BA157 ... BA159 BA157 ... BA159 Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2009-10-16 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung -0.1 DO-41 DO-204AL Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Ø 0.77±0.07 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings and characteristics Type Typ 400...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 5.1-0.1 Type +0.5 Ø 2.6 62.5 -2.5 1A Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse volt. Period. Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse volt. Stoßspitzensperrspanng. VRSM [V] Typ. junction capacitance Typ. Sperrschichtkapazität Cj [pF] 1) BA157 400 400 12 BA158 600 600 12 BA159 1000 1000 12 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75°C IFAV 1 A 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 35/40 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 6 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+175°C VF < 1.3 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM Tj = 100°C VR = VRRM IR IR < 5 µA < 100 µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 300 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 15 K/W 1 2 IF = 1 A Measured at f = 1 MHz, VR = 4 V – Gemessen bei f = 1 MHz, VR = 4 V Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BA157 ... BA159 120 102 [%] [A] 100 10 80 Tj = 125°C 1 60 40 Tj = 25°C 10 -1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] 35a-(1a-1.3v) 0.4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 100 VF [pF] [µA] Typical values Typische Werte 8 10 6 4 1 2 IR Cj 0.1 0 0 Tj 50 100 [°C] 150 Leakage current vs. junction temp. (typ. values) Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.) 2 http://www.diotec.com/ Junction capacitance versus reverse voltage Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg. © Diotec Semiconductor AG