TLP555 東芝フォトカプラ GaAℓAs 赤外 LED +フォト IC TLP555 ○ 絶縁したバスドライバ ○ 高速ラインレシーバ ○ マイクロプロセッサシステムのインタフェース ○ MOS FET のゲートドライブ ○ トランジスタインバータ 単位: mm TLP555 は、GaAℓAs 赤外発光ダイオードと、高利得・高速の集積回路受 光チップを組み合わせた 8PIN DIP のフォトカプラです。 受光側はシュミット回路と 3 ステート出力回路を持っており、 吸い込み (シ ンク)、はき出し (ソース) の両方向ドライブができます。また、受光 IC には シールドをほどこし、1000 V /μs の高い瞬時コモンモード除去を与えていま す。 TLP555 は、バッファロジックタイプです。インバータロジックタイプが 必要な場合には TLP558 があります。 l 電源電圧 : IF = 1.6 mA (最大) : VCC = 4.5～20 V l スイッチングスピード : tpHL、tpLH = 400 ns (最大) l 入力しきい値電流 JEDEC EIAJ 東芝 質量: 0.54 g l 瞬時コモンモード除去電圧 : ±1000V /μs (最小) : −25～85℃ 保証 l 動作温度 l 絶縁耐圧 : 2500 Vrms (最小) l UL 認定品 : UL1577、ファイル No. E67349 真理値表 (正ロジック 正ロジック) 正ロジック ― ― 11−10C4 ピン接続図 入力 イネーブル 出力 H H Z L H Z H L H L L L 1 2001-04-06 TLP555 内部回路図 注: 8 ピンと 5 ピンの間に、バイパス用のコンデンサ 0.1μ μF をつける必要があります。 最大定格 (Ta = 25℃ ℃) 項目 発 光 側 記号 定格 単位 IF 10 mA IFPT 1 A 圧 VR 5 V 流 IO 40 / −25 mA ピ ー ク 出 力 電 流 (注 2) IOP 80 / −50 mA 出 力 電 圧 VO −0.5～20 V 電 源 電 圧 VCC −0.5～20 V 3 ステートイネーブル電圧 VE −0.5～20 V 失 (注 3) PO 100 mW 失 (注 4) PT 200 mW 直 流 順 電 流 過 渡 パ ル ス 順 電 流 (注 1) 直 流 出 受 光 側 出 全 逆 電 力 力 許 許 電 容 容 損 損 動 作 温 度 Topr −40～85 ℃ 保 存 温 度 Tstg −55～125 ℃ は ん だ 付 け 温 度 (10 秒 ) ** Tsol 260 ℃ 絶 縁 耐 圧 (AC1 分間、R.H.≦60%、Ta = 25℃) (注 5) BVS 2500 Vrms 注 注 注 注 注 **: 1: 2: 3: 4: 5: パルス幅≦1μs、300 pps。 パルス幅≦5μs、デューティ比≦0.025。 周囲温度 70℃以上で 1.8 mW /℃で減少。 周囲温度 70℃以上で 3.6 mW /℃で減少。 ピン 1、2、3、4 とピン 5、6、7、8 をそれぞれ一括し、電圧を印加する。 リード根元より 2 mm 以上。 2 2001-04-06 TLP555 推奨動作条件 項目 記号 最小 標準 最大 単位 入 力 ハ イ レ ベ ル 電 流 、 O N IF (ON) 2* ― 5 mA 入 力 ロ ー レ ベ ル 電 圧 、 O F F VF (OFF) 0 ― 0.8 V 圧 VCC 4.5 ― 20 V ハ イ レ ベ ル イ ネ ー ブ ル 電 圧 VEH 2.0 ― 20 V ロ ー レ ベ ル イ ネ ー ブ ル 電 圧 VEL 0 ― 0.8 V N ― ― 4 ― Topr −25 ― 85 ℃ 電 フ 動 *: 源 ァ ン ア 作 電 ウ ト (TTL 負荷) 温 度 2 mA は 20%の IFH 劣化を考慮した場合の値、入力しきい値は初期値で 1.6 mA 以下。 3 2001-04-06 TLP555 電気的特性 (特に指定のない場合、 特に指定のない場合、Ta ～85℃、 ℃、V ～20 V) 特に指定のない場合、 = −25～ ℃、 CC = 4.5～ 項目 入 入 力 力 順 入 入 順 電 力 力 記号 圧 電 温 度 逆 端 係 電 子 間 容 最小 標準(*) 最大 単位 IF = 5 mA, Ta = 25℃ ― 1.55 1.7 V IF = 5 mA ― −2.0 ― mV /℃ ― ― 10 μA pF 圧 VF 数 ΔVF /ΔTa 流 IR VR = 5 V, Ta = 25℃ 量 CT VF = 0, f = 1 MHz, Ta = 25℃ ― 45 ― VO = 5.5 V ― ― IOHH IF = 5 mA, VCC = 4.5 V VE = GND 100 VO = 20 V ― 2 500 (V O > V C C ) 出 力 リ ー ク 電 流 測定条件 μA ロ ー レ ベ ル 出 力 電 圧 VOL IOL = 6.4 mA, VF = 0.8 V VE = 0.8 V ― 0.4 0.5 V ハ イ レ ベ ル 出 力 電 圧 VOH IOH = −2.6 mA, IF = 1.6 mA VE = 0.8 V 2.4 3.3 ― V VE = 0.4 V ― −0.13 −0.32 mA VE = 2.7 V ― ― 20 VE = 5.5 V ― ― 100 VE = 20 V ― 0.01 250 ロ ー レ ベ ル イ ネ ー ブ ル 電 流 ハ イ レ ベ ル イ ネ ー ブ ル 電 流 IEL IEH μA ロ ー レ ベ ル イ ネ ー ブ ル 電 圧 VEL ― ― ― 0.8 V ハ イ レ ベ ル イ ネ ー ブ ル 電 圧 VEH ― 2.0 ― ― V ロ ICCL VF = 0 V, VE = GND VCC = 5.5 V ― 5 6.0 VCC = 20 V ― 5.6 7.5 ICCH IF = 5 mA VE = GND VCC = 5.5 V ― 2.5 4.5 VCC = 20 V ― 2.8 6.0 IOZL IF = 5 mA, VE = 2 V VO = 0.4 V ― 1 −20 VO = 2.4 V ― ― 20 IOZH VF = 0 V, VE = 2 V VO = 5.5 V ― ― 100 VO = 20 V ― 0.01 500 VO = VCC = 5.5 V 25 55 ― VO = VCC = 20 V 40 80 ― −10 −25 ― −25 −60 ― ハ ー イ レ レ ベ ベ ル ル 供 供 給 給 電 電 流 流 ハ イ イ ン ピ ー ダ ン ス 出 力 電 流 mA mA μA ローレベルショート回路出力電流 (注 6) IOSL VF = 0 V VE = 0.8 V ハイレベルショート回路出力電流 (注 6) IOSH IF = 5mA, VO = GND VCC = 5.5 V VE = 0.8V VCC = 20 V “ 出 力 L → 出 力 H ” 入 力 電 流 IFH VE = 0.8 V, IO = −2.6 mA VO > 2.4 V ― 0.4 1.6 mA “ 出 力 H → 出 力 L ” 入 力 電 圧 VFL VE = 0.8 V, IO = 6.4 mA, VO < 0.4 V 0.8 ― ― V 入 力 電 流 ヒ ス テ リ シ ス IHYS VCC = 5 V, VE = GND ― 0.05 ― mA ― Ω ― pF 絶 入 *: 縁 出 抵 力 間 容 抗 RS VS = 500 V, R.H.≦60% Ta = 25℃ 量 CS VS = 0, f = 1 MHz, Ta = 25℃ (注 5) 10 (注 5) 5×10 ― 14 10 1.0 mA mA 標準値は、Ta = 25℃、VCC = 5 V、IF (ON) = 3 mA の値。 4 2001-04-06 TLP555 スイッチング特性 (特に指定のない場合、 特に指定のない場合、Ta ℃、V ～20 V) 特に指定のない場合、 = 25℃、 ℃、 CC = 4.5～ 項目 記号 伝 達 遅 延 時 間 (L→ H) (注 7) tpLH 伝 達 遅 延 時 間 (H→ L) (注 7) tpHL 立 ち 上 が り 時 間 ( 1 0 − 90 % ) tr 測定 回路 図1 測定条件 最小 標準(*) 最大 単位 IF = 0→3 mA ― 235 400 ns IF = 3→0 mA ― 250 400 ns IF = 0→3 mA, VCC = 5 V ― 35 75 ns IF = 3→0 mA, VCC = 5 V ― 20 75 ns VE = 3→0 V ― ― ― ns VE = 3→0 V ― ― ― ns VE = 0→3 V ― ― ― ns ― ― ― ns 立 ち 下 が り 時 間 ( 9 0 − 10 % ) tf イ ネ ー ブ ル 伝 達 遅 延 時 間 tpZH イ ネ ー ブ ル 伝 達 遅 延 時 間 tpZL ディスエイブル伝達遅延時間 tpHZ ディスエイブル伝達遅延時間 tpLZ VE = 0→3 V ハ イ レ ベ ル 瞬 時 コ モ ン モ ー ド 除 去 電 圧 (注 8) CMH IF = 1.6 mA, VCM = 50 V VO (min) = 2 V −1000 ― ― V /μs ロ ー レ ベ ル 瞬 時 コ モ ン モ ー ド 除 去 電 圧 (注 8) CML IF = 0 mA, VCM = 50 V VO (max) = 0.8 V 1000 ― ― V /μs 図2 図3 *: 標準値は Ta = 25℃、VCC = 5 V の値 注 6: 出力ショート回路は、10 ms 以上にしないでください。 注 7: 伝達遅延時間 tpLH は、入力パルスのリーディングエッジにおける 50%の点から出力パルスのリーディングエッ ジにおける 1.3 V の点までの時間。 伝達遅延時間 tpHL は、入力パルスのトレイリングエッジにおける 50%の点から出力パルスのトレイリングエッ ジにおける 1.3 V の点までの時間。 注 8: CML はローレベル (Vout < 0.8 V) を維持できる、コモンモード電圧波形の最大立ち上がりを (電圧/時間) で表 したもの。 CMH はハイレベル (Vout < 2.0 V) を維持できる、コモンモード電圧波形の最大立ち下がりを (電圧/時間) で表 したもの。 注 9: 出力フォト IC は、非常に高感度のアンプを内蔵しており、発振防止用として、ピン 8 (VCC)とピン 5 (GND) の 間に高周波特性のよいバイパスコンデンサ 0.1μF をピンより 1 cm 以内の場所に取りつけてください。ない場 合には、スピードや ON / OFF の正常な動作をしない場合があります。 5 2001-04-06 TLP555 図1 tpHL、tpLH、tr、tf 測定回路、波形 図2 tpHZ、tpZH、tpLZ、tpZL 測定回路、波形 図 3 コモンモードノイズ除去電圧測定回路、波形 6 2001-04-06 TLP555 当社半導体製品取り扱い上のお願い 000629TBC · 当社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、一般に半導体製品は誤作動したり故障することがあります。当 社半導体製品をご使用いただく場合は、半導体製品の誤作動や故障により、生命･身体･財産が侵害されることの ないように、購入者側の責任において、機器の安全設計を行うことをお願いします。 なお、設計に際しては、最新の製品仕様をご確認の上、製品保証範囲内でご使用いただくと共に、考慮されるべ き注意事項や条件について｢東芝半導体製品の取り扱い上のご注意とお願い｣、｢半導体信頼性ハンドブック｣など でご確認ください。 · 本資料に掲載されている製品は、一般的電子機器 (コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用 ロボット、家電機器など) に使用されることを意図しています。特別に高い品質･信頼性が要求され、その故障や 誤作動が直接人命を脅かしたり人体に危害を及ぼす恐れのある機器 (原子力制御機器、航空宇宙機器、輸送機器、 交通信号機器、燃焼制御、医療機器、各種安全装置など) にこれらの製品を使用すること (以下 “特定用途” とい う) は意図もされていませんし、また保証もされていません。本資料に掲載されている製品を当該特定用途に使用 することは、お客様の責任でなされることとなります。 · 本資料に掲載されている製品の材料には、GaAs (ガリウムひ素) が使われています。その粉末や蒸気は人体に対 し危険ですので、破壊、切断、粉砕や化学的な分解はしないでください。また、製品を廃棄する場合は法規に従 い、一般産業廃棄物や家庭用ゴミとは混ぜないでください。 · 本資料に掲載されている製品は、外国為替および外国貿易法により、輸出または海外への提供が規制されている ものです。 · 本資料に掲載されている技術情報は、製品の代表的動作･応用を説明するためのもので、その使用に際して当社お よび第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 · 本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。 7 2001-04-06