1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter Nominal current – Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Metal case – Metallgehäuse DO-4 Weight approx. – Gewicht ca. 5.5 g Recommended mounting torque Empfohlenes Anzugsdrehmoment Dimensions / Maße in mm 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm Standard: Cathode to stud / am Gewinde Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R) Maximum ratings Type Typ 1N 1199 A 1N 1200 A 1N 1202 A 1N 1204 A 1N 1206 A 1N 3671 1N 3673 Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] = = = = = = = PBY 271 PBY 272 PBY 273 PBY 274 PBY 275 PBY 276 PBY 277 Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 60 120 240 480 720 1000 1200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100/C IFAV 12 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 40 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25/C IFSM 220 A Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25/C IFSM 240 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25/C i2t 240 A2s ) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100/C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100/C gehalten wird 26.03.2002 1 1 1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlaßspannung Tj = 25/C IF = 30 A VF Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C VR = VRRM IR Thermal resistance junction to stud Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 2 – 65…+175/C – 65…+175/C RthC < 1.5 V < 100 :A < 2 K/W F:\Data\Wp\DatBlatt\Einzelblätter\1n1199-pby271...wpd