SANYO 3LP02C

注文コード No. N 6 3 8 5
3LP02C
No. N 6 3 8 5
O0599
新
3LP02C
特長
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
unit
− 30
± 10
V
V
− 0.2
− 0.8
A
A
PD
Tch
0.25
150
W
℃
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0
ドレイン・ソースしゃ断電流 IDSS
VDS= − 30V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
IGSS
VGS= ± 8V, VDS=0
min
− 30
typ
− 0.4
0.21
max
unit
V
− 10
± 10
µA
µA
− 1.4
V
S
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS= − 10V, ID= − 100µA
VDS= − 10V, ID= − 100mA
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID= − 100mA, VGS= − 4V
ID= − 50mA, VGS= − 2.5V
2.4
3.5
3.1
4.9
Ω
Ω
RDS(on)3
Ciss
10
28
Ω
pF
出力容量
帰還容量
Coss
Crss
ID= − 10mA, VGS= − 1.5V
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
20
入力容量
0.3
15
5.2
pF
pF
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0.4
0.8
1.1
1 0.95 0.95 2
1.9
2.9
0.16
0∼0.1
0.5
1.5
2.5
3
0.5
外形図 2091A
(unit : mm)
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CP
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
O0599 TS IM ◎祝田 TA-2007 No.6385-1/4
3LP02C
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min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(on)
tr
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 10V, ID= − 200mA
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
Qgd
VSD
IS= − 200mA, VGS=0
typ
指定回路において
〃
〃
〃
max
unit
24
75
ns
ns
200
150
ns
ns
2
0.25
nC
nC
0.35
− 0.82
− 1.2
nC
V
単体品名表示：XD
スイッチングタイム測定回路図
0V
--4V
VDD=--15V
VIN
ID=--100mA
RL=150Ω
VIN
PW=10µs
D.C.≦1%
VOUT
D
G
3LP02C
50Ω
S
V
GS =
--0.25
C
25°
--0.20
--0.10
--0.08
--0.15
--0.06
--0.10
--1.5V
--0.04
--0.05
--0.02
0
0
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5 --0.6 --0.7
--0.8
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--0.9
--1.0
RDS(on) -- VGS
8
Ta=25°C
7
6
5
100mA
ID=50mA
4
3
2
1
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
0
--0.5
--9
--10
IT00239
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
IT00237
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
--25°
--0.30
75°C
--0.12
Ta=
--6.0
ドレイン電流, ID -- A
--0.14
VDS=--10V
C
V
.5
-2
-3
.
--0.35
V
--2.0
V
--0.16
ID -- VGS
--0.40
--4.
0V
--0.18
5V
-3
.0V
ID -- VDS
--0.20
ドレイン電流, ID -- A
P.G
--3.5
IT00238
RDS(on) -- ID
10
VGS=--4V
7
5
Ta=75°C
3
25°C
2
1.0
--0.01
--25°C
2
3
5
7
--0.1
2
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7 --1.0
IT00240
No.6385-2/4
VGS=--2.5V
7
5
Ta=75°C
25°C
--25°C
3
2
1.0
--0.01
2
3
5
7
2
--0.1
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7
--1.0
5
3
2
Ta=75°C
10
--25°C
7
5
C
25°
3
2
1.0
--0.001
2
3
5
7 --0.01
2
3
5
yfs -- ID
1.0
5
順伝達アドミタンス, yfs -- S
6
V
2.5
S=
, VG
0mA
4
5
I D=
A,
100m
3
V
=4.0
VGS
I D=
2
1
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
VGS=0
7
5
3
C
--25
°C
Ta
25°
=7
5°C
2
7
5
3
2
--0.01
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
ダイオード順電圧, VSD -- V
75°C
0.1
C
25°
7
5
3
2
2
5
7 --0.1
2
ドレイン電流, ID -- A
3
5
3
td(off)
tf
2
100
tr
7
5
3
td(on)
2
2
3
10
7
Crss
3
2
5
7
2
--0.1
3
IT00246
VGS -- Qg
VDS=--10V
ID=--200mA
--9
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
Coss
7 --1.0
IT00244
VDD=--15V
VGS=--4V
ドレイン電流, ID -- A
f=1MHz
2
5
7
--10
Ciss
3
SW Time -- ID
10
--0.01
--1.0
5
5
2
IT00245
7
3
Ta=
1000
Ciss, Coss, Crss -- VDS
100
C
--25°
3
IT00243
IF -- VSD
--0.1
5
0.01
--0.01
160
7 --0.1
IT00242
VDS=--10V
7
--1.0
順電流, IF -- A
VGS=--1.5V
7
ドレイン電流, ID -- A
RDS(on) -- Ta
7
RDS(on) -- ID
100
IT00241
周囲温度, Ta -- °C
Ciss, Coss, Crss -- pF
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
RDS(on) -- ID
10
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
3LP02C
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
1.0
0
--5
--10
--15
--20
--25
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
--30
IT00247
0
0.5
1.0
1.5
総ゲート電荷量, Qg -- nC
2.0
IT00248
No.6385-3/4
3LP02C
PD -- Ta
0.30
許容損失, PD -- W
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT00770
取り扱い上の注意：本製品は、高速スイッチング用 MOSFET ですから、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
PS No.6385-4/4