华晶分立器件 3DA1971 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA1971 硅 NPN 型超高频大功率晶体管 主要用于移动通讯子母电话机功放电路中作射频 功率放大 该产品具有良好的电性能和可靠性 其特点如下 功率增益高 电流特性好 二次击穿耐量高 采用发射极接地结构 外形 TO-220AB 2 电特性 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 额定值 单位 集电极-发射极电压 VCE0 17 V 集电极-基 极电压 VCB0 35 V 发射极-基 极电压 VEB0 4 V 集电极电流 IC 1.2 A Ptot 12.5 W Tj 150 Tstg -55 +150 耗散功率 (Tc=25) 结温 贮存温度 2.2 电特性 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 ICB0 IEB0 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 VCB=25V IE=0 VEB=3V IC=0 VCE=5V IC=0.5A R 40 55 O 55 80 Y 80 120 D 120 140 hFE VCE sat 输出功率 规 范 值 典 最小 最大 型 0.2 0.2 测 试 条 件 IC=1.0A IB=0.2A VCC=13.5V Pi=0.6W PO f=175MHz 1 6 单位 mA mA V W 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5803016 华晶分立器件 3DA1971 3 特性曲线 安全工作区 Ptot - Tcase 关系曲线 Ptot (W) Ic(A) Tcase=25 20 1 15 10 0.1 5 0.01 0.1 0 1 10 VcE(V) 0 hFE - Ic 关系曲线 hFE 50 100 Tcase ( ) VCEsat - Ic 关系曲线 V CEsat (V) Tamb=25 VCE=5V Tamb=25 hFE=5 1 100 0.1 10 0.01 0.1 1 IC(A) 第 2 页 1 共 2 页 10 IC(A)