シングルインライン型 SBD Bridge Single In-line Package ■外観図 OUTLINE D4SBS6 Unit : mm Weight : 3.9g （typ.） Package：3S 60V 4A 管理番号（例） Control No. 品名 Type No. 特長 ロット記号（例） 4.6 Date code 25 • 薄型 SIP パッケージ • SBD ブリッジ • 低 VF D4SB S6 0264 15 ＋ ① Feature ∼ ∼ ② ③ − ④ + ∼ ∼ − • Thin-SIP • SBD Bridge • Low VF 17.5 ① ② ③ ④ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 For details of outline dimensions, refer to our web site or the Semiconductor Short Form Catalog. As for the marking, refer to the specification “Marking, Terminal Connection”. ■定格表 RATINGS 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 繰り返しせん頭サージ逆電圧 Repetitive Peak Surge Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 繰り返しせん頭サージ逆電力 Repetitive Peak Surge Reverse Power 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 接合容量 Junction Capacitance D4SBS6 単位 Unit Tstg −40∼150 ℃ Tj 150 ℃ 60 V 65 V VRM VRRSM IO IFSM PRRSM Vdis TOR （J534-1） 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load フィン付き With heatsink フィンなし Without heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 125℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj = 125℃ パルス幅10μs, １素子当たり，Tj = 25℃ Pulse width 10μs, per diode, Tj = 25℃ 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N・m） （Recommended torque : 0.5 N・m） パルス測定，1 素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode IF = 2A, IR 素子当たりの規格値 VR = VRM, パルス測定，1 Pulse measurement, per diode 1 素子当たりの規格値 f = 1MHZ, VR = 10V, per diode 接合部・ケース間，フィン付き Junction to Case, With heatsink 接合部・リード間，フィンなし Junction to Lead, Without heatsink 接合部・周囲間，フィンなし Junction to Ambient, Without heatsink Cj θjl θja 190 パルス幅0.5ms, duty 1/40 Pulse width 0.5ms, duty 1/40 VF θjc 熱抵抗 Thermal Resistance 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions Tc = 114℃ 4 Ta = 46℃ 2.3 A 60 A 330 W 2 kV 0.8 N・m MAX 0.62 MAX V 2 mA TYP 180 pF MAX 5.5 MAX 6 MAX 30 ℃/W D4SBS6 Thin SIP Bridge ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS 0 0 ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ 50Hz sine wave is used for measurements. ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ Semiconductor products generally have characterristic variation. Typical is a statistical average of the device's ability. （J534-1） 191