HV3 ... HV6 HV3 ... HV6 Fast Switching High Voltage Silicon Rectifier Diodes Schnelle Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden Version 2008-04-09 HV3 Nominal current Nennstrom HV5, HV6 200 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Ø 3+0.5 Ø 0.8±0.05 Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 0.8 HV3 HV5, HV6 DO-41 DO-15 Weight approx. Gewicht ca. 6.3 ±0.3 Type 62.5 ±0.5 -0.1 -0.1 5.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 2.6 3000...6000 V 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack ±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] HV3 3000 3000 HV5 5000 5000 HV6 6000 6000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 200 mA 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.5 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 HV3 ... HV6 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 200 mA VF <6V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 3 µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA trr < 400 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 120 RthA < 60 K/W 1) 10 [%] [A] 100 80 1 60 40 10 -1 IF 20 IFAV 0 0 TA 100 50 150 [°C] 10-2 Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 102 [A] 10 îF 1 1 2 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG