ETC 3DA1971

华晶分立器件
3DA1971
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DA1971 硅 NPN 型超高频大功率晶体管 主要用于移动通讯子母电话机功放电路中作射频
功率放大 该产品具有良好的电性能和可靠性 其特点如下
功率增益高
电流特性好
二次击穿耐量高
采用发射极接地结构
外形 TO-220AB
2 电特性
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符号
额定值
单位
集电极-发射极电压
VCE0
17
V
集电极-基 极电压
VCB0
35
V
发射极-基 极电压
VEB0
4
V
集电极电流
IC
1.2
A
Ptot
12.5
W
Tj
150
Tstg
-55 +150
耗散功率
(Tc=25)
结温
贮存温度
2.2 电特性
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
ICB0
IEB0
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
VCB=25V IE=0
VEB=3V IC=0
VCE=5V IC=0.5A R
40
55
O
55
80
Y
80
120
D
120
140
hFE
VCE sat
输出功率
规 范 值
典
最小
最大
型
0.2
0.2
测 试 条 件
IC=1.0A IB=0.2A
VCC=13.5V Pi=0.6W
PO
f=175MHz
1
6
单位
mA
mA
V
W
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
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传真
0510 5803016
华晶分立器件
3DA1971
3 特性曲线
安全工作区
Ptot - Tcase 关系曲线
Ptot (W)
Ic(A)
Tcase=25
20
1
15
10
0.1
5
0.01
0.1
0
1
10
VcE(V)
0
hFE - Ic 关系曲线
hFE
50
100
Tcase ( )
VCEsat - Ic 关系曲线
V CEsat (V)
Tamb=25
VCE=5V
Tamb=25
hFE=5
1
100
0.1
10
0.01
0.1
1
IC(A)
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10 IC(A)