BAS 16 Silizium-Planar-Diode für die Oberflächenmontage Surface Mount Silicon Planar Small-Signal Diode Nominal current – Nennstrom 250 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 85 V Plastic case Kunststoffgehäuse SOT-23 (TO-236) Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 1 = anode 2 = n. c. / frei 3 = cathode 0.01 g Standard packaging taped and reeled see page 18 Standard Lieferform gegurtet auf Rolle siehe Seite 18 Maximum ratings Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM Max. average forward current Dauergrenzstrom IFAV 250 mA 1) f > 15 Hz IFRM 450 mA 1) tp = 1 :s IFSM 2A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Tj = 25/C Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics 85 V – 65...+ 150/C – 65...+ 150/C Kennwerte Forward voltage Durchlaßspannung Tj = 25/C IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 50 mA IF = 0.15 A VF VF VF VF Leakage current Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 150/C Tj = 150/C VR = 75 V VR = 25 V VR = 75 V IR IR IR ) Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß 11.03.2003 < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 1 :A < 30 :A < 50 :A 1 1 BAS 16 Junction capacitance Sperrschichtkapazität Reverse recovery time Sperrverzug VF = VR = 0 V f = 1 MHz IF = 10 mA über / through IR = 10 mA bis / to IR = 1 mA, UR = 6 V, RL = 100 S Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 2 Ctot < 2 pF trr < 6 ns RthA < 417 K/W 1)