DIOTEC HV3_08

HV3 ... HV6
HV3 ... HV6
Fast Switching High Voltage Silicon Rectifier Diodes
Schnelle Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden
Version 2008-04-09
HV3
Nominal current
Nennstrom
HV5, HV6
200 mA
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Ø 3+0.5
Ø 0.8±0.05
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 0.8
HV3
HV5, HV6
DO-41
DO-15
Weight approx.
Gewicht ca.
6.3 ±0.3
Type
62.5 ±0.5
-0.1
-0.1
5.1
Type
62.5
±0.5
Ø 2.6
3000...6000 V
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
HV3
3000
3000
HV5
5000
5000
HV6
6000
6000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
200 mA 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
5 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
27/30 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
3.5 A2s
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
HV3 ... HV6
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 200 mA
VF
<6V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 3 µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 10 mA through/über
IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA
trr
< 400 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
120
RthA
< 60 K/W 1)
10
[%]
[A]
100
80
1
60
40
10
-1
IF
20
IFAV
0
0
TA
100
50
150
[°C]
10-2
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
102
[A]
10
îF
1
1
2
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG