ETC 3DA825

华晶分立器件
3DA825
高频放大管壳额定双极型晶体管
1 概述与特点
3DA825 硅 NPN 型超高频大功率晶体管 主要用于 VHF 电视发射机与差转机以及通讯等其他
电子设备中作射频功率放大 该产品具有良好的电性能和可靠性 其特点如下
功率增益高
电流特性好
线性好 互调失真小
15
24.1
封装形式 H3b 见图
14
0.2
4.4
二次击穿耐量高
M8
5
2 电特性
2.1 极限值
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符号
C
VCE0
35
V
集电极-基 极电压
VCB0
60
V
发射极-基 极电压
VEB0
4
V
IC
3
A
Ptot
40
W
结温
Tj
150
贮存温度
Tstg
-55 +150
集电极电流
耗散功率
(Tc=25)
E
E
33
集电极-发射极电压
型号标志
单位
4.8
额定值
B
4.8
33
2.2 电特性
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
集电极-基极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极正向电流传输比
的静态值
集电极-发射极饱和电压
ICB0
IEB0
VCB=40V IE=0
VEB=3V IC=0
hFE
VCE=5V IC=1A
VCE sat
输出功率
GP
输出电容
Cob
规 范 值
最小 典型 最大
2
2
15
f=400MHz
VCC=28V PO=18W
f=400MHz
1.2
16
单位
mA
mA
80
IC=1.5A IB=0.3A
VCC=28V Pi=6W
PO
功率增益
测 试 条 件
18
V
W
4.5
dB
VCB=28V IE=0
45
f=1MHz
pF
无锡华晶微电子股份有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号
电话
0510 5807228-2268 2299
第 1 页
共 2 页
传真
0510 5803016
华晶分立器件
3DA828
3 特性曲线
安全工作区
Ptot - Tcase 关系曲线
Ptot (W)
Ic(A)
Tcase=25
40
1
30
20
0.1
10
0.01
0.1
0
1
10
VcE(V)
0
hFE - Ic 关系曲线
hFE
50
100
Tcase ( )
VCEsat - Ic 关系曲线
V CEsat (V)
Tamb=25
VCE=5V
Tamb=25
hFE=5
1
10
0.1
1
0.01
0.1
1
IC(A)
第 2 页
1
共 2 页
10 IC(A)