
(AB ver.)
Output ON Resistance vs. Temperature
(AB ver., ISW=1A)
0.6
2.4
2.2
+
V =40V
V+=12V
2
1.8
1.6
+
V =3.6V
1.4
1.2
Output ON Resistance RON ()
Limited Switching Current I LIM (A)
2.6
+
V =3.6V
+
V =4V
V+=6V
0.5
0.4
0.3
V+=12V, 40V
0.2
0.1
1
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
-50
8
3.5
VT_ON
3.4
3.3
VT_OFF
3.2
3.1
Soft Start Time Tss (ms)
Threshold Voltage (V)
3.6
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
Soft Start Time vs. Temperature
+
(V =12V, VB=0.75V)
Under Voltage Lockout Voltage
vs. Temperature (AB ver.)
7
6
5
4
3
2
-50
-8-
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
Ver.J00
NJW4152-AB-T1
■特性例
Quiescent Current vs. Temperature
(RT=27k, RL=no load, VIN-=0.7V)
Standby Current vs. Temperature
(VON/FF=0V)
1
3.5
+
V =40V
3
2.5
+
V =12V
2
1.5
V+=3.6V
1
0.5
0
0.8
0.6
0.4
V+=40V
0.2
+
V =12V
0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
Switching Leak Current vs. Temperature
+
(V =45V, VON/OFF=0V, VSW=0V)
5
Switching Leak Current I LEAK (μA)
Standby Current IDD_STB (μA)
Quiescent Current IDD (mA)
4
4
3
2
1
0
-50
Ver.J00
-25
0
25
50
75 100 125 150
Ambient Temperature Ta (°C)
-9-
NJW4152-AB-T1
NJW4152-AB
Application Manual
技 術 資 料
■端子説明
端子番号
1
端子名称
PV+
2
V+
3
ON/OFF
4
RT
5
IN-
6
FB
7
8
GND
SW
Exposed
PAD
–
機能
パワーライン系の電源供給端子です。
IC の制御回路への電源供給端子です。電源供給のインピーダンスを下げるため、
IC の近傍にバイパスコンデンサを接続してください。
NJW4152 の動作・停止を制御する端子です。
内部は 480kでプルダウンされています。
High レベルで動作、Low レベルまたはオープンでスタンバイモードとなります。
タイミング抵抗を接続して、発振周波数を決める端子です。
発振周波数は、300k∼1MHz の間で設定してください。
出力電圧を検出する端子です。
IN-端子電圧が基準電圧 0.8V typ.となるように出力電圧を抵抗分割して入力しま
す。
フィードバック設定端子です。
FB 端子−IN-端子間にフィードバック抵抗・コンデンサを接続します。
接地
パワーMOSFET のスイッチ出力端子です。
GND 端子に接続されています。
■各ブロックの機能説明
１．スイッチングレギュレータ基本機能
●エラーアンプ部 (ERAMP)
エラーアンプ部の非反転入力は、0.8V±1%の高精度基準電圧が接続されています。
アンプの反転入力(IN-端子)にコンバータの出力を入力することで、出力電圧 0.8V からのアプリケーション設計を容
易にできます。出力電圧を 0.8V 以上にする場合は、出力電圧を抵抗分割することで設定します。
電源電圧が 4V*以下の動作条件では、基準電圧が低下するため「基準電圧対電源電圧」特性例を確認してください。
アンプ部は高利得のゲインを持ち、フィードバック(FB 端子)が外部に出ております。FB 端子−IN-端子間にフィード
バック抵抗・コンデンサを設けることが容易なため、各種アプリケーションにおける最適なループ補償を設定できま
す。
（* 参考値）
●発振回路部 (OSC)
RT 端子-GND 間に抵抗を接続することで発振周波数を設定します。
「発振周波数対タイミング抵抗」特性例を参考に
300kHz∼1MHz の間で設定してください。
- 10 -
Ver.J00
NJW4152-AB-T1
NJW4152-AB Application
Manual
技 術 資 料
■各ブロックの機能説明（続き）
●PWM 比較器部 (PWM)
エラーアンプと三角波の信号を受け、スイッチングのデューティー比をコントロールします。
PWM 比較器部でエラーアンプと三角波の信号を受け、スイッチングのデューティー比 0∼100%までコントロールし
ます。タイミングチャートを図１に示します。
FB pin Voltage
OSC
Waveform
(IC internal)
Maximum duty: 100%
ON
SW pin
OFF
図１ PWM 比較器部と SW 端子のタイミングチャート
●パワーMOSFET
内蔵されたパワーMOSFET のスイッチ動作によって、インダクタへ電力を供給します。過電流保護機能によって、
パワーMOSFET に流せる電流は、ILIM に制限され、AB バージョンで 1.4A min.です。降圧回路では、パワーMOSFET
の OFF 時にインダクタ電流が外付けの回生ダイオードに流れて、順方向バイアス電圧を発生します。SW 端子は、
PV+−SW 端子間電圧で 45V まで許容されますが、ショットキーダイオードの順方向飽和電圧が十分に低いものを使
用してください。
電源電圧が低下すると ON 抵抗が上昇します。このとき出力電流が大きいと MOSFET における電圧ドロップが大き
くなりますので、アプリケーションの入出力間電位差に注意してください。
●電源、GND 端子 (V+, PV+, GND)
スイッチング動作に伴い、周波数に応じた電流が IC に流れます。電源ラインのインピーダンスが高いと電源供給が不
安定になり、IC の性能を十分に引き出せません。PV+, V+端子−GND 端子間の近傍にバイパスコンデンサを挿入し、
高周波インピーダンスを下げてください。
Ver.J00
- 11 -
NJW4152-AB-T1
NJW4152-AB
Application Manual
技 術 資 料
２．保護機能、付加機能
●低電圧誤動作防止(UVLO)回路
電源電圧が低い場合、UVLO 回路によって動作を停止し、電源電圧 3.4V typ.以上で UVLO 回路が解除されて IC の動
作が開始します。電源電圧の立ち上がりと立ち下がりに 100mV typ.のヒステリシス電圧幅を持たせています。これに
より、UVLO の解除と動作のばたつきを防止し、NJW4152 を安定して動作させます。
●ソフトスタート機能
ソフトスタート機能によって、コンバータの出力電圧は設定値まで緩やかに電圧を上昇します。ソフトスタート時間
は 4ms typ.であり、エラーアンプの基準電圧が 0∼0.75V になるまでの時間で定義されます。
（図２）ソフトスタート
回路は、UVLO 解除、サーマルシャットダウンからの復帰後に動作します。IN-端子が約 0.4V になるまで、低発振周
波数にコントロールされ、タイミング抵抗によって設定された発振周波数の約 40%で動作します。
0.8V
Vref,
IN- pin Voltage
FB pin Voltage
OSC Waveform
ON
SW pin
OFF
UVLO(3.4V typ.) の解除、
スタンバイ、
サーマルシャットダウン
からの復帰
低発振周波数動作
VIN- =約0.4V
Soft Start時間 Tss=4ms typ.
VB=0.75Vまで
通常動作
Soft Start効果時間 VB=0.8Vまで
図２ ソフトスタートのタイミングチャート
- 12 -
Ver.J00
NJW4152-AB-T1
NJW4152-AB Application
Manual
技 術 資 料
■各ブロックの機能説明（続き）
●過電流保護機能 (OCP)
内蔵のパワーMOSFET に ILIM 以上の電流が流れると、過電流保護機能によってパワーMOSFET を OFF にし、次の三
角波周期でスイッチング動作を復帰します。パルス毎に過電流保護を行うため、過電流の異常状態から回復にとも
ない、スイッチングレギュレータの出力電圧を自動的に復帰させることができます。
過電流検出動作時のタイミングチャートを図３に示します。
また IN-端子電圧が 0.4V 以下になると、低発振周波数にコントロールされ、発振周波数を設定値の約 40%で動作しエ
ネルギーの消費を抑えます。
FB pin Voltage
OSC
Waveform
ON
SW pin
OFF
Sw itching
Current
ILIM
0
定常状態
過電流保護
動作状態
定常状態
図３ 過電流保護動作時のタイミングチャート
●サーマルシャットダウン機能 (TSD)
サーマルシャットダウン機能は、NJW4152 のチップ温度が 175℃*を超えると SW 動作を停止します。
チップ温度を 145℃*以下になると、ソフトスタートによる SW 動作が開始されます。
なおサーマルシャットダウン機能は、高温時における IC の熱暴走を防止するための予備回路であり、不適切な熱設
計を補うためでは有りません。IC のジャンクション温度（∼+150C）範囲内で動作させるように、十分な余裕を満
たすことをお奨めします。
（* 参考値）
●ON/OFF 機能
ON/OFF 端子を 0.5V max.以下にすることで NJW4152 の機能を停止させスタンバイ状態にします。
内部は 480kでプルダウンされており、端子オープン時はスタンバイモードに移行します。
スタンバイ機能を使用しない場合は、ON/OFF 端子を V+に接続してください。
Ver.J00
- 13 -
NJW4152-AB-T1
NJW4152-AB
Application Manual
技 術 資 料
■アプリケーション情報
●インダクタ
電流値
ピーク電流 Ipk
インダクタには大電流が流れるため、飽和しない電
インダクタ
流能力を持たせる必要があります。
①連続モード
L 値を小さくするとインダクタのサイズも小さくな 電流 ΔIL
ります。しかし、ピーク電流が大きくなり効率が悪
②臨界モード
化します。
③断続モード
反面、L 値が大きくなると、スイッチング時のピー
0
ク電流は低下します。よって変換効率の改善、出力
tON
tOFF
リップル電圧の低下につながります。あるレベル以
周波数 f OSC
上では、インダクタンスの巻数増加により、抵抗成
分による損失（銅損）が大きくなります。
図４ インダクタ電流の状態偏移
理想的には、インダクタンス電流が連続モードになる様にＬ値を設定します。しかし負荷電流が小さくなる程、①連
続モード → ②臨界モード → ③断続モードと電流波形が変化（図４）していきます。
断続モードにおいては、出力電流に対するピーク電流が大きくなり、変換効率が低下しやすくなります。場合によっ
ては L 値を大きくし、連続モードの維持できる負荷電流領域を広げます。
最大出力電流を得るアプリケーションの場合は、インダクタ・リップル電流を 20%以下にしてください。スイッチン
グ電流制限最小値における、過電流保護動作になるのを防止します。
●キャッチ・ダイオード
パワーMOSFET が OFF サイクルの時は、インダクタに蓄えられた電力がキャッチ・ダイオードを経由して出力コン
デンサに流れます。そのためダイオードにはサイクル毎に、負荷電流に応じた電流が流れます。ダイオードの順方向
飽和電圧と電流の積が電力損失となるため、順方向飽和電圧の低い SBD (Schottky Barrier Diode)が最適です。
また SBD は、逆回復時間が短い特徴を併せて持っています。逆回復時間が長くなると、スイッチングトランジスタ
が OFF から ON サイクルに移行した時、貫通電流が流れてしまいます。この電流によって効率の低下、ノイズの発
生等に影響を及ぼす可能性が有ります。
●入力コンデンサ
スイッチングレギュレータの入力部には、周波数に応じた過渡的な電流が流れます。電源回路に供給される電源イン
ピーダンスが大きいと入力電圧の変動につながり、NJW4152 の性能を十分に引き出せません。よって入力コンデン
サは、できる限り IC の近くに挿入してください。
●出力コンデンサ
出力コンデンサは、インダクタンスからの電力を蓄え、出力への供給電圧を安定させる役割をします。
出力コンデンサの選定には、ESR(等価直列抵抗：Equivalent Series Resistance)の特性、リップル電流、耐圧を考慮
に入れる必要が有ります。
特にリップル電流、耐圧は、入力コンデンサ同様、コンデンサの定格以下で使用しなければいけません。
また周囲温度によっては、コンデンサの容量低下、ESR の増加（低温時）
、寿命（高温時）へ影響を与えます。出力
コンデンサの定格には、十分なディレーティングを持たせるのが望ましい使い方です。
出力コンデンサのESR 特性は、
出力リップルノイズへ大きな影響を与えます。
低 ESR タイプのコンデンサであれば、
更にリップル電圧を下げることが出来ます。
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■アプリケーション情報（続き）
●基板レイアウト
スイッチングレギュレータは、インダクタの充放電によって出力へ電力供給を行います。発振周波数に応じて電流が
流れるため、基板のレイアウトは重要な項目です。大電流の流れるラインは太く、短くし、ループ面積を最小限にし
てください。図５に降圧回路における電流ループを示します。
特にスイッチングにおける高速な電流変化を伴う CIN−SW−SBD 間は、最優先でループを構成します。
寄生インダクタによって発生するスパイクノイズを低減するのに効果的です。
NJW4152
内蔵 SW
V IN
CIN
NJW4152
内蔵 SW
L
SBD
COUT
V IN
CIN
(a) 降圧回路 SW ON 状態
L
SBD
COUT
(b) 降圧回路 SW OFF 状態
図５ 降圧回路における電流ループ
GND ラインは、パワー系と信号系を分離した上で１点アースをとるのが望ましい接続です。
また電圧検出のフィードバックラインは、できるだけインダクタンスから離します。本ラインはインピーダンスが高
いため、インダクタンスからの漏れ磁束でノイズの影響を避けるように配線します。
図６に降圧回路での配線例、図７にレイアウト例を示します。
L
PV +
V IN
V+
CIN
V OUT
SW
SBD
COUT
RL（負荷）
(バイパス用)
NJW4152
RFB
RT
RT
CFB
INR2
GND
R1
負荷近傍で電圧を検出し、
電圧降下が負荷へ影響を与え
ないように配慮する。
ICのインピーダンスが高いため、
信号系の GNDを
パワー系と分離する。 電圧検出抵抗 R1,R2はできるだけ
ICの近くに配置する。
図６ 降圧回路での配線例
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■アプリケーション情報（続き）
GND IN
GND OUT
Power GND Area
C IN1
SBD
COUT
L
VIN
CIN2
ON/OFF
To
Signal GND
VOUT
RFB C FB
RT
RNF
R1
C NF
R2
Signal GND Area
Feed back signal
裏面にてパワー系 GND と信号系 GND を接続
図７ レイアウト例（上面パターン）
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■パッケージパワーの計算
降圧回路の損失の多くは、スイッチ動作を行う NJW4152 のパワーMOSFET によって発生します。そのため下記式を
目安に NJW4152 の損失として考えます。
入力電力
：PIN = VIN  IIN [W]
出力電力
：POUT = VOUT  IOUT [W]
ダイオードの損失
：PDIODE = VF  IL(avg)  OFF duty [W]
NJW4152 の消費電力 ：PLOSS = PIN  POUT  PDIODE [W]
ただし、
VIN
VOUT
VF
OFF duty
：コンバータの入力電圧
：コンバータの出力電圧
：ダイオードの順方向飽和電圧
：OFF デューティー
IIN
IOUT
IL(avg)
：コンバータの入力電流
：コンバータの出力電流
：インダクタ平均電流
変換効率  は、下記式によって求められます。
 = (POUT  PIN)  100 [%]
求めた消費電力 PD に対して温度ディレーティングを考慮します。
消費電力対周囲温度特性例（図８）を参考に、定格内に収まるか確認してください。
HSOP8 Package
Power Dissipation vs. Ambient Temperature
o
(Tj= ~150 C)
Power Dissipation P
D
(mW)
3000
At on 4 layer PC Board
At on 2 layer PC Board
2500
2000
1500
T1仕様
1000
500
0
0
25
50
75
100
125
o
Ambient Temperature Ta ( C)
150
基板実装時 76.2mm×114.3mm×1.6mm(2 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による
基板実装時 76.2mm×114.3mm×1.6mm(4 層 FR-4)で EIA/JEDEC 準拠による
（４層基板内箔：74.2×74.2mm）
図８ 消費電力対周囲温度特性例
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■アプリケーション設計例
●降圧アプリケーション仕様
IC
：NJW4152GM1-A
入力電圧
：VIN=12V
出力電圧
：VOUT=5V
出力電流
：IOUT=1A
発振周波数
：fosc=700kHz
出力リップル電圧
：Vripple(P-P)=20mV 以下
CIN2
0.1F/50V
CIN1
10F/50V
V IN=12V
ONOFF
High: ON
Low: OFF
(Standby)
RT
27k
4
RT
3
2
ON/OFF V +
1
PV +
NJW4152GM1
C1
open
IN-
FB
GND
SW
5
6
7
8
L 22H/2.5A
SBD
RNF
3.3k
CNF
4,700pF
COUT
4.7F/6.3V
CFB
220pF
RFB
0
V OUT =5V
R2
27k
R1
5.1k
記号
IC
数量
1
L
1
CDRH8D28HPNP-220N
D
CIN1
CIN2
COUT
CNF
CFB
C1
R1
R2, RT
RNF
RFB
1
1
1
1
1
1
0
1
2
1
1
CMS11
UMK325BJ106MM
0.1F
JMK212ABJ475KG
4,700pF
220pF
 (Optional)
5.1k
27k
3.3k
0 (Short)
- 18 -
部品番号
NJW4152GM1
概要
1A MOSFET 内蔵 SW.REG. IC
Inductor 22H
2.5A(Ta=20C) / 1.9A (Ta=100C)
Schottky Diode 40V, 2A
Ceramic Capacitor 3225 10F, 50V, X5R
Ceramic Capacitor 1608 0.1F, 50V, B
Ceramic Capacitor 2012 4.7F, 6.3V, X5R
Ceramic Capacitor 1608 4,700pF, 50V, B
Ceramic Capacitor 1608 220pF, 50V, CH
Optional
Resistor 1608 5.1k, 1%, 0.1W
Resistor 1608 27k, 1%, 0.1W
Resistor 1608 3.3k, 5%, 0.1W
Resistor 1608 0, 0.1W
メーカー
New JRC
Sumida
Toshiba
Taiyo Yuden
Std.
Taiyo Yuden
Std.
Std.

Std.
Std.
Std.
Std.
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■アプリケーション設計例（続き）
●発振周波数の設定
「発振周波数対タイミング抵抗特性例」より、
fosc=700kHz のとき、RT=27 [k], t=1.43[s]となります。
降圧回路のデューティー比は、
V
 VF
5  0.4
Duty  OUT
 100 
 100  45 %
V IN
12
より、tON=0.64 [s], tOFF=0.79 [s]で動作します。
ピーク電流 Ipk
インダクタ電流
ΔIL
出力電流 IOUT
0
周期 t
周波数 fOSC=1/t
tON
tOFF
図９ インダクタ電流波形
●インダクタの決定
最大出力電流 1A を想定するため、スイッチング電流制限最小値 ILIM=1.4A(min)にかからないように、インダクタ・リ
ップル電流を設定します。本アプリケーションでは、インダクタ・リップル電流を、出力電流の 20%として設計しま
す。
リップル電流をΔIL とすると、
ΔIL = 0.2  IOUT = 0.2 1 = 0.2 [A]
インダクタンス L を求めます。
L
V IN  V DS  RON  VOUT
12  0.5  5
 t ON 
 0.64   20.8  22 [ H ]
I L
0 .2
但し、VDS-RON：MOSFET の ON 抵抗による電圧低下分
インダクタンス L は、理論上の値であり、アプリケーションの仕様、部品等によって最適な値は異なりますので、最
終的には実機で微調整を行います。
定常動作時のピーク電流 Ipk を求めます。
Ipk  I OUT 
I L
0 .2
 1
 1.1 [ A]
2
2
インダクタンスに流せる電流は、スイッチング時のピーク電流に対して十分な余裕を持たせます。
アプリケーション回路では、22H, 2.5A(Ta=20C) / 1.9A (Ta=100C)を使用します。
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■アプリケーション設計例（続き）
●入力コンデンサの決定
入力コンデンサは、電源の入力に当たる部分であり、電源のインピーダンスを十分に下げる必要があります。コンデ
ンサの選定には、容量よりも入力リップル電流とコンデンサ耐圧に重点をおいて決定します。
入力実効電流は、下記計算式で表せます。
I RMS  I OUT 
VOUT  V IN  VOUT 
V IN
[ A]
上記計算式は、VIN=2×VOUT 時が最大になり、その時の結果は、IRMS=IOUT(MAX)÷2 です。
入力コンデンサの選定は、アプリケーションで評価の上、十分なマージンを持った物をご使用ください。
●出力コンデンサの決定
出力コンデンサは、出力のリップルノイズを決める重要な部品です。
出力コンデンサは、ESR、リップル電流、コンデンサ耐圧に重点をおいて決定します。
出力リップル電圧は、下記計算式で表せます。
ESR 
Vripple( p  p )
I L
また出力容量の選定には、十分なリップル電流を許容できる物を選びます。
コンデンサに流れるリップル電流の実効値(Irms)は、
I rms 
I L
2 3

0 .2
 58 [ mArms ]
2 3
となります。
ここでは十分なマージンをふまえて、上記スペックを満たせるコンデンサを使用します。アプリケーション回路では、
セラミックコンデンサ COUT=4.7F/6.3V を使用します。
●出力電圧の設定
出力電圧 VOUT は、R1,R2 の抵抗比で決まります。R1,R2 に流れる電流は、Error AMP に流れるバイアス電流を無視
できるような値とします。
 R2 
 27k

VOUT  
 1  V B  
 1  0.8  5.04 [V ]
 R1 
 5.1k 
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ポールとゼロの特性を図１０に示します。
ポール：ゲインは-20dB/dec の傾きをもち、位相は-90°シフトします。
ゼロ：ゲインは+20dB/dec の傾きをもち、位相は+90°シフトします。
Gain
-20dB/dec
Phase
0
-45
-90
fP/10
fP
10fP
Frequency
ポール
+20dB/dec
Zero
Gain
●フィードバックと安定性
フィードバックループは、ループゲインが 0dB となる点において、開ルー
プの位相シフトを-180°未満にする事が基本です。さらに負荷変動時のリ
ンギングや発振耐性を考えると、位相余裕を確保したループ特性が重要で
す。NJW4152 ではフィードバック回路が任意に設計できるため、ループ
補償に重要なポールとゼロの配置を最適化する事が可能です。
Pole
+90
Phase
■補償の設計例
スイッチングレギュレータは、安定した出力を得るためにフィードバック
回路を必要とします。インダクタンスや出力コンデンサ等によって、アプ
リケーションの周波数特性が変化するので、安定動作に必要な位相を確保
しつつ、最大の帯域が得られる補償定数が理想的です。
これらの補償定数は、実機調整も大きな役割を果たします。最終的にはア
プリケーション仕様を考慮して、測定しながら定数を選定してください。
+45
0
ポールとなる要因の数を n とすれば、ゲイン・位相の変化も n 倍になりま
す。ゼロにおいても同様です。ポールとゼロは相反の関係にあるため、そ
れぞれの要因が１つずつあれば、打ち消し合うことになります。
fZ/10
fZ
10fZ
Frequency
ゼロ
図１０ ポールとゼロの特性
●補償回路の構成
PV
VIN
+
LC Gain
Buffer
SW
L
VOUT
RESR
CFB
R2
COUT
CFB
ERAMP
RFB
Vref
=0.8V
PWM
IN-
FB
R1
CNF
RNF
C1(option)
図１１ 補償回路の構成
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●インダクタンスと出力コンデンサによるポールとゼロ
インダクタンスと出力コンデンサによってダブルポール fP(LC)を発生させます。同時に出力コンデンサと ESR によっ
てシングルゼロ fZ(ESR)が生成されます。それぞれのポールとゼロは、次の式によって表すことができます。
f Z(ESR ) 
1
2C OUTR ESR
fP(LC) 
1
2 LC OUT
出力コンデンサの ESR が大きい場合、fZ(ESR)が fP(LC)の近傍に位置します。この様なアプリケーションでは、ゼロ fZ(ESR)
がダブルポール fP(LC)を補償する形となり安定性を確保しやすい傾向があります。
しかし出力コンデンサのESR が小さい場合、
fZ(ESR)は高域に移行しfP(LC)によって位相が-180°シフトしてしまいます。
NJW4152 の補償回路では、fZ1 と fZ2 のゼロを用いて補償することが可能です。
●エラーアンプによるポールとゼロ
エラーアンプで形成されるシングルポール・ゼロは
次の式によって求められます。
ゼロ
f Z1 
1
2CNFRNF
fZ 2 
1
2CFBR2
ポール
1
fP1 
 R1 R2 
2C NF A V 

 R1  R2 
（Av：アンプの開ループ利得=80dB）
fP 2 
1
R1 R2 

2C FB  R FB 

R1  R2 

1
fP 3 
2C1 R NF
（Option）
fZ1、fZ2 は、fP(LC)の両側に配置します。
インダクタンス、出力コンデンサのばらつきがあるため、
fP(LC)×0.5 倍∼0.9 倍
fP(LC)×1.1 倍∼2.0 倍
を目安にそれぞれを設定します。
Gain (dB)
Double
pole
LC Gain
-40dB/dec
Loop
Gain
-20dB/dec
0dB 周波数
※ゼロによる
ゲインの上昇
Compensation
Gain
fP1
fZ1 or fZ2
fP(LC)
fP2 fP3 fZ(ESR)
図１２ ループゲイン例
fZ1、fZ2 を fP(LC)よりも低い位置に配置する方法もあります。位相のシフト量が増してゲインも高くなる傾向を持つこと
から、応答性の向上が期待できます。しかし高周波での位相余裕が不足しやすい傾向があるので注意が必要です。
fP1 はエラーアンプのミラー効果によって、
低周波領域にポールを作ります。
fP1 が低くなるほど安定性は向上しますが、
周波数特性が伸びず、応答性に影響を与えます。fP1 は、fP(LC) の周波数利得=20dB を目安に設定します。
エラーアンプの開ループ利得=80dB とすると、fP1 < fP(LC)÷103 (=60dB) を目安に設計します。
数 100kHz 以上では様々なポールが生じるため、ループゲインの 0dB 周波数は発振周波数の 1/5∼1/10 を上限に設定
します。高周波領域にある fZ(ESR) が影響して、ループゲインを発生させる場合があります（図１２ Loop Gain ※参
照）
。fP2、fP3 を用いて高周波領域でのループゲインを十分に下げるよう、実機で調整を行ってください。
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■アプリケーション特性例 :NJW4152GM1-A
●VOUT=5V 設定時 (R1=5.1k, R2=27k, CFB=220pF, RFB=0)
Efficiency vs. Output Current
Output Voltage vs. Output Current
o
V =6V
IN
V =12V
IN
V =18V
IN
V =24V
IN
f=700kHz
L=22H
5.15
(V)
f=700kHz
L=22H
1
(Ta=25 C)
5.2
OUT
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Output Voltage V
Efficiency  (%)
o
(VOUT=5.0V, Ta=25 C)
5.1
5.05
5
VIN=6V,12V, 18V, 24V
4.95
4.9
4.85
4.8
10
100
1000
Output Current IOUT (mA)
1
10
100
1000
Output Current IOUT (mA)
●VOUT=3.3V 設定時 (R1=5.1k, R2=16k, CFB=220pF, RFB=0)
Efficiency vs. Output Current
Output Voltage vs. Output Current
o
(VOUT=3.3V, Ta=25 C)
(V)
f=700kHz
L=22H
V =5V
IN
V =12V
IN
V =18V
IN
V =24V
IN
1
(Ta=25 C)
3.36
3.32
3.3
VIN=5V,12V, 18V, 24V
3.28
3.26
3.24
10
100
1000
Output Current IOUT (mA)
f=700kHz
L=22H
3.34
OUT
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
Output Voltage V
Efficiency  (%)
o
1
10
100
1000
Output Current IOUT (mA)
●VOUT=1.5V 設定時 (R1=30k, R2=27k, CFB=220pF, RFB=10k)
Efficiency vs. Output Current
Output Voltage vs. Output Current
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o
(VOUT=1.5V, Ta=25 C)
(V)
f=700kHz
L=22H
V =5V
IN
V =12V
IN
V =18V
IN
V =24V
IN
1
(Ta=25 C)
1.56
OUT
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
100
1000
Output Current IOUT (mA)
Output Voltage V
Efficiency  (%)
o
f=700kHz
L=22H
1.54
1.52
1.5
VIN=5V,12V, 18V, 24V
1.48
1.46
1.44
1
10
100
1000
Output Current IOUT (mA)
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＜注意事項＞
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
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