大容量面実装デバイス 単体 Power zener Diode ■外形図 OUTLINE ST60-48MF ST60-48MF MCP Package Power Surface Mount Device Single Zener Diode ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS Package : MCP Unit:mm Weight 1.5g 40V 6000W TI=25℃ 10/1000μs TYP 特長 ・5Wクラス ・面実装 ・車載用途も対応可能 Feature ・5W Class ・SMD Package ・Available for automotive use 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照 下さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking,Terminal Connection.” ■定格表 RATINGS ●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（指定のない場合 T1＝25℃／unless otherwise specified） 項 目 Item 規格値 Ratings 単位 Unit Tstg －40～150 ℃ 接合部温度 Operating junction temperature Tj 150 ℃ 定格電力 Average rectified forward power P 5 w 保存温度 Storage temperature 記号 Symbol せん頭サージ逆電力 Maximum surge reverse Power PRSM せん頭サージ逆電流 Maximum surge reverse current IRSM 連続印加電圧 Maximum reverse voltage VRM 条件 Conditions T1 ＝ 25℃ 10/1000 μ s 非繰り返し 10/1000 μ s Non-repetitive 6000 10/10000 μ s 非繰り返し 10/10000 μ s Non-repetitive 3000 10/1000 μ s 非繰り返し 10/1000 μ s Non-repetitive 10/10000 μ s 非繰り返し 10/10000 μ s Non-repetitive 100 55 40 w A V ●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics（指定のない場合 T1＝25℃／unless otherwise specified） 動作開始電圧 Breakdown Voltage 制限電圧 Clamping voltage VBR IR=1mA，パルス測定 IR=1mA，Pulse measurement VCL IPP=100A 10/1000 μ s exp 波 IPP=100A 10/1000 μ s exponential wave Min. 43.2 Max. 54.0 V Max. 60 V IR VR=40V，パルス測定 VR=40V，Pulse measurement Max. 5 μA 順方向電圧 Forward voltage VF IF=30A，パルス測定 IF=30A，Pulse measurement Max. 1.3 V 温度係数 Temperture coefficient rz Max. 0.15 ％ /℃ 漏れ電流 Leakage current ST60-48MF_1 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊50Hz sine wave is used for measurements. ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊Semiconductor products generally have characterristic variation. Typical a statistical average of the devices ability. www.shindengen.co.jp/product/semi/ www.shindengen.co.jp/product/semi/