No. 三洋半導体ニューズ 2SJ458 高速ダイオ−ド内蔵 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings／Ta=25℃ ドレイン・ソース耐圧 ゲート・ソース耐圧 ドレイン電流（DC） ドレイン電流（パルス） 許容損失 チャネル温度 保存周囲温度 unit VDSS VGSS ID IDp PD (Tc＝25℃) Tch Tstg −450 ±30 −2 −8 60 150 −55∼＋150 電気的特性 Electrical Characteristics／Ta=25℃ ドレイン・ソース降伏電圧 ドレイン・ソースしゃ断電流 ゲート・ソースもれ電流 カットオフ電圧 順伝達アドミタンス 飽和抵抗 入力容量 出力容量 帰還容量 ターンオン遅延時間 立ち上がり時間 ターンオフ遅延時間 下降時間 ダイオード順電圧 ダイオード逆回復時間 V(BR)DSS IDSS IGSS VGS(off) │yfs│ RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf VSD trr min typ max −450 ID＝−10mA , VGS＝0 VDS＝−360V , VGS＝0 VGS＝±30V , VDS＝0 −2.0 VDS＝ −10V , ID＝−1mA 0.6 VDS＝ −10V , ID＝−1A ID＝−1A , VGS＝−10V VDS＝−20V , f＝1MHz VDS＝−20V , f＝1MHz VDS＝−20V , f＝1MHz 下図指定測定回路において 〃 〃 〃 IS＝−2A , VGS＝0 IS＝−2A , di / dt＝100A/μs スイッチングタイム測定回路 VIN −1.5 155 4.5 D 10.2 1.3 8.8 VOUT G 1.2 2SJ458 0.8 2 1 50Ω 3 2.7 P.G 120 5.5 SMP−FD(unit：mm) ID＝−1A RL＝200Ω PW＝10uS D.C≦1% 1.2 4.0 700 110 40 25 28 160 55 V mA nA V S Ω pF pF pF ns ns ns ns V ns 3.0 0V −10V −1.0 ±100 −3.0 unit 外形図 VDD＝−200V VIN V V A A W ℃ ℃ 1.2 特長 暫定規格 PチャネルMOS形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 S 2.55 2.55 0.4 1：Gate 2：Drain 3：Source ※これらの仕様は、改良などのため変更することがあります。 〒370-05 群馬県大泉町坂田一丁目1番1号 三洋電機株式会社 半導体事業本部 950328TM2fXHD